CN104508184A - 银硫化防止材料、银硫化防止膜的形成方法、发光装置的制造方法及发光装置 - Google Patents

银硫化防止材料、银硫化防止膜的形成方法、发光装置的制造方法及发光装置 Download PDF

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Abstract

本发明的银硫化防止剂含有粘土和粘合剂。

Description

银硫化防止材料、银硫化防止膜的形成方法、发光装置的制造方法及发光装置
技术领域
本发明涉及一种银硫化防止材料，更详细而言，涉及用于防止在发光装置等中使用的银镀层因硫化而变色的银硫化防止材料。另外，本发明涉及使用了银硫化防止材料的银硫化防止膜的形成方法以及发光装置的制造方法。
背景技术
近年来，作为代替荧光灯或白炽灯的光源，发光二极管(LED)的需求迅速增加。具备发光二极管等发光元件的发光装置被用于照明仪器、汽车用灯等用途。通过在所述发光装置中设置包含银镀层的光反射膜，可谋求光提取效率的提高。例如，在具备镀铜基板等的引线框的LED封装体中，通过在铜镀层上设置银镀层，可提高反射率(例如，参考下述专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2009-239116号公报
发明内容
发明要解决的问题
在LED封装体中，通常通过使用透明树脂进行封装而对发光元件及光反射膜等进行保护。然而，发光装置在室外使用时，环境中的硫化氢、亚硫酸气体等会透过树脂将银镀层硫化，由此产生银镀层的光反射率因变色而降低的问题。最近，伴随着LED的高输出化，LED的发热量增加，银镀层的硫化存在着因温度的上升而进一步提早的倾向。
本发明正是基于上述情况而完成的，目的在于提供：可充分抑制银的硫化的银硫化防止材料、使用了该银硫化防止材料的银硫化防止膜的形成方法、银硫化防止性优异的发光装置及该发光装置的制造方法。
解决问题的方法
为了解决上述问题，本发明提供一种含有粘土和粘合剂的银硫化防止材料。
若采用本发明的银硫化防止材料，则通过将其涂布于含有银的金属层的表面并使其干燥，可形成能够充分抑制银的硫化的银硫化防止膜。
另外，当在LED封装体的银镀层中应用银硫化防止材料时，可以考虑在将发光元件以及反射器等部件搭载于基板之前或者之后设置在银镀层上形成银硫化防止膜的工序。在任一情况下，在封装等步骤中都会对银硫化防止膜进行加热，因此，要求银硫化防止膜具有耐热性。另外，在形成银硫化防止膜时以及点亮LED灯时也会受到热的影响。作为形成耐热性优异的膜的方法，可以考虑例如使用被称作硅酮树脂的耐热性高的树脂。然而，硅酮树脂的气体阻隔性低，无法获得充分的银硫化防止性。另外，在形成玻璃之类的无机被膜的方法中，在将玻璃熔融而形成被膜时需300℃以上的高温步骤，无法适用于LED封装体。
针对于此，根据本发明的银硫化防止材料，在能够适用于LED封装体的步骤的温度下，可形成具有充分的耐热性及银硫化防止性、且耐破裂性优异的银硫化防止膜。
另一方面，有时要求更高水准的银硫化防止性。在这种情况下，可考虑加厚硫化防止膜的膜厚。然而，对于由粘土构成的膜而言，若膜厚在500nm以上，则变得容易发生破裂。若采用本发明的银硫化防止材料，则可形成即使在加厚膜厚的情况下也不易发生破裂的粘土膜。由此，可将银硫化防止膜厚膜化而获得较高的银硫化防止性。
从进一步提高所形成的银硫化防止膜的耐破裂性的观点出发，粘土和粘合剂的质量比优选为75/25～5/95。
本发明的银硫化防止材料优选含有水性粘合剂作为粘合剂。在此情况下，可利用水和/或水溶性液体将粘土和粘合剂良好地混合，形成成膜性进一步提高了的银硫化防止膜。
需要说明的是，本说明书中的水性粘合剂是指：与水和/或水溶性液体混合时，呈现溶液、水溶液、乳化物及可溶化物等宏观上观察为同一状态的粘合剂。
另外，从进一步提高银硫化防止性的观点出发，以银硫化防止材料的固体成分总量为基准，粘土和粘合剂的合计含量优选为80质量％以上。
银硫化防止材料的固体成分总质量是按照以下方法所得到的值。将银硫化防止材料盛放在铝皿中，测定在150℃下干燥2小时后的质量。
需要说明的是，在求取银硫化防止材料的固体成分浓度的情况下，将银硫化防止材料盛放在铝皿中，测定其质量，然后，测定在150℃下干燥2小时后的质量，从而可由所测得的值按照下述式算出固体成分浓度。
固体成分浓度＝(干燥后的质量)/(干燥前的质量)×100
本发明还提供一种银硫化防止膜的形成方法，其具备：在含有银的金属层的表面涂布上述本发明的银硫化防止材料，从而形成银硫化防止材料的涂膜的涂布工序；和将涂膜干燥的干燥工序。
根据本发明的银硫化防止膜的形成方法，可通过使用本发明的银硫化防止材料而形成能够充分抑制银的硫化的银硫化防止膜。
另外，通过使用本发明的银硫化防止材料，可形成耐黄变性等耐热性优异的银硫化防止膜。此外，通过使用本发明的银硫化防止材料，即使是在通过厚膜化而形成具有较高的银硫化防止性的银硫化防止膜的情况下，也可以抑制破裂的产生。
上述金属层优选为银镀层。在此情况下，可防止银镀层的光反射率因硫化而降低。
本发明还提供一种发光装置的制造方法，所述发光装置具备：具有银镀层的基板和搭载于基板上的发光元件，该制造方法包括：在银镀层表面涂布上述本发明的银硫化防止材料，从而形成银硫化防止材料的涂膜的涂布工序；和将涂膜干燥的干燥工序。
根据本发明的发光装置的制造方法，可形成能够充分抑制银镀层表面的银硫化的银硫化防止膜，由此，可制造银镀层不易变色且银硫化防止性优异的发光装置。
另外，根据本发明的发光装置的制造方法，可通过使用本发明的银硫化防止材料而形成耐黄变性等耐热性优异的银硫化防止膜，因此，可充分抑制由在封装等步骤的温度下的着色所引起的制造方面的问题。另外，在得到的发光装置中，可形成即使在点亮照明设备时的加热下也不易发生黄变的银硫化防止膜，因此，可充分抑制由着色引起的反射率的降低。
此外，根据本发明的发光装置的制造方法，可通过使用本发明的银硫化防止材料而形成即使是厚膜也不易发生破裂的银硫化防止膜，因此，可制造出充分抑制由膜的破裂引起的制造方面的问题、且具有高水准的银硫化防止性的发光装置。
本发明还提供一种发光装置，其具备：具有银镀层的基板、搭载于基板上的发光元件、和设置在银镀层表面的银硫化防止膜，其中，银硫化防止膜含有粘土和粘合剂。
本发明的发光装置通过具备上述银硫化防止膜而具有优异的银硫化防止性、并且银镀层不易变色。此外，银硫化防止膜的耐黄变性等耐热性优异，因此，可充分抑制由因点亮照明设备时的加热而使银硫化防止膜着色所引起的反射率降低。
基于耐破裂性优异的观点，上述银硫化防止膜中的粘土和粘合剂的质量比优选为75/25～5/95。
上述银硫化防止膜优选含有水性粘合剂作为上述粘合剂。在该情况下，形成银硫化防止膜时，可利用水和/或水溶性液体将粘土和粘合剂良好地混合，由此可进一步提高银硫化防止膜的成膜性。
从进一步提高银硫化防止性的观点出发，上述银硫化防止膜中的粘土及粘合剂的合计浓度优选为80质量％以上。
发明效果
根据本发明，可提供能够充分抑制银的硫化的银硫化防止材料、使用了该银硫化防止材料的银硫化防止膜的形成方法、银硫化防止性优异的发光装置及该发光装置的制造方法。
附图说明
图1为发光装置的剖视图。
图2为图1中示出的发光装置的俯视图。
图3为表示第1实施方式所涉及的发光装置的制造方法的流程图。
图4为实施方式所涉及的银硫化防止材料的涂布工序后的发光装置剖视图。
图5为干燥工序后的发光装置的剖视图。
图6为透明封装树脂填充工序后的发光装置的剖视图。
图7为用于说明由实施方式所涉及的银硫化防止材料形成的银硫化防止膜的构成的示意图。
图8为表示第2实施方式所涉及的发光装置的制造方法的流程图。
图9为按照图8的制造方法所制造的发光装置的剖视图。
图10为表示第3实施方式所涉及的发光装置的制造方法的流程图。
图11为按照图10的制造方法所制造的发光装置的剖视图。
具体实施方式
本实施方式所涉及的银硫化防止材料包含粘土及粘合剂。在该银硫化防止材料中，可含有用于使粘土及粘合剂分散的溶剂。若采用本实施方式的银硫化防止材料，则通过将其涂布于含有银的金属层表面并使其干燥，可形成能够充分抑制银的硫化的银硫化防止膜。作为上述金属层，例如可以列举：银镀层、银糊剂层。
作为粘土，可以单独使用天然粘土、合成粘土及它们的改性物中的1种，或者组合使用2种以上。
作为天然粘土，可以使用例如以下的层状硅酸盐。作为具体例，可以列举：高岭土、滑石-叶蜡石、蒙脱石、蛭石、云母(mica)、脆云母、绿泥石。作为代表性的种类，可以列举：利蛇纹石、镁绿泥石、纤蛇纹石、高岭石、迪开石、多水高岭土、滑石、叶蜡石、皂石、锂蒙脱石、蒙脱石，贝得石、三八面体型蛭石、二八面体型蛭石、金云母、黑云母、锂云母、伊利石、白云母、钠云母、绿脆云母、珍珠云母、斜绿泥石、鲕绿泥石、镍绿泥石、片硅铝石、锂绿泥石、铝绿泥石。作为市售品，可以列举：Kunipia(Kunimine工业(株)制、商品名、Kunipia F)、湿式粉碎云母(yamaguchi-mic制、Y系列、SA系列)。
作为合成粘土，例如可以列举：氟金云母、四硅钾云母、四硅钠云母、Na带云母、Li带云母、蒙脱石、皂石、锂蒙脱石、硅镁石。作为市售品，可以列举：Micro Mica、SOMASIF(CO-OP Chemical(株)制、商品名、MEB-3)、Lucentite(ルーセンタイト)(CO-OP Chemical(株)制、商品名、SWN)、膨润性云母溶胶(Topy工业制、NTS-10、NTS-5)。
作为合成粘土的改性物，例如作为市售品，可以列举：SOMASIF(CO-OP Chemical(株)制、商品名、MAE)、Lucentite(CO-OP Chemical(株)制、商品名、SPN)。
在本实施方式中，从提高所形成的银硫化防止膜的银硫化防止性的观点出发，作为粘土，优选含有蒙脱石。蒙脱石优选具有厚度1nm以下、直径方向的长度为10nm以上且400nm以下的形状，更优选长径比为10以上的蒙脱石。此处的长径比是指晶体的平均长边长度/平均厚度。
作为粘合剂，例如可以列举：聚氨酯树脂、聚酰胺树脂、聚酯树脂、聚醚树脂、聚碳酸酯、二烯系聚合物、聚乙烯醇、聚乙烯醇缩醛、黄原胶、羧甲基纤维素。
在使用水或水溶性液体作为溶剂的情况下，从与粘土良好混合的观点出发，粘合剂优选为水性粘合剂。作为水性粘合剂，例如可以列举：聚氨酯、聚酯等的乳液、乙烯醇系树脂乳液、乙烯醇缩醛系树脂乳液、丙烯酸系树脂乳液、二烯系聚合物的磺化物乳液、羧甲基纤维素、黄原胶、环氧系乳液、聚酰胺系乳液。
此外，从阻隔性、耐热性及耐破裂性的观点出发，优选聚氨酯、聚酯等乳液、二烯系聚合物的磺化物乳液、环氧系乳液、聚酰胺系乳液、乙烯醇缩醛系树脂，更优选聚氨酯乳液、乙烯醇缩醛系树脂。作为聚氨酯乳液，优选自乳化型的聚醚系聚氨酯乳液、自乳化型的聚酯系聚氨酯乳液、自乳化型的聚碳酸酯系聚氨酯乳液。
另外，作为乙烯醇缩醛系树脂，从与溶剂及粘土的相容性的观点出发，优选为具有将聚乙烯醇部分地缩醛化而成的下述结构单元的乙烯醇缩醛树脂。
[化学式1]
式中，R表示碳数1～10的烷基。更优选R为丙基的缩丁醛树脂。
乙烯醇缩醛树脂的缩醛化度优选为乙烯醇缩醛树脂中的5摩尔％～80摩尔％。通过使用上述粘合剂，可以抑制由在形成银硫化防止膜时的加热所致的黄变，并且可进一步提高所形成的银硫化防止膜的耐热性。
本实施方式的银硫化防止材料中，从提高所形成的银硫化防止膜的耐破裂性的观点出发，粘土与粘合剂的质量比优选为75/25～5/95。另外，从兼顾耐破裂性和银硫化防止性的观点出发，粘土与粘合剂的质量比优选为70/30～10/90，从进一步兼顾耐热性的观点出发，进一步优选为50/50～15/85。
本实施方式的银硫化防止材料中，从提高银硫化防止膜的银硫化防止性能的观点出发，以银硫化防止材料的固体成分总量为基准，粘土及粘合剂的合计含量优选为80质量％以上，更优选为85质量％以上，进一步优选为90质量％以上。
另外，从提高银硫化防止膜的银硫化防止性能的观点出发，以银硫化防止材料总量为基准，本实施方式的银硫化防止材料中的粘土的浓度优选为0.05质量％以上且50质量％以下，更优选为0.1质量％以上且20质量％以下，进一步优选为0.2质量％以上且10质量％以下。
需要说明的是，对于本实施方式的银硫化防止材料而言，粘土及粘合剂可分别被包含在不同的液状组合物中，也可以是在使用时将它们混合的形态。即，本实施方式的银硫化防止材料可以是单液，也可以是双液以上。
作为溶剂，可以列举例如水、水溶性液体。
作为水，可以使用例如超纯水。超纯水是含有极微量的离子性杂质的水，以电阻率(比电阻、MΩ·cm)(JIS K0552)为指标，可以使用25℃的理论值为15MΩ·cm以上、优选18MΩ·cm以上的水。
作为水溶性液体，可以列举例如醇等极性溶剂，具体而言，可以采用乙醇、甲醇、异丙醇、正丙醇、二噁烷、丙酮、乙腈、二乙胺、正丁醇、叔丁醇、吡啶、N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、环丁砜、N-甲基吡咯烷酮、碳酸亚丙酯、γ-丁内酯、甲酰胺、烯丙醇、丙烯酸、乙酸、乙二醇、丙二醇、甘油、甲基丙烯酸、丁酸、三甲胺、三乙胺、氨水、亚硫酸二乙酯等液体。水溶性液体是指：在1个大气压下，在温度20℃与同容量的纯水温和混合时，即使在停止流动后该混合液仍保持均匀的外观的液体。水溶性液体可单独使用1种，也可混合使用2种以上。
在本实施方式中，使用水和水溶性液体的混合物作为溶剂的情况下，从提高所形成的银硫化防止膜的银硫化防止性的观点出发，水与水溶性液体的质量比优选为99/1～5/95，更优选为95/5～20/80，进一步优选为90/10～50/50。
在不损坏本发明的效果的范围内，本实施方式的银硫化防止材料中可添加各种添加剂。作为添加剂，可以列举例如离子捕获剂、表面活性剂、防锈剂、偶联剂。
作为本实施方式的银硫化防止材料的制备方法，可以列举例如向包含水的溶剂中加入粘土、粘合剂以及根据需要而定的上述添加剂并分散、再进行搅拌的方法。搅拌可采用将粉体分散在液体中的常规方法。例如可使用自转·公转混合机、超声波法、珠磨机及球磨机等的媒介分散法，匀质器、Silverson搅拌装置及高压碰撞型分散机(アルテマイザー)等的对向碰撞法，螺旋浆式搅拌装置、搅拌子、振荡器等进行搅拌。上述分散方法可单独使用1种，也可组合使用2种以上。
若采用本实施方式的银硫化防止材料，则通过将其涂布于含有银的金属层的表面上并使其干燥，可在金属层的表面形成能够充分抑制银的硫化的银硫化防止膜。
另外，根据本实施方式的银硫化防止材料，可形成即使厚度为0.3nm以上也不易发生破裂的粘土膜。特别是，通过将银硫化防止膜的厚度设定为0.01～1000nm、优选0.05～100nm，从而可兼顾耐破裂性和优异的银硫化防止性。
关于能够利用本实施方式的银硫化防止材料而形成密合性、耐破裂性及银硫化防止性优异的银硫化防止膜的理由，本发明人认为如下。即，认为获得上述效果的理由在于：通过对吸附在粘土化合物表面上的粘合剂进行干燥处理，可以将邻接的分子间粘结，由此可提高粘土化合物的层间粘接性、以及粘土化合物表面与银之间的粘接性。在反射器的情况下，则认为可进一步提高粘土化合物表面与构成反射器的反射树脂、透明封装树脂以及银反射膜之间的粘接性。
接下来，参照附图对使用了本实施方式的银硫化防止材料的银硫化防止膜的形成方法及发光元件的制造方法的优选实施方式进行说明。需要说明的是，在全部图中，对相同或相应部分赋予相同符号。
[第1实施方式]
首先，在对第1实施方式所涉及的发光装置的制造方法进行说明之前，参照图1及图2，对按照第1实施方式所涉及的发光装置的制造方法所制造的发光装置的构成进行说明。
图1是发光装置的剖视图。图2是图1中示出的发光装置的俯视图。如图1及图2所示，实施方式所涉及的发光装置1通常被划分至“表面安装型”。该发光装置1具备：基板10、接合于基板10的表面的作为发光元件的蓝色LED30、按照包围蓝色LED30的方式设置于基板10的表面的反射器20、和填充于反射器20而将蓝色LED30封装的透明封装树脂40。需要说明的是，在图2中，省略了透明封装树脂40的图示。
对于基板10而言，在绝缘性的基体12表面上配线有镀铜板14，在镀铜板14的表面形成有银镀层16。银镀层16配置于基板10的表面而形成与蓝色LED30导通的电极。需要说明的是，银镀层16只要是包含银的镀层，则可以是任意组成。例如，可通过仅镀敷银而形成银镀层16，也可通过依次镀敷镍和银来形成银镀层16。在阳极侧和阴极侧使镀铜板14及银镀层16绝缘。阳极侧的镀铜板14及银镀层16、与阴极侧的镀铜板14及银镀层16之间的绝缘例如可如下进行：使阳极侧的镀铜板14及银镀层16、与阴极侧的镀铜板14及银镀层16隔开，并适当地向其间插入树脂及陶瓷等绝缘层。
将蓝色LED30芯片接合(ダイボンド)于阳极侧及阴极侧的任意一者的银镀层16，介由芯片接合材料32与该银镀层16导通。另外，将蓝色LED30引线接合于阳极侧及阴极侧的任意另一者的银镀层16，介由接合引线34与该银镀层16导通。
反射器20是填充用于封装蓝色LED30的透明封装树脂40、并且将由蓝色LED30发出的光反射至发光装置1的表面侧的器件。反射器20以包围蓝色LED30的方式自基板10的表面竖直设立。即，反射器20以包围蓝色LED30的方式自基板10的表面10a向上立起，而在其内侧形成收容蓝色LED30的内侧空间22，所述反射器具有：在俯视观察(参考图2)时形成为圆形的内周面20a；与内周面20a邻接而位于内侧空间22的外侧、且从内周面20a的表侧端缘向内侧空间22的相反侧延伸的顶面20b；从顶面20b的外侧端缘向下竖立至基板10的表面10a、且在俯视观察(参考图2)时形成为矩形的外周面20c。内周面20a及外周面20c的形状没有特别限定，从提高发光装置1的照度的观点出发，内周面20a优选形成为随着远离基板10而使直径增加的圆锥台形状(漏斗状)，从提高发光装置1的集成度的观点出发，外周面20c优选形成为相对于基板10垂直的四边形状。需要说明的是，在附图中，作为内周面20a的形成例，示出了位于基板10侧的下部分相对于基板10垂直，位于基板10的相反侧的上部分随着远离基板10而使直径增加的形状。
反射器20由含有白色颜料的热固性树脂组合物的固化物形成。从易于形成反射器20的观点出发，热固性树脂组合物优选为在热固化前能够在室温(25℃)下加压成型的物质。
作为热固性树脂组合物中含有的热固性树脂，可以使用：环氧树脂、硅酮树脂、聚氨酯树脂、氰酸酯树脂等各种树脂。环氧树脂相对于各种材料的粘接性优异，因此特别优选。
作为白色颜料，可以使用氧化铝、氧化镁、氧化锑、氧化钛或氧化锆。其中，从光反射性的观点出发，优选氧化钛。作为白色颜料，也可以使用无机中空粒子。作为无机中空粒子的具体例，可以列举：硅酸钠玻璃、硅酸铝玻璃、硼硅酸钠玻璃、白砂(シラス)等。
透明封装树脂40填充在由反射器20的内周面20a所形成的内侧空间22中，将蓝色LED30封装。该透明封装树脂40包含具有透光性的透明封装树脂。透明封装树脂除了包括完全透明的树脂外，也包括半透明的树脂。作为透明封装树脂，优选为弹性模量在室温(25℃)下是1MPa以下的树脂。从透明性的观点出发，特别优选采用硅酮树脂或丙烯酸系树脂。透明封装树脂还可以包含使光扩散的无机填充材料或荧光体42，该荧光体42以从蓝色LED30发出的蓝色光作为激发源而生成白色光。
而且，对于本实施方式的发光装置1而言，银镀层16被银硫化防止膜50被覆，透明封装树脂40和反射器20被接合。
银硫化防止膜50将银镀层16被覆，由此抑制银镀层16的硫化，银硫化防止膜50由上述的本实施方式的银硫化防止材料形成。在银硫化防止材料含有作为粘土的蒙脱石、和具有极性基团的粘合剂的情况下，可形成如图7所示气体的通过路径较长且气体阻隔性优异的膜，此外，该膜因粘土表面具有的羟基(-OH)与粘合剂的极性基团形成氢键而变得坚固。由此，可获得填补粘土间的间隙的效果、以及使对由热膨胀所致的破裂的耐性提高的效果，进而获得气体阻隔性更加优异的银硫化防止膜。
银硫化防止膜50的膜厚优选为0.01μm以上且1000μm以下，更优选为0.05μm以上且100μm以下，进一步优选为0.05μm以上且10μm以下。通过将银硫化防止膜50的膜厚设定为0.01μm以上且1000μm以下，可兼顾对银镀层16的气体阻隔性以及银硫化防止膜50的透明性。另外，通过将银硫化防止膜50的膜厚设定在0.03μm以上且500μm以下、0.05μm以上且100μm以下、0.05μm以上且10μm以下、0.05μm以上且1μm以下，可进一步提高该效果。
另外，银硫化防止膜50由本实施方式的银硫化防止材料形成，由此即使为上述膜厚也不易发生破裂。
膜厚的调整例如可通过改变银硫化防止材料中溶剂的含量、适当调整粘土和粘合剂的浓度来进行。另外，也可根据银硫化防止材料的滴加量及滴加次数来调整膜厚。
接下来，对第1实施方式所涉及的发光装置1的制造方法进行说明。
图3是表示第1实施方式所涉及的发光装置的制造方法的流程图。如图3所示，在发光装置的制造方法中，首先，作为基板准备工序(步骤S101)，准备在表面配线有镀铜板14的绝缘性的基体12，作为银镀层形成工序(步骤S102)，在镀铜板14的表面形成银镀层16。
接下来，作为反射器形成工序(步骤S103)，在基板10的表面形成反射器20，作为芯片搭载工序(步骤S104)，在基板10上搭载蓝色LED30。蓝色LED30向基板10上的搭载可以通过以下方式进行：在由反射器20所围成的内侧空间22中，在阳极侧及阴极侧的任意一者的银镀层16上芯片接合蓝色LED30。由此，呈现出蓝色LED30介由芯片接合材料32与阳极侧及阴极侧的任意一者的银镀层16导通、且蓝色LED30被反射器20包围而被收容在内侧空间22的状态。
接下来，作为银硫化防止材料的涂布工序(步骤S105)，在银镀层16上涂布本实施方式的银硫化防止材料，从而利用银硫化防止材料将银镀层16覆盖。
银硫化防止材料的涂布工序(步骤S105)中的银硫化防止材料的涂布，例如可通过从基板10的表面侧向内侧空间22滴加或散布银硫化防止材料来进行。此时，调节银硫化防止材料的滴加量或散布量，使得至少银镀层16的全部被银硫化防止材料L覆盖。在该情况下，例如，可以如图4的(a)所示那样以银镀层16及蓝色LED30的全部被银硫化防止材料L覆盖的方式向内侧空间22滴加或散布银硫化防止材料L，也可以如图4的(b)所示那样以银镀层16及蓝色LED30的全部和反射器20的内周面20a的一部分被银硫化防止材料L覆盖的方式向内侧空间22滴加或散布银硫化防止材料L。
接下来，作为干燥工序(步骤S106)，使涂布于银镀层16的银硫化防止材料的涂膜干燥而形成银硫化防止膜50。
干燥工序可在溶剂挥发的温度下进行，例如，在使用水作为溶剂的情况下，优选设定为30℃以上且80℃以下的温度范围，更优选设定为30℃以上且70℃以下的温度范围，更进一步优选设定为30℃以上且60℃以下的温度范围。保持该温度范围的时间例如可设定为1分钟以上，从获得优异的成膜性的观点出发，优选设定为5分钟以上且1天以下，从工序的短时间化的观点出发，更优选设定为5分钟以上且30分钟以下。
另外，对于溶剂包含水和醇的情况下的干燥工序而言，例如，优选设定为30℃以上且80℃以下的温度范围，更优选设定为35℃以上且80℃以下的温度范围，更进一步优选设定为40℃以上且80℃以下的温度范围。保持该温度范围的时间例如可设定为1分钟以上，从获得优异的成膜性的观点出发，优选设定为5分钟以上且30分钟以下，从工序的短时间化的的观点出发，更优选设定为5分钟以上且15分钟以下。
通过如此地实施干燥工序，如图5的(a)所示，图4的(a)所示的粘土稀释液L成为将银镀层16及蓝色LED30的全部覆盖的银硫化防止膜50，如图5的(b)所示，图4的(b)所示的粘土稀释液L成为将银镀层16及蓝色LED30的全部和反射器20的内周面20a的一部分覆盖的银硫化防止膜50。
在本实施方式中，优选在上述干燥工序之后，在150℃、30分钟的条件下将银硫化防止膜50充分干燥。由此，可通过缩小粘土的层间距而获得进一步提高银硫化防止性的效果。
如图3所示，若干燥工序(步骤S106)结束，则接下来作为引线接合工序(步骤S107)，将蓝色LED30与阳极侧及阴极侧的任意另一者的银镀层16进行引线接合。此时，按照将覆盖在蓝色LED30及银镀层16上的银硫化防止膜50穿透的方式，将引线的两端接合于蓝色LED30和银镀层16，由此，使蓝色LED30与银镀层16导通。需要说明的是，银硫化防止膜50的穿透例如可以通过调节银硫化防止膜50的层厚、调节进行引线接合的接合头的载荷、或者使该接合头振动等来进行。
接下来，作为透明封装树脂填充工序(步骤S108)，向由反射器20的内周面20a所形成的内侧空间22填充含有荧光体42的透明封装树脂40。由此，蓝色LED30及银镀层16被透明封装树脂40(透明封装部)封装。
通过如此地进行透明封装树脂填充工序，由此，如图6的(a)所示，图5的(a)中示出的发光装置1成为在银镀层16及蓝色LED30的全部被银硫化防止膜50被覆的状态下将银镀层16及蓝色LED30利用透明封装树脂40封装的发光装置1，如图6的(b)所示，图5的(b)中示出的发光装置1成为在银镀层16及蓝色LED30的全部和反射器20的内周面20a的一部分被银硫化防止膜50覆盖的状态下将银镀层16及蓝色LED30利用透明封装树脂40封装的发光装置1。
如上所述，根据第1实施方式所涉及的发光装置1的制造方法，在使用本实施方式的银硫化防止材料将银镀层16覆盖后，使银硫化防止材料的涂膜干燥，由此形成层叠有银硫化防止材料中所含的粘土的银硫化防止膜50，银镀层16被银硫化防止膜50被覆。由此，可形成能够将银镀层16适当被覆的银硫化防止膜50。
通过向设置于发光装置1中的反射器20的内侧空间22滴加或散布本实施方式的银硫化防止材料，可形成容易覆盖银镀层的银硫化防止膜。
[第2实施方式]
接下来，对第2实施方式进行说明。第2实施方式所涉及的发光装置的制造方法基本与第1实施方式所涉及的发光装置的制造方法相同，仅在工序的顺序方面与第1实施方式所涉及的发光装置的制造方法不同。因此，在以下的说明中，仅对与第1实施方式所涉及的发光装置的制造方法不同的部分进行说明，省略与第1实施方式所涉及的发光装置的制造方法相同部分的说明。
图8是表示第2实施方式中的发光装置的制造方法的流程图。图9是按照图8的制造方法所制造的发光装置的剖视图。
如图8所示，对于第2实施方式所涉及的发光装置1的制造方法而言，首先，与第1实施方式同样地按照基板准备工序(步骤S201)、银镀层形成工序(步骤S202)及反射器形成工序(步骤S203)的顺序进行。需要说明的是，基板准备工序(步骤S201)、银镀层形成工序(步骤S202)及反射器形成工序(步骤S203)与第1实施方式的基板准备工序(步骤S101)、银镀层形成工序(步骤S102)及反射器形成工序(步骤S103)相同。
接下来，作为银硫化防止材料的涂布工序(步骤S204)，在银镀层16上涂布本实施方式的银硫化防止材料，利用银硫化防止材料将银镀层16覆盖。
接下来，作为干燥工序(步骤S205)，使涂布在银镀层16上的银硫化防止材料的涂膜干燥，形成银硫化防止膜50。需要说明的是，干燥工序(步骤S205)与第1实施方式的干燥工序(步骤S106)同样地进行。
接下来，作为芯片搭载工序(步骤S206)，将蓝色LED30芯片接合于阳极侧及阴极侧的任意一者的银镀层16上。此时，与第1实施方式的引线接合工序(步骤S107)同样地，按照将被覆在银镀层16上的银硫化防止膜50穿透的方式将蓝色LED30接合于银镀层16，由此使蓝色LED30和银镀层16导通。
接下来，作为引线接合工序(步骤S207)，将蓝色LED30与阳极侧及阴极侧的任意另一者的银镀层16引线接合。此时，银镀层16被银硫化防止膜50被覆，因此，与第1实施方式的引线接合工序(步骤S107)同样地，按照将被覆在银镀层16上的银硫化防止膜50穿透的方式将引线的一端接合于银镀层16。另一方面，蓝色LED30未被银硫化防止膜50被覆，因此，接合引线34的另一端可按照常规做法接合于蓝色LED30。由此，蓝色LED30和银镀层16被导通。
接下来，作为步骤S208，进行透明封装树脂填充工序。
如上所述，根据第2实施方式所涉及的发光装置的制造方法，经过银硫化防止材料的涂布工序及干燥工序后进行芯片搭载工序，由此，如图9所示，可制造蓝色LED30未被银硫化防止膜50被覆的发光装置1。由此，在引线接合工序中，将接合引线34的一端接合于蓝色LED30时，不需要如第1实施方式所涉及的发光装置的制造方法那样将银硫化防止膜50穿透。
[第3实施方式]
接下来对第3实施方式进行说明。第3实施方式所涉及的发光装置的制造方法基本上与第1实施方式所涉及的发光装置的制造方法相同，仅在工序的顺序方面与第1实施方式所涉及的发光装置的制造方法不同。因此，在以下的说明中，仅对与第1实施方式所涉及的发光装置的制造方法不同的部分进行说明，省略与第1实施方式所涉及的发光装置的制造方法相同部分的说明。
图10是表示第3实施方式中的发光装置的制造方法的流程图。图11是按照图10的制造方法所制造的发光装置的剖视图。
如图10所示，对于第3实施方式所涉及的发光装置1的制造方法而言，首先，与第1实施方式同样地按照基板准备工序(步骤S301)及银镀层形成工序(步骤S302)的顺序进行。需要说明的是，基板准备工序(步骤S301)及银镀层形成工序(步骤S302)与第1实施方式的基板准备工序(步骤S101)及银镀层形成工序(步骤S102)相同。
接下来，作为银硫化防止材料的涂布工序(步骤S303)，在银镀层16上涂布本实施方式的银硫化防止材料，利用银硫化防止材料将银镀层16覆盖。此时，从操作性的观点出发，优选将银硫化防止材料涂布于形成有银镀层16的基板10的整个表面，但也可以按照仅覆盖银镀层16的方式涂布银硫化防止材料。
接下来，作为干燥工序(步骤S304)，使涂布在银镀层16上的银硫化防止材料的涂膜干燥，形成银硫化防止膜50。需要说明的是，干燥工序(步骤S304)可以与第1实施方式的干燥工序(步骤S106)同样地进行。
接下来，作为反射器形成工序(步骤S305)，在基板10的表面形成反射器20。此时，当利用银硫化防止材料的涂布工序(步骤S303)在基板10的整个表面涂布银硫化防止材料的情况下，在被覆基板10的表面的银硫化防止膜50的表面形成反射器20。
接下来，作为芯片搭载工序(步骤S306)，在阳极侧及阴极侧的任意一者的银镀层16上芯片接合蓝色LED30。此时，与第1实施方式的引线接合工序(步骤S107)同样地，按照将被覆在银镀层16上的银硫化防止膜50穿透的方式将蓝色LED30接合于银镀层16，由此使蓝色LED30与银镀层16导通。
接下来，作为引线接合工序(步骤S307)，将蓝色LED30与阳极侧及阴极侧的任意另一者的银镀层16引线接合。此时，银镀层16被银硫化防止膜50被覆，因此，与第1实施方式的引线接合工序(步骤S107)同样地，按照将被覆于银镀层16的银硫化防止膜50穿透的方式将引线的一端接合于银镀层16。另一方面，蓝色LED30未被银硫化防止膜50被覆，因此，接合引线34的另一端可按照常规做法接合于蓝色LED30。由此，使蓝色LED30和银镀层16导通。
接下来，作为步骤S308，进行透明封装树脂填充工序。
如上所述，根据第3实施方式所涉及的发光装置的制造方法，经过银硫化防止材料的涂布工序及干燥工序后进行反射器形成工序及芯片搭载工序，由此，如图11所示，可制造蓝色LED30未被银硫化防止膜50被覆的发光装置1。由此，在引线接合工序中，将接合引线34的一端接合于蓝色LED30时，不需要如第1实施方式所涉及的发光装置的制造方法那样将银硫化防止膜50穿透。
以上对本发明的优选实施方式进行了说明，但本发明不受上述实施方式的限定。
例如，在上述实施方式中，在形成银硫化防止膜后进行引线接合，但也可在引线接合后进行本实施方式的银硫化防止材料的涂布及干燥，从而在银镀层上形成银硫化防止膜。根据本实施方式的银硫化防止材料，可充分防止银硫化防止材料的涂膜以帘状附着于引线接合的引线而残留。在此情况下，优选将干燥温度设定在40℃以下，更优选设定在25℃以下。
在上述实施方式中，作为接合于发光装置1的发光二极管，就采用产生蓝色光的蓝色LED30的情况进行了说明，但也可采用产生蓝色以外的光的发光二极管。
另外，就上述实施方式的发光装置1具备包围蓝色LED30的反射器20的情况进行了说明，但也可不具备上述反射器20。
根据本实施方式的银硫化防止材料，可形成银的硫化防止性优异的银硫化防止膜，因此，即使是使用了以往被用作荧光体的Y2O2S：Eu(红)、ZnS：Cu(绿)、ZnS：Ag(蓝)、日本特开平8-085787号公报中示出的化合物等含硫化合物的发光装置，也可获得充分的银硫化防止性。
本实施方式的银硫化防止材料除了可用于上述发光装置以外，例如也适用于搭载有具备含银引线框的LED的等离子体显示器、液晶显示器等。
实施例
以下通过实施例及比较例对本发明进一步具体说明，但本发明不受以下实施例限定。
＜银硫化防止材料的制备＞
(制备例1)
向容器内加入超纯水55.1g及Kunipia F(Kunimine工业(株)制、产品名)的粉末0.16g，手动振荡容器进行搅拌。再向该容器内添加异丙醇36.74g，然后使用自转·公转混合机(THINKY公司制、ARE-310)以2000rpm混合20分钟，接着以2200rpm脱泡10分钟。然后，加入8g作为粘合剂的S-LEC KX-1(积水化学工业株式会社制、产品名、缩醛化度为约8摩尔％的缩丁醛树脂的水/醇混合溶液、固体成分8质量％)，再次使用自转·公转混合机(THINKY公司制、ARE-310)以2000rpm混合20分钟，接着以2200rpm脱泡10分钟，获得粘土和粘合剂的混合液作为银硫化防止材料。
(制备例2)
向容器内加入超纯水58.7g及Kunipia F(Kunimine工业(株)制、产品名)的粉末0.16g，手动振荡容器进行搅拌。再向该容器内添加异丙醇39.14g，然后使用自转·公转混合机以2000rpm混合20分钟，接着以2200rpm脱泡10分钟。然后，加入2g作为粘合剂的S-LEC KX-1，再次使用自转·公转混合机以2000rpm混合20分钟，接着以2200rpm脱泡10分钟，获得粘土和粘合剂的混合液作为银硫化防止材料。
(制备例3)
向容器内加入超纯水58.81g及Kunipia F(Kunimine工业(株)制、产品名)的粉末0.16g，手动振荡容器进行搅拌。再向该容器内添加异丙醇39.2g，然后使用自转·公转混合机以2000rpm混合20分钟，接着以2200rpm脱泡10分钟。然后，加入1.83g作为粘合剂的SuperFlex 130(第一工业制药株式会社制、产品名、自乳化型水分散聚醚系聚氨酯乳液、固体成分35质量％)，再次使用自转·公转混合机以2000rpm混合20分钟，接着以2200rpm脱泡10分钟，获得粘土和粘合剂的混合液作为银硫化防止材料。
(比较制备例1)
向可拆卸烧瓶内加入超纯水99g及作为粘合剂的羧甲基纤维素(和光纯药制、产品名)1g，设置搅拌浆，将可拆卸烧瓶放入70℃的水浴中，边以搅拌速度200rpm进行搅拌，边加热混合30分钟，得到粘合剂的水溶液。
＜耐破裂性、银硫化防止性、耐黄变性的评价＞
关于按照上述制作的银硫化防止材料，按照以下方法分别对耐破裂性、银硫化防止性及耐黄变性进行评价。
[耐破裂性的评价]
使用微量移液管向在铜板上设置有银镀层的LED用引线框“TOPLED OP4”(Enomoto(株)制)滴加银硫化防止材料3μL。将滴加了银硫化防止材料的引线框放入恒温槽内，在50℃干燥10分钟。干燥后，将恒温槽的温度升高至150℃，并加热30分钟，得到试验样品。将干燥后的膜厚示于表1。
使用显微镜观察试验样品，评价膜上的破裂的有无。将存在破裂的情况评价为“○”，将没有破裂的情况评价为“×”。
[耐黄变性的评价]
与耐破裂性的评价同样地操作，得到试验样品。
使用放大镜观察试验样品，将存在黄变的情况评价为“○”，将没有黄变的情况评价为“×”。
[银硫化防止性的评价]
与耐破裂性的评价同样地得到试验样品。
在可密闭的玻璃瓶内放置装入了硫粉末(0.5g)的铝制杯，在该杯上放置不锈钢制的金属网。接着，以使滴加了银硫化防止材料的一侧朝上、且样品之间不重叠的方式将试验样品置于金属网上。将玻璃瓶密闭后，在100℃保存2小时。将试验样品从玻璃瓶取出，使用光学显微镜观察硫化防止性，将试验前后银镀层面完全没有变色的情况评价为“○”，将银镀层面因硫化而部分变色的情况评价为“△”，将全部变色的情况评价为“×”。
[表1]
如表1所示，对于含有粘土及粘合剂的制备例1～3的银硫化防止材料而言，确认到可形成兼具充分的耐破裂性及耐黄变性、和优异的银硫化防止性的膜。
符号说明
1…发光装置、10…基板、10a…基板的表面、12…基体、14…镀铜板、16…银镀层、20…反射器(光反射部)、20a…内周面、20b…顶面、20c…外周面、22…内侧空间、30…蓝色LED(蓝色发光二极管)、32…芯片接合材料、34…接合引线、40…透明封装树脂(透明封装部)、42…荧光体、50…银硫化防止膜、L…银硫化防止材料。

Claims (11)

1.一种银硫化防止材料，其含有粘土和粘合剂。
2.根据权利要求1所述的银硫化防止材料，其中，所述粘土和所述粘合剂的质量比为75/25～5/95。
3.根据权利要求1或2所述的银硫化防止材料，其含有水性粘合剂作为所述粘合剂。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的银硫化防止材料，其中，
以银硫化防止材料的固体成分总量为基准，所述粘土和所述粘合剂的合计含量为80质量％以上。
5.一种银硫化防止膜的形成方法，其包括：
在含有银的金属层表面涂布权利要求1～4中任一项所述的银硫化防止材料，从而形成所述银硫化防止材料的涂膜的涂布工序；和
将所述涂膜干燥的干燥工序。
6.根据权利要求5所述的银硫化防止膜的形成方法，其中，所述金属层为银镀层。
7.一种发光装置的制造方法，所述发光装置具备：具有银镀层的基板、和搭载于所述基板上的发光元件，
所述发光装置的制造方法包括：
在所述银镀层表面涂布权利要求1～4中任一项所述的银硫化防止材料，从而形成所述银硫化防止材料的涂膜的涂布工序，和
将所述涂膜干燥的干燥工序。
8.一种发光装置，其具备：
具有银镀层的基板、搭载于所述基板上的发光元件和设置在所述银镀层表面的银硫化防止膜，其中，
所述银硫化防止膜含有粘土和粘合剂。
9.根据权利要求8所述的发光装置，其中，所述银硫化防止膜中的所述粘土和所述粘合剂的质量比为75/25～5/95。
10.根据权利要求8或9所述的发光装置，其中，所述银硫化防止膜含有水性粘合剂作为所述粘合剂。
11.根据权利要求8～10中任一项所述的发光装置，其中，所述银硫化防止膜中的所述粘土和所述粘合剂的合计浓度为80质量％以上。
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