CN104516385A - 电压调节器 - Google Patents

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Abstract

提供具有漏电流校正电路的电压调节器，即使基准电压电路的输出电压因漏电流的影响而下降，也能够保持输出电压的精度。电压调节器具有：误差放大电路，其对基准电压电路输出的基准电压与分压电路输出的反馈电压之差进行放大并输出，来控制输出晶体管的栅极，其中，所述分压电路对所述输出晶体管输出的输出电压进行分压；以及漏电流校正电路，其设置在所述分压电路的输出端子处，在高温时，所述漏电流校正电路使所述反馈电压降低，防止所述输出电压的下降。

Description

电压调节器
技术领域
本发明涉及即使在高温时基准电压电路受到漏电流的影响、输出电压的精度也优良的电压调节器。
背景技术
对现有的电压调节器进行说明。图7是示出现有的电压调节器的电路图。
差动放大电路104对基准电压电路103的基准电压(VREF)与分压电路106的反馈电压(VFB)进行比较，以使VREF与VFB成为相同的电压的方式控制输出晶体管105的栅极电压。在设输出端子102的输出电压为VOUT时，输出电压VOUT可由下式求出。
VOUT＝(RS+RF)/RS×VREF···(1)
此处，RF表示电阻121的电阻值，RS表示电阻122的电阻值。
基准电压电路103由耗尽型NMOS晶体管131和NMOS晶体管132构成，且以改善基准电压电路103的温度特性、保持输出电压VOUT相对于温度的精度的方式进行控制(例如，参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平9-326469号公报
发明内容
但是，在现有技术中，存在如下问题：在构成基准电压电路103的NMOS晶体管132以及耗尽型NMOS晶体管131在处于流过结漏电流以及沟道漏电流那样的高温状态时，由于漏电流的影响，VREF下降，输出电压VOUT也降低(参照图6的(A))。而且，在高温时，由于漏电流的影响，存在不能使输出电压VOUT的精度保持在固定范围内这样的问题。
本发明是鉴于上述问题而完成的，其提供具有漏电流校正电路的电压调节器，即使基准电压电路的输出电压因漏电流的影响而下降，也能够保持输出电压的精度。
为了解决现有的问题，本发明的电压调节器构成为如下。
电压调节器具有：误差放大电路，其对基准电压电路输出的基准电压与分压电路输出的反馈电压之差进行放大并输出，来控制输出晶体管的栅极，其中，所述分压电路对所述输出晶体管输出的输出电压进行分压；以及漏电流校正电路，其设置在所述分压电路的输出端子处，在高温时，所述漏电流校正电路使所述反馈电压降低，防止所述输出电压的下降。
发明效果
本发明的具有漏电流校正电路的电压调节器在高温时，能够利用漏电流校正电路的截止漏电流降低反馈电压，抑制输出电压VOUT的下降。此外，能够降低截止漏电流的影响，而无需使用复杂的结构。
附图说明
图1是示出第一实施方式的电压调节器的电路图。
图2是示出第二实施方式的电压调节器的电路图。
图3是示出第三实施方式的电压调节器的电路图。
图4是在本发明的电压调节器中追加了电容校正电路的电路图。
图5是示出用于提高本发明的电压调节器的漏电流校正电路的精度的一例的电路图。
图6是示出电压调节器的输出电压和漏电流的温度特性的图。
图7是示出现有的电压调节器的电路图。
标号说明
100  接地端子
101  电源端子
102  输出端子
103  基准电压电路
104  差动放大电路
105  输出晶体管
106  分压电路
107  漏电流校正电路
208  电容校正电路
具体实施方式
以下，参照附图，对本实施方式进行说明。
[第一实施方式]
图1是第一实施方式的电压调节器的电路图。第一实施方式的电压调节器由基准电压电路103、差动放大电路104、输出晶体管105、分压电路106、漏电流校正电路107、接地端子100、电源端子101以及输出端子102构成。分压电路106由电阻121、122构成。漏电流校正电路107由电阻141和NMOS晶体管142构成。基准电压电路103由耗尽型NMOS晶体管131和NMOS晶体管132构成。
继续进行说明。耗尽型NMOS晶体管131的栅极和源极与NMOS晶体管132的栅极和漏极以及差动放大电路104的反相输入端子连接，漏极与电源端子101连接。NMOS晶体管132的源极与接地端子100连接。差动放大电路104的输出与输出晶体管105的栅极连接，非反相输入端子与电阻121的一个端子和电阻122的一个端子之间的连接点连接。输出晶体管105的源极与电源端子101连接，漏极与输出端子102以及电阻121的另一个端子连接。电阻122的另一个端子与接地端子100连接。NMOS晶体管142的漏极经由电阻141与差动放大电路104的非反相输入端子连接，栅极以及源极与接地端子100连接。
接下来，对第一实施方式的电压调节器的动作进行说明。在常温时，由于NMOS晶体管142，在漏电流校正电路107中不流过电流，不对电压调节器的动作带来影响。通过使用电阻141，在输出端子102的输出电压VOUT变动而进行差动放大电路104的反馈动作时，能够使NMOS晶体管142的漏极-栅极间以及漏极-体区(bulk)间的寄生电容不对电压调节器的动作带来影响。
在高温时，在构成基准电压电路103的NMOS晶体管132以及耗尽型NMOS晶体管131中流过结漏电流，因而使作为基准电压电路103的输出电压的基准电压VREF下降。同样，NMOS晶体管142也流过截止漏电流，因而使分压电路106的反馈电压VFB下降。通过NMOS晶体管142，以与基准电压VREF的下降相同的电压来降低反馈，由此，能够将反馈电压VFB和基准电压VREF保持为相同的电压。这样，差动放大电路104的输出不会发生变化，输出晶体管105的栅极-源极间电压也没有变化，从而抑制了输出电压VOUT的下降。
图6的(B)示出第一实施方式的电压调节器的输出电压VOUT与温度Ta之间的关系。在高温时，以与基准电压VREF的下降相同的电压来降低反馈电压VFB，由此，能够抑制输出电压VOUT的下降。在温度进一步升高时，如图6的(C)所示，漏电流Ikeak以指数函数方式增大，因NMOS晶体管142的截止漏电流而使反馈电压VFB下降的比例大于因基准电压电路103的漏电流而使基准电压VREF下降的比例，因此输出电压VOUT随着温度上升而顺滑地上升。这样，能够抑制高温时的输出电压VOUT的下降。由于用于抑制输出电压VOUT的下降的元件仅是电阻以及截止晶体管，因此，不会增大IC的面积，能够降低截止漏电流的影响，而无需使用复杂的结构。
此外，基准电压电路对结构没有限定，只要满足本发明的动作，则任意结构均可。
通过以上方式，在高温时，第一实施方式的电压调节器能够利用漏电流校正电路107的截止漏电流来降低分压电路106的反馈电压VFB，从而抑制输出电压VOUT的下降。此外，能够降低截止漏电流的影响，而无需使用复杂的结构。
[第二实施方式]
图2是示出第二实施方式的电压调节器的电路图。与图1的不同之处在于，在漏电流校正电路107中使用了耗尽型NMOS晶体管301，并使耗尽型NMOS晶体管301的漏极以及栅极与NMOS晶体管142的栅极以及源极连接，使源极与接地端子100连接。
接下来，对第二实施方式的电压调节器的动作进行说明。由于NMOS晶体管142的栅极和源极连接，因此，在高温时，漏电流校正电路07能够流过截止漏电流而降低反馈电压VFB。由于NMOS晶体管142，耗尽型NMOS晶体管301在常温时不流过电流，仅在高温时流过结漏电流。可以使用与构成基准电压电路103的NMOS晶体管132和耗尽型NMOS晶体管131相同结构的元件来作为漏电流校正电路107的元件，由此，不会受到工艺偏差或温度变化导致的影响，能够流过与构成基准电压电路103的元件的结漏电流相同特性的结漏电流。由此，对于工艺依赖性导致的特性偏差也能够得到稳定的特性，在高温时，更精确地根据漏电流校正电路107的漏电流来降低反馈电压VFB，从而保持与基准电压VREF相同的电压。这样，能够抑制输出电压VOUT的下降，能够使输出电压VOUT的精度保持在固定范围内。
此外，期望的是，构成基准电压电路103的耗尽型NMOS晶体管131和耗尽型NMOS晶体管301放置在相同的Well上。此外，基准电压电路对结构没有限定，只要满足本发明的动作，则任意结构均可。
根据以上方式，通过在漏电流校正电路107中使用耗尽型NMOS晶体管、并由与基准电压电路103相同结构的元件来构成，由此，能够利用抑制了漏电流校正电路107和基准电压电路103的工艺偏差的漏电流来降低反馈电压VFB。而且，能够高精度地抑制输出电压VOUT的下降，使输出电压VOUT的精度保持在固定范围内。
[第三实施方式]
图3是示出第三实施方式的电压调节器的电路图。与图2的不同之处在于使耗尽型NMOS晶体管301的栅极与接地端子100连接。
对动作进行说明。由于NMOS晶体管142的栅极和源极连接，因此，在高温时，在漏电流校正电路107中，能够流过截止漏电流，降低反馈电压VFB。由于NMOS晶体管142，在常温时不流过电流，仅在高温时流过结漏电流。因此，即使耗尽型NMOS晶体管301的栅极与接地端子连接，在常温时也不会流过电流，而高温时流过的结漏电流相同，因此，能够流过与基准电压电路103的漏电流相同特性的结漏电流，从而抑制工艺偏差。其它动作与图2相同。
根据以上方式，通过在漏电流校正电路107中使用耗尽型NMOS晶体管、并以与基准电压电路103相同结构的元件来构成，由此，能够利用抑制了漏电流校正电路107和基准电压电路103的工艺偏差的漏电流来降低反馈电压VFB。进而，能够高精度地抑制输出电压VOUT的下降，能够使输出电压VOUT的精度保持在固定范围内。
如上所述，根据本发明的具有漏电流校正电路的电压调节器，即使基准电压电路103的基准电压因高温导致的漏电流而下降，也能够使漏电流校正电路与反馈电压VFB同样地下降，因此，能够抑制输出电压VOUT的下降。
此外，通过将本发明的具有漏电流校正电路的电压调节器设为如下结构，能够进一步提高功能和精度。
图4是在本发明的电压调节器中追加了电容校正电路208的电路图。与图1的不同之处在于，电容校正电路208与差动放大电路104的反相输入端子连接。电容校正电路208具有NMOS晶体管202和电阻201。NMOS晶体管202的漏极、源极和基极与接地端子100连接，栅极经由电阻201与差动放大电路104的反相输入端子连接。此处，电容校正电路208设定为与漏电流校正电路107的寄生电容同等的电容值。
在本发明的电压调节器中，通过设置电容校正电路208，能够抵消漏电流校正电路107带来的寄生电容的影响，提高电路动作的稳定性。
图5是示出用于提高本发明的电压调节器的漏电流校正电路107的精度的一例的电路图。漏电流校正电路107例如使用耗尽型NMOS晶体管301、501、502，使它们分别并联连接，且构成为能够通过熔断器503、504、505进行微调。因此，通过对耗尽型NMOS晶体管301、501、502进行微调，能够将漏电流校正电路107的漏电流特性设为最优值。
此外，这些结构可以应用于全部实施方式的电路。

Claims (4)

1.一种电压调节器，其特征在于，该电压调节器具有：
误差放大电路，其对基准电压电路输出的基准电压与分压电路输出的反馈电压之差进行放大并输出，来控制输出晶体管的栅极，其中，所述分压电路对所述输出晶体管输出的输出电压进行分压；以及
漏电流校正电路，其设置在所述分压电路的输出端子处，
在高温时，所述漏电流校正电路使所述反馈电压降低，防止所述输出电压的下降。
2.根据权利要求1所述的电压调节器，其特征在于，
所述漏电流校正电路具有：
电阻；以及
晶体管，其栅极和源极与接地端子连接，漏极经由所述电阻与所述分压电路的输出端子连接。
3.根据权利要求1所述的电压调节器，其特征在于，
所述漏电流校正电路具有：
电阻；
第一晶体管，其栅极和源极连接，漏极经由所述电阻与所述分压电路的输出端子连接；以及
第二晶体管，其漏极与所述第一晶体管的栅极和源极连接，源极与接地端子连接。
4.根据权利要求3所述的电压调节器，其特征在于，
构成所述漏电流校正电路的所述第一晶体管以及第二晶体管与构成所述基准电压电路的晶体管是相同的结构。
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