CN104556993A - 一种温控陶瓷的加工方法 - Google Patents
一种温控陶瓷的加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104556993A CN104556993A CN201410782728.4A CN201410782728A CN104556993A CN 104556993 A CN104556993 A CN 104556993A CN 201410782728 A CN201410782728 A CN 201410782728A CN 104556993 A CN104556993 A CN 104556993A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- parts
- temperature
- temperature control
- indium
- cooling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title abstract description 11
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title abstract 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract description 13
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 15
- 229910021502 aluminium hydroxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- IRERQBUNZFJFGC-UHFFFAOYSA-L azure blue Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[S-]S[S-].[O-][Si]([O-])([O-])[O-].[O-][Si]([O-])([O-])[O-].[O-][Si]([O-])([O-])[O-].[O-][Si]([O-])([O-])[O-].[O-][Si]([O-])([O-])[O-].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] IRERQBUNZFJFGC-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 12
- 229910052667 lazurite Inorganic materials 0.000 claims description 12
- NDLPOXTZKUMGOV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoferriooxy)iron hydrate Chemical compound O.O=[Fe]O[Fe]=O NDLPOXTZKUMGOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 10
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 10
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 5
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052923 celestite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract 1
- UBXAKNTVXQMEAG-UHFFFAOYSA-L strontium sulfate Chemical compound [Sr+2].[O-]S([O-])(=O)=O UBXAKNTVXQMEAG-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 3
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
本发明涉及一种温控陶瓷的加工方法,按重量计由以下原料制备而成:氢氧化铝13-16份、多晶硅21-26份、氧化铁33-42份、天青石35-42份、石墨12-15份、铟15-17份;本发明的温控陶瓷在1225-1260℃间为导体,超出此温度范围为绝缘体,通过将温控陶瓷连接在加热电路中实现控温,控温精度达到±0.001℃。
Description
技术领域
本发明属于陶瓷领域,具体涉及一种温控陶瓷的加工方法。
背景技术
陶瓷是以粘土为主要原料以及各种天然矿物经过粉碎混炼、成型和煅烧制得的材料以及各种制品。人们把一种陶土制作成的在专门的窑炉中高温烧制的物品叫陶瓷。现在在电学领域,也有很多电学应用的陶瓷,如用于绝缘的绝缘陶瓷、导电陶瓷等,在温控装置领域,有很多温控传感器,但是在一些特殊领域,如高温高压条件下,传感器精度较差达不到精确控温的效果。
发明内容
本发明的目的是提供一种温控陶瓷的加工方法,使用导电陶瓷进行温度控制,提升了温度控制的精度。
本发明通过以下技术方案实现:
一种温控陶瓷的加工方法,按重量计由以下原料制备而成:氢氧化铝13-16份、多晶硅21-26份、氧化铁33-42份、天青石35-42份、石墨12-15份、铟15-17份;
具体步骤如下:(1)、将天青石、多晶硅、石墨使用球磨机研磨,过200目筛,然后混合均匀;
(2)、将上述原料在氮气保护下在1215-1285℃下煅烧30-50min,然后缓慢降温,降温幅度为2.5℃/min,降温后使用球磨机研磨,过320目筛;
(3)、将步骤(2)得到的粉末与氧化铁、氢氧化铝、铟粉碎、混合,模压制坯,模压压强为500Mpa,然后在1320-1350℃下灼烧1-1.5h,升温幅度为12.6℃/min,然后降温,降温幅度为3.8℃/min,得到温控陶瓷。
优选地,各原料重量配比如下:氢氧化铝15份、多晶硅22份、氧化铁39份、天青石35份、石墨12份、铟16份。
本发明得到的温控陶瓷控制温度范围为1225-1260℃之间,此范围的温度为陶瓷导电转换的临界点,在此温度范围内可以导电,超出此范围不导电。
本发明的有益效果:本发明的方法简单,处理后的陶瓷温度控温精度高,温控陶瓷在1225-1260℃间为导体,超出此温度范围为绝缘体,通过将温控陶瓷连接在加热电路中实现控温,控温精度达到±0.001℃。
具体实施方式
实施例1
一种温控陶瓷的加工方法,按重量计由以下原料制备而成:氢氧化铝13份、多晶硅25份、氧化铁42份、天青石37份、石墨13份、铟16份;
具体步骤如下:(1)、将天青石、多晶硅、石墨使用球磨机研磨,过200目筛,然后混合均匀;
(2)、将上述原料在氮气保护下在1245.8℃下煅烧35min,然后缓慢降温,降温幅度为2.5℃/min,降温后使用球磨机研磨,过320目筛;
(3)、将步骤(2)得到的粉末与氧化铁、氢氧化铝、铟粉碎、混合,模压制坯,模压压强为500Mpa,然后在1338℃下灼烧1-1.5h,升温幅度为12.6℃/min,然后降温,降温幅度为3.8℃/min,得到温控陶瓷。
此温控陶瓷转变临界温度为1233-1245℃,温度控制精度±0.08℃。
实施例2
一种温控陶瓷的加工方法,各原料重量配比如下:氢氧化铝15份、多晶硅22份、氧化铁39份、天青石35份、石墨12份、铟16份。
具体步骤如下:(1)、将天青石、多晶硅、石墨使用球磨机研磨,过200目筛,然后混合均匀;
(2)、将上述原料在氮气保护下在1267℃下煅烧48min,然后缓慢降温,降温幅度为2.5℃/min,降温后使用球磨机研磨,过320目筛;
(3)、将步骤(2)得到的粉末与氧化铁、氢氧化铝、铟粉碎、混合,模压制坯,模压压强为500Mpa,然后在1341℃下灼烧1.2h,升温幅度为12.6℃/min,然后降温,降温幅度为3.8℃/min,得到温控陶瓷。
此温控陶瓷转变临界温度为1225-1264℃,温度控制精度±0.001℃。
实施例3
一种温控陶瓷的加工方法,按重量计由以下原料制备而成:氢氧化铝15份、多晶硅26份、氧化铁40份、天青石40份、石墨15份、铟16.5份;
具体步骤如下:(1)、将天青石、多晶硅、石墨使用球磨机研磨,过200目筛,然后混合均匀;
(2)、将上述原料在氮气保护下在1264℃下煅烧50min,然后缓慢降温,降温幅度为2.5℃/min,降温后使用球磨机研磨,过320目筛;
(3)、将步骤(2)得到的粉末与氧化铁、氢氧化铝、铟粉碎、混合,模压制坯,模压压强为500Mpa,然后在1342℃下灼烧1.2h,升温幅度为12.6℃/min,然后降温,降温幅度为3.8℃/min,得到温控陶瓷。
此温控陶瓷转变临界温度为1248-1260℃,温度控制精度±0.001℃。
此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (2)
1.一种温控陶瓷的加工方法,其特征在于,按重量计由以下原料制备而成:氢氧化铝13-16份、多晶硅21-26份、氧化铁33-42份、天青石35-42份、石墨12-15份、铟15-17份;
具体步骤如下:(1)、将天青石、多晶硅、石墨使用球磨机研磨,过200目筛,然后混合均匀;
(2)、将上述原料在氮气保护下在1215-1285℃下煅烧30-50min,然后缓慢降温,降温幅度为2.5℃/min,降温后使用球磨机研磨,过320目筛;
(3)、将步骤(2)得到的粉末与氧化铁、氢氧化铝、铟粉碎、混合,模压制坯,模压压强为500Mpa,然后在1320-1350℃下灼烧1-1.5h,升温幅度为12.6℃/min,然后降温,降温幅度为3.8℃/min,得到温控陶瓷。
2.根据权力要求1所述的一种温控陶瓷的加工方法,其特征在于:各原料重量配比如下:氢氧化铝15份、多晶硅22份、氧化铁39份、天青石35份、石墨12份、铟16份。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410782728.4A CN104556993B (zh) | 2014-12-18 | 2014-12-18 | 一种温控陶瓷的加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410782728.4A CN104556993B (zh) | 2014-12-18 | 2014-12-18 | 一种温控陶瓷的加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104556993A true CN104556993A (zh) | 2015-04-29 |
CN104556993B CN104556993B (zh) | 2016-06-15 |
Family
ID=53074181
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410782728.4A Expired - Fee Related CN104556993B (zh) | 2014-12-18 | 2014-12-18 | 一种温控陶瓷的加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104556993B (zh) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102924064A (zh) * | 2012-11-23 | 2013-02-13 | 江苏聚盛电子科技有限公司 | 一种宽温区ntc热敏陶瓷材料及其制备方法 |
CN103360052A (zh) * | 2012-03-26 | 2013-10-23 | 常熟市林芝电子有限责任公司 | 热敏陶瓷材料和其制得的温度传感热敏电阻及制造方法 |
-
2014
- 2014-12-18 CN CN201410782728.4A patent/CN104556993B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103360052A (zh) * | 2012-03-26 | 2013-10-23 | 常熟市林芝电子有限责任公司 | 热敏陶瓷材料和其制得的温度传感热敏电阻及制造方法 |
CN102924064A (zh) * | 2012-11-23 | 2013-02-13 | 江苏聚盛电子科技有限公司 | 一种宽温区ntc热敏陶瓷材料及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104556993B (zh) | 2016-06-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103613293B (zh) | 一种微膨胀高镁中热水泥及其生产方法与应用 | |
CN103803968B (zh) | 一种中低介电常数低温共烧陶瓷材料及其制备方法 | |
CN103819195A (zh) | 添加三元复合烧结剂制备高导热氮化铝陶瓷基片的方法 | |
CN104310973B (zh) | 高导热功能陶瓷薄板及其制备方法 | |
CN109835927A (zh) | 一种耐高温、高疏水电工级氧化镁粉及其制备方法 | |
CN107352982A (zh) | 一种改性电子陶瓷材料及其制备方法 | |
CN104129933B (zh) | 一种利用废铜矿渣制得的核电水泥及其制备方法 | |
CN103145164B (zh) | 低温烧结精细陶瓷用的氧化铝粉体的制备方法 | |
CN103896605A (zh) | 一种用蓝晶石合成堇青石-莫来石复合材料的方法 | |
CN105036167A (zh) | 一种六铝酸钙及其制备方法 | |
CN103288462B (zh) | 一种硅石保温砖及生产方法 | |
CN107382295A (zh) | 一种集成电路衬底用绝缘陶瓷及其制备方法 | |
CN105060878A (zh) | 低介电常数高品质因数微波介质陶瓷及其制备方法 | |
CN104556993A (zh) | 一种温控陶瓷的加工方法 | |
CN104072159A (zh) | 一种耐火砖的制备方法 | |
CN103693944A (zh) | 基于低压电瓷废料的铝硅系轻质骨料及其制备方法 | |
CN103922764B (zh) | 不定形耐火材料用结合剂及其制备方法 | |
CN102976750A (zh) | 一种氧化镁改性的锆钛酸铅热释电陶瓷材料及其制备方法 | |
CN104628389A (zh) | 一种低温无压烧结的碳化硅陶瓷及其制备方法 | |
CN107903042A (zh) | 一种ntc热敏电阻的制备方法 | |
CN104230328A (zh) | 一种中温烧结低介微波介质陶瓷材料及其制备方法 | |
CN107285755A (zh) | 一种稳定耐高温电子陶瓷及其制备方法 | |
CN102838351B (zh) | 一种多铁材料及制备方法 | |
CN102757225B (zh) | 一种氧化物结合氮化硅制品的制备方法 | |
CN103553580B (zh) | 多晶硅还原炉用绝缘磁环及其制作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20160615 |