CN104508831A - 太阳能电池元件、太阳能电池元件的制造方法以及太阳能电池模块 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种太阳能电池元件，其具有：具有受光面及与上述受光面相反侧的背面的半导体基板；配置于上述受光面的一部分且扩散有杂质的第1杂质扩散区域；配置于上述受光面且杂质浓度比第1杂质扩散区域低的第2杂质扩散区域；配置于上述第1杂质扩散区域的至少一部的受光面电极；配置于上述背面上的背面电极；和配置于上述受光面及背面中的至少一方的面上且包含选自Nb₂O₅、Ta₂O₅、V₂O₅、Y₂O₃及HfO₂中的1种以上化合物的钝化层。

Description

太阳能电池元件、太阳能电池元件的制造方法以及太阳能电池模块

技术领域

本发明涉及太阳能电池元件、太阳能电池元件的制造方法以及太阳能电池模块。

背景技术

对以往的硅太阳能电池元件的制造工序进行说明。

首先，为了促进陷光效应而实现高效率化，准备在受光面侧形成有纹理结构的p型硅基板，接着，在氧氯化磷(POCl₃)、氮气及氧气的混合气体气氛中在800℃～900℃下进行数十分钟的处理，均匀地形成n型扩散层。在该以往的方法中，由于使用混合气体进行磷的扩散，因此不仅在受光面即表面形成n型扩散层，而且在侧面及背面也形成n型扩散层。因此，为了除去形成于侧面的n型扩散层而需要进行侧蚀刻。此外，形成于背面的n型扩散层需要变换为p⁺型扩散层。因此，在整个背面赋予包含铝粉末、玻璃粉(glass frit)、分散介质及有机粘合剂的铝糊剂并对其进行热处理(烧成)而形成铝电极，由此使n型扩散层成为p⁺型扩散层，进而得到欧姆接触。

但是，由铝糊剂形成的铝电极的电导率低。因此，为了降低薄膜电阻，通常形成于整个背面的铝电极在热处理后必须具有10μm～20μm左右的厚度。进而，由于硅与铝的热膨胀率大不相同，因此，在热处理及冷却的过程中，使硅基板中产生较大的内部应力，从而造成晶界损伤(damage)、结晶缺陷增长及翘曲。

为了解决该问题，有减少铝糊剂的赋予量而使背面电极层的厚度变薄的方法。但是，如果减少铝糊剂的赋予量，则从p型硅半导体基板的表面扩散至内部的铝量变得不充分。结果：无法实现所需的BSF(Back SurfaceField，背场)效应(因p⁺型扩散层的存在而使生成载流子的收集效率提高的效应)，因此产生太阳能电池的特性降低的问题。

基于上述情况，提出了通过在硅基板表面的一部分赋予铝糊剂而局部地形成p⁺型扩散层和铝电极的点接触的方法(例如参照日本专利第3107287号公报)。

此种在与受光面相反的一侧(以下也称为“背面侧”)具有点接触结构的太阳能电池的情况下，需要在除铝电极以外的部分的表面抑制少数载流子的再结合速度。作为用于该用途的背面用的半导体基板钝化层(以下也简称为“钝化层”)，提出了SiO₂层等(例如参照日本特开2004-6565号公报)。作为因形成SiO₂层所产生的钝化效果，包括将硅基板的背面表层部的硅原子的未结合键封端，从而使引起再结合的表面能级密度降低的效果。

此外，作为抑制少数载流子的再结合的其它方法，包括利用钝化层内的固定电荷所产生的电场来降低少数载流子密度的方法。这样的钝化效果通常被称为电场效应，并提出了氧化铝(Al₂O₃)等作为具有负固定电荷的材料(例如参照日本专利第4767110号公报)。这样的钝化层通常通过ALD(Atomic Layer Deposition，原子层沉积)法、CVD(Chemical VaporDeposition，化学气相沉积)法等方法形成(例如参照Journal of AppliedPhysics，104(2008)，113703-1～113703-7)。此外，作为在半导体基板上形成氧化铝层的简便的方法，提出了利用溶胶凝胶法的方法(例如参照Thin Solid Films，517(2009)，6327～6330、Chinese Physics Letters，26(2009)，088102-1～088102-4)。

发明内容

发明要解决的课题

Journal of Applied Physics，104(2008)，113703-1～113703-7中记载的方法包含蒸镀等复杂的制造工序，所以存在难以提高生产率的情况。此外，在用于Thin Solid Films，517(2009)，6327～6330或Chinese PhysicsLetters，26(2009)，088102-1～088102-4所记载的方法的钝化层形成用组合物中，会经时性地产生凝胶化等不良情况，保存稳定性还难以称得上充分。进而，迄今为止对于使用包含除铝以外的金属元素的氧化物来形成具有优异钝化效果的钝化层的研究还并不充分。

本发明鉴于以上的以往问题而完成，其课题在于提供具有优异转换效率且使经时性的太阳能电池特性的降低得到抑制的太阳能电池元件、该太阳能电池元件的简便的制造方法、以及具有优异转换效率且使经时性的太阳能电池特性的降低得到抑制的太阳能电池模块。

用于解决课题的手段

用于解决上述课题的具体手段如下所述。

<1>一种太阳能电池元件，其具有：

具有受光面及与上述受光面相反侧的背面的半导体基板；

配置于上述受光面的一部分且扩散有杂质的第1杂质扩散区域；

配置于上述受光面且杂质浓度比第1杂质扩散区域低的第2杂质扩散区域；

配置于上述第1杂质扩散区域的至少一部分的受光面电极；

配置于上述背面上的背面电极；和

配置于上述受光面及背面中的至少一方的面上且包含选自Nb₂O₅、Ta₂O₅、V₂O₅、Y₂O₃及HfO₂中的1种以上化合物的钝化层。

<2>根据<1>所述的太阳能电池元件，其中，上述钝化层还含有Al₂O₃。

<3>根据<1>或<2>所述的太阳能电池元件，其中，上述钝化层的密度为1.0g/cm³～10.0g/cm³。

<4>根据<1>～<3>中任一项所述的太阳能电池元件，其中，上述钝化层的平均厚度为5nm～50μm。

<5>根据<1>～<4>中任一项所述的太阳能电池元件，其中，上述钝化层为钝化膜用组合物的热处理物。

<6>根据<5>所述的太阳能电池元件，其中，上述钝化膜用组合物包含选自Nb₂O₅、Ta₂O₅、V₂O₅、Y₂O₃、HfO₂及下述通式(I)所示的化合物中的1种以上。

M(OR¹)m (I)

[式(I)中，M包含选自Nb、Ta、V、Y及Hf中的至少1种金属元素。R¹分别独立地表示碳数1～8的烷基或碳数6～14的芳基。m表示1～5的整数。]

<7>根据<6>所述的太阳能电池元件，其中，上述钝化层形成用组合物还包含选自Al₂O₃及下述通式(II)所示的化合物中的1种以上的铝化合物。

【化1】

式(II)中，R²分别独立地表示碳数1～8的烷基。n表示0～3的整数。X²及X³分别独立地表示氧原子或亚甲基。R³、R⁴及R⁵分别独立地表示氢原子或碳数1～8的烷基。

<8>根据<7>所述的太阳能电池元件，其中，上述通式(II)中的R²分别独立地为碳数1～4的烷基。

<9>根据<7>或<8>所述的太阳能电池元件，其中，上述通式(II)中的n为1～3的整数、R⁵分别独立地为氢原子或碳数4或5的烷基。

<10>根据<7>～<9>中任一项所述的太阳能电池元件，其中，上述钝化层形成用组合物包含选自Al₂O₃及上述通式(II)所示的化合物中的1种以上的铝化合物，上述钝化层形成用组合物中的上述铝化合物的总含有率为0.1质量％～80质量％。

<11>根据<6>～<10>中任一项所述的太阳能电池元件，其中，上述钝化层形成用组合物包含选自Nb₂O₅及上述通式(I)中的M为Nb的化合物中的1种以上的铌化合物，上述钝化层形成用组合物中的上述铌化合物的总含有率以Nb₂O₅换算为0.1质量％～99.9质量％。

<12>根据<5>～<11>中任一项所述的太阳能电池元件，其中，上述钝化层形成用组合物包含液状介质。

<13>根据<12>所述的太阳能电池元件，其中，上述液状介质包含选自疏水性有机溶剂、非质子性有机溶剂、萜溶剂、酯溶剂、醚溶剂及醇溶剂中的至少一种。

<14>一种<1>～<13>中任一项所述的太阳能电池元件的制造方法，其包括：

在具有受光面及与上述受光面相反侧的背面的半导体基板的上述受光面的一部分形成第1杂质扩散区域的工序；

在上述受光面形成杂质浓度比第1杂质扩散区域低的第2杂质扩散区域的工序；

在上述第1杂质扩散区域的至少一部分形成受光面电极的工序；

在上述背面形成背面电极的工序；

在选自上述受光面及上述背面中的至少1个面上赋予钝化层形成用组合物而形成组合物层的工序，所述钝化层形成用组合物包含选自Nb₂O₅、Ta₂O₅、V₂O₅、Y₂O₃、HfO₂及下述通式(I)所示的化合物中的1种以上化合物；以及

对上述组合物层进行热处理而形成含有选自Nb₂O₅、Ta₂O₅、V₂O₅、Y₂O₃及HfO₂中的1种以上化合物的钝化层的工序。

M(OR¹)m (I)

式(I)中，M包含选自Nb、Ta、V、Y及Hf中的至少1种金属元素。R¹分别独立地表示碳数1～8的烷基或碳数6～14的芳基。m表示1～5的整数。

<15>根据<14>所述的太阳能电池元件的制造方法，其中，上述钝化层形成用组合物还包含选自Al₂O₃及下述通式(II)所示的化合物中的1种以上。

【化2】

式(II)中，R²分别独立地表示碳数1～8的烷基。n表示0～3的整数。X²及X³分别独立地表示氧原子或亚甲基。R³、R⁴及R⁵分别独立地表示氢原子或碳数1～8的烷基。

<16>根据<14>或<15>所述的太阳能电池元件的制造方法，其中，上述热处理的温度为400℃以上。

<17>根据<14>～<16>中任一项所述的太阳能电池元件的制造方法，其中，上述形成组合物层的工序包括利用丝网印刷法或喷墨法赋予上述钝化层形成用组合物的步骤。

<18>一种太阳能电池模块，其具有<1>～<13>中任一项所述的太阳能电池元件和配置于上述太阳能电池元件的电极上的布线材料。

发明效果

根据本发明，可以提供具有优异的转换效率且使经时性的太阳能电池特性的降低得到抑制的太阳能电池元件、该太阳能电池元件的简便的制造方法、以及具有优异的转换效率且使经时性的太阳能电池特性的降低得到抑制的太阳能电池模块。

附图说明

图1是示意性表示本实施方式的太阳能电池元件的制造方法的一例的剖视图。

图2是示意性表示本实施方式的太阳能电池元件的背面电极配置的一例的俯视图。

图3是示意性表示本实施方式的太阳能电池元件的背面电极配置的另一例的俯视图。

图4是示意性表示本实施方式的太阳能电池元件的受光面电极配置的一例的俯视图。

图5是示意性表示本实施方式的太阳能电池元件的钝化层及背面电极的配置的一例的俯视图。

图6是示意性表示本实施方式的太阳能电池元件的钝化层及背面电极的配置的另一例的俯视图。

图7是表示本实施方式的受光面电极形成用的丝网掩模版的一例的俯视图。

图8是表示本实施方式的背面电极形成用的丝网掩模版的一例的俯视图。

图9是表示双面电极型的太阳能电池元件的结构的剖视图。

图10是表示参考实施方式的太阳能电池元件的第1构成例的剖视图。

图11是表示参考实施方式的太阳能电池元件的第2构成例的剖视图。

图12是表示参考实施方式的太阳能电池元件的第3构成例的剖视图。

图13是表示参考实施方式的太阳能电池元件的第4构成例的剖视图。

图14是表示参考实施方式的太阳能电池元件的另一构成例的剖视图。

具体实施方式

在本说明书中，用语“工序”不仅是独立的工序，而且还有无法明确区别于其它工序的情况，在该情况下只要能实现该工序的预期目的，则也包含在本用语中。此外，使用“～”示出的数值范围表示含有“～”的前后记载的数值分别作为最小值及最大值的范围。进而，关于组合物中的各成分的含量，在组合物中存在多种相当于各成分的物质的情况下，只要没有特别说明，则均是指组合物中存在的该多种物质的总量。此外，在本说明书中的用语“层”除了包含以俯视图的形式观察时形成于整面的形状的构成以外，还包含以俯视图的形式观察时形成于一部分的形状的构成。

<太阳能电池元件>

本发明的太阳能电池元件具有受光面及与上述受光面相反侧的背面，上述受光面具有含有杂质的第1杂质扩散区域、杂质浓度比第1杂质扩散区域低的第2杂质扩散区域及配置于第1杂质扩散区域的至少一部分的受光面电极，上述背面具有背面电极，选自上述受光面及上述背面中的至少1个面具有钝化层，所述钝化层含有选自Nb₂O₅、Ta₂O₅、V₂O₅、Y₂O₃及HfO₂中的1种以上(以下也称作“特定金属氧化物”，并且将各个金属氧化物所含的金属元素也称作“特定金属元素”)。

在半导体基板的背面具有电极及含有特定金属氧化物的钝化层的太阳能电池元件的转换效率优异且使经时性的太阳能电池特性的降低得到抑制。认为其原因在于例如：通过使钝化层含有特定金属氧化物，从而体现优异的钝化效果，并且使半导体基板内的载流子寿命变长，因此能够实现高效率化。此外，认为其原因还在于：通过含有特定金属氧化物，从而维持钝化层的钝化效果，并且能够抑制经时性的太阳能电池特性(例如转换效率)的降低。在此，经时性的太阳能电池特性的降低可利用在恒温恒湿槽中放置规定时间后的太阳能电池特性来进行评价。

关于在半导体基板的背面具有电极及含有特定金属氧化物的钝化层的太阳能电池元件的转换效率优异且使经时性的太阳能电池特性的降低得到抑制的理由，可以考虑如下。即，特定金属氧化物为具有固定电荷的化合物。可认为：通过在半导体基板表面存在具有固定电荷的化合物，从而产生能带弯曲(band bending)而抑制载流子的再结合。此外，即便为固定电荷小或不具有固定电荷的化合物，只要显示出具有修复半导体基板表面的缺陷的功能等钝化效果即可。

存在于半导体基板表面的化合物的固定电荷可以利用CV法(Capacitance Voltage Measurement，电容电压测量法)进行评价。若将对后述的钝化层形成用组合物进行热处理所形成的钝化层的表面能级密度利用CV法来评价，则有时其值大于利用ALD法或CVD法所形成的钝化层。但是，本发明的太阳能电池元件所具有的钝化层的电场效应大且少数载流子的浓度降低，使表面寿命τ_s变大。因此，表面能级密度相对而言不成问题。

本说明书中，使用日本施美乐博株式会社制造的WT-2000PVN等装置，利用微波反射光电导衰减法对形成有钝化层的半导体基板内的少数载流子的有效寿命进行测定，由此可以评价半导体基板的钝化效果。

在此，有效寿命τ可以按照下述式(A)那样利用半导体基板内部的本体寿命(bulk lifetime)τ_b和半导体基板表面的表面寿命τ_s来表示。在半导体基板表面的表面能级密度小的情况下，τ_s变长，结果使有效寿命τ变长。此外，即使半导体基板内部的悬空键等缺陷变少，本体寿命τ_b也会变长，使有效寿命τ也变长。即，可以通过测定有效寿命τ来评价钝化层与半导体基板的界面特性、悬空键等半导体基板的内部特性。

1/τ＝1/τ_b+1/τ_s  (A)

另外，有效寿命越长，表示少数载流子的再结合速度越慢。此外，通过使用有效寿命长的半导体基板来构成太阳能电池元件，从而使转换效率提高。

太阳能电池元件包含具有受光面及与上述受光面相反侧的背面的半导体基板。作为上述半导体基板，可列举在硅、锗等中掺杂(扩散)有p型杂质或n型杂质的半导体基板。上述半导体基板既可以是p型半导体基板，也可以是n型半导体基板。其中，从钝化效果的观点出发，优选为形成钝化层的面是p型层的半导体基板。上述半导体基板上的p型层既可以是来源于p型半导体基板的p型层，也可以是以p型扩散区域或p⁺型扩散区域的形式形成于n型半导体基板或p型半导体基板上的p型层。

在上述半导体基板中优选将p型区域及n型区域进行pn接合。即，在半导体基板为p型半导体基板的情况下，优选在半导体基板的受光面或背面形成n型区域。此外，在半导体基板为n型半导体基板的情况下，优选在半导体基板的受光面或背面形成p型区域。在半导体基板形成p型区域或n型区域的方法并无特别限定，可以从通常所使用的方法中进行适当选择。

半导体基板的厚度并无特别限制，可以根据目的进行适当选择。例如可以设为50μm～1000μm，优选为75μm～750μm。半导体基板的形状及大小并无特别限制，例如可以设为边长是125mm～156mm的正方形。

本发明的太阳能电池元件包含半导体基板，所述半导体基板具有配置于受光面上的受光面电极和配置于与受光面相反侧的背面上的背面电极。上述受光面电极配置在半导体基板的受光面的杂质浓度相对高的第1杂质扩散区域的至少一部分。受光面电极例如具有在半导体基板的受光面上聚集电流的功能。此外，配置于半导体基板的背面的背面电极例如具有将电流输出至外部的功能。

对于受光面电极的材质及厚度并无特别限制。作为受光面电极的材质，可列举银、铜、铝等。从导电性及均质性的观点出发，受光面电极的厚度优选为0.1μm～50μm。

受光面电极的形状及大小并无特别限制。例如，形成受光面电极的区域的大小在第1杂质扩散区域的总面积中优选为50％以上，更优选为80％以上。

背面电极的材质并无特别限制，可列举银、铜、铝等。从形成背面电极且形成p⁺型扩散区域的观点出发，背面电极的材质优选为铝。背面电极的厚度并无特别限制，从导电性及基板的翘曲的观点出发，优选为0.1μm～50μm。

受光面电极及背面电极可以利用通常所使用的方法来制造。例如可以通过在半导体基板的所需区域赋予银糊剂、铝糊剂、铜糊剂等电极形成用糊剂并根据需要对其进行热处理(烧成)来制造。

上述第1杂质扩散区域及第2杂质扩散区域为n型扩散区域或p型扩散区域。

在半导体基板为p型半导体的情况下，在半导体基板的受光面配置作为第1杂质扩散区域的第一n型扩散区域和作为第2杂质扩散区域的n型杂质浓度比第一n型扩散区域低的第二n型扩散区域。优选将第一n型扩散区域配置于形成受光面电极的区域、并且将第二n型扩散区域配置于除形成受光面电极的区域以外的区域。通过将杂质浓度比第二n型扩散区域高的第一n型扩散区域配置于形成受光面电极的区域，由此可以降低与电极的接触电阻。在使用了具有此种结构的半导体基板的太阳能电池元件中，可以降低串联电阻。

另一方面，通过在除配置受光面电极的区域以外的区域配置杂质浓度低的第二n型扩散区域，从而可以有效地利用短波长的太阳光，并且可以降低吸收太阳光而产生的电子及空穴的再结合速度。这样的结构被称作选择性发射极结构。

在半导体基板为n型半导体时，在半导体基板的受光面配置作为第1杂质扩散区域的第一p型扩散区域和作为第2杂质扩散区域的p型杂质浓度比第一p型扩散区域低的第二p型扩散区域。优选将第一p型扩散区域配置于形成受光面电极的区域、并且将第二p型扩散区域配置于除形成受光面电极的区域以外的区域。

具有如上述那样的选择性发射极结构的太阳能电池元件可以以高转换效率进行发电。第1杂质扩散区域(第一n型扩散区域或第一p型扩散区域)的薄膜电阻优选为20Ω/□～60Ω/□，更优选为30Ω/□～55Ω/□，进一步优选为35Ω/□～50Ω/□。第2杂质扩散区域(第二n型扩散区域或第二p型扩散区域)的薄膜电阻优选为60Ω/□～150Ω/□，更优选为70Ω/□～130Ω/□，进一步优选为80Ω/□～120Ω/□。薄膜电阻可以利用4探针法进行测定。

本发明的太阳能电池元件在半导体基板的受光面及背面中的至少一方的面上具有含有特定金属氧化物的钝化层。钝化层只要设置在受光面及背面中的至少一方的面的一部分或整面上即可，优选设置在背面的除配置背面电极的区域以外的区域的一部分或全部。此外，钝化层除可以设置于背面外还可以设置在半导体基板的侧面及受光面中的至少一部分的区域。

在半导体基板的受光面及背面的至少一方的面上形成钝化层的区域在面方向上的形状及大小并无特别限制，可以根据目的等进行适当选择。当在半导体基板的背面的一部分形成钝化层时，优选在除配置背面电极的区域以外的区域的一部分或全部形成钝化层，更优选在除配置背面电极的区域以外的整个区域形成钝化层。

从更充分地得到钝化效果的观点出发，进一步优选在背面电极与钝化层之间不存在如下区域，即，在该区域均不存在背面电极或钝化层。此时，可以存在使背面电极与钝化膜重叠的区域。

从得到充分的钝化效果的观点出发，钝化层中所含有的特定金属氧化物的含有率优选为0.1质量％～100质量％，更优选为1质量％～100质量％，进一步优选为10质量％～100质量％。

钝化层中所含有的特定金属氧化物的含有率可以按照以下方式来测定。即，使用原子吸收光谱分析法、电感耦合等离子体发射光谱分析法、热重量分析法、X射线光电光谱法等，并由热重量分析法算出无机物的比例。接着，利用原子吸收光谱分析法、电感耦合等离子体发射光谱分析法等算出无机物中的包含特定金属元素的化合物的比例，并利用X射线光电光谱法、X射线吸收光谱法等算出包含特定金属元素的化合物中的特定金属氧化物的比例，由此可以得到特定金属氧化物的含有率。

钝化层可以进一步包含除特定金属氧化物以外的金属氧化物。作为此种金属氧化物，优选与特定金属氧化物同样地具有固定电荷的化合物，可列举：氧化铝、氧化硅、氧化钛、氧化镓、氧化锆、氧化硼、氧化铟、氧化磷、氧化锌、氧化镧、氧化镨、氧化钕、氧化钷、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱、氧化镥等。作为钝化层所含的除特定金属氧化物以外的金属氧化物，从得到较高的钝化效果及稳定的钝化效果的观点出发，优选为氧化铝、氧化硅、氧化钛、氧化锆及氧化钕，更优选为氧化铝。

在钝化层包含除特定金属氧化物以外的金属氧化物的情况下，该金属氧化物的含有率优选为钝化层的99.9质量％以下，更优选为80质量％以下。钝化层中所含有的除特定金属氧化物以外的金属氧化物的含有率可以与上述的特定金属氧化物的含有率的测定同样地进行测定。

<钝化层形成用组合物>

本发明的太阳能电池元件的钝化层优选为钝化层形成用组合物的热处理物。上述钝化层形成用组合物只要是能够通过进行热处理而形成包含特定金属氧化物的钝化层的组合物，则并无特别限制，可以含有特定金属氧化物本身，也可以含有包含特定金属元素的金属烷醇盐等特定金属氧化物的前体。以下，将特定金属氧化物及其前体也称作特定金属化合物。

特定金属化合物优选为选自特定金属氧化物本身及下述通式(I)所示的化合物(以下也称作“式(I)化合物”)中的至少1种。

M(OR¹)m (I)

式(I)中，M包含选自Nb、Ta、V、Y及Hf中的至少1种金属元素。R¹分别独立地表示碳数1～8的烷基或碳数6～14的芳基。m表示1～5的整数。

通式(I)中，M包含选自Nb、Ta、V、Y及Hf中的至少1种金属元素。从钝化效果、钝化层形成用组合物的保存稳定性及制备钝化层形成用组合物时的操作性的观点出发，M优选为Nb、Ta或Y。此外，从使钝化层的固定电荷密度为负的观点出发，M优选包含选自Nb、Ta、V及Hf中的至少1种金属元素，更优选为选自Nb、Ta、VO及Hf中的至少1种。

通式(I)中，R¹分别独立地表示碳数1～8的烷基或碳数6～14的芳基，优选为碳数1～4的烷基或碳数6～8的芳基。R¹所示的烷基既可以是直链状，也可以是支链状。作为R¹所示的烷基，具体而言，可列举甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、2-丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、2-乙基己基、苯基等。作为R¹所示的芳基，具体而言，可列举苯基。R¹所示的烷基及芳基可以具有取代基，作为烷基的取代基，可列举卤素原子、氨基、羟基、羧基、磺基、硝基等。作为芳基的取代基，可列举卤素原子、甲基、乙基、异丙基、氨基、羟基、羧基、磺基、硝基等。

其中，从保存稳定性和钝化效果的观点出发，R¹优选为碳数1～8的未取代的烷基，更优选为碳数1～4的未取代的烷基。

通式(I)中，m表示1～5的整数。在M为Nb的情况下，m优选为5，在M为Ta的情况下，m优选为5，在M为VO的情况下，m优选为3，在M为Y的情况下，m优选为3，在M为Hf的情况下，m优选为4。

对于通式(I)所示的化合物而言，从钝化效果的观点出发，M优选为Nb、Ta或Y，从保存稳定性和钝化效果的观点出发，R¹更优选为碳数1～4的未取代的烷基，从保存稳定性的观点出发，m优选为1～5的整数。

式(I)化合物既可以为固体，也可以为液体。从钝化层形成用组合物的保存稳定性及在并用后述的通式(II)所示有机铝化合物时与该有机铝化合物的混合性的观点出发，式(I)化合物优选为液体。

作为式(I)化合物，可列举甲醇铌、乙醇铌、异丙醇铌、正丙醇铌、正丁醇铌、叔丁醇铌、异丁醇铌、甲醇钽、乙醇钽、异丙醇钽、正丙醇钽、正丁醇钽、叔丁醇钽、异丁醇钽、甲醇钇、乙醇钇、异丙醇钇、正丙醇钇、正丁醇钇、叔丁醇钇、异丁醇钇、甲氧基氧化钒、乙氧基氧化钒、异丙氧基氧化钒、正丙氧基氧化钒、正丁氧基氧化钒、叔丁氧基氧化钒、异丁氧基氧化钒、甲醇铪、乙醇铪、异丙醇铪、正丙醇铪、正丁醇铪、叔丁醇铪、异丁醇铪等，其中，优选乙醇铌、正丙醇铌、正丁醇铌、乙醇钽、正丙醇钽、正丁醇钽、异丙醇钇及正丁醇钇。从得到负固定电荷密度的观点出发，优选乙醇铌、正丙醇铌、正丁醇铌、乙醇钽、正丙醇钽、正丁醇钽、乙氧基氧化钒、正丙氧基氧化钒、正丁氧基氧化钒、乙醇铪、正丙醇铪及正丁醇铪。

式(I)化合物既可以使用制备得到的化合物，也可以使用市售品。作为市售品，可列举：株式会社高纯度化学研究所的五甲醇铌、五乙醇铌、五异丙醇铌、五正丙醇铌、五异丁醇铌、五正丁醇铌、五(2-丁醇)铌、五甲醇钽、五乙醇钽、五异丙醇钽、五正丙醇钽、五异丁醇钽、五正丁醇钽、五(2-丁醇)钽、五叔丁醇钽、三甲氧基氧化钒(V)、三乙氧基氧化钒(V)、三异丙氧基氧化钒(V)、三正丙氧基氧化钒(V)、三异丁氧基氧化钒(V)、三正丁氧基氧化钒(V)、三(2-丁氧基)氧化钒(V)、三叔丁氧基氧化钒(V)、三异丙醇钇、三正丁醇钇、四甲醇铪、四乙醇铪、四异丙醇铪、四叔丁醇铪；北兴化学工业株式会社的五乙醇铌、五乙醇钽、五丁醇钽、正丁醇钇、叔丁醇铪；日亚化学工业株式会社的三乙氧基氧化钒、三正丙氧基氧化钒、三正丁氧基氧化钒、三异丁氧基氧化钒、三仲丁氧基氧化钒等。

在制备式(I)化合物的情况下，作为其制备方法，可以使用使式(I)化合物中所含的金属元素(M)的卤化物与醇在惰性有机溶剂的存在下反应、并为了脱去卤素而添加氨或胺化合物的方法(例如参照日本特开昭63-227593号公报、日本特开平3-291247号公报等)等已知的制法。

上述钝化层形成用组合物中所含的式(I)化合物的含有率可以根据需要进行适当选择。从保存稳定性和钝化效果的观点出发，式(I)化合物的含有率在钝化层形成用组合物中可以设为0.1质量％～80质量％，优选为0.5质量％～70质量％，更优选为1质量％～60质量％，进-步优选为1质量％～50质量％。

在上述钝化层形成用组合物包含式(I)化合物的情况下，可以添加螯合试剂(螯合化剂)。作为螯合试剂，可例示出：EDTA(乙二胺四乙酸)、联吡啶、血红素(heme)、萘啶、苯并咪唑基甲胺、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、酒石酸、马来酸、富马酸等二羧酸化合物；β-二酮化合物；β-酮酯化合物；及丙二酸二酯化合物。从化学稳定性的观点出发，优选β-二酮化合物及β-酮酯化合物。

作为β-二酮化合物，具体而言，可列举乙酰丙酮、3-甲基-2，4-戊二酮、2，3-戊二酮、3-乙基-2，4-戊二酮、3-丁基-2，4-戊二酮、2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮、2，6-二甲基-3，5-庚二酮、6-甲基-2，4-庚二酮等。

作为β-酮酯化合物，具体而言，可列举乙酰乙酸甲酯、乙酰乙酸乙酯、乙酰乙酸丙酯、乙酰乙酸异丁酯、乙酰乙酸丁酯、乙酰乙酸叔丁酯、乙酰乙酸戊酯、乙酰乙酸异戊酯、乙酰乙酸己酯、乙酰乙酸正辛酯、乙酰乙酸庚酯、乙酰乙酸3-戊酯、2-乙酰庚酸乙酯、2-丁基乙酰乙酸乙酯、4，4-二甲基-3-氧代戊酸乙酯、4-甲基-3-氧代戊酸乙酯、2-乙基乙酰乙酸乙酯、己基乙酰乙酸乙酯、4-甲基-3-氧代戊酸甲酯、乙酰乙酸异丙酯、3-氧代己酸乙酯、3-氧代戊酸乙酯、3-氧代戊酸甲酯、3-氧代己酸甲酯、2-甲基乙酰乙酸乙酯、3-氧代庚酸乙酯、3-氧代庚酸甲酯、4，4-二甲基-3-氧代戊酸甲酯等。

作为丙二酸二酯化合物，具体而言，可列举丙二酸二甲酯、丙二酸二乙酯、丙二酸二丙酯、丙二酸二异丙酯、丙二酸二丁酯、丙二酸二叔丁酯、丙二酸二己酯、丙二酸叔丁基乙酯、甲基丙二酸二乙酯、乙基丙二酸二乙酯、异丙基丙二酸二乙酯、丁基丙二酸二乙酯、2-丁基丙二酸二乙酯、异丁基丙二酸二乙酯、1-甲基丁基丙二酸二乙酯等。

在式(I)化合物具有螯合结构的情况下，该螯合结构的存在可以利用通常所使用的分析方法来进行确认。例如可以使用红外分光光谱、核磁共振光谱、熔点等进行确认。

式(I)化合物也可以在经过水解及脱水缩聚的状态下使用。为了进行水解及脱水缩聚，可以在存在水及催化剂的状态下进行反应，也可以在水解及脱水缩聚后将水及催化剂蒸馏除去。作为催化剂，可例示：盐酸、硝酸、硫酸、硼酸、磷酸、氢氟酸等无机酸；以及甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、油酸、亚油酸、水杨酸、苯甲酸、富马酸、草酸、乳酸、琥珀酸等有机酸。此外，作为催化剂，可以添加氨、胺等碱。

上述钝化层形成用组合物可以包含除式(I)化合物以外的特定金属氧化物的前体。特定金属氧化物的前体只要是可利用热处理而成为特定金属氧化物的物质，则并无特别限制。具体而言，可例示：铌酸、氯化铌、一氧化铌、碳化铌、氢氧化铌、钽酸、氯化钽、五溴化钽、氧氯化钒、三氧化二钒、氧代双(2，4-戊二酮)合钒、氯化钇、硝酸钇、草酸钇、硬脂酸钇、碳酸钇、环烷酸钇、丙酸钇、硝酸钇、辛酸钇、氯化铪、四(2，4-戊二酮)合铪等。

上述钝化层形成用组合物还可以包含除特定金属化合物以外的金属氧化物或其前体。作为此种金属氧化物或其前体，可列举氧化铝、氧化硅、氧化钛、氧化镓、氧化锆、氧化硼、氧化铟、氧化磷、氧化锌、氧化镧、氧化镨、氧化钕、氧化钷、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱、氧化镥及它们的前体。从钝化效果的稳定性的观点出发，优选氧化铝、氧化硅、氧化钛、氧化锆、氧化钕或它们的前体，从钝化效果的高低的观点出发，更优选氧化铝或其前体。

上述钝化层形成用组合物优选除包含特定金属化合物以外还包含选自氧化铝及其前体中的1种以上化合物。作为氧化铝的前体，优选下述通式(II)所示的化合物(以下也称作有机铝化合物)。

上述有机铝化合物为被称作烷醇铝、铝螯合物等的化合物。如NipponSeramikkusu Kyokai Gakujitsu Ronbunshi、97(1989)369-399中所记载的那样，利用热处理使上述有机铝化合物成为氧化铝(Al₂O₃)。

【化3】

通式(II)中，R²分别独立地表示碳数1～8的烷基。n表示0～3的整数。X²及X³分别独立地表示氧原子或亚甲基。R³、R⁴及R⁵分别独立地表示氢原子或碳数1～8的烷基。

通式(II)中，R²分别独立地表示碳数1～8的烷基，优选为碳数1～4的烷基。R²所示的烷基既可以是直链状，也可以是支链状。作为R²所示的烷基，具体而言，可列举甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、2-丁基、叔丁基、己基、辛基、乙基己基等。其中，从保存稳定性和钝化效果的观点出发，R²所示的烷基优选为碳数1～8的未取代的烷基，更优选为碳数1～4的未取代的烷基。

通式(II)中，n表示0～3的整数。从保存稳定性的观点出发，n优选为1～3的整数，更优选为1或3。X²及X³分别独立地表示氧原子或亚甲基。从保存稳定性的观点出发，X²及X³中的至少一方优选为氧原子。

通式(II)中，R³、R⁴及R⁵分别独立地表示氢原子或碳数1～8的烷基。R³、R⁴及R⁵所示的烷基既可以是直链状，也可以是支链状。R³、R⁴及R⁵所示的烷基可以具有取代基，也可以为未取代的烷基，优选为未取代的烷基。R³、R⁴及R⁵所示的烷基分别独立地为碳数1～8的烷基，优选为碳数1～4的烷基。作为R³、R⁴及R⁵所示的烷基，具体而言，可列举甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、2-丁基、叔丁基、己基、辛基、2-乙基己基、3-乙基己基等。其中，从保存稳定性和钝化效果的观点出发，优选使通式(II)中的R³及R⁴分别独立地为氢原子或碳数1～8的未取代的烷基，更优选为氢原子或碳数1～4的未取代的烷基。

此外，从保存稳定性和钝化效果的观点出发，通式(II)中的R⁵优选为氢原子或碳数1～8的未取代的烷基，更优选为氢原子或碳数1～4的未取代的烷基。

从保存稳定性的观点出发，通式(II)所示的有机铝化合物优选的是n为1～3的整数且R⁵分别独立地为氢原子或碳数1～4的烷基的化合物。

从保存稳定性和钝化效果的观点出发，通式(II)所示的有机铝化合物优选的是选自n为0且R²分别独立地为碳数1～4的烷基的化合物以及n为1～3、R²分别独立地为碳数1～4的烷基、X²及X³中的至少一方为氧原子、R³及R⁴分别独立地为氢原子或碳数1～4的烷基、R⁵为氢原子或碳数1～4的烷基的化合物中的至少1种。

进而，通式(II)所示的有机铝化合物更优选的是选自n为0且R²分别独立地为碳数1～4的未取代的烷基的化合物以及n为1～3、R²分别独立地为碳数1～4的未取代的烷基、X²及X³中的至少一方为氧原子、上述氧原子上结合的R³或R⁴为碳数1～4的烷基且在X²或X³为亚甲基时上述亚甲基上结合的R³或R⁴为氢原子、R⁵为氢原子的化合物中的至少1种。

作为通式(II)所示的、n为0的有机铝化合物即三烷醇铝，具体而言，可列举三甲醇铝、三乙醇铝、三异丙醇铝、三(2-丁醇)铝、单(2-丁氧基)二异丙醇铝、三叔丁醇铝、三正丁醇铝等。

作为通式(II)所示的、n为1～3的有机铝化合物，具体而言，可列举乙基乙酰乙酸二异丙醇铝、三(乙基乙酰乙酸)铝等。

通式(II)所示的、n为1～3的有机铝化合物既可以使用制备得到的化合物，也可以使用市售品。作为市售品，例如可列举Kawaken FineChemicals Co.，Ltd.的商品名即ALCH、ALCH-50F、ALCH-75、ALCH-TR、ALCH-TR-20等。

上述有机铝化合物优选n为1～3、即在烷醇铝结构的基础上还具有铝螯合结构。在以n为0、即烷醇铝结构的状态存在于钝化层形成用组合物中的情况下，优选将螯合试剂(螯合化剂)添加到钝化层形成用组合物中。作为螯合试剂的例子，可列举上述的螯合试剂的例子。

在上述有机铝化合物具有螯合结构的情况下，该螯合结构的存在可以利用通常所使用的分析方法来进行确认。例如可以使用红外分光光谱、核磁共振光谱、熔点等进行确认。

认为：通过并用烷醇铝和螯合试剂或者使用经螯合化的有机铝化合物，从而提高有机铝化合物的热稳定性及化学稳定性，并且使热处理时向氧化铝的转变得到抑制。结果认为：使向热力学性质稳定的结晶状态的氧化铝的转变受到抑制，容易形成无定形状态的氧化铝。

另外，所形成的钝化层中的金属氧化物的状态可以通过测定X射线衍射谱图(XRD、X-ray diffraction)来进行确认。例如，可以因XRD不显示特定的反射图案而确认为无定形结构。在钝化层形成用组合物包含有机铝化合物的情况下，对其进行热处理而得的钝化层中的氧化铝优选为无定形结构。若氧化铝为无定形状态，则容易产生铝缺损或氧缺损，容易在钝化层中产生固定电荷，并且容易得到较大的钝化效果。

通式(II)所示的、n为1～3的有机铝化合物可以通过将上述三烷醇铝和螯合试剂混合来进行制备。作为螯合试剂，可列举具有2个羰基的特定结构的化合物。具体而言，在将上述三烷醇铝和具有2个羰基的特定结构的化合物混合时，三烷醇铝的烷醇基的至少一部分与特定结构的化合物发生置换而形成铝螯合结构。此时可以根据需要存在溶剂，此外，也可以进行加热处理、催化剂的添加。通过使烷醇铝结构的至少一部分置换为铝螯合结构，从而使有机铝化合物对于水解及聚合反应的稳定性提高，并且使包含该有机铝化合物的钝化层形成用组合物的保存稳定性进一步提高。

作为上述具有2个羰基的特定结构的化合物，从反应性和保存稳定性的观点出发，优选为选自β-二酮化合物、β-酮酯化合物及丙二酸二酯中的至少一种。作为β-二酮化合物、β-酮酯化合物及丙二酸二酯的具体例，可列举作为螯合试剂的上述化合物。

在上述有机铝化合物具有铝螯合结构的情况下，只要铝螯合结构的数目为1～3，则并无特别限制。其中，从保存稳定性的观点出发，优选为1或3，从溶解度的观点出发，更优选为1。铝螯合结构的数目例如可以通过适当调整上述三烷醇铝和能够与铝形成螯合物的化合物的混合比率来进行控制。此外，也可以从市售的铝螯合化合物中适当选择具有所需结构的化合物。

在通式(II)所示的有机铝化合物中，从钝化效果及与根据需要添加的溶剂的相溶性的观点出发，具体而言，优选使用选自乙基乙酰乙酸二异丙醇铝及三异丙醇铝中的至少一种，更优选使用乙基乙酰乙酸二异丙醇铝。

有机铝化合物既可以为液状，也可以为固体，并无特别限制。从钝化效果和保存稳定性的观点出发，使用在常温(10℃～40℃左右)下的稳定性、溶解性或分散性良好的有机铝化合物，从而使所形成的钝化层的均匀性进一步提高，并且能够稳定地得到所需的钝化效果。

在上述钝化层形成用组合物包含选自Al₂O₃及上述有机铝化合物中的1种以上铝化合物的情况下，上述钝化层形成用组合物中的上述铝化合物的总含有率优选为0.1质量％～80质量％，进一步优选为10质量％～70质量％。从钝化效果的高低的观点出发，特定金属化合物及上述铝化合物的总量中的上述铝化合物的总比率优选为0.1质量％以上且99.9质量％以下，更优选为0.5质量％以上且99质量％以下，进一步优选为1质量％以上且95质量％以下。

在上述钝化层形成用组合物包含上述铝化合物的情况下，作为对钝化层形成用组合物进行热处理而得的钝化层中的特定金属氧化物的组成，可列举：Nb₂O₅-Al₂O₃、Al₂O₃-Ta₂O₅、Al₂O₃-Y₂O₃、Al₂O₃-V₂O₅、Al₂O₃-HfO₂等二元系复合氧化物Nb₂O₅-Al₂O₃-Ta₂O₅、Al₂O₃-Y₂O₃-Ta₂O₅、Nb₂O₅-Al₂O₃-V₂O₅、Al₂O₃-HfO₂-Ta₂O₅等三元系复合氧化物等。

从钝化效果的高低及钝化效果的经时稳定性的观点出发，上述钝化层形成用组合物优选包含选自Nb₂O₅及上述通式(I)中的M为Nb的化合物中的至少1种铌化合物。此外，钝化层形成用组合物中的上述铌化合物的总含有率以Nb₂O₅换算计优选为0.1质量％～99.9质量％，更优选为1质量％～99质量％，进一步优选为5质量％～90质量％。作为对包含选自Nb₂O₅及上述通式(I)中的M为Nb的化合物中的至少1种铌化合物的钝化层形成用组合物进行热处理而得的钝化层中的特定金属氧化物的组成，例如可列举：Nb₂O₅-Al₂O₃、Nb₂O₅-Ta₂O₅、Nb₂O₅-Y₂O₃、Nb₂O₅-V₂O₅、Nb₂O₅-HfO₂等二元系复合氧化物；Nb₂O₅-Al₂O₃-Ta₂O₅、Nb₂O₅-Y₂O₃-Ta₂O₅、Nb₂O₅-Al₂O₃-V₂O₅、Nb₂O₅-HfO₂-Ta₂O₅等三元系复合氧化物等。

对半导体基板赋予包含特定金属化合物的钝化层形成用组合物而形成所需形状的组合物层，并对上述组合物层进行热处理，由此可以将具有优异钝化效果的钝化层形成为所需形状。

对于可以通过对上述钝化层形成用组合物进行热处理而形成具有优异钝化效果的钝化层的理由，发明人等考虑如下。通过对含有特定金属化合物的钝化层形成用组合物进行热处理，从而产生金属原子或氧原子的缺陷等而在与半导体基板的界面附近产生较大的固定电荷。并且认为：该较大的固定电荷在半导体基板的界面附近产生电场，由此可以降低少数载流子的浓度，结果使界面上的载流子再结合速度受到抑制，因此可以形成具有优异钝化效果的钝化层。进而还认为：上述钝化层形成用组合物可以抑制凝胶化等不良情况的发生而使经时性的保存稳定性优异。

(液状介质)

上述钝化层形成用组合物优选包含液状介质。通过使钝化层形成用组合物含有液状介质，从而更容易调整粘度、使赋予性进一步提高、并且可以形成更均匀的钝化层。上述液状介质只要能够溶解或分散特定金属化合物，则并无特别限制，可以根据需要进行适当选择。

作为液状介质，具体而言，可列举：丙酮、甲乙酮、甲基正丙基酮、甲基异丙基酮、甲基正丁基酮、甲基异丁基酮、甲基正戊基酮、甲基正己基酮、二乙基酮、二丙基酮、二异丁基酮、三甲基壬酮、环己酮、环戊酮、甲基环己酮、2，4-戊二酮、丙酮基丙酮等酮溶剂；二乙基醚、甲基乙基醚、甲基正丙基醚、二异丙基醚、四氢呋喃、甲基四氢呋喃、二噁烷、二甲基二噁烷、乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、乙二醇二正丙基醚、乙二醇二丁基醚、二乙二醇二甲基醚、二乙二醇二乙基醚、二乙二醇甲基乙基醚、二乙二醇甲基正丙基醚、二乙二醇甲基正丁基醚、二乙二醇二正丙基醚、二乙二醇二正丁基醚、二乙二醇甲基正己基醚、三乙二醇二甲基醚、三乙二醇二乙基醚、三乙二醇甲基乙基醚、三乙二醇甲基正丁基醚、三乙二醇二正丁基醚、三乙二醇甲基正己基醚、四乙二醇二甲基醚、四乙二醇二乙基醚、四乙二醇甲基乙基醚、四乙二醇甲基正丁基醚、四乙二醇二正丁基醚、四乙二醇甲基正己基醚、四乙二醇二正丁基醚、丙二醇二甲基醚、丙二醇二乙基醚、丙二醇二正丙基醚、丙二醇二丁基醚、二丙二醇二甲基醚、二丙二醇二乙基醚、二丙二醇甲基乙基醚、二丙二醇甲基正丁基醚、二丙二醇二正丙基醚、二丙二醇二正丁基醚、二丙二醇甲基正己基醚、三丙二醇二甲基醚、三丙二醇二乙基醚、三丙二醇甲基乙基醚、三丙二醇甲基正丁基醚、三丙二醇二正丁基醚、三丙二醇甲基正己基醚、四丙二醇二甲基醚、四丙二醇二乙基醚、四丙二醇甲基乙基醚、四丙二醇甲基正丁基醚、四丙二醇二正丁基醚、四丙二醇甲基正己基醚、四丙二醇二正丁基醚等醚溶剂；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸正丙酯、乙酸异丙酯、乙酸正丁酯、乙酸异丁酯、乙酸2-丁酯、乙酸正戊酯、乙酸2-戊酯、乙酸3-甲氧基丁酯、乙酸甲基戊酯、乙酸2-乙基丁酯、乙酸2-乙基己酯、乙酸2-(2-丁氧基乙氧基)乙酯、乙酸苄酯、乙酸环己酯、乙酸甲基环己酯、乙酸壬酯、乙酰乙酸甲酯、乙酰乙酸乙酯、乙酸二乙二醇甲基醚酯、乙酸二乙二醇单乙基醚酯、乙酸二丙二醇甲基醚酯、乙酸二丙二醇乙基醚酯、二乙酸乙二醇酯、乙酸甲氧基三乙二醇酯、乙酸异戊酯、丙酸乙酯、丙酸正丁酯、丙酸异戊酯、草酸二乙酯、草酸二正丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸正丁酯、乳酸正戊酯、乙二醇甲基醚丙酸酯、乙二醇乙基醚丙酸酯、乙二醇甲基醚乙酸酯、乙二醇乙基醚乙酸酯、丙二醇甲基醚乙酸酯、丙二醇乙基醚乙酸酯、丙二醇丙基醚乙酸酯、γ-丁内酯、γ-戊内酯等酯溶剂；乙腈、N-甲基吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、N-丙基吡咯烷酮、N-丁基吡咯烷酮、N-己基吡咯烷酮、N-环己基吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、二甲基亚砜等非质子性极性溶剂；二氯甲烷、氯仿、二氯乙烷、苯、甲苯、二甲苯、己烷、辛烷、乙基苯、2-乙基己酸、甲基异丁基酮、甲乙酮等疏水性有机溶剂；甲醇、乙醇、正丙醇、2-丙醇、正丁醇、异丁醇、2-丁醇、叔丁醇、正戊醇、异戊醇、2-甲基丁醇、2-戊醇、叔戊醇、3-甲氧基丁醇、正己醇、2-甲基戊醇、2-己醇、2-乙基丁醇、2-庚醇、正辛醇、2-乙基己醇、2-辛醇、正壬醇、正癸醇、2-十一烷醇、三甲基壬醇、2-十四烷醇、2-十七烷醇、环己醇、甲基环己醇、异冰片基环己醇、苄醇、乙二醇、1，2-丙二醇、1，3-丁二醇、二乙二醇、二丙二醇、三乙二醇、三丙二醇等醇溶剂；乙二醇单甲基醚、乙二醇单乙基醚、乙二醇单苯基醚、二乙二醇单甲基醚、二乙二醇单乙基醚、二乙二醇单正丁基醚、二乙二醇单正己基醚、乙氧基三乙二醇、四乙二醇单正丁基醚、丙二醇单甲基醚、二丙二醇单甲基醚、二丙二醇单乙基醚、三丙二醇单甲基醚等二醇单醚溶剂；萜品烯、萜品醇、月桂烯、别罗勒烯、柠檬烯、二戊烯、蒎烯、香芹酮、罗勒烯、水芹烯等萜溶剂；水等。这些液状介质可以单独使用1种或组合使用2种以上。

从对半导体基板的赋予性及图案形成性(抑制赋予钝化层形成用组合物时及干燥时的图案肥大化)的观点出发，上述液状介质优选包含选自萜溶剂、酯溶剂及醇溶剂中的至少1种，更优选包含至少1种萜溶剂。

在钝化层形成用组合物包含液状介质的情况下，液状介质的含有率可以考虑赋予性、图案形成性、保存稳定性来决定。例如，从组合物的赋予性和图案形成性的观点出发，液状介质的含有率在钝化层形成用组合物的总质量中优选为5质量％～98质量％，更优选为10质量％～95质量％。

(树脂)

钝化层形成用组合物优选进一步包含至少1种树脂。通过包含树脂，从而使在半导体基板上赋予上述钝化层形成用组合物而形成的组合物层的形状稳定性进一步提高，可以在形成有上述组合物层的区域按照所需形状选择性地形成钝化层。

树脂的种类并无特别限制，优选为在半导体基板上赋予钝化层形成用组合物时能够将粘度调整成可形成良好图案的范围的树脂。作为树脂，具体而言，可列举：聚乙烯醇；聚丙烯酰胺；聚乙烯酰胺；聚乙烯基吡咯烷酮；聚环氧乙烷；聚磺酸；聚丙烯酰胺烷基磺酸；纤维素、羧甲基纤维素、羟乙基纤维素、乙基纤维素等的纤维素醚等纤维素衍生物；明胶及明胶衍生物；淀粉及淀粉衍生物；海藻酸钠及海藻酸钠衍生物；黄原胶及黄原胶衍生物；瓜尔胶及瓜尔胶衍生物；硬葡聚糖及硬葡聚糖衍生物；黄蓍胶及黄蓍胶衍生物；糊精及糊精衍生物；(甲基)丙烯酸树脂、(甲基)丙烯酸酯树脂(例如(甲基)丙烯酸烷基酯树脂、(甲基)丙烯酸二甲氨基乙酯树脂等)、丁二烯树脂、苯乙烯树脂、硅氧烷树脂、这些树脂的共聚物等。这些树脂可以单独使用1种或组合使用2种以上。

在这些树脂中，从保存稳定性和图案形成性的观点出发，优选使用不具有酸性及碱性的官能团的中性树脂，从即使在含量少时也能够易于调节粘度及触变性的观点出发，更优选使用纤维素衍生物。

树脂的分子量并无特别限制，优选鉴于钝化层形成用组合物的所需粘度进行适当调整。从保存稳定性和图案形成性的观点出发，上述树脂的重均分子量优选为1,000～10,000,000，更优选为3,000～5,000,000。另外，树脂的重均分子量通过使用标准聚苯乙烯的标准曲线由使用GPC(凝胶渗透色谱法)测得的分子量分布进行换算而求出。标准曲线是使用标准聚苯乙烯的5个样品组(PStQuick MP-H、PStQuick B[东曹(株)制、商品名])以3次式近似所得。以下示出GPC的测定条件。

装置：(泵：L-2130型[日立高新技术株式会社])

(检测器：L-2490型RI[日立高新技术株式会社])

(柱温箱：L-2350[日立高新技术株式会社])

色谱柱：Gelpack GL-R440+Gelpack GL-R450+Gelpack GL-R400M(共计3根)(日立化成株式会社、商品名)

色谱柱尺寸：10.7mm(内径)×300mm

洗脱液：四氢呋喃

试样浓度：10mg/2mL

注入量：200μL

流量：2.05mL/分钟

测定温度：25℃

在钝化层形成用组合物含有树脂的情况下，钝化层形成用组合物中的树脂的含有率可以根据需要进行适当选择。例如在钝化层形成用组合物的总质量中优选为0.1质量％～30质量％。从体现出如更容易形成图案之类的触变性的观点出发，上述含有率更优选为1质量％～25质量％，进一步优选为1.5质量％～20质量％，更进一步优选为1.5质量％～10质量％。

在钝化层形成用组合物含有树脂的情况下，上述钝化层形成用组合物中的上述有机铝化合物和上述树脂的含有比率可以根据需要进行适当选择。其中，从图案形成性和保存稳定性的观点出发，在将特定金属化合物以及根据需要所含的选自氧化铝及其前体中的1种以上化合物的总量设为1时，树脂的比率优选为0.001～1000，更优选为0.01～100，进一步优选为0.1～1。

上述钝化层形成用组合物可以含有酸性化合物或碱性化合物。在钝化层形成用组合物含有酸性化合物或碱性化合物的情况下，从保存稳定性的观点出发，优选使钝化层形成用组合物中的酸性化合物或碱性化合物的含有率分别为1质量％以下，更优选为0.1质量％以下。

作为酸性化合物，可列举布朗斯台德酸(bronsted acid)及路易斯酸。具体而言，可列举：盐酸、硝酸等无机酸；乙酸等有机酸等。此外，作为碱性化合物，可以列举布朗斯台德碱及路易斯碱。具体而言，可列举：碱金属氢氧化物、碱土金属氢氧化物等无机碱；三烷基胺、吡啶等有机碱等。

上述钝化层形成用组合物可以根据需要含有增粘剂、湿润剂、表面活性剂、无机粉末、包含硅原子的树脂、触变剂等各种添加剂作为其它成分。

作为无机粉末，可例示二氧化硅(氧化硅)、粘土、碳化硅、氮化硅、蒙脱石、膨润土、炭黑等。其中，优选使用包含二氧化硅作为成分的填料。在此，粘土表示层状粘土矿物，具体而言，可列举高岭土、丝状铝英石(Imogolite)、蒙脱石、膨润石(Smectite)、绢云母、莫来石(illite)、滑石、硅镁石(stevensite)、沸石等。在钝化层形成用组合物含有无机粉末的情况下，存在提高钝化层形成用组合物的赋予性的倾向。

作为表面活性剂，可列举非离子系表面活性剂、阳离子系表面活性剂、阴离子系表面活性剂等。其中，从向半导体器件中带入的重金属等杂质少的方面出发，优选非离子系表面活性剂或阳离子系表面活性剂。作为非离子系表面活性剂，可列举硅系表面活性剂、氟系表面活性剂、烃系表面活性剂等。在钝化层形成用组合物含有表面活性剂的情况下，存在使由钝化层形成用组合物形成的组合物层的厚度及组成的均匀性提高的倾向。

作为包含硅原子的树脂，可例示两末端赖氨酸改性硅酮、聚酰胺-硅酮交替共聚物、侧链烷基改性硅酮、侧链聚醚改性硅酮、末端烷基改性硅酮、硅酮改性普鲁兰多糖(pullulan)、硅酮改性丙烯酸类树脂等。在钝化层形成用组合物含有包含硅的树脂的情况下，存在使由上述钝化层形成用组合物形成的组合物层的厚度及组成的均匀性提高的倾向。

作为触变剂，可例示聚醚化合物、脂肪酸酰胺、气相二氧化硅、氢化蓖麻油、脲氨基甲酸酯酰胺、聚乙烯基吡咯烷酮、油系凝胶化剂等。在钝化层形成用组合物含有触变剂的情况下，存在改善赋予钝化层形成用组合物时的图案形成性的倾向。作为聚醚化合物，可例示聚乙二醇、聚丙二醇、聚(亚乙基-亚丙基)二醇共聚物等。

钝化层形成用组合物的粘度并无特别限制，可以根据对半导体基板的赋予方法等进行适当选择。例如，钝化层形成用组合物的粘度可以设为0.01Pa·s～10000Pa·s。其中，从图案形成性的观出发，钝化层形成用组合物的粘度优选为0.1Pa·s～1000Pa·s。另外，上述粘度是使用旋转式剪切粘度计在25℃以剪切速度1.0s^-1进行测定所得的值。

此外，钝化层形成用组合物优选具有触变性。尤其在钝化层形成用组合物包含树脂的情况下，从图案形成性的观点出发，剪切速度1.0s^-1时的剪切粘度η₁除以剪切速度10s^-1时的剪切粘度η₂而算出的触变比(η₁/η₂)优选为1.05～100，更优选为1.1～50。另外，剪切粘度使用安装有锥板(直径50mm、锥角1°)的旋转式剪切粘度计在温度25℃下进行测定。

对于钝化层形成用组合物的制造方法并无特别限制。例如可以利用通常使用的方法将特定金属化合物和根据需要所含的液状介质等混合来制造。此外，也可以通过将使树脂溶解的液状介质和特定金属化合物混合来制造。

进而，特定金属化合物可以将式(I)化合物和能够与式(I)化合物所含的金属元素形成螯合物的化合物混合来制备。此时，可以适当使用溶剂，也可以进行加热处理。可以通过使用这样制得的特定金属化合物来制造钝化层形成用组合物。

另外，钝化层形成用组合物中所含的成分及各成分的含量可以使用差示热-热重量同时测定(TG/DTA)等热分析、核磁共振(NMR)、红外光谱法(IR)等光谱分析、高效液相色谱(HPLC)、凝胶渗透色谱(GPC)等色谱分析等进行确认。

<太阳能电池元件的制造方法>

本发明的太阳能电池元件的制造方法，其包括：在具有受光面及与上述受光面相反侧的背面的半导体基板的上述受光面的一部分形成第1杂质扩散区域的工序；在上述受光面形成杂质浓度比第1杂质扩散区域低的第2杂质扩散区域的工序；在第1杂质扩散区域的至少一部分形成受光面电极的工序；在上述背面形成背面电极的工序；在选自上述受光面及上述背面中的至少1个面上赋予钝化层形成用组合物而形成组合物层的工序，所述钝化层形成用组合物包含选自特定金属氧化物及通式(I)所示的化合物中的至少1种化合物；以及对上述组合物层进行热处理而形成含有至少1种特定金属氧化物的钝化层的工序。本发明的太阳能电池元件的制造方法可以根据需要进一步具有其它工序。

根据上述方法，能够在半导体基板上形成钝化效果优异的钝化层。进而，上述钝化层可以通过无需蒸镀装置等的简便且生产率高的方法来形成。

具有杂质扩散区域(p型扩散区域或n型扩散区域)的半导体基板可以利用通常所使用的方法来制造。例如可以依据专利第3522940号公报等中记载的方法来制造。作为在第1杂质扩散区域的至少一部分形成受光面电极的方法，例如可以通过在半导体基板的受光面的所需区域赋予银糊剂、铝糊剂等电极形成用糊剂、并根据需要进行热处理来形成。形成电极的工序可以在形成钝化层的工序之前进行，也可以在形成钝化层的工序之后进行。

在半导体基板的选自受光面及背面中的至少一个面上赋予含有特定金属化合物的钝化层形成用组合物而形成组合物层的方法并无特别限制。具体而言，可列举浸渍法、丝网印刷法等印刷法、旋涂法、刷涂法、喷雾法、刮板法、辊涂法、喷墨法等。其中，从图案形成性的观点出发，优选印刷法及喷墨法，更优选丝网印刷法。

钝化层形成用组合物对半导体基板的赋予量可以根据目的进行适当选择。例如可以按照使所形成的钝化层的厚度成为所需厚度的方式进行适当调整。

对在半导体基板上赋予钝化层形成用组合物而形成的组合物层进行热处理而形成来源于上述组合物层的热处理物层，从而可以在半导体基板上形成钝化层。

组合物层的热处理条件只要是可以形成含有特定金属氧化物的钝化层的条件，则并无特别限制。在钝化层形成用组合物含有特定氧化物的前体的情况下，只要是使上述特定氧化物的前体转化成作为其热处理物的特定金属氧化物的条件，则并无特别限制。其中，优选为能够形成不具有结晶结构的无定形状的特定金属氧化物层的烧成条件。通过使钝化层由无定形状的特定金属氧化物构成，从而可以使半导体基板钝化层更有效地持有负电荷，并且可以得到更优异的钝化效果。具体而言，热处理温度优选为400℃以上，更优选为400℃～900℃，进一步优选为600℃～800℃。热处理时间可以根据热处理温度等进行适当选择。例如可以设为5秒钟～10小时，优选为10秒钟～5小时。

钝化层的密度优选为1.0g/cm³～10.0g/cm³，更优选为2.0g/cm³～8.0g/cm³，进一步优选为3.0g/cm³～7.0g/cm³。若钝化层的密度为1.0g/cm³～10.0g/cm³，则得到充分的钝化效果，并且存在使其高钝化效果不易发生经时变化的倾向。作为其理由，推测如下：若钝化层的密度为1.0g/cm³以上，则外界的水分及杂质气体不易到达半导体基板与钝化层的界面，因此容易使钝化效果持续，若钝化层的密度为10.0g/cm³以下，则存在使与半导体基板的相互作用变大的倾向。作为钝化层的密度的测定方法，可列举：测定钝化层的质量及体积而算出密度的方法；利用X射线反射率法使X射线以极浅的角度入射到试样表面，并对在其入射角对称镜面方向反射的X射线强度分布(profile)进行测定，将测得的分布与模拟结果进行比较，使模拟参数最优化，由此决定试样的膜厚及密度的方法等。

钝化层的平均厚度优选为5nm～50μm，更优选为20nm～20μm，进一步优选为30nm～5μm。若钝化层的平均厚度为5nm以上，则容易得到充分的钝化效果，若钝化层的平均厚度为50μm以下，则存在可考虑构成太阳能电池元件的其它部件来设计元件结构的倾向。

钝化层的平均厚度是使用干涉式膜厚测定计测得的5点厚度的算术平均值。

以下参照附图对本发明的实施方式进行说明。

图1是以剖视图形式示意性表示本实施方式的太阳能电池元件的制造方法的一例的工序图。但是，该工序图对本发明没有任何限制。

使用图1对使用p型半导体基板作为半导体基板时的例子进行说明。首选，优选利用碱水溶液对p型半导体基板10进行洗涤。通过利用碱水溶液进行洗涤，可以除去存在于半导体基板表面的有机物、微粒等，并且使钝化效果进一步提高。作为利用碱水溶液的洗涤方法，可以例示通常已知的RCA洗涤等。例如，将半导体基板浸渍于氨水和过氧化氢水的混合溶液中，并在60℃～80℃下进行处理，由此可以除去有机物及微粒。处理时间优选为10秒钟～10分钟，更优选为30秒钟～5分钟。

接着，如图1的(a)所示，利用碱蚀刻等在p型半导体基板10的受光面形成用于抑制太阳光反射的纹理结构(角锥(pyramid)形状)。然后，如图1的(b)所示那样在受光面的一部分赋予n型扩散区域形成用组合物11，如图1的(c)所示那样利用热处理使杂质扩散到半导体基板内而形成第1杂质扩散区域(第一n型扩散区域13)。作为n型扩散区域形成用组合物11，例如可以使用包含磷或氨的组合物。热处理的温度优选为800℃～1000℃。

此外，作为n型扩散区域形成用组合物，例如也可以使用日本特开2012-084830号公报中记载的组合物。

接着，如图1的(d)所示，使用氧氯化磷等而形成PSG(磷硅酸盐玻璃)层14，并对其进行热处理，从而如图1的(e)所示那样形成第2杂质扩散区域(第二n型扩散区域15)。然后，如图1的(f)所示，将半导体基板浸渍于氢氟酸等蚀刻液中，由此除去PSG层14及n型扩散区域形成用组合物的烧成物12。

接着，如图1的(g)所示，在p型半导体基板10的背面赋予p型扩散区域形成用组合物16。此时，p型扩散区域形成用组合物可以赋予到p型半导体基板10的背面的一部分，也可以赋予到整个表面。作为p型扩散区域形成用组合物，例如可以使用包含硼等的组合物。接着，如图1的(h)所示，利用热处理使杂质扩散而形成p⁺型扩散区域17。热处理的温度优选为800℃～1050℃。

作为p型扩散区域形成用组合物，例如可以使用日本特开2011-005312号公报中记载的组合物。

接着，如图1的(i)所示，将半导体基板浸渍于氢氟酸等蚀刻液中，由此除去p型扩散区域形成用组合物的烧成物16’。

接着，如图1的(j)所示，在p型半导体基板10的受光面形成防反射膜18。作为防反射膜18，可列举氮化硅膜、氧化钛膜等。在防反射膜18与p型半导体基板10之间可以进一步存在氧化硅等的表面保护膜(未图示)。此外，也可以将钝化层作为表面保护膜来使用。

接着，如图1的(k)所示，在p型半导体基板10的背面的一部分区域赋予含有特定金属化合物的钝化层形成用组合物而形成组合物层，并对上述组合物层进行热处理而形成钝化层19。赋予钝化层形成用组合物的方法并无特别限制。例如可列举：浸渍法、丝网印刷法等印刷法、旋涂法、刷涂法、喷雾法、刮板法、辊涂法、喷墨法等。其中，从图案形成性的观点出发，优选印刷法及喷墨法，更优选丝网印刷法。

上述钝化层形成用组合物的赋予量可以根据目的进行适当选择。例如可以按照使所形成的钝化层19的厚度达到上述的优选厚度的方式适当调整钝化层形成用组合物的赋予量。组合物层的热处理的条件可以从上述条件中进行适当选择。通过在半导体基板的背面形成钝化层19，可以制造发电效率优异的太阳能电池元件。

然后，如图1的(1)所示，在p型半导体基板10的受光面及背面侧赋予电极形成用糊剂，并对其进行热处理，从而如图1的(m)所示那样形成受光面电极20及背面电极21。通过使用含有具有烧通(fire through)性的玻璃粉末的物质作为受光面电极形成用糊剂，可以如图1的(m)所示那样贯通防反射膜18而形成与p型半导体基板10的表面接触的受光面电极20，从而得到欧姆接触。如上述那样可以得到太阳能电池元件。也可以如图1的(m)所示那样存在使钝化层19与背面电极21重叠的区域。

在利用包括图1所示工序的方法制造的太阳能电池元件中，可以将由铝等形成的背面电极制成点接触结构(例如图2所示的电极配置)，并且可以降低基板的翘曲等。进而，通过在半导体基板表面的所需区域赋予钝化层形成用组合物，并对其进行热处理，从而可以以优异的生产率形成钝化层。

本发明的太阳能电池元件也可以使用n型半导体基板来制造。具体而言，在图1所示的制造工序中，将p型半导体基板10置换成n型半导体基板，将n型扩散区域形成用组合物11置换成p型扩散区域形成用组合物，将n型扩散区域形成用组合物的烧成物12置换成p型扩散区域形成用组合物的烧成物，将第一n型扩散区域13置换成第一p型扩散区域，将第二n型扩散区域15置换成第二p型扩散区域，将p型扩散区域形成用组合物16置换成n型扩散区域形成用组合物，将p型扩散区域形成用组合物的烧成物16’置换成n型扩散区域形成用组合物的烧成物，将p⁺型扩散区域17置换成n⁺型扩散区域，将PSG(磷硅酸盐玻璃)层14置换成BSG(硼硅酸盐玻璃)层，由此可以制造太阳能电池元件。

图2是示意性表示形成有背面电极21的半导体基板的背面电极21的配置的一例的俯视图。在图2中，将多个矩形状的背面电极21彼此分开地配置于p型半导体基板10的背面。

图3是示意性表示形成有背面电极21的半导体基板的背面电极配置的另一例的俯视图。图3中，将2个长方形状的背面电极21以使各自的长边平行的方式配置于p型半导体基板10的背面。本发明的背面电极21的配置可以是图2所示的方式，也可以是图3所示的方式，还可以是能够达成本发明效果的其它方式。

图4是示意性表示形成有受光面电极20的p型半导体基板10的受光面电极的配置的一例的俯视图。作为受光面电极20，例如可以如图4所示那样形成受光面主栅线电极50和受光面副栅线电极51。在图4中，L2表示半导体基板的一边的长度，L8表示受光面主栅线电极50的宽度，L9表示受光面副栅线电极51的宽度。受光面主栅线电极50的宽度即L8优选为500μm～3mm，受光面副栅线电极51的宽度即L9优选为10μm～400μm。

图5是在p型半导体基板10上形成有背面电极21及钝化层19的半导体基板的背面的俯视图的一例。图5中，将多个矩形状的背面电极21彼此分开地进行配置，并且在除背面电极21以外的区域形成钝化层19。图5中，L1表示形成有钝化层19的区域的一边的长度，L2表示p型半导体基板10的一边的长度。L3及L4分别表示矩形状的背面电极21的一边的长度。L3及L4分别优选为10μm～156mm。

图6是在p型半导体基板10上形成有背面电极21及钝化层19的半导体基板的背面的俯视图的另一例。图6中，将2个长方形状的背面电极21以使各自的长边平行的方式进行配置，并且在除背面电极21以外的区域形成钝化层19。图6中，L1表示形成有钝化层19的区域的一边的长度，L2表示p型半导体基板10的一边的长度。L5表示长方形状的背面电极21的短边的长度。L5优选为50μm～10mm。

另外，p型半导体基板10的一边的长度即L2优选为125mm～156mm。形成钝化层19的区域的一边的长度即L1优选为100μm～156mm。

<太阳能电池模块>

本发明的太阳能电池模块具有本发明的太阳能电池元件和配置于上述太阳能电池元件的电极上的布线材料。太阳能电池模块可以包含借助布线材料所连接的多个太阳能电池元件，也可以利用密封材料进行密封。上述布线材料及密封材料并无特别限制，可以从本技术领域通常使用的材料中进行适当选择。对于上述太阳能电池模块的大小并无特别限制，例如可以设为0.5m²～3m²。

实施例

以下，利用实施例对本发明进行更具体地说明，但本发明不受这些实施例的限定。

<实施例1>

(钝化层形成用组合物的制备)

将Al₂O₃薄膜涂布材料(株式会社高纯度化学研究所、SYM-Al04、Al₂O₃：2质量％、二甲苯：87质量％、2-丙醇：5质量％、稳定化剂：6质量％)1.0g及Nb₂O₅薄膜涂布材料(株式会社高纯度化学研究所、Nb-05、Nb₂O₅：5质量％、乙酸正丁酯：56质量％、稳定化剂：16.5质量％、粘度调节剂：22.5质量％)1.0g混合，制备成钝化层形成用组合物1。

(钝化层的形成)

使用表面为镜面形状的单晶型p型硅基板(SUMCO株式会社、50mm见方、厚度：625μm)作为半导体基板。使用RCA洗涤液(关东化学株式会社、Frontier Cleaner-A01)在70℃下将硅基板浸渍洗涤5分钟，由此进行了前处理。

然后，使用旋涂机(三笠株式会社、MS-100)，在4000rpm(min^-1)、30秒的条件下对经过前处理的硅基板的单面的整面赋予上述得到的钝化层形成用组合物1。然后，在150℃下进行3分钟干燥处理。接着，以700℃将其在空气中烧成处理10分钟后，在室温(25℃)下放置冷却，制作成具有钝化层的评价用基板。

(有效寿命的测定)

使用寿命测定装置(日本施美乐博株式会社、WT-2000PVN)，在室温下利用微波反射光电导衰减法对上述获得的评价用基板的形成有钝化层的区域的有效寿命(μs)进行了测定。有效寿命为480μs。

(平均厚度的测定)

使用干涉式膜厚计(FILMETRICS公司、F20膜厚测定系统)对钝化层的面内5点的厚度进行了测定，并算出平均值。平均值为82nm。

(密度的测定)

由钝化层的质量及平均厚度算出密度。密度为3.2g/cm³。

(n型扩散区域形成用组合物的制备)

将SiO₂(和光纯药工业株式会社)、P₂O₅(和光纯药工业株式会社)及CaCO₃(和光纯药工业株式会社)的混合物(摩尔比为SiO₂∶P₂O₅∶CaCO₃＝30∶60∶10)放入氧化铝坩埚中，以400℃/h从室温(25℃)升温至1400℃后，保持了1小时。接着，通过流出至室温(25℃)的玻璃碳(glassy carbon)板上而使其骤冷，得到P₂O₅-SiO₂-CaO系玻璃。使用自动研钵混炼装置粉碎所得的玻璃，以粉末状态得到包含P(磷)作为施主元素的玻璃粒子。

所得的玻璃粒子的粒子形状为大致球状，利用激光衍射式粒度分布测定装置测得的体积平均粒径为8μm。在此，体积平均粒径通过检测出照射到玻璃粒子的激光的散射光强度与角度的关系并基于Mie散射理论来计算。具体而言，将玻璃粒子0.1g分散到萜品醇(NIPPON TERPENECHEMICALS，INC.、Terpineol-LW)10g中，然后将其用作测定样品。

接着，制备成包含6.0％乙基纤维素(The Dow Chemical Company、STD200)的萜品醇(NIPPON TERPENE CHEMICALS，INC.、Terpineol-LW)的溶液。利用研钵将该溶液9g和作为包含施主元素的化合物的、上述得到的玻璃粉末1g进行混合，制备成n型扩散区域形成用组合物。

(太阳能电池元件的制作)

使用图7所示图案的掩模，利用丝网印刷将n型扩散区域形成用组合物赋予至156mm见方的p型硅基板(Advantec株式会社、基板电阻率：2Ω·cm、厚度：200μm)，使其在150℃的热板上干燥1分钟。然后，将p型硅基板载置于石英舟上，放入到700℃的扩散炉(光洋热系统株式会社、206A-M100)中。接着，升温至850℃，保持30分钟，形成第1杂质扩散区域(第一n型扩散区域)。然后，降温至820℃，利用POCl₃气体进行处理，形成第2杂质扩散区域(第二n型扩散区域)。具体而言，在820℃保持5分钟后，通入10分钟POCl₃气体，之后停止POCl₃气体，进而通过驱入(drive in)扩散使磷扩散10分钟，形成第二n型扩散区域。接着，降温至700℃，在700℃保持1小时。之后，取出石英舟及硅基板。

接着，按照使组合物层成为图5所示的钝化层19的图案的方式，利用喷墨装置(MICROJET株式会社、MJP-1500V、喷墨头：IJH-80、喷嘴尺寸：50μm×70μm)在p型硅基板的背面上赋予上述得到的半导体基板钝化层形成用组合物1。具体而言，使用具有与图8所示的具有8mm×8mm的正方形状的开口部60和非开口部61的背面电极形成用的丝网掩模版相反的开口图案(图8的开口部60成为非开口部，非开口部61成为开口部)的丝网掩模版，以使干燥后的膜厚达到5μm的方式丝网印刷半导体基板钝化层形成用组合物1，在150℃下进行3分钟干燥处理。接着，在550℃进行1小时热处理，并放置冷却至室温(25℃)。这样在除预定形成背面电极的区域以外的区域形成了钝化层。

接着，使用具有图8所示图案的背面电极形成用的丝网掩模版，在预定形成背面电极的区域丝网印刷铝电极糊剂(PVG solutions株式会社、PVG-AD-02)，在150℃下进行3分钟干燥处理。接着，使用图7所示的主栅线(bus bar)宽度1.5mm、副栅线(finger)宽度150μm且具有开口部的受光面电极形成用丝网掩模版，在受光面侧丝网印刷银电极糊剂(杜邦株式会社、PV159A)，在150℃下进行3分钟干燥处理。之后，使用隧道型烧成炉(Noritake Co.，Ltd.)在820℃以10秒钟的节拍时间(takttime)进行热处理，形成受光面电极及背面电极。这样制作成太阳能电池元件。

在刚制作太阳能电池元件后(1小时后)使用太阳能电池元件太阳模拟器(Solar Simulator)(WACOM ELECTRIC CO.，LTD.、XS-155S-10)评价了发电特性。

评价通过将模拟太阳光(装置名：WXS-155S-10、WACOMELECTRIC CO.，LTD.)和电压-电流(I-V)评价测定器(装置名：I-V CURVE TRACER MP-160、英弘精机株式会社)的测定装置组合来进行。显示作为太阳能电池的发电性能的Jsc(短路电流密度)、Voc(开路电压)、FF(曲线因子)、Effl(转换效率)分别是根据JIS-C-8913(2005年度)及JIS-C-8914(2005年度)进行测定而得到的值。

将结果示于表2中。另外，以使受光面积成为125mm×125mm的方式覆盖掩模来进行评价。此外，将制作出的太阳能电池元件放入50℃、80％RH的恒温恒湿槽中，对保存1个月后的发电特性进行了评价。将结果示于表3中。太阳能电池元件的保存后的转换效率为保存前的转换效率Eff2的98.7％，转换效率降低了1.3％。

<实施例2>

(钝化层形成用组合物的制备)

使用Ta₂O₅薄膜涂布材料(株式会社高纯度化学研究所、Ta-10-P、Ta₂O₅：10质量％、正辛烷：9质量％、乙酸正丁酯：60质量％、稳定化剂：21质量％)制成钝化层形成用组合物2。

除了使用上述的钝化层形成用组合物2以外，与实施例1同样地在经过前处理的硅基板上形成钝化层来制作评价用基板，并与实施例1同样地进行了评价。有效寿命为450μs。钝化层的平均厚度及密度分别为75nm、3.6g/cm³。

除了代替钝化层形成用组合物1而使用钝化层形成用组合物2以外，与实施例1同样地制作太阳能电池元件，并评价了发电特性。将结果示于表2及3中。太阳能电池元件的保存后的转换效率为保存前的转换效率的98.7％，转换效率降低了1.3％。

<实施例3>

使用HfO₂薄膜涂布材料(株式会社高纯度化学研究所、Hf-05、HfO₂：5质量％、乙酸异戊酯：73质量％、正辛烷：10质量％、2-丙醇：5质量％、稳定化剂：7质量％)制成钝化层形成用组合物3。

除了使用上述制得的钝化层形成用组合物3以外，与实施例1同样地在经过前处理的硅基板上形成钝化层来制作评价用基板，并与实施例1同样地进行了评价。有效寿命为380μs。钝化层的平均厚度及密度分别为71nm、3.2g/cm³。

除了代替钝化层形成用组合物1而使用钝化层形成用组合物3以外，与实施例1同样地制作太阳能电池元件，并评价了发电特性。将结果示于表2及3中。太阳能电池元件的保存后的转换效率为保存前的转换效率的98.4％，转换效率降低了1.6％。

<实施例4>

使用Y₂O₃薄膜涂布材料(株式会社高纯度化学研究所、Y-03、Y₂O₃：3质量％、2-乙基己酸：12.5质量％、乙酸正丁酯：22.5质量％、乙酸乙酯：8质量％、萜品油：45质量％、粘度调节剂：9质量％)制成钝化层形成用组合物4。

除了使用上述制得的钝化层形成用组合物4以外，与实施例1同样地在经过前处理的硅基板上形成钝化层来制作评价用基板，并与实施例1同样地进行了评价。有效寿命为390μs。钝化层的平均厚度及密度分别为68nm、2.8g/cm³。

除了代替钝化层形成用组合物1而使用钝化层形成用组合物4以外，与实施例1同样地制作太阳能电池元件，并评价了发电特性。将结果示于表2及3中。太阳能电池元件的保存后的转换效率为保存前的转换效率的98.3％，转换效率降低了1.7％。

<实施例5>

将乙基乙酰乙酸二异丙醇铝(Kawaken Fine Chemicals Co.，Ltd.、ALCH)、五乙醇铌(北兴化学工业株式会社)、乙酰丙酮(和光纯药工业株式会社)、二甲苯(和光纯药工业株式会社)、2-丙醇(和光纯药工业株式会社)及萜品醇(NIPPON TERPENE CHEMICALS，INC.)按照表1所示的比例进行混合，制成钝化层形成用组合物5来使用。

除了使用上述制得的钝化层形成用组合物5以外，与实施例1同样地在经过前处理的硅基板上形成钝化层来制作评价用基板，并与实施例1同样地进行了评价。有效寿命为420μs。钝化层的平均厚度及密度分别为94nm、2.6g/cm³。

除了代替钝化层形成用组合物1而使用钝化层形成用组合物5以外，与实施例1同样地制作太阳能电池元件，并评价了发电特性。将结果示于表2及3中。太阳能电池元件的保存后的转换效率为保存前的转换效率的97.9％，转换效率降低了2.1％。

<实施例6>

代替实施例1中利用丝网印刷法形成铝电极，而使用铝蒸镀机(SANYU ELECTRON CO.，LTD.、SVC-700TM)以125mm×125mm的实地图案蒸镀铝而形成背面电极，除此以外，与实施例1同样地制作成评价用基板及太阳能电池元件。铝蒸镀在真空度达到10^-4pa以下后来进行，将基板与蒸镀源的距离设为70mm，并进行了5分钟处理。

在铝蒸镀之前，在除形成125mm×125mm的背面电极的区域以外的区域形成钝化层。

与实施例1同样地测定评价用基板的有效寿命并进行了评价，结果为110μs。将太阳能电池元件的发电特性的评价结果示于表2及3中。太阳能电池元件的保存后的转换效率为保存前的转换效率的99.4％，转换效率降低了0.6％。

<比较例1>

除了不进行实施例1中的钝化层形成用组合物1的赋予以外，与实施例1同样地制作评价用基板，并与实施例1同样地进行了评价。有效寿命为20μs。

除了不进行实施例1中的钝化层形成用组合物1的赋予以外，与实施例1同样地制作太阳能电池元件，并评价了发电特性。将结果示于表2及3中。太阳能电池元件的保存后的转换效率为保存前的转换效率的93.0％，转换效率降低了7.0％。

<比较例2>

将乙基纤维素(The Dow Chemical Company、STD200)6.0g及萜品醇(NIPPON TERPENE CHEMICALS，INC.、Terpineol-LW)34.0g混合，在150℃下混合2小时，使其溶解，制备成15质量份乙基纤维素/萜品醇溶液。接着，将Al₂O₃粒子(株式会社高纯度化学研究所、平均粒径1μm)2.00g、萜品醇3.9g及上述制得的15质量部乙基纤维素/萜品醇溶液4.1g混合，制备成组合物C2。

除了使用上述制得的组合物C2以外，与实施例1同样地在经过前处理的硅基板上形成钝化层来制作评价用基板，并与实施例1同样地进行了评价。有效寿命为21μs。钝化层的平均厚度及密度分别为2.1μm、1.4g/cm³。

钝化层的平均厚度利用触针式阶差计(Ambios公司、XP-2)来测定。具体而言，利用刮铲(spatula)削去钝化层的一部分，以速度0.1mm/s、针载荷0.5mg的条件测定残存钝化层的部分与被削去的部分的阶差。测定进行3次，算出其平均值作为膜厚。

除了代替钝化层形成用组合物1而使用上述制得的组合物C2以外，与实施例1同样地制作太阳能电池元件，并评价了发电特性。将结果示于表2及3中。太阳能电池元件的保存后的转换效率为保存前的转换效率的92.1％，转换效率降低了7.9％。

<比较例3>

将四乙氧基硅烷2.01g、上述制得的15质量份乙基纤维素/萜品醇溶液4.02g及萜品醇3.97g混合，制备成无色透明的组合物C3。

除了使用上述制得的组合物C3以外，与实施例1同样地在经过前处理的硅基板上形成钝化层来制作评价用基板，并与实施例1同样地进行了评价。有效寿命为23μs。钝化层的平均厚度及密度分别为85nm、2.1g/cm³。

除了代替钝化层形成用组合物1而使用上述制得的组合物C3以外，与实施例1同样地制作太阳能电池元件，并评价了发电特性。将结果示于表2及3中。太阳能电池元件的保存后的转换效率为保存前的转换效率的93.3％，转换效率降低了6.7％。

【表1】

【表2】

【表3】

由以上可知，本发明的太阳能电池元件因具备具有优异钝化效果的钝化层而显示高转换效率，并且抑制经时性的太阳能电池特性的降低。进而，本发明的太阳能电池元件的钝化层能够以简便的工序形成为所需形状。

<参考实施方式1>

以下为参考实施方式1的钝化膜、涂布型材料、太阳能电池元件及带钝化膜的硅基板。

<1>一种钝化膜，其包含氧化铝和氧化铌，并且用于具有硅基板的太阳能电池元件。

<2>根据<1>所述的钝化膜，其中，上述氧化铌与上述氧化铝的质量比(氧化铌/氧化铝)为30/70～90/10。

<3>根据<1>或<2>所述的钝化膜，其中，上述氧化铌及上述氧化铝的总含有率为90质量％以上。

<4>根据<1>～<3>中任一项所述的钝化膜，其还包含有机成分。

<5>根据<1>～<4>中任一项所述的钝化膜，其为包含氧化铝前体及氧化铌前体的涂布型材料的热处理物。

<6>一种涂布型材料，其包含氧化铝前体及氧化铌前体，并且用于形成具有硅基板的太阳能电池元件的钝化膜。

<7>一种太阳能电池元件，其具备：

包含单晶硅或多晶硅且具有受光面及与上述受光面相反侧的背面的p型硅基板；

形成于上述硅基板的受光面侧的n型杂质扩散层；

形成于上述硅基板的受光面侧的上述n型杂质扩散层的表面的第1电极；

形成于上述硅基板的背面侧的表面、具有多个开口部且包含氧化铝和氧化铌的钝化膜；以及

通过上述多个开口部而与上述硅基板的背面侧的表面形成电连接的第2电极。

<8>一种太阳能电池元件，其具备：

包含单晶硅或多晶硅且具有受光面及与上述受光面相反侧的背面的p型硅基板；

形成于上述硅基板的受光面侧的n型杂质扩散层；

形成于上述硅基板的受光面侧的上述n型杂质扩散层的表面的第1电极；

形成于上述硅基板的背面侧的一部分或全部且添加有浓度比上述硅基板更高的杂质的p型杂质扩散层；

形成于上述硅基板的背面侧的表面、具有多个开口部且包含氧化铝和氧化铌的钝化膜；以及

通过上述多个开口部而与上述硅基板的背面侧的上述p型杂质扩散层的表面形成电连接的第2电极。

<9>一种太阳能电池元件，其具备：

包含单晶硅或多晶硅且具有受光面及与上述受光面相反侧的背面的n型硅基板；

形成于上述硅基板的受光面侧的p型杂质扩散层；

形成于上述硅基板的背面侧的第2电极；

形成于上述硅基板的受光面侧的表面、具有多个开口部且包含氧化铝和氧化铌的钝化膜；以及

形成于上述硅基板的受光面侧的上述p型杂质扩散层的表面、且通过上述多个开口部而与上述硅基板的受光面侧的表面形成电连接的第1电极。

<10>根据<7>～<9>中任一项所述的太阳能电池元件，其中，钝化膜中的氧化铌与氧化铝的质量比(氧化铌/氧化铝)为30/70～90/10。

<11>根据<7>～<10>中任一项所述的太阳能电池元件，其中，上述钝化膜中的上述氧化铌及上述氧化铝的总含有率为90质量％以上。

<12>一种带钝化膜的硅基板，其具有硅基板和设置于上述硅基板上的整面或一部分的、<1>～<5>中任一项所述的钝化膜。

根据上述的参考实施方式，能够延长硅基板的载流子寿命且以低成本实现具有负固定电荷的钝化膜。此外，能够提供用于实现该钝化膜的形成的涂布型材料。此外，能够以低成本实现使用了该钝化膜的、效率高的太阳能电池元件。此外，能够延长载流子寿命且以低成本实现具有负固定电荷的带钝化膜的硅基板。

本实施方式的钝化膜为用于硅太阳能电池元件的钝化膜，其包含氧化铝和氧化铌。

此外，在本实施方式中，通过改变钝化膜的组成，从而可以控制该膜具有的固定电荷量。

此外，从能够使负固定电荷稳定化的观点出发，氧化铌与氧化铝的质量比更优选为30/70～80/20。此外，从能够使负固定电荷更稳定化的观点出发，氧化铌与氧化铝的质量比进一步优选为35/65～70/30。此外，从能够兼顾载流子寿命的提高和负固定电荷的观点出发，氧化铌与氧化铝的质量比优选为50/50～90/10。

钝化膜中的氧化铌与氧化铝的质量比可以通过能量分散型X射线光谱法(EDX)、二次离子质谱分析法(SIMS)及高频电感耦合等离子体质谱分析法(ICP-MS)来进行测定。具体的测定条件如下。将钝化膜溶解于酸或碱水溶液中，使该溶液成为雾状而导入到Ar等离子体中，将受激发的元素回到基态时所放出的光进行分光并测定波长及强度，从所得的波长进行元素的定性，并从所得的强度进行定量。

钝化膜中的氧化铌及氧化铝的总含有率优选为80质量％以上，从能够维持良好特性的观点出发，更优选为90质量％以上。若钝化膜中的氧化铌及氧化铝的成分变多，则负固定电荷的效果变大。

钝化膜中的氧化铌及氧化铝的总含有率可以通过组合热重量分析、荧光X射线分析、ICP-MS及X射线吸收光谱法来进行测定。具体的测定条件如下。利用热重量分析计算无机成分的比例，并利用荧光X射线或ICP-MS分析计算铌及铝的比例，氧化物的比例可以利用X射线吸收光谱法来进行调查。

此外，从膜质的提高、弹性模量的调整的观点出发，可以在钝化膜中包含除氧化铌及氧化铝以外的成分作为有机成分。钝化膜中的有机成分的存在可以由元素分析及膜的FT-IR的测定来进行确认。

钝化膜中的有机成分的含有率在钝化膜中更优选为小于10质量％，进一步优选为5质量％以下，特别优选为1质量％以下。

钝化膜也能以包含氧化铝前体及氧化铌前体的涂布型材料的热处理物的形式得到。以下对涂布型材料的详细情况进行说明。

本实施方式的涂布型材料包含氧化铝前体及氧化铌前体、并且用于形成具有硅基板的太阳能电池元件用钝化膜。

氧化铝前体只要是生成氧化铝的物质，则均可无特别限定地使用。作为氧化铝前体，从使氧化铝均匀地分散到硅基板上的方面以及化学稳定性的方面出发，优选使用有机系的氧化铝前体。作为有机系的氧化铝前体的例子，可列举三异丙醇铝(结构式：Al(OCH(CH₃)₂)₃)、(株)高纯度化学研究所SYM-AL04等。

氧化铌前体只要是生成氧化铌的物质，则均可无特别限定地使用。作为氧化铌前体，从使氧化铌均匀地分散到硅基板上的方面以及化学稳定性的观点出发，优选使用有机系的氧化铌前体。作为有机系的氧化铌前体的例子，可列举乙醇铌(V)(结构式：Nb(OC₂H₅)₅、分子量：318.21)、(株)高纯度化学研究所Nb-05等。

使用涂布法或印刷法将包含有机系的氧化铌前体及有机系的氧化铝前体的涂布型材料进行成膜，并利用之后的热处理(烧成)除去有机成分，由此可以得到钝化膜。因此，结果钝化膜也可为包含有机成分的钝化膜。

<太阳能电池元件的结构说明>

参照图10～图13对本实施方式的太阳能电池元件的结构进行说明。图10～图13为表示本实施方式的在背面使用了钝化膜的太阳能电池元件的第1构成例～第4构成例的剖视图。

作为在本实施方式中使用的硅基板(结晶硅基板、半导体基板)101，可以使用单晶硅或多晶硅中的任一种。此外，作为硅基板101，可以使用导电型为p型的结晶硅或导电型为n型的结晶硅中的任一种。从进一步发挥本实施方式的效果的观点出发，更适合的是导电型为p型的结晶硅。

在以下的图10～图13中，对使用p型单晶硅作为硅基板101的例子进行说明。另外，用于该硅基板101的单晶硅或多晶硅可以为任意的单晶硅或多晶硅，但优选的是电阻率为0.5Ω·cm～10Ω·cm的单晶硅或多晶硅。

如图10(第1构成例)所示，在p型硅基板101的受光面侧(图中上侧、第1面)形成掺杂有磷等V族元素的n型扩散层102。而且，在硅基板101与扩散层102之间形成pn结。在扩散层102的表面形成氮化硅(SiN)膜等受光面防反射膜103及使用了银(Ag)等的第1电极105(受光面侧的电极、第1面电极、上面电极、受光面电极)。受光面防反射膜103还可以兼具作为受光面钝化膜的功能。通过使用SiN膜，从而可以兼具受光面防反射膜和受光面钝化膜这两者的功能。

另外，本实施方式的太阳能电池元件可以具有受光面防反射膜103，也可以不具有受光面防反射膜103。此外，为了降低在表面上的反射率，优选在太阳能电池元件的受光面形成凹凸结构(纹理结构)，本实施方式的太阳能电池元件可以具有纹理结构，也可以不具有纹理结构。

另一方面，在硅基板101的背面侧(图中下侧、第2面、背面)形成掺杂有铝、硼等III族元素的层即BSF(Back Surface Field，背场)层104。但是，本实施方式的太阳能电池元件可以具有BSF层104，也可以不具有BSF层104。

为了与BSF层104(在无BSF层104时为硅基板101的背面侧的表面)接触(电连接)，而在该硅基板101的背面侧形成由铝等构成的第2电极106(背面侧的电极、第2面电极、背面电极)。

进而，在图10(第1构成例)中，在除将BSF层104(在无BSF层104时为硅基板101的背面侧的表面)与第2电极106电连接的接触区域(开口部OA)以外的部分形成包含氧化铝及氧化铌的钝化膜(钝化层)107。本实施方式的钝化膜107可具有负固定电荷。利用该固定电荷，使由于光而在硅基板101内产生的载流子中的少数载流子即电子反射回表面侧。因此，短路电流增加，可以期待光电转换效率的提高。

接着，对图11所示的第2构成例进行说明。在图10(第1构成例)中，第2电极106形成在接触区域(开口部OA)和钝化膜107上的整个面上，在图11(第2构成例)中，仅在接触区域(开口部OA)形成第2电极106。也可以采用仅在接触区域(开口部OA)和钝化膜107上的一部分形成第2电极106的构成。即便是图11所示构成的太阳能电池元件，也能得到与图10(第1构成例)同样的效果。

接着，对图12所示的第3构成例进行说明。在图12所示的第3构成例中，BSF层104仅形成在包含与第2电极106的接触区域(开口部OA部)的背面侧的一部分，无需如图10(第1构成例)所示那样形成在背面侧的整个面上。即便是此种构成的太阳能电池元件(图12)，也能得到与图10(第1构成例)同样的效果。此外，根据图12的第3构成例的太阳能电池元件，BSF层104、即通过掺杂铝、硼等III族元素而以较硅基板101更高的浓度掺杂有杂质的区域较少，因此能够得到比图10(第1构成例)更高的光电转换效率。

接着，对图13所示的第4构成例进行说明。在图12(第3构成例)中，第2电极106形成在接触区域(开口部OA)和钝化膜107上的整个面上，在图13(第4构成例)中仅在接触区域(开口部OA)形成第2电极106。也可以采用仅在接触区域(开口部OA)和钝化膜107上的一部分形成第2电极106的构成。即便是图13所示构成的太阳能电池元件，也能得到与图12(第3构成例)同样的效果。

此外，在通过利用印刷法赋予第2电极106并在高温下进行烧成而形成于背面侧的整面的情况下，在降温过程中容易产生向上凸起的翘曲。此种翘曲有时会引起太阳能电池元件的破损，可能会使成品率降低。此外，在硅基板进一步薄膜化时，翘曲的问题会变大。该翘曲的原因在于：包含金属(例如铝)的第2电极106的热膨胀系数比硅基板大，降温过程中的收缩也相应地变大，故产生应力。

根据以上内容，如图11(第2构成例)及图13(第4构成例)那样不在背面侧的整面形成第2电极106时，电极结构容易在上下对称，不易产生由热膨胀系数之差所致的应力，故优选。但是，在此时优选另外设置反射层。

<太阳能电池元件的制法说明>

下面，对具有上述构成的本实施方式的太阳能电池元件(图11～图13)的制造方法的一例进行说明。但是，本实施方式并不限于利用以下所述的方法制作成的太阳能电池元件。

首先，在图10等所示的硅基板101的表面形成纹理结构。关于纹理结构的形成，可以形成在硅基板101的两面，也可以仅形成在单面(受光面侧)。为了形成纹理结构，首先，将硅基板101浸渍于经过加热的氢氧化钾或氢氧化钠的溶液，除去硅基板101的损伤层。然后，将其浸渍到以氢氧化钾及异丙醇为主成分的溶液中，由此在硅基板101的两面或单面(受光面侧)形成纹理结构。另外，如上所述，本实施方式的太阳能电池元件可以具有纹理结构，也可以不具有纹理结构，因此也可省略本工序。

接着，将硅基板101用盐酸、氢氟酸等的溶液洗涤后，在硅基板101上通过氧氯化磷(POCl₃)等的热扩散而形成作为扩散层102的磷扩散层(n⁺层)。磷扩散层例如可以通过将包含磷的涂布型的掺杂材料的溶液赋予到硅基板101上并对其进行热处理来形成。热处理后，利用氢氟酸等酸除去形成于表面的磷玻璃层，由此形成作为扩散层102的磷扩散层(n⁺层)。形成磷扩散层的方法并无特别限制。磷扩散层优选以距离硅基板101表面的深度为0.2μm～0.5μm的范围、且薄膜电阻达到40Ω/□～100Ω/□(ohm/square)的范围的方式来形成。

然后，在硅基板101的背面侧赋予包含硼、铝等的涂布型掺杂材料的溶液，并对其进行热处理，由此形成背面侧的BSF层104。赋予可以使用丝网印刷、喷墨、分配(dispense)、旋涂等的方法。热处理后，利用氢氟酸、盐酸等除去形成于背面的硼玻璃、铝等的层，由此形成BSF层104。形成BSF层104的方法并无特别限制。优选以使硼、铝等的浓度的范围达到10¹⁸cm^-3～10²²cm^-3的方式形成BSF层104，更优选以点状或线状形成BSF层104。另外，本实施方式的太阳能电池元件可以具有BSF层104，也可以不具有BSF层104，因此也可以省略本工序。

此外，在受光面的扩散层102及背面的BSF层104均使用涂布型掺杂材料的溶液来形成的情况下，将上述的掺杂材料的溶液分别赋予到硅基板101的两面，并一起形成作为扩散层102的磷扩散层(n⁺层)和BSF层104，然后，可以将形成于表面的磷玻璃、硼玻璃等一起除去。

然后，在扩散层102上形成作为受光面防反射膜103的氮化硅膜。形成受光面防反射膜103的方法并无特别限制。受光面防反射膜103优选以使厚度为50～100nm的范围、折射率为1.9～2.2的范围的方式来形成。受光面防反射膜103不限于氮化硅膜，也可以为氧化硅膜、氧化铝膜、氧化钛膜等。氮化硅膜等表面防反射膜103可以利用等离子体CVD、热CVD等方法来制作，优选利用能够在350℃～500℃的温度范围形成表面防反射膜103的等离子体CVD来制作。

接着，在硅基板101的背面侧形成钝化膜107。钝化膜107包含氧化铝和氧化铌，例如通过赋予包含以可利用热处理(烧成)得到氧化铝的有机金属分解涂布型材料为代表的氧化铝前体和以可利用热处理(烧成)得到氧化铌的市售的有机金属分解涂布型材料为代表的氧化铌前体的材料(钝化材料)、并对其进行热处理(烧成)来形成。

钝化膜107的形成例如可以按照以下方式来进行。在预先利用浓度0.049质量％的氢氟酸除去了自然氧化膜的725μm厚且8英寸(20.32cm)的p型硅基板(8Ωcm～12Ωcm)的单面旋转涂布上述的涂布型材料，在热板上以120℃进行3分钟的预烘烤。然后，在氮气气氛下，以650℃进行1小时的热处理。此时，得到包含氧化铝及氧化铌的钝化膜。利用上述的方法所形成的钝化膜107的采用椭偏仪测得的膜厚通常为数十nm左右。

利用丝网印刷、胶版印刷、采用喷墨的印刷、采用分配器(dispenser)的印刷等方法，以包含接触区域(开口部OA)的规定图案赋予上述的涂布型材料。另外，优选的是：在赋予上述的涂布型材料后，以80℃～180℃的范围对其进行预烘烤使溶剂蒸发后，在氮气气氛下或空气中以600℃～1000℃实施30分钟～3小时左右的热处理(退火)，制成钝化膜107(氧化物的膜)。

进而，优选在BSF层104上以点状或线状形成开口部(接触用的孔)OA。

作为在上述的太阳能电池元件中使用的钝化膜107，优选使氧化铌与氧化铝的质量比(氧化铌/氧化铝)为30/70～90/10，更优选为30/70～80/20，进一步优选为35/65～70/30。由此可以使负固定电荷稳定化。此外，从能兼顾载流子寿命的提高和负固定电荷的观点出发，优选使氧化铌与氧化铝的质量比为50/50～90/10。

进而，在钝化膜107中，氧化铌及氧化铝的总含有率优选为80质量％以上，更优选为90质量％以上。

接着，形成受光面侧的电极即第1电极105。第1电极105通过利用丝网印刷在受光面防反射膜103上形成以银(Ag)为主成分的糊剂并对其进行热处理(烧通)来形成。第1电极105的形状可以为任意的形状，例如可以为由副栅线(finger)电极和主栅线(bus bar)电极形成的周知的形状。

然后，形成背面侧的电极即第2电极106。第2电极106可以通过使用丝网印刷或分配器赋予以铝为主成分的糊剂并对其进行热处理来形成。此外，第2电极106的形状优选为与BSF层104的形状相同的形状、覆盖背面侧的整面的形状、梳形形状、格子状等。另外，分别预先进行用于形成受光面侧的电极即第1电极105和第2电极106的糊剂的印刷，之后对其进行热处理(烧通)，由此可以一起形成第1电极105和第2电极106。

此外，在形成第2电极106时，使用以铝(Al)为主成分的糊剂，由此使铝作为掺杂剂而扩散，并以自我整合的方式在第2电极106与硅基板101的接触部形成BSF层104。另外，如先前叙述的那样，在硅基板101的背面侧赋予包含硼、铝等的涂布型掺杂材料的溶液，并对其进行热处理，由此可以另行形成BSF层104。

另外，上述示出了在硅基板101中使用了p型硅的结构例及制法例，也可以使用作为硅基板101的n型硅基板。此时，扩散层102由掺杂有硼等III族元素的层来形成，BSF层104通过掺杂磷等V族元素来形成。但是，此时需留意以下几点：有时会因负固定电荷将形成于界面的反转层与背面侧的金属所接触的部分连通而流通泄漏电流，难以提高转换效率。

此外，在使用n型硅基板的情况下，可以如图14所示那样在受光面侧使用包含氧化铌及氧化铝的钝化膜107。图14是表示使用了本实施方式的受光面钝化膜的太阳能电池元件的构成例的剖视图。

此时，受光面侧的扩散层102掺杂硼而成为p型，使所生成的载流子中的空穴聚集在受光面侧，并且使电子聚集在背面侧。因此，优选使具有负固定电荷的钝化膜107位于受光面侧。

也可以在包含氧化铌及氧化铝的钝化膜上进一步利用CVD等形成由SiN等构成的防反射膜。

以下，参照本实施方式的参考实施例及参考比较例进行详细地说明。

[参考实施例1-1]

将可利用热处理(烧成)得到氧化铝(Al₂O₃)的市售的有机金属分解涂布型材料[株式会社高纯度化学研究所SYM-AL04、浓度2.3质量％]3.0g和可利用热处理(烧成)得到氧化铌(Nb₂O₅)的市售的有机金属分解涂布型材料[株式会社高纯度化学研究所Nb-05、浓度5质量％]3.0g混合，制备成作为涂布型材料的钝化材料(a-1)。

在预先利用浓度0.049质量％的氢氟酸除去了自然氧化膜的725μm厚且8英寸的p型硅基板(8Ωcm～12Ωcm)的单面旋转涂布钝化材料(a-1)，在热板上以120℃进行3分钟的预烘烤。然后，在氮气气氛下，以650℃进行1小时的热处理(烧成)，得到包含氧化铝及氧化铌的钝化膜[氧化铌/氧化铝＝68/32(质量比)]。利用椭偏仪测得的膜厚为43nm。对钝化膜的FT-IR进行了测定，结果在1200cm^-1附近观察到极弱的源自烷基的峰。

接着，在上述的钝化膜上隔着金属掩模并利用蒸镀形成多个直径1mm的铝电极，制作成MIS(Metal-Insulator-Semiconductor；金属-绝缘体-半导体)结构的电容器。利用市售的探测器及LCR计(HP公司、4275A)测定该电容器的静电容量的电压依赖性(C-V特性)。结果表明：平带电压(Vfb)从理想值-0.81V位移至+0.32V。由该位移量可知，由钝化材料(a-1)得到的钝化膜显示出固定电荷密度(Nf)为-7.4×10¹¹cm^-2的负固定电荷。

与上述同样地将钝化材料(a-1)赋予到8英寸的p型硅基板的两面，并对其进行预烘烤，在氮气气氛下，以650℃进行1小时的热处理(烧成)，制作成硅基板的两面被钝化膜覆盖的样品。利用寿命测定装置(株式会社神户制钢科研、RTA-540)测定了该样品的载流子寿命。结果载流子寿命为530μs。为了比较，利用碘钝化法使相同的8英寸的p型硅基板钝化并对其进行了测定，结果载流子寿命为1100μs。

由以上内容可知，对钝化材料(a-1)进行热处理(烧成)而得的钝化膜显示某种程度的钝化性能，并且显示出负固定电荷。

[参考实施例1-2]

将可利用热处理(烧成)得到氧化铝(Al₂O₃)的市售的有机金属分解涂布型材料[株式会社高纯度化学研究所、SYM-AL04、浓度2.3质量％]和可利用热处理(烧成)得到氧化铌(Nb₂O₅)的市售的有机金属分解涂布型材料[株式会社高纯度化学研究所、Nb-05、浓度5质量％]改变比率并与参考实施例1-1同样地进行混合而制备成表4所示的钝化材料(a-2)～(a-7)。

与参考实施例1-1同样地将钝化材料(a-2)～(a-7)分别赋予到p型硅基板的单面并对其进行热处理(烧成)而制作成钝化膜。对所得的钝化膜的静电容量的电压依赖性进行测定，并由此算出固定电荷密度。

进而，与参考实施例1-1同样地将钝化材料赋予到p型硅基板的两面并对其进行热处理(烧成)而得到样品，使用所得的样品测定了载流子寿命。将所得的结果归纳于表4中。

根据热处理(烧成)后的氧化铌/氧化铝的比率(质量比)的不同，结果各不相同，但是钝化材料(a-2)～(a-7)在热处理(烧成)后的载流子寿命也显示出某种程度的值，因此意味着其作为钝化膜而发挥功能。可见：由钝化材料(a-2)～(a-7)得到的钝化膜均稳定地显示负固定电荷，也能够适合用作p型硅基板的钝化膜。

【表4】

[参考实施例1-3]

将市售的乙醇铌(V)(结构式：Nb(OC₂H₅)₅、分子量：318.21)3.18g(0.010mol)和市售的三异丙醇铝(结构式：Al(OCH(CH₃)₂)₃、分子量：204.25)1.02g(0.005mol)溶解于环己烷80g中，制备成浓度5质量％的钝化材料(c-1)。

在预先利用浓度0.049质量％的氢氟酸除去了自然氧化膜的725μm厚且8英寸的p型硅基板(8Ωcm～12Ωcm)的单面旋转涂布钝化材料(c-1)，在热板上以120℃进行3分钟的预烘烤。然后，在氮气气氛下，以600℃进行1小时的热处理(烧成)，得到包含氧化铝及氧化铌的钝化膜。利用椭偏仪测得的膜厚为50nm。可见元素分析的结果为Nb/Al/C＝81/14/5(质量％)。对钝化膜的FT-IR进行了测定，结果在1200cm^-1附近观察到极弱的源自烷基的峰。

接着，在上述的钝化膜上隔着金属掩模并利用蒸镀形成多个直径1mm的铝电极，制作成MIS(Metal-Insulator-Semiconductor；金属-绝缘体-半导体)结构的电容器。利用市售的探测器及LCR计(HP公司、4275A)测定该电容器的静电容量的电压依赖性(C-V特性)。结果表明：平带电压(Vfb)从理想值-0.81V位移至+4.7V。由该位移量可知，由钝化材料(c-1)得到的钝化膜显示出固定电荷密度(Nf)为-3.2×10¹²cm^-2的负固定电荷。

与上述同样地将钝化材料(c-1)赋予到8英寸的p型硅基板的两面，并对其进行预烘烤，在氮气气氛下，以600℃进行1小时的热处理(烧成)，制作成硅基板的两面被钝化膜覆盖的样品。利用寿命测定装置(株式会社神户制钢科研、RTA-540)测定了该样品的载流子寿命。结果载流子寿命为330μs。为了比较，利用碘钝化法使相同的8英寸的p型硅基板钝化并对其进行了测定，结果载流子寿命为1100μs。

由以上内容可知，对钝化材料(c-1)进行热处理(烧成)而得的钝化膜显示某种程度的钝化性能，并且显示出负固定电荷。

[参考实施例1-4]

将市售的乙醇铌(V)(结构式：Nb(OC₂H₅)₅、分子量：318.21)2.35g(0.0075mol)、市售的三异丙醇铝(结构式：Al(OCH(CH₃)₂)₃、分子量：204.25)1.02g(0.005mol)及线型酚醛树脂10g溶解于二乙二醇单丁基醚乙酸酯10g和环己烷10g中，制备成钝化材料(c-2)。

在预先利用浓度0.049质量％的氢氟酸除去了自然氧化膜的725μm厚且8英寸的p型硅基板(8Ωcm～12Ωcm)的单面旋转涂布钝化材料(c-2)，在热板上以120℃进行3分钟的预烘烤。然后，在氮气气氛下，以600℃进行1小时的热处理(烧成)，得到包含氧化铝及氧化铌的钝化膜。利用椭偏仪测得的膜厚为14nm。可见元素分析的结果为Nb/Al/C＝75/17/8(质量％)。对钝化膜的FT-IR进行了测定，结果在1200cm^-1附近观察到极弱的源自烷基的峰。

接着，在上述的钝化膜上隔着金属掩模并利用蒸镀形成多个直径1mm的铝电极，制作成MIS(Metal-Insulator-Semiconductor；金属-绝缘体-半导体)结构的电容器。利用市售的探测器及LCR计(HP公司、4275A)测定该电容器的静电容量的电压依赖性(C-V特性)。结果表明：平带电压(Vfb)从理想值-0.81V位移至+0.10V。由该位移量可知，由钝化材料(c-2)得到的钝化膜显示出固定电荷密度(Nf)为-0.8×10¹¹cm^-2的负固定电荷。

与上述同样地将钝化材料(c-2)赋予到8英寸的p型硅基板的两面，并对其进行预烘烤，在氮气气氛下，以600℃进行1小时的热处理(烧成)，制作成硅基板的两面被钝化膜覆盖的样品。利用寿命测定装置(株式会社神户制钢科研、RTA-540)测定了该样品的载流子寿命。结果载流子寿命为200μs。为了比较，利用碘钝化法使相同的8英寸的p型硅基板钝化并对其进行了测定，结果载流子寿命为1100μs。

由以上内容可知，由钝化材料(c-2)得到的钝化膜显示某种程度的钝化性能，并且显示负固定电荷。

[参考实施例1-5及参考比较例1-1]

将可利用热处理(烧成)得到氧化铝(Al₂O₃)的市售的有机金属分解涂布型材料[株式会社高纯度化学研究所SYM-AL04、浓度2.3质量％]和可利用热处理(烧成)得到氧化铌(Nb₂O₅)的市售的有机金属分解涂布型材料[株式会社高纯度化学研究所Nb-05、浓度5质量％]改变比率并与参考实施例1-1同样地进行混合而制备成表5所示的钝化材料(b-1)～(b-7)。

与参考实施例1-1同样地将钝化材料(b-1)～(b-7)分别赋予到p型硅基板的单面并对其进行热处理(烧成)而制作成钝化膜，使用该钝化膜测定静电容量的电压依赖性，并由此算出固定电荷密度。

进而，与参考实施例1-1同样地将钝化材料(涂布型材料)赋予到p型硅基板的两面并使其固化而得到样品，使用所得的样品测定载流子寿命。将所得的结果归纳于表5中。

【表5】

可见：对于由钝化材料(b-1)～(b-6)得到的钝化膜而言，其载流子寿命均较大且具有作为钝化膜的功能。此外，在氧化铌/氧化铝为10/90及20/80的情况下，固定电荷密度的值存在较大偏差，无法稳定地得到负固定电荷密度，但是可以确认到能够通过使用氧化铝和氧化铌来实现负固定电荷密度。可见：在使用氧化铌/氧化铝为10/90及20/80的钝化材料并利用CV法进行测定时，根据情况而成为显示正固定电荷的钝化膜，因此并未达成稳定地显示负固定电荷。另外，显示正固定电荷的钝化膜能够作为n型硅基板的钝化膜来使用。

另一方面，氧化铝达到100质量％的钝化材料(b-7)无法得到负固定电荷密度。

[参考比较例1-2]

准备作为钝化材料(d-1)的可利用热处理(烧成)得到氧化钛(TiO₂)的市售的有机金属分解涂布型材料[株式会社高纯度化学研究所Ti-03-P、浓度3质量％]、作为钝化材料(d-2)的可利用热处理(烧成)得到钛酸钡(BaTiO₃)的市售的有机金属分解涂布型材料[株式会社高纯度化学研究所BT-06、浓度6质量％]、以及作为钝化材料(d-3)的可利用热处理(烧成)得到氧化铪(HfO₂)的市售的有机金属分解涂布型材料[株式会社高纯度化学研究所Hf-05、浓度5质量％]。

与参考实施例1-1同样地将钝化材料(d-1)～(d-3)分别赋予到p型硅基板的单面，然后对其进行热处理(烧成)而制作成钝化膜，使用该钝化膜测定静电容量的电压依赖性，并由此算出固定电荷密度。

进而，与参考实施例1-1同样地将钝化材料赋予到p型硅基板的两面并对其进行热处理(烧成)而得到样品，使用所得的样品测定了载流子寿命。将所得的结果归纳于表6中。

【表6】

可见：对于由钝化材料(d-1)～(d-3)得到的钝化膜而言，其载流子寿命均较小且作为钝化膜的功能并不充分。此外，显示出正固定电荷。由钝化材料(d-3)得到的钝化膜虽然为负固定电荷，但其值较小。此外，载流子寿命也较小，作为钝化膜的功能并不充分。

[参考实施例1-6]

使用掺杂有硼的单晶硅基板作为硅基板101，制作成图12所示结构的太阳能电池元件。对硅基板101的表面进行纹理处理后，将涂布型的磷扩散材料赋予到受光面侧，并利用热处理形成扩散层102(磷扩散层)。之后，利用稀氢氟酸除去涂布型的磷扩散材料。

接着，在受光面侧形成利用等离子体CVD制作成的SiN膜作为受光面防反射膜103。然后，利用喷墨法将参考实施例1-1中制得的钝化材料(a-1)赋予到硅基板101的背面侧的除接触区域(开口部OA)外的区域。然后，对其进行热处理，形成具有开口部OA的钝化膜107。

此外，作为钝化膜107，还另行制作了使用参考实施例1-3中制得的钝化材料(c-1)的样品。

接着，在形成于硅基板101的受光面侧的受光面防反射膜103(SiN膜)上以规定的副栅线电极及主栅线电极的形状丝网印刷以银为主成分的糊剂。在背面侧的整面丝网印刷以铝为主成分的糊剂。然后，以850℃进行热处理(烧通)，形成电极(第1电极105及第2电极106)，并且使铝扩散到背面的开口部OA的部分，形成BSF层104，从而形成图12所示结构的太阳能电池元件。

另外，在此，关于受光面的银电极，记载了并未在SiN膜中开孔的烧通工序，但也可在SiN膜中预先利用蚀刻等形成开口部OA，之后形成银电极。

为了进行比较，在上述制作工序中，不进行钝化膜107的形成，而在背面侧的整面印刷铝糊剂，并在整面形成与BSF层104对应的p⁺层114及与第2电极对应的电极116，形成图9所示结构的太阳能电池元件。对这些太阳能电池元件进行了特性评价(短路电流、开路电压、曲线因子及转换效率)。特性评价依据JIS-C-8913(2005年度)及JIS-C-8914(2005年度)来进行测定。将其结果示于表7。

由表7表明，若将具有包含氧化铌及氧化铝层的钝化膜107的太阳能电池元件与不具有钝化膜107的太阳能电池元件相比，则短路电流及开路电压均增加，转换效率(光电转换效率)最大提高1％。

【表7】

<参考实施方式2>

以下为参考实施方式2的钝化膜、涂布型材料、太阳能电池元件及带钝化膜的硅基板。

<1>一种钝化膜，其包含氧化铝和选自氧化钒及氧化钽中的至少一种的钒族元素氧化物，并且用于具有硅基板的太阳能电池元件。

<2>根据<1>所述的钝化膜，其中，上述钒族元素氧化物与上述氧化铝的质量比(钒族元素氧化物/氧化铝)为30/70～90/10。

<3>根据<1>或<2>所述的钝化膜，其中，上述钒族元素氧化物及上述氧化铝的总含有率为90％以上。

<4>根据<1>～<3>中任一项所述的钝化膜，其中，作为上述钒族元素氧化物，包含选自氧化钒、氧化铌及氧化钽中的2种或3种的钒族元素氧化物。

<5>根据<1>～<4>中任一项所述的钝化膜，其为包含氧化铝的前体和选自氧化钒的前体及氧化钽的前体中的至少一种的钒族元素氧化物的前体的涂布型材料的热处理物。

<6>一种涂布型材料，其包含氧化铝的前体和选自氧化钒的前体及氧化钽的前体中的至少一种的钒族元素氧化物的前体，并且用于形成具有硅基板的太阳能电池元件的钝化膜。

<7>一种太阳能电池元件，其具备：

p型硅基板；

形成于上述硅基板的受光面侧即第1面侧的n型杂质扩散层；

形成于上述杂质扩散层上的第1电极；

形成于上述硅基板的与受光面侧相反的第2面侧且具有开口部的钝化膜；以及

形成于上述硅基板的第2面侧且通过上述钝化膜的开口部而与上述硅基板的第2面侧电连接的第2电极，

上述钝化膜包含氧化铝和选自氧化钒及氧化钽中的至少一种的钒族元素氧化物。

<8>根据<7>所述的太阳能电池元件，其具有形成于上述硅基板的第2面侧的一部分或全部且添加有浓度比上述硅基板更高的杂质的p型杂质扩散层，

上述第2电极通过上述钝化膜的开口部而与上述p型杂质扩散层电连接。

<9>一种太阳能电池元件，其具备：

n型硅基板；

形成于上述硅基板的受光面侧即第1面侧的p型杂质扩散层；

形成于上述杂质扩散层上的第1电极；

形成于上述硅基板的与受光面侧相反的第2面侧且具有开口部的钝化膜；以及

形成于上述硅基板的第2面侧且通过上述钝化膜的开口部而与上述硅基板的第2面侧电连接的第2电极，

上述钝化膜包含氧化铝和选自氧化钒及氧化钽中的至少一种的钒族元素氧化物。

<10>根据<9>所述的太阳能电池元件，其具有形成于上述硅基板的第2面侧的一部分或全部且添加有浓度比上述硅基板更高的杂质的n型杂质扩散层，

上述第2电极通过上述钝化膜的开口部而与上述n型杂质扩散层电连接。

<11>根据<7>～<10>中任一项所述的太阳能电池元件，其中，上述钝化膜的上述钒族元素氧化物与上述氧化铝的质量比为30/70～90/10。

<12>根据<7>～<11>中任一项所述的太阳能电池元件，其中，上述钝化膜的上述钒族元素氧化物及上述氧化铝的总含有率为90％以上。

<13>根据<7>～<12>中任一项所述的太阳能电池元件，其中，作为上述钒族元素氧化物，包含选自氧化钒、氧化铌及氧化钽中的2种或3种的钒族元素氧化物。

<14>一种带钝化膜的硅基板，其具有硅基板和设置于上述硅基板上的整面或一部分的、<1>～<5>中任一项所述的太阳能电池元件用钝化膜。

根据上述的参考实施方式，能够延长硅基板的载流子寿命且以低成本实现具有负固定电荷的钝化膜。此外，能够提供用于实现该钝化膜的形成的涂布型材料。此外，能够以低成本实现使用了该钝化膜的、效率高的太阳能电池元件。此外，能够延长硅基板的载流子寿命且以低成本实现具有负固定电荷的带钝化膜的硅基板。

本实施方式的钝化膜为用于硅太阳能电池元件的钝化膜，其包含氧化铝和选自氧化钒及氧化钽中的至少一种钒族元素氧化物。

此外，在本实施方式中，通过改变钝化膜的组成，从而可以控制钝化膜所具有的固定电荷的量。在此，钒族元素是元素周期表的第5族元素，其为选自钒、铌及钽的元素。

此外，从能够使负固定电荷稳定化的观点出发，钒族元素氧化物与氧化铝的质量比更优选为35/65～90/10，进一步优选为50/50～90/10。

钝化膜中的钒族元素氧化物与氧化铝的质量比可以通过能量分散型X射线光谱法(EDX)、二次离子质谱分析法(SIMS)及高频电感耦合等离子体质谱分析法(ICP-MS)来进行测定。具体的测定条件在例如ICP-MS的情况下如下所述。将钝化膜溶解于酸或碱水溶液，使该溶液成为雾状而导入到Ar等离子体中，将受激发的元素回到基态时所放出的光进行分光并测定波长及强度，从所得的波长进行元素的定性，并从所得的强度进行定量。

钝化膜中的钒族元素氧化物及氧化铝的总含有率优选为80质量％以上，从能够维持良好特性的观点出发，更优选为90质量％以上。若钝化膜中的除钒族元素氧化物及氧化铝以外的成分变多，则负固定电荷的效果变大。

此外，从膜质的提高及弹性模量的调整的观点出发，可以在钝化膜中包含除钒族元素氧化物及氧化铝以外的成分作为有机成分。钝化膜中的有机成分的存在可以由元素分析及膜的FT-IR的测定来进行确认。

作为上述钒族元素氧化物，从得到更大的负固定电荷的观点出发，优选选择氧化钒(V₂O₅)。

上述钝化膜可以包含选自氧化钒、氧化铌及氧化钽中的2种或3种的钒族元素氧化物作为钒族元素氧化物。

上述钝化膜优选通过对涂布型材料进行热处理而得到，更优选通过使用涂布法或印刷法将涂布型材料进行成膜、之后利用热处理而除去有机成分来得到。即，钝化膜也可以以包含氧化铝前体及钒族元素氧化物的前体的涂布型材料的热处理物的形式得到。后文将对涂布型材料的详细情况进行叙述。

本实施方式的涂布型材料为用于具有硅基板的太阳能电池元件用的钝化膜的涂布型材料，其包含氧化铝的前体和选自氧化钒的前体及氧化钽的前体中的至少一种的钒族元素氧化物的前体。作为涂布型材料所含有的钒族元素氧化物的前体，从利用涂布材料所形成的钝化膜的负固定电荷的观点出发，优选选择氧化钒(V₂O₅)的前体。涂布型材料可以包含选自氧化钒的前体、氧化铌的前体及氧化钽的前体中的2种或3种的钒族元素氧化物的前体作为钒族元素氧化物的前体。

氧化铝前体只要是生成氧化铝的物质，则均可无特别限定地使用。作为氧化铝前体，从使氧化铝均匀分散到硅基板上的方面以及化学稳定性的观点出发，优选使用有机系的氧化铝前体。作为有机系的氧化铝前体的例子，可列举三异丙醇铝(结构式：Al(OCH(CH₃)₂)₃)、(株)高纯度化学研究所SYM-AL04。

钒族元素氧化物的前体只要是生成钒族元素氧化物的物质，则均可无特别限定地使用。作为钒族元素氧化物的前体，从使氧化铝均匀地分散到硅基板上的方面以及化学稳定性的观点出发，优选使用有机系的钒族元素氧化物的前体。

作为有机系的氧化钒的前体的例子，可列举三乙氧基氧化钒(V)(结构式：VO(OC₂H₅)₃、分子量：202.13)、(株)高纯度化学研究所V-02。作为有机系的氧化钽的前体的例子，可列举甲醇钽(V)(结构式：Ta(OCH₃)₅、分子量：336.12)、(株)高纯度化学研究所Ta-10-P。作为有机系的氧化铌前体的例子，可列举乙醇铌(V)(结构式：Nb(OC₂H₅)₅、分子量：318.21)、(株)高纯度化学研究所Nb-05。

使用涂布法或印刷法将包含有机系的钒族元素氧化物的前体及有机系的氧化铝前体的涂布型材料进行成膜，并利用之后的热处理除去有机成分，由此可以得到钝化膜。因此，结果钝化膜也可为包含有机成分的钝化膜。钝化膜中的有机成分的含有率更优选为小于10质量％，进一步优选为5质量％以下，特别优选为1质量％以下。

本实施方式的太阳能电池元件(光电转换装置)在硅基板的光电转换界面的附近具有上述实施方式中说明的钝化膜(绝缘膜、保护绝缘膜)、即包含氧化铝和选自氧化钒及氧化钽中的至少一种钒族元素氧化物的膜。通过包含氧化铝和选自氧化钒及氧化钽中的至少一种的钒族元素氧化物，从而可以延长硅基板的载流子寿命且具有负固定电荷，并且可以提高太阳能电池元件的特性(光电转换效率)。

本实施方式的太阳能电池元件的结构说明及制法说明可以参照参考实施方式1的太阳能电池元件的结构说明及制法说明。

以下，参照本实施方式的参考实施例及参考比较例进行详细地说明。

<使用氧化钒作为钒族元素氧化物的情况>

[参考实施例2-1]

将可利用热处理(烧成)得到氧化铝(Al₂O₃)的市售的有机金属薄膜涂布型材料[(株)高纯度化学研究所、SYM-AL04、浓度2.3质量％]3.0g和可利用热处理(烧成)得到氧化钒(V₂O₅)的市售的有机金属薄膜涂布型材料[(株)高纯度化学研究所、V-02、浓度2质量％]6.0g混合，制备成作为涂布型材料的钝化材料(a2-1)。

在预先利用浓度0.49质量％的氢氟酸除去了自然氧化膜的725μm厚且8英寸的p型硅基板(8Ω·cm～12Ω·cm)的单面旋转涂布钝化材料(a2-1)，将其放置于热板上，以120℃进行3分钟的预烘烤。然后，在氮气气氛下，以700℃进行30分钟的热处理(烧成)，得到包含氧化铝及氧化钒的钝化膜[氧化钒/氧化铝＝63/37(质量％)]。利用椭偏仪测得的膜厚为51nm。对钝化膜的FT-IR进行了测定，结果在1200cm^-1附近观察到极弱的源自烷基的峰。

接着，在上述的钝化膜上隔着金属掩模并利用蒸镀形成多个直径1mm的铝电极，制作成MIS(metal-insulator-semiconductor；金属-绝缘体-半导体)结构的电容器。利用市售的探测器及LCR计(HP公司、4275A)测定该电容器的静电容量的电压依赖性(C-V特性)。结果表明：平带电压(Vfb)从理想值-0.81V位移至+0.02V。由该位移量可知，由钝化材料(a2-1)得到的钝化膜显示出固定电荷密度(Nf)为-5.2×10¹¹cm^-2的负固定电荷。

与上述同样地将钝化材料(a2-1)涂布到8英寸的p型硅基板的两面，并对其进行预烘烤，在氮气气氛下，以650℃进行1小时的热处理(烧成)，制作成硅基板的两面被钝化膜覆盖的样品。利用寿命测定装置((株)神户制钢科研、RTA-540)测定了该样品的载流子寿命。结果载流子寿命为400μs。为了比较，利用碘钝化法使相同的8英寸的p型硅基板钝化并对其进行了测定，结果载流子寿命为1100μs。此外，在制作样品后的14日后再次测定了载流子寿命，结果载流子寿命为380μs。由此可知，载流子寿命的降低(从400μs至380μs)为-10％以内，载流子寿命的降低较小。

由以上内容可知，对钝化材料(a2-1)进行热处理(烧成)而得的钝化膜显示某种程度的钝化性能，并且显示出负固定电荷。

[参考实施例2-2]

将可利用热处理(烧成)得到氧化铝(Al₂O₃)的市售的有机金属薄膜涂布型材料[(株)高纯度化学研究所、SYM-AL04、浓度2.3质量％]和可利用热处理得到氧化钒(V₂O₅)的市售的有机金属薄膜涂布型材料[(株)高纯度化学研究所、V-02、浓度2质量％]改变比率并与参考实施例2-1同样地进行混合而制备成表8所示的钝化材料(a2-2)～(a2-7)。

与参考实施例2-1同样地将钝化材料(a2-2)～(a2-7)分别涂布到p型硅基板的单面并对其进行热处理(烧成)而制作成钝化膜。对所得的钝化膜的静电容量的电压依赖性进行测定，并由此算出固定电荷密度。

进而，与参考实施例2-1同样地将钝化材料涂布到p型硅基板的两面并对其进行热处理(烧成)而得到样品，使用所得的样品测定了载流子寿命。

将所得的结果归纳于表8。此外可知，在制作样品后的14日后再次测定了载流子寿命，结果使用表8所示的钝化材料(a2-2)～(a2-7)的钝化膜的载流子寿命的降低均为-10％以内，载流子寿命的降低较小。

根据热处理(烧成)后的氧化钒/氧化铝的比率(质量比)的不同，结果各不相同，但是钝化材料(a2-2)～(a2-7)在热处理(烧成)后均显示负固定电荷，并且载流子寿命也显示某种程度的值，因此意味着其作为钝化膜而发挥功能。可见：由钝化材料(a2-2)～(a2-7)得到的钝化膜均稳定地显示负固定电荷，也能够适合用作p型硅基板的钝化膜。

【表8】

[参考实施例2-3]

将作为可利用热处理(烧成)得到氧化钒(V₂O₅)的化合物的市售的三乙氧基氧化钒(V)(结构式：VO(OC₂H₅)₃、分子量：202.13)1.02g(0.010mol)和作为可利用热处理(烧成)得到氧化铝(Al₂O₃)的化合物的市售的三异丙醇铝(结构式：Al(OCH(CH₃)₂)₃、分子量：204.25)2.04g(0.010mol)溶解于环己烷60g中，制备成浓度5质量％的钝化材料(b2-1)。

在预先利用浓度0.49质量％的氢氟酸除去了自然氧化膜的725μm厚且8英寸的p型硅基板(8Ω·cm～12Ω·cm)的单面旋转涂布钝化材料(b2-1)，在热板上以120℃进行3分钟的预烘烤。之后，在氮气气氛下，以650℃进行1小时的热处理(烧成)，得到包含氧化铝及氧化钒的钝化膜。利用椭偏仪测得的膜厚为60nm。可见元素分析的结果为V/Al/C＝64/33/3(质量％)。对钝化膜的FT-IR进行了测定，结果在1200cm^-1附近观察到极弱的源自烷基的峰。

接着，在上述的钝化膜上隔着金属掩模并利用蒸镀形成多个直径1mm的铝电极，制作成MIS(metal-insulator-semiconductor；金属-绝缘体-半导体)结构的电容器。利用市售的探测器及LCR计(HP公司、4275A)测定该电容器的静电容量的电压依赖性(C-V特性)。结果表明：平带电压(Vfb)从理想值-0.81V位移至+0.10V。由该位移量可知，由钝化材料(b2-1)得到的钝化膜显示出固定电荷密度(Nf)为-6.2×10¹¹cm^-2的负固定电荷。

与上述同样地将钝化材料(b2-1)涂布到8英寸的p型硅基板的两面，并对其进行预烘烤，在氮气气氛下，以600℃进行1小时的热处理(烧成)，制作成硅基板的两面被钝化膜覆盖的样品。利用寿命测定装置((株)神户制钢科研、RTA-540)测定了该样品的载流子寿命。结果载流子寿命为400μs。为了比较，利用碘钝化法使相同的8英寸的p型硅基板钝化并对其进行了测定，结果载流子寿命为1100μs。

由以上内容可知，对钝化材料(b2-1)进行热处理(烧成)而得的钝化膜显示某种程度的钝化性能，并且显示出负固定电荷。

[参考实施例2-4]

将市售的三乙氧基氧化钒(V)(结构式：VO(OC₂H₅)₃、分子量：202.13)1.52g(0.0075mol)、市售的三异丙醇铝(结构式：Al(OCH(CH₃)₂)₃、分子量：204.25)1.02g(0.005mol)及线型酚醛树脂10g溶解于二乙二醇单丁基醚乙酸酯10g和环己烷10g中，制备成钝化材料(b2-2)。

在预先利用浓度0.49质量％的氢氟酸除去了自然氧化膜的725μm厚且8英寸的p型硅基板(8Ω·cm～12Ω·cm)的单面旋转涂布钝化材料(b2-2)，将其放置于热板上，以120℃进行3分钟的预烘烤。然后，在氮气气氛下，以650℃进行1小时的加热，得到包含氧化铝及氧化钒的钝化膜。利用椭偏仪测得的膜厚为22nm。可见元素分析的结果为V/Al/C＝71/22/7(质量％)。对钝化膜的FT-IR进行了测定，结果在1200cm^-1附近观察到极弱的源自烷基的峰。

接着，在上述的钝化膜上隔着金属掩模并利用蒸镀形成多个直径1mm的铝电极，制作成MIS(metal-insulator-semiconductor；金属-绝缘体-半导体)结构的电容器。利用市售的探测器及LCR计(HP公司、4275A)测定该电容器的静电容量的电压依赖性(C-V特性)。结果表明：平带电压(Vfb)从理想值-0.81V位移至+0.03V。由该位移量可知，由钝化材料(b2-2)得到的钝化膜显示出固定电荷密度(Nf)为-2.0×10¹¹cm^-2的负固定电荷。

与上述同样地将钝化材料(b2-2)涂布到8英寸的p型硅基板的两面，并对其进行预烘烤，在氮气气氛下，以600℃进行1小时的热处理(烧成)，制作成硅基板的两面被钝化膜覆盖的样品。利用寿命测定装置((株)神户制钢科研、RTA-540)测定了该样品的载流子寿命。结果载流子寿命为170μs。为了比较，利用碘钝化法使相同的8英寸的p型硅基板钝化并对其进行了测定，结果载流子寿命为1100μs。

由以上内容可知，使钝化材料(b2-2)固化而得的钝化膜显示某种程度的钝化性能，并且显示出负固定电荷。

<使用氧化钽作为钒族元素氧化物的情况>

[参考实施例2-5]

将可利用热处理(烧成)得到氧化铝(Al₂O₃)的市售的有机金属薄膜涂布型材料[(株)高纯度化学研究所、SYM-AL04、浓度2.3质量％]和可利用热处理得到氧化钽(Ta₂O₅)的市售的有机金属薄膜涂布型材料[(株)高纯度化学研究所、Ta-10-P、浓度10质量％]改变比率并进行混合，制备成表9所示的钝化材料(c2-1)～(c2-6)。

在预先利用浓度0.49质量％的氢氟酸除去了自然氧化膜的725μm厚且8英寸的p型硅基板(8Ω·cm～12Ω·cm)的单面分别旋转涂布钝化材料(c2-1)～(c2-6)，将其放置于热板上，以120℃进行3分钟的预烘烤。然后，在氮气气氛下，以700℃进行30分钟的热处理(烧成)，得到包含氧化铝及氧化钽的钝化膜。使用该钝化膜测定静电容量的电压依赖性，并由此算出固定电荷密度。

接着，将钝化材料(c2-1)～(c2-6)分别涂布于8英寸的p型硅基板的两面并对其进行预烘烤，在氮气气氛下，以650℃进行1小时的热处理(烧成)，制作成硅基板的两面被钝化膜覆盖的样品。利用寿命测定装置((株)神户制钢科研、RTA-540)测定了该样品的载流子寿命。

将所得的结果归纳于表9。此外可知，在制作样品后的14日后再次测定了载流子寿命，结果使用表9所示的钝化材料(c2-1)～(c2-6)的钝化膜的载流子寿命的降低均为-10％以内，载流子寿命的降低较小。

根据热处理(烧成)后的氧化钽/氧化铝的比率(质量比)的不同，结果各不相同，但是钝化材料(c2-1)～(c2-6)在热处理(烧成)后均显示负固定电荷，并且载流子寿命也显示某种程度的值，因此意味着其作为钝化膜而发挥功能。

【表9】

[参考实施例2-6]

将作为可利用热处理(烧成)得到氧化钽(Ta₂O₅)的化合物的市售的甲醇钽(V)(结构式：Ta(OCH₃)₅、分子量：336.12)1.18g(0.0025mol)和作为可利用热处理(烧成)得到氧化铝(Al₂O₃)的化合物的市售的三异丙醇铝(结构式：Al(OCH(CH₃)₂)₃、分子量：204.25)2.04g(0.010mol)溶解于环己烷60g中，制备成浓度5质量％的钝化材料(d2-1)。

在预先利用浓度0.49质量％的氢氟酸除去了自然氧化膜的725μm厚且8英寸的p型硅基板(8Ω·cm～12Ω·cm)的单面旋转涂布钝化材料(d2-1)，将其放置于热板上，以120℃进行3分钟的预烘烤。然后，在氮气气氛下，以700℃进行1小时的加热，得到包含氧化铝及氧化钽的钝化膜。利用椭偏仪测得的膜厚为40nm。可见元素分析的结果为Ta/Al/C＝75/22/3(wt％)。对钝化膜的FT-IR进行了测定，结果在1200cm^-1附近观察到极弱的源自烷基的峰。

接着，在上述的钝化膜上隔着金属掩模并利用蒸镀形成多个直径1mm的铝电极，制作成MIS(metal-insulator-semiconductor；金属-绝缘体-半导体)结构的电容器。利用市售的探测器及LCR计(HP公司、4275A)测定该电容器的静电容量的电压依赖性(C-V特性)。结果表明：平带电压(Vfb)从理想值-0.81V位移至-0.30V。由该位移量可知，由钝化材料(d2-1)得到的钝化膜显示出固定电荷密度(Nf)为-6.2×10¹⁰cm^-2的负固定电荷。

与上述同样地将钝化材料(d2-1)涂布到8英寸的p型硅基板的两面，并对其进行预烘烤，在氮气气氛下，以600℃进行1小时的热处理(烧成)，制作成硅基板的两面被钝化膜覆盖的样品。利用寿命测定装置((株)神户制钢科研、RTA-540)测定了该样品的载流子寿命。结果载流子寿命为610μs。为了比较，利用碘钝化法使相同的8英寸的p型硅基板钝化并对其进行了测定，结果载流子寿命为1100μs。

由以上内容可知，对钝化材料(d2-1)进行热处理(烧成)而得的钝化膜显示某种程度的钝化性能，并且显示出负固定电荷。

[参考实施例2-7]

将作为可利用热处理(烧成)得到氧化钽(Ta₂O₅)的化合物的市售的甲醇钽(V)(结构式：Ta(OCH₃)₅、分子量：336.12)1.18g(0.005mol)、作为可利用热处理(烧成)得到氧化铝(Al₂O₃)的化合物的市售的三异丙醇铝(结构式：Al(OCH(CH₃)₂)₃、分子量：204.25)1.02g(0.005mol)及线型酚醛树脂10g溶解于二乙二醇单丁基醚乙酸酯10g和环己烷10g的混合物中，制备成钝化材料(d2-2)。

在预先利用浓度0.49质量％的氢氟酸除去了自然氧化膜的725μm厚且8英寸的p型硅基板(8Ω·cm～12Ω·cm)的单面旋转涂布钝化材料(d2-2)，在热板上以120℃进行3分钟的预烘烤。然后，在氮气气氛下，以650℃进行1小时的加热，得到包含氧化铝及氧化钽的钝化膜。利用椭偏仪测得的膜厚为18nm。可见元素分析的结果为Ta/Al/C＝72/20/8(wt％)。对钝化膜的FT-IR进行了测定，结果在1200cm^-1附近观察到极弱的源自烷基的峰。

接着，在上述的钝化膜上隔着金属掩模并利用蒸镀形成多个直径1mm的铝电极，制作成MIS(metal-insulator-semiconductor；金属-绝缘体-半导体)结构的电容器。利用市售的探测器及LCR计(HP公司、4275A)测定该电容器的静电容量的电压依赖性(C-V特性)。结果表明：平带电压(Vfb)从理想值-0.81V位移至-0.43V。由该位移量可知，由钝化材料(d-2)得到的钝化膜显示出固定电荷密度(Nf)为-5.5×10¹⁰cm^-2的负固定电荷。

与上述同样地将钝化材料(d2-2)涂布到8英寸的p型硅基板的两面，并对其进行预烘烤，在氮气气氛下，以600℃进行1小时的热处理(烧成)，制作成硅基板的两面被钝化膜覆盖的样品。利用寿命测定装置((株)神户制钢科研、RTA-540)测定了该样品的载流子寿命。结果载流子寿命为250μs。为了比较，利用碘钝化法使相同的8英寸的p型硅基板钝化并对其进行了测定，结果载流子寿命为1100μs。

由以上内容可知，对钝化材料(d2-2)进行热处理(烧成)而得的钝化膜显示某种程度的钝化性能，并且显示出负固定电荷。

<使用2种以上的钒族元素氧化物的情况>

[参考实施例2-8]

将可利用热处理(烧成)得到氧化铝(Al₂O₃)的市售的有机金属薄膜涂布型材料[(株)高纯度化学研究所、SYM-AL04、浓度2.3质量％]、可利用热处理(烧成)得到氧化钒(V₂O₅)的市售的有机金属薄膜涂布型材料[(株)高纯度化学研究所、V-02、浓度2质量％]及可利用热处理(烧成)得到氧化钽(Ta₂O₅)的市售的有机金属薄膜涂布型材料[(株)高纯度化学研究所、Ta-10-P、浓度10质量％]混合，制备成作为涂布型材料的钝化材料(e2-1)(参照表10)。

将可利用热处理(烧成)得到氧化铝(Al₂O₃)的市售的有机金属薄膜涂布型材料[(株)高纯度化学研究所SYM-AL04、浓度2.3质量％]、可利用热处理(烧成)得到氧化钒(V₂O₅)的市售的有机金属薄膜涂布型材料[(株)高纯度化学研究所V-02、浓度2质量％]及可利用热处理(烧成)得到氧化铌(Nb₂O₅)的市售的有机金属薄膜涂布型材料[(株)高纯度化学研究所、Nb-05、浓度5质量％]混合，制备成作为涂布型材料的钝化材料(e2-2)(参照表10)。

将可利用热处理(烧成)得到氧化铝(Al₂O₃)的市售的有机金属薄膜涂布型材料[(株)高纯度化学研究所SYM-AL04、浓度2.3质量％]、可利用热处理(烧成)得到氧化钽(Ta₂O₅)的市售的有机金属薄膜涂布型材料[(株)高纯度化学研究所Ta-10-P、浓度10质量％]及可利用热处理(烧成)得到氧化铌(Nb₂O₅)的市售的有机金属薄膜涂布型材料[(株)高纯度化学研究所Nb-05、浓度5质量％]混合，制备成作为涂布型材料的钝化材料(e2-3)(参照表10)。

将可利用热处理(烧成)得到氧化铝(Al₂O₃)的市售的有机金属薄膜涂布型材料[(株)高纯度化学研究所SYM-AL04、浓度2.3质量％]、可利用热处理(烧成)得到氧化钒(V₂O₅)的市售的有机金属薄膜涂布型材料[(株)高纯度化学研究所V-02、浓度2质量％]、可利用热处理(烧成)得到氧化钽(Ta₂O₅)的市售的有机金属薄膜涂布型材料[(株)高纯度化学研究所Ta-10-P、浓度10质量％]及可利用热处理(烧成)得到氧化铌(Nb₂O₅)的市售的有机金属薄膜涂布型材料[(株)高纯度化学研究所Nb-05、浓度5质量％]混合，制备成作为涂布型材料的钝化材料(e2-4)(参照表10)。

与参考实施例2-1同样地在预先利用浓度0.49质量％的氢氟酸除去了自然氧化膜的725μm厚且8英寸的p型硅基板(8Ω·cm～12Ω·cm)的单面分别旋转涂布钝化材料(e2-1)～(e2-4)，将其放置于热板上，以120℃进行3分钟的预烘烤。然后，在氮气气氛下，以650℃进行1小时的热处理(烧成)，得到包含氧化铝和2种以上的钒族元素氧化物的钝化膜。

使用上述得到的钝化膜测定静电容量的电压依赖性，并由此算出固定电荷密度。

接着，将钝化材料(e2-1)～(e2-4)分别涂布于8英寸的p型硅基板的两面，并对其进行预烘烤，在氮气气氛下，以650℃进行1小时的热处理(烧成)，制作成硅基板的两面被钝化膜覆盖的样品。利用寿命测定装置((株)神户制钢科研、RTA-540)测定了该样品的载流子寿命。

将所得的结果归纳于表10中。

根据热处理(烧成)后的2种以上的钒族元素氧化物与氧化铝的比率(质量比)的不同，结果各不相同，但是使用了钝化材料(e2-1)～(e2-4)的钝化膜在热处理(烧成)后均显示负固定电荷，并且载流子寿命也显示某种程度的值，因此意味着其作为钝化膜而发挥功能。

【表10】

[参考实施例2-9]

与参考实施例2-1同样地将可利用热处理(烧成)得到氧化铝(Al₂O₃)的市售的有机金属薄膜涂布型材料[(株)高纯度化学研究所、SYM-AL04、浓度2.3质量％]与可利用热处理(烧成)得到氧化钒(V₂O₅)的市售的有机金属薄膜涂布型材料[(株)高纯度化学研究所、V-02、浓度2质量％]或可利用热处理(烧成)得到氧化钽(Ta₂O₅)的市售的有机金属薄膜涂布型材料[(株)高纯度化学研究所、Ta-10-P、浓度10质量％]混合，制备成作为涂布型材料的钝化材料(f2-1)～(f2-8)(参照表11)。

此外，制备成单独使用了氧化铝的钝化材料(f2-9)(参照表11)。

与参考实施例2-1同样地将钝化材料(f2-1)～(f2-9)分别涂布到p型硅基板的单面，之后对其进行热处理(烧成)，制作钝化膜，使用该钝化膜测定静电容量的电压依赖性，并由此算出固定电荷密度。

进而，与参考实施例2-1同样地将钝化材料(f2-1)～(f2-9)分别涂布到p型硅基板的两面，并对其进行热处理(烧成)而得到样品，使用所得的样品测定了载流子寿命。将所得的结果归纳于表11中。

如表11所示，在钝化材料中的氧化铝/氧化钒或氧化钽为90/10及80/20的情况下，固定电荷密度的值存在较大偏差，并且无法稳定地得到负固定电荷密度，但是可以确认到能够通过使用氧化铝和氧化铌来实现负固定电荷密度。可见：在使用氧化铝/氧化钒或氧化钽为90/10及80/20的钝化材料并利用CV法进行测定时，根据情况而成为显示正固定电荷的钝化膜，因此并未达成稳定地显示负固定电荷。另外，显示正固定电荷的钝化膜能够作为n型硅基板的钝化膜来使用。另一方面，氧化铝达到100质量％的钝化材料(f2-9)无法得到负固定电荷密度。

【表11】

[参考实施例2-10]

使用掺杂有硼的单晶硅基板作为硅基板101，制作成图12所示结构的太阳能电池元件。对硅基板101的表面进行纹理处理后，将涂布型的磷扩散材料仅涂布到受光面侧，并利用热处理形成扩散层102(磷扩散层)。之后，利用稀氢氟酸除去涂布型的磷扩散材料。

接着，在受光面侧利用等离子体CVD形成SiN膜作为受光面防反射膜103。然后，利用喷墨法将参考实施例2-1中制得的钝化材料(a2-1)涂布到硅基板101的背面侧的除接触区域(开口部OA)外的区域。然后，对其进行热处理，形成具有开口部OA的钝化膜107。此外，作为钝化膜107，还另行制作了使用参考实施例2-5中制得的钝化材料(c2-1)的样品。

接着，在形成于硅基板101的受光面侧的受光面防反射膜103(SiN膜)上以规定的副栅线电极及主栅线电极的形状丝网印刷以银为主成分的糊剂。在背面侧的整面丝网印刷以铝为主成分的糊剂。然后，以850℃进行热处理(烧通)，形成电极(第1电极105及第2电极106)，并且使铝扩散到背面的开口部OA的部分，形成BSF层104，从而形成图12所示结构的太阳能电池元件。

另外，在此，关于受光面的银电极的形成，记载了并未在SiN膜中开孔的烧通工序，但也可在SiN膜中预先利用蚀刻等形成开口部OA，之后形成银电极。

为了进行比较，在上述制作工序中，不进行钝化膜107的形成，而在背面侧的整面印刷铝糊剂，并在整面形成与BSF层104对应的p⁺层114及与第2电极对应的电极116，形成图9的结构的太阳能电池元件。对这些太阳能电池元件进行了特性评价(短路电流、开路电压、曲线因子及转换效率)。特性评价依据JIS-C-8913(2005年度)及JIS-C-8914(2005年度)来进行测定。将其结果示于表12。

由表12表明，若将具有钝化膜107的太阳能电池元件与不具有钝化膜107的太阳能电池元件相比，则短路电流及开路电压均增加，转换效率(光电转换效率)最大提高0.6％。

【表12】

对于日本专利申请第2012-160336号、第2012-218389号、第2013-011934号、第2013-040153号及第2013-040155号的公开内容，将其全体并入到本说明书中。本说明书中记载的全部文献、专利申请以及技术标准，与具体且分别记载了各个文献、专利申请和技术标准的情况同程度地作为参照援引于本说明书中。

Claims (18)

1.一种太阳能电池元件，其具有：

具有受光面及与所述受光面相反侧的背面的半导体基板；

配置于所述受光面的一部分且扩散有杂质的第1杂质扩散区域；

配置于所述受光面且杂质浓度比第1杂质扩散区域低的第2杂质扩散区域；

配置于所述第1杂质扩散区域的至少一部分的受光面电极；

配置于所述背面上的背面电极；和

配置于所述受光面及背面中的至少一方的面上且包含选自Nb₂O₅、Ta₂O₅、V₂O₅、Y₂O₃及HfO₂中的1种以上化合物的钝化层。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池元件，其中，所述钝化层还含有Al₂O₃。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池元件，其中，所述钝化层的密度为1.0g/cm³～10.0g/cm³。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的太阳能电池元件，其中，所述钝化层的平均厚度为5nm～50μm。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的太阳能电池元件，其中，所述钝化层为钝化膜用组合物的热处理物。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池元件，其中，所述钝化膜用组合物包含选自Nb₂O₅、Ta₂O₅、V₂O₅、Y₂O₃、HfO₂及下述通式(I)所示的化合物中的1种以上，

M(OR¹)m  (I)

式(I)中，M包含选自Nb、Ta、V、Y及Hf中的至少1种金属元素，R¹分别独立地表示碳数1～8的烷基或碳数6～14的芳基，m表示1～5的整数。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池元件，其中，所述钝化层形成用组合物还包含选自Al₂O₃及下述通式(II)所示的化合物中的1种以上的铝化合物，

式(II)中，R²分别独立地表示碳数1～8的烷基，n表示0～3的整数，X²及X³分别独立地表示氧原子或亚甲基，R³、R⁴及R⁵分别独立地表示氢原子或碳数1～8的烷基。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池元件，其中，所述通式(II)中的R2分别独立地为碳数1～4的烷基。

9.根据权利要求7或8所述的太阳能电池元件，其中，所述通式(II)中的n为1～3的整数、R⁵分别独立地为氢原子或者碳数4或5的烷基。

10.根据权利要求7～9中任一项所述的太阳能电池元件，其中，所述钝化层形成用组合物包含选自Al₂O₃及所述通式(II)所示的化合物中的1种以上的铝化合物，所述钝化层形成用组合物中的所述铝化合物的总含有率为0.1质量％～80质量％。

11.根据权利要求6～10中任一项所述的太阳能电池元件，其中，所述钝化层形成用组合物包含选自Nb₂O₅及所述通式(I)中的M为Nb的化合物中的1种以上的铌化合物，所述钝化层形成用组合物中的所述铌化合物的总含有率以Nb₂O₅换算为0.1质量％～99.9质量％。

12.根据权利要求5～11中任一项所述的太阳能电池元件，其中，所述钝化层形成用组合物包含液状介质。

13.根据权利要求12所述的太阳能电池元件，其中，所述液状介质包含选自疏水性有机溶剂、非质子性有机溶剂、萜溶剂、酯溶剂、醚溶剂及醇溶剂中的至少一种。

14.一种权利要求1～13中任一项所述的太阳能电池元件的制造方法，其包括：

在具有受光面及与所述受光面相反侧的背面的半导体基板的所述受光面的一部分形成第1杂质扩散区域的工序；

在所述受光面形成杂质浓度比第1杂质扩散区域低的第2杂质扩散区域的工序；

在所述第1杂质扩散区域的至少一部分形成受光面电极的工序；

在所述背面形成背面电极的工序；

在选自所述受光面及所述背面中的至少1个面上赋予钝化层形成用组合物而形成组合物层的工序，所述钝化层形成用组合物包含选自Nb₂O₅、Ta₂O₅、V₂O₅、Y₂O₃、HfO₂及下述通式(I)所示的化合物中的1种以上化合物；以及

对所述组合物层进行热处理而形成含有选自Nb₂O₅、Ta₂O₅、V₂O₅、Y₂O₃及HfO₂中的1种以上化合物的钝化层的工序，

M(OR¹)m  (I)

式(I)中，M包含选自Nb、Ta、V、Y及Hf中的至少1种金属元素，R¹分别独立地表示碳数1～8的烷基或碳数6～14的芳基，m表示1～5的整数。

15.根据权利要求14所述的太阳能电池元件的制造方法，其中，所述钝化层形成用组合物还包含选自Al₂O₃及下述通式(II)所示的化合物中的1种以上的铝化合物，

式(II)中，R²分别独立地表示碳数1～8的烷基，n表示0～3的整数，X²及X³分别独立地表示氧原子或亚甲基，R³、R⁴及R⁵分别独立地表示氢原子或碳数1～8的烷基。

16.根据权利要求14或15所述的太阳能电池元件的制造方法，其中，所述热处理的温度为400℃以上。

17.根据权利要求14～16中任一项所述的太阳能电池元件的制造方法，其中，所述形成组合物层的工序包括利用丝网印刷法或喷墨法赋予所述钝化层形成用组合物的步骤。

18.一种太阳能电池模块，其具有权利要求1～13中任一项所述的太阳能电池元件和配置于所述太阳能电池元件的电极上的布线材料。