CN104487529A - 包含非离子表面活性剂和碳酸盐的化学机械抛光组合物 - Google Patents

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Abstract

化学机械抛光组合物，包含：(A)无机颗粒、有机颗粒或其混合物或复合物，其中所述颗粒为茧状，(B)非离子表面活性剂，(C)碳酸盐或碳酸氢盐，(D)醇，和(M)含水介质。还提供了制备半导体装置的方法，所述方法包括在CMP组合物存在下将在半导体工业中使用的基底化学机械抛光，及其CMP组合物的用途。

Description

包含非离子表面活性剂和碳酸盐的化学机械抛光组合物
发明领域
本发明基本上涉及包含非离子表面活性剂和碳酸盐或碳酸氢盐的化学机械抛光(下文简写为CMP)CMP组合物。
现有技术描述
在半导体工业中，化学机械抛光为用于制造先进的光学、微电子机械和微电子材料和装置，例如半导体晶片的熟知技术。
在制造用于半导体工业的材料和装置的过程中，CMP用于使金属和/或氧化物表面平坦化。CMP利用化学与机械作用的相互作用实现待抛光表面的平坦化。化学作用由也称作CMP组合物或CMP浆料的化学组合物提供。机械作用通常由典型地压在待抛光表面上且安放在移动压板上的抛光垫进行。压板的移动通常为线性、旋转或轨道式。
在典型CMP工艺步骤中，旋转晶片夹持具使待抛光晶片与抛光垫接触。一般将CMP组合物应用于待抛光晶片和抛光垫之间。
在本领域现状中，包含表面活性剂和/或碳酸盐的CMP组合物已知和描述于例如以下文献中。
JP 2003-100671 A公开了一种抛光半导体晶片的方法，所述方法在抛光液体中使用与表面活性剂混合的碱水溶液，其中可将NaHCO3和KHCO3加入所述溶液中。表面活性剂可为非离子表面活性剂。
US 2009/0298290 A1公开了一种用于化学机械抛光至少含有(i)包含多晶硅或改性多晶硅的第一层和(ii)包含选自氧化硅、氮化硅、碳化硅、碳氮化硅、氧碳化硅和氧氮化硅中的至少一种的第二层的物体的抛光液体，其中抛光液体的pH为1.5-7.0，包含(1)胶态二氧化硅颗粒、(2)有机酸和(3)阴离子表面活性剂，且相对于第一层可选择性地抛光第二层。为了调节抛光液体的pH，可使用碱/酸或缓冲剂。缓冲剂的实例尤其包括碳酸盐如碳酸钠。
US 2009/311864 A1公开了一种用于化学机械抛光半导体集成电路中的阻隔层和中间层介电膜的抛光浆料，其中抛光浆料包含：研磨剂；氧化剂；防蚀剂；酸；表面活性剂和包合物，其中抛光浆料的pH小于5。可将碱/酸或缓冲剂用于调节pH。缓冲剂的实例尤其包括碳酸盐如碳酸钠。
本发明目的
本发明的一个目的在于提供适于化学机械抛光用于半导体工业的基底的CMP组合物和CMP方法，特别地基底包括：
(1)铜，和/或
(2)钽、氮化钽、钛、氮化钛、钌、钴或其合金，
且表现出改善的抛光性能，尤其是：
(i)待优选抛光的基底如氮化钽的高材料除去速率(MRR)，
(ii)非待优选抛光的基底如铜和/或低k材料的低材料除去速率(MRR)，
(iii)安全处理和将有毒副产物降低至最少，或
(iv)(i)、(ii)和(iii)的组合。
此外，CMP组合物应是其中不会发生相分离的稳定配制剂或分散体。此外，寻找容易应用和需要尽可能少的步骤的CMP方法。
只要阻隔层和低k或超低k材料存在于所用半导体基底中，本发明CMP组合物应优选除去阻隔层和保持低k和超低k材料的整体性，即就MRR对阻隔层应具有比低k或超低k材料特别高的选择性。具体地，只要铜层、阻隔层和低k或超低k材料存在于待抛光的基底中，本发明CMP组合物应表现出尽可能多的以下性能的组合：(a)阻隔层的高MRR，(b)铜层的低MRR，(c)低k或超低k材料的低MRR，(d)就MRR对阻隔层比铜层的高选择性，(e)就MRR对阻隔层比低k和超低k材料的高选择性。最具体地，只要铜层、钽或氮化钽层和低k或超低k材料存在于待抛光的基底中，本发明CMP组合物应表现出尽可能多的以下性能的组合：(a')钽或氮化钽的高MRR，(b')铜层的低MRR，(c')低k或超低k材料的低MRR，(d')就MRR对钽或氮化钽比铜的高选择性，和(e')就MRR对氮化钽比低k或超低k材料的高选择性。此外，本发明CMP组合物应表现出长贮存期，同时保持阻隔层的高MRR。
发明概述
相应地，发现一种化学机械抛光(CMP)组合物(Q)，包含：
(A)无机颗粒、有机颗粒或其混合物或复合物，其中所述颗粒为茧状，
(B)非离子表面活性剂，
(C)碳酸盐或碳酸氢盐，
(D)醇，和
(M)含水介质。
此外，发现制备半导体器件的方法，包括在CMP组合物(Q)存在下化学机械抛光基底，所述方法实现了本发明目的。
此外，发现CMP组合物(Q)在抛光用于半导体工业的基底中的用途，所述用途实现了本发明目的。
在权利要求书和说明书中解释优选实施方案。应理解优选实施方案的组合在本发明范围内。
发现制备半导体装置的方法，包括在CMP组合物(Q)存在下化学机械抛光基底。本发明其它方法为在CMP组合物(Q)存在下化学机械抛光用于半导体工业的基底(S)的方法。CMP组合物(Q)用于化学机械抛光用于半导体工业的基底(S)。所述基底(S)优选为包括如下的基底：
(i)铜，和/或
(ii)钽、氮化钽、钛、氮化钛、钌、钴或其合金。
所述基底(S)更优选为包括如下的基底：
(i)铜，和
(ii)钽、氮化钽、钛、氮化钛、钌、钴或其合金，和
(iii)低k材料。
所述基底(S)最优选为包括如下的基底：
(i)铜，和
(ii)钽或氮化钽，和
(iii)低k材料。
低k材料为k值(介电常数)小于3.5，优选小于3.0，更优选小于2.7的材料。超低k材料为k值(介电常数)小于2.4的材料。
CMP组合物(Q)包含组分(A)、(B)、(C)、(D)、(M)和任选的下述其它组分。
CMP组合物(Q)包含其中颗粒为茧状的无机颗粒、有机颗粒或其混合物或复合物(A)。
(A)可为：
-一种茧状无机颗粒，
-不同种类茧状无机颗粒的混合物或复合物，
-一种茧状有机颗粒，
-不同种类茧状有机颗粒的混合物或复合物，或
-一种或多种茧状无机颗粒和一种或多种茧状有机颗粒的混合物或复合物。
复合物为含有两种或更多种颗粒的茧状复合颗粒，以使它们彼此机械、化学或以其它方式结合。复合物的实例是在外层(壳)含有一种颗粒和在内层(核)含有另一种颗粒的核-壳颗粒。
一般而言，茧状颗粒(A)可以变化量包含在CMP组合物(Q)中。优选，(A)的量不大于10重量％(重量％表示“重量百分数”)，更优选不大于7重量％，最优选不大于5重量％，特别不大于3重量％，例如不大于2.2重量％，基于组合物(Q)的总重量。优选，(A)的量为至少0.002重量％，更优选至少0.01重量％，最优选至少0.08重量％，特别是至少0.5重量％，例如至少1重量％，基于组合物(Q)的总重量。
一般而言，可以变化的粒度分布包含茧状颗粒(A)。茧状颗粒(A)的粒度分布可为单峰或多峰的。在多峰粒度分布的情况下，通常优选双峰。为了在本发明CMP方法过程中具有容易再现的性能特征和容易再现的条件，就(A)优选单峰粒度分布。最优选(A)具有单峰粒度分布。
茧状颗粒(A)的平均粒度可在宽范围内变动。平均粒度为(A)在含水介质(M)中的粒度分布的d50值并可利用动态光散射技术测定。然后，在颗粒基本是球形的假设下计算d50值。平均粒度分布的宽度为两个交点之间的距离(以x轴的单位给出)，在所述交点处粒度分布曲线与相对粒子计数的50％高度交叉，其中将最大粒子计数的高度标准化为100％高度。
如利用动态光散射技术使用仪器如来自Malvern Instruments,Ltd.或Horiba LB550的高性能粒度分级器(HPPS)所测，优选茧状颗粒(A)的平均粒度是5-500nm，更优选10-400nm，最优选20-300nm，特别是30-160nm，例如35-135nm。
根据本发明，颗粒(A)为茧状。茧可具有或不具有突出或凹痕。茧状颗粒是短轴为10-200nm，长轴/短轴之比为1.4-2.2，更优选1.6-2.0的颗粒。优选它们的平均形状因数为0.7-0.97，更优选0.77-0.92，优选平均球度为0.4-0.9，更优选0.5-0.7，优选平均圆当量直径为41-66nm，更优选48-60nm，其可通过扫描电子显微术测定。
平均形状因数给出颗粒的球度和凹痕信息(图1)并可根据下式计算：形状因数＝4π(面积/周长2)
平均球度利用对中央的矩给出颗粒的伸长信息(图2)并可根据下式计算，其中M为各颗粒的重心：
球度＝(Mxx–Myy)-[4Mxy 2+(Myy-Mxx)2]0.5/(Mxx–Myy)+[4Mxy 2+(Myy-Mxx)2]0.5
伸长＝(1/球度)0.5
圆当量直径(下文也简写为ECD)给出面积与非圆形颗粒相同的圆的直径信息(图3)。
平均形状因数、平均球度和平均ECD为与所分析颗粒数量相关的各性能的算术平均值。
例如，茧状颗粒为Fuso Chemical Corporation制造的FUSO PL-3，其平均初级粒子大小(d1)为35nm，平均次级粒子大小(d2)为70nm(图4)。
不具体限定茧状颗粒(A)的化学性质。(A)可具有相同化学性质或可为不同化学性质的颗粒的混合物或复合物。一般而言，优选化学性质相同的茧状颗粒(A)。
一般而言，(A)可为：
-茧状无机颗粒，例如金属、金属氧化物或碳化物，包括准金属、准金属氧化物或碳化物，或
-茧状有机颗粒，例如聚合物颗粒，
-茧状无机颗粒和茧状有机颗粒的混合物或复合物。
茧状颗粒(A)为：
-优选无机颗粒，或其混合物或复合物，
-更优选金属或准金属的氧化物和碳化物，或其混合物或复合物，
-最优选氧化铝、二氧化铈、氧化铜、氧化铁、氧化镍、氧化锰、二氧化硅、氮化硅、碳化硅、氧化锡、二氧化钛、碳化钛、氧化钨、氧化钇、氧化锆，或其混合物或复合物，
-特别优选氧化铝、二氧化铈、二氧化硅、二氧化钛、氧化锆，或其混合物或复合物，
-特别是二氧化硅颗粒，
-例如胶态二氧化硅颗粒。
胶态二氧化硅颗粒通常通过湿沉淀方法制备。
在其中(A)为茧状有机颗粒或茧状无机颗粒和茧状有机颗粒的混合物或复合物的另一个实施方案中，优选聚合物颗粒为茧状有机颗粒。
根据本发明，优选茧状无机颗粒。最优选颗粒(A)为茧状二氧化硅颗粒。
根据本发明，CMP组合物(Q)包含非离子表面活性剂(B)。一般而言，用于CMP组合物中的表面活性剂为表面活性化合物，其降低液体的表面张力、两种液体或液体和固体之间的界面张力。一般而言，可使用任何非离子表面活性剂(B)。
非离子表面活性剂(B)优选为水溶性和/或水分散性的，更优选水溶性的。“水溶性”指本发明组合物的相关组分或成分可以分子水平溶解于水相中。“水分散性”指本发明组合物的相关组分或成分可分散于水相并形成稳定的乳状液或悬浮液。
非离子表面活性剂(B)优选为两亲性非离子表面活性剂，即含有至少一个疏水基团(b1)和至少一个亲水基团(b2)的表面活性剂。这意味着非离子表面活性剂(B)可含有一个以上的疏水基团(b1)，例如2、3或更多个基团(b1)，其通过至少一个下述亲水基团(b2)彼此隔开。这也意味着非离子表面活性剂(B)可含有一个以上亲水基团(b2)，例如2、3或更多个基团(b2)，其通过下述疏水基团(b1)彼此隔开。
因此，非离子表面活性剂(B)可具有不同的嵌段状通用结构。此类嵌段状通用结构的实例为：
-b1-b2，
-b1-b2-b1，
-b2-b1-b2，
-b2-b1-b2-b1，
-b1-b2-b1-b2-b1，和
-b2-b1-b2-b1-b2。
非离子表面活性剂(B)更优选为含有聚氧化烯基团的两亲性非离子表面活性剂。
疏水基团(b1)优选为烷基，更优选具有4-40个，最优选5-20个，特别优选7-18个，特别是10-16个，例如11-14个碳原子的烷基。
亲水基团(b2)优选为聚氧化烯基团。所述聚氧化烯基团可为低聚或聚合的。更优选亲水基团(b2)为选自含有如下单体单元的聚氧化烯基团的亲水基团：
(b21)氧化烯单体单元，和
(b22)不同于氧化乙烯单体单元的氧化烯单体单元，
其中所述单体单元(b21)与单体单元(b22)不相同，所述(b2)的聚氧化烯基团含有无规、交替、梯度和/或嵌段状分布的单体单元(b21)和(b22)。
最优选亲水基团(b2)为选自含有如下单体单元的聚氧化烯基团的亲水基团：
(b21)氧化乙烯单体单元，和
(b22)不同于氧化乙烯单体单元的氧化烯单体单元，
其中所述(b2)的聚氧化烯基团含有无规、交替、梯度和/或嵌段状分布的单体单元(b21)和(b22)。
优选不同于氧化乙烯单体单元的氧化烯单体单元(b22)为取代的氧化烯单体单元，其中取代基选自烷基、环烷基、芳基、烷基环烷基、烷基芳基、环烷基芳基和烷基环烷基芳基。不同于氧化乙烯单体单元的氧化烯单体单元(b22)：
-更优选衍生自取代的环氧乙烷(X)，其中取代基选自烷基、环烷基、芳基、烷基环烷基、烷基芳基、环烷基芳基和烷基环烷基芳基，
-最优选衍生自烷基取代的环氧乙烷(X)，
-特别优选衍生自取代的环氧乙烷(X)，其中取代基选自具有1-10个碳原子的烷基，
-例如衍生自甲基环氧乙烷(氧化丙烯)和/或乙基环氧乙烷(氧化丁烯)。
取代的环氧乙烷(X)的取代基本身也可带有惰性取代基，即不会不利地影响环氧乙烷(X)的共聚和非离子表面活性剂(B)的表面活性的取代基。此类惰性取代基的实例为氟和氯原子、硝基和腈基团。如果存在此类惰性取代基，它们以使它们不会不利地影响非离子表面活性剂(B)的亲水-疏水平衡的量使用。优选取代的环氧乙烷(X)的取代基不带有此类惰性取代基。
取代的环氧乙烷(X)的取代基优选选自具有1-10个碳原子的烷基，具有5-10个碳原子呈螺环、外环和/或稠合(annealed)构型的环烷基，具有6-10个碳原子的芳基，具有6-20个碳原子的烷基环烷基，具有7-20个碳原子的烷基芳基，11-20个碳原子的环烷基芳基和具有12-30个碳原子的烷基环烷基芳基。最优选取代的环氧乙烷(X)的取代基选自具有1-10个碳原子的烷基。特别地，取代的环氧乙烷(X)的取代基选自具有1-6个碳原子的烷基。
最优选的取代的环氧乙烷(X)的实例为甲基环氧乙烷(氧化丙烯)和/或乙基环氧乙烷(氧化丁烯)，特别是甲基环氧乙烷。
最优选亲水基团(b2)由单体单元(b21)和(b22)组成。
在另一个实施方案中，亲水基团(b2)优选为聚氧化乙烯、聚氧化丙烯或聚氧化丁烯基团，更优选聚氧化乙烯基团。
在其中亲水基团(b2)含有或由单体单元(b21)和(b22)组成的实施方案中，起到亲水基团(b2)作用的聚氧化烯基团含有无规、交替、梯度和/或嵌段状分布的单体单元(b21)和(b22)。这意味着一个亲水基团(b2)可仅具有一种分布，即：
-无规：…-b21-b21-b22-b21-b22-b22-b22-b21-b22-…；
-交替：…-b21-b22-b21-b22-b21-…；
-梯度：…b21-b21-b21-b22-b21-b21-b22-b22-b21-b22-b22-b22-…；或
-嵌段状：…-b21-b21-b21-b21-b22-b22-b22-b22-…。
或者，亲水基团(b2)也可含有至少两种分布，例如具有无规分布的低聚或聚合片段和具有交替分布的低聚或聚合片段。最优选亲水基团(b2)优选仅具有一种分布，最优选所述分布呈无规或嵌段状。
在其中亲水基团(b2)含有或由单体单元(b21)和(b22)组成的实施方案中，(b21)与(b22)的摩尔比可变动较大，并因此可根据本发明组合物、方法和用途的具体要求最有利地调整。优选摩尔比(b21):(b22)为100:1-1:1，更优选60:1-1.5:1，最优选50:1-1.5:1，特别优选25:1-1.5:1，特别是15:1-2:1，例如9:1-2:1。
起到亲水基团(b2)作用的低聚和聚合聚氧化烯基团的聚合度也可变动较大，并因此可根据本发明组合物、方法和用途的具体要求最有利地调节。优选聚合度为5-100，优选5-90，最优选5-80。
特别地，非离子表面活性剂(B)为两亲性非离子聚氧化乙烯-聚氧化丙烯烷基醚表面活性剂，其为平均含有具有10-16个碳原子的烷基以及无规分布的5-20个氧化乙烯单体单元(b21)和2-8个氧化丙烯单体单元的分子的混合物。例如非离子表面活性剂(B)为两亲性非离子聚氧化乙烯-聚氧化丙烯烷基醚表面活性剂，其为平均含有具有11-14个碳原子的烷基以及无规分布的12-20个氧化乙烯单体单元和3-5个氧化丙烯单体单元的分子的混合物。
非离子表面活性剂(B)可以变化量包含在CMP组合物(Q)中。优选(B)的量不大于10重量％，更优选不大于3重量％，最优选不大于1重量％，特别优选不大于0.5重量％，特别不大于0.1重量％，例如不大于0.05重量％，基于组合物(Q)的总重量。优选(B)的量为至少0.00001重量％，更优选至少0.0001重量％，最优选至少0.0008重量％，特别优选至少0.002重量％，特别是至少0.005重量％，例如至少0.008重量％，基于组合物(Q)的总重量。
一般而言，非离子表面活性剂(B)可具有不同的重均分子量。(B)的重均分子量优选为至少300，更优选至少500，最优选至少700，特别是至少800，例如至少900。如凝胶渗透色谱法(下文简写为“GPC”)所测，(B)的重均分子量优选不大于15,000[g/mol]，更优选不大于6,000[g/mol]，最优选不大于3,000[g/mol]，特别不大于2,000[g/mol]，例如不大于1,400[g/mol]。如GPC所测，(B)的重均分子量特别为900-1,400[g/mol]。所述GPC为本领域技术人员所知的标准GPC技术。
一般而言，非离子表面活性剂(B)在含水介质中的溶解度可在较宽范围内变动。(B)在水中、pH 7、25℃和大气压力下的溶解度优选为至少1g/L，更优选至少5g/L，最优选至少20g/L，特别是至少50g/L，例如至少150g/L。所述溶解度可通过蒸发溶剂和测量饱和溶液中的剩余物质测定。
根据本发明，CMP组合物(Q)包含碳酸盐或碳酸氢盐(C)。一般而言，碳酸盐为含有至少一个CO3 2-阴离子的任何盐，碳酸氢盐为含有至少一个HCO3 –阴离子的任何盐。
优选碳酸盐或碳酸氢盐(C)不含有不同于CO3 2-或HCO3 –阴离子的任何阴离子。
优选碳酸盐或碳酸氢盐(C)为碳酸盐。最优选(C)碳酸盐不含有不同于CO3 2-阴离子的任何阴离子。
优选碳酸盐或碳酸氢盐(C)含有至少一个选自NH4 +阳离子、有机铵阳离子、N-杂环阳离子、碱金属和碱土金属阳离子的阳离子。更优选(C)含有至少一个NH4 +、碱金属或碱土金属阳离子。最优选(C)含有至少一个碱金属阳离子。特别优选(C)为碱金属碳酸盐或碱金属碳酸氢盐。特别更优选(C)含有至少一个钠或钾阳离子。特别最优选(C)含有至少一个钾阳离子。特别地(C)为碳酸钾或碳酸氢钾。例如(C)为碳酸钾。
有机铵阳离子为式[NR11R12R13R14]+的任何阳离子，其中：
R11、R12、R13各自独立为H、烷基、芳基、烷基芳基或芳基烷基，
R14为烷基、芳基、烷基芳基或芳基烷基。
碳酸盐或碳酸氢盐(C)可以变化量包含在CMP组合物(Q)中。优选(C)的量不大于10重量％，更优选不大于5重量％，最优选不大于3重量％，特别优选不大于2重量％，特别不大于1重量％，例如不大于0.7重量％，基于组合物(Q)的总重量。优选(C)的量为至少0.001重量％，更优选至少0.01重量％，最优选至少0.05重量％，特别优选至少0.1重量％，特别是至少0.2重量％，例如至少0.4重量％，基于组合物(Q)的总重量。
根据本发明，CMP组合物(Q)包含醇(D)。一般而言，可将任何醇用作(D)。
醇(D)优选为具有至少两个在含水介质中不可离解的羟基的醇。更优选(D)为具有两个在含水介质中不可离解的羟基的醇。如在去离子水中、25℃和大气压力下所测，“不可离解”指羟基在中性水相中反应：
醇(D)→去质子化的醇(D)+H+
的pKa值(酸离解常数的对数度量)大于9.9，更优选大于11，最优选大于12，特别优选大于13，例如大于14。例如，如在去离子水中、25℃和大气压力下所测，丙烷-1,2-二醇(α-丙二醇)的pKa值为14.9。
更优选醇(D)为二醇、三醇、四醇、五醇、六醇、七醇、八醇、九醇、十醇或多元醇。最优选(D)为二醇、三醇、四醇、五醇或六醇。特别优选(D)为二醇。特别最优选(D)为乙烷二醇(乙二醇)、丙烷二醇(丙二醇)或丁烷二醇(丁二醇)。特别地(D)为丙烷二醇(丙二醇)。例如(D)为丙烷-1,2-二醇(α-丙二醇)。
醇(D)优选为具有2-50个碳原子的醇，更优选具有2-20个碳原子的醇，最优选具有2-11个碳原子的醇，特别优选具有2-7个碳原子的醇，特别是具有2-4个碳原子的醇，例如具有3个碳原子的醇。
醇(D)可以变化量包含在CMP组合物(Q)中。优选(D)的量不大于10重量％，更优选不大于5重量％，最优选不大于3重量％，特别优选不大于2重量％，特别不大于1.2重量％，例如不大于0.8重量％，基于组合物(Q)的总重量。优选(D)的量为至少0.001重量％，更优选至少0.01重量％，最优选至少0.05重量％，特别优选至少0.1重量％，特别是至少0.3重量％，例如至少0.5重量％，基于组合物(Q)的总重量。
一般而言，醇(D)在含水介质中的溶解度可在较宽范围内变动。(D)在水中、pH 7、25℃和大气压力下的溶解度优选为至少1g/L，更优选至少5g/L，最优选至少20g/L，特别是至少50g/L，例如至少150g/L。所述溶解度可通过蒸发溶剂和测量饱和溶液中的剩余物质测定。
根据本发明，CMP组合物(Q)包含含水介质(M)。(M)可为一种含水介质或不同种类含水介质的混合物。
一般而言，含水介质(M)可为包含水的任何介质。优选含水介质(M)为水和可与水溶混的有机溶剂(例如醇，优选C1-C3醇，或亚烷基二醇衍生物)的混合物。更优选含水介质(M)为水。最优选含水介质(M)为去离子水。
如果不同于(M)的组分的量总共为CMP组合物的y重量％，则(M)的量为CMP组合物的(100-y)重量％。
含水介质(M)可以变化量包含在CMP组合物(Q)中。优选(M)的量不大于99.9重量％，更优选不大于99.6重量％，最优选不大于99重量％，特别优选不大于98重量％，特别不大于97重量％，例如不大于95重量％，基于组合物(Q)的总重量。优选(M)的量为至少60重量％，更优选至少70重量％，最优选至少80重量％，特别优选至少85重量％，特别是至少90重量％，例如至少93重量％，基于组合物(Q)的总重量。
CMP组合物(Q)可进一步任选包含至少一种氧化剂(E)，优选一种至两种氧化剂(E)，更优选一种氧化剂(E)。氧化剂(E)不同于组分(A)、(B)、(C)、(D)和(M)。一般而言，氧化剂为能氧化待抛光的基底或其一个层的化合物。优选(E)为过氧型氧化剂。更优选(E)为过氧化物、过硫酸盐、高氯酸盐、高溴酸盐、高碘酸盐、高锰酸盐或其衍生物。最优选(E)为过氧化物或过硫酸盐。特别地(E)为过氧化物。例如(E)为过氧化氢。
如果存在，氧化剂(E)可以变化量包含在CMP组合物(Q)中。优选(E)的量不大于20重量％，更优选不大于10重量％，最优选不大于5重量％，特别不大于2.5重量％，例如不大于1.5重量％，基于组合物(Q)的总重量。优选(E)的量为至少0.01重量％，更优选至少0.08重量％，最优选至少0.4重量％，特别是至少0.75重量％，例如至少1重量％，基于组合物(Q)的总重量。如果将过氧化氢用作氧化剂(E)，则(E)的量优选为0.5-4重量％，更优选1-2重量％，例如1.2-1.3重量％，基于组合物(Q)的总重量。
CMP组合物(Q)可进一步任选包含至少一种缓蚀剂(F)，例如一种缓蚀剂。缓蚀剂(F)不同于组分(A)、(B)、(C)、(D)和(M)。一般而言，可将在金属如铜表面上形成保护分子层的所有化合物用作缓蚀剂。优选的缓蚀剂(F)为硫醇、成膜聚合物、多元醇、二唑、三唑、四唑及其衍生物，最优选咪唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、甲苯基三唑及其衍生物，例如苯并三唑。
如果存在，可以变化量包含缓蚀剂(F)。如果存在，(F)的量优选不大于10重量％，更优选不大于2重量％，最优选不大于0.5重量％，特别不大于0.15重量％，例如不大于0.08重量％，基于相应组合物的总重量。如果存在，(F)的量优选为至少0.0001重量％，更优选至少0.001重量％，最优选至少0.005重量％，特别是至少0.02重量％，例如至少0.04重量％，基于相应组合物(Q)的总重量。
CMP组合物(Q)可进一步任选包含至少一种螯合剂(G)，优选一种螯合剂(G)。一般而言，用于CMP组合物中的螯合剂为与特定金属离子形成可溶配合物分子，进而钝化所述离子从而使它们通常不能与其它元素或离子反应生成沉淀或垢的化合物。螯合剂(G)不同于组分(A)、(B)、(C)、(D)和(M)。
如果存在，可以变化量包含螯合剂(G)。如果存在，(G)的量优选不大于10重量％，更优选不大于5重量％，最优选不大于3重量％，特别不大于2重量％，例如不大于1.5重量％，基于相应组合物的总重量。如果存在，(G)的量优选为至少0.001重量％，更优选至少0.01重量％，最优选至少0.07重量％，特别是至少0.2重量％，例如至少0.7重量％，基于相应组合物(Q)的总重量。
优选螯合剂(G)为无机或有机酸。更优选螯合剂(G)为含有至少两个羧酸(-COOH)或羧酸根(-COO-)基团的化合物。最优选螯合剂(G)选自丙二酸、柠檬酸、乙酸、己二酸、丁酸、戊二酸、乙醇酸、甲酸、富马酸、乳酸、月桂酸、苹果酸、马来酸、肉豆蔻酸、草酸、棕榈酸、丙酸、丙酮酸、硬脂酸、丁二酸、酒石酸、戊酸、2-甲基丁酸、正己酸、3,3-二甲基丁酸、2-乙基丁酸、4-甲基戊酸、正庚酸、2-甲基己酸、正辛酸、2-乙基己酸、丙烷-1,2,3-三甲酸、丁烷-1,2,3,4-四甲酸、戊烷-1,2,3,4,5-五甲酸、偏苯三酸、均苯三酸、均苯四酸、苯六甲酸、低聚或聚合多羧酸以及含有酸基团(Y)的芳族化合物。特别优选(G)选自丙二酸、柠檬酸、己二酸、丙烷-1,2,3-三甲酸、丁烷-1,2,3,4-四甲酸、戊烷-1,2,3,4,5-五甲酸和含有酸基团(Y)的芳族化合物。特别最优选(G)选自丙二酸、柠檬酸和含有酸基团(Y)的芳族化合物。特别地，(G)为含有酸基团(Y)的芳族化合物。下文将所述含有酸基团(Y)的芳族化合物称为(G11)。例如，(G)为含有至少两个羧酸(-COOH)基团或其盐的苯羧酸。例如(G)为苯二甲酸。
将酸基团(Y)定义为原样的(Y)及其去质子化形式。包含在芳族化合物(G11)中的酸基团(Y)优选为任何酸基团从而使如下反应的pKa值(酸离解常数的对数度量)：
反应或
反应
不大于7，更优选不大于6，最优选不大于5.5，特别优选不大于5，如在去离子水中、25℃和大气压力下所测。
包含在芳族化合物(G11)中的酸基团(Y)优选为羧酸(-COOH)、碳酸(-O–COOH)、磺酸(-SO3H)、硫酸(-O–SO3H)、膦酸酯(-P(＝O)(OH)(OR1))、磷酸酯(-O–P(＝O)(OH)(OR2))、膦酸(-P(＝O)(OH)2)、磷酸(-O–P(＝O)(OH)2)结构部分或其去质子化形式，其中R1为烷基、芳基、烷基芳基或芳基烷基，和R2为烷基、芳基、烷基芳基或芳基烷基。更优选所述酸基团(Y)为羧酸(-COOH)或磺酸(-SO3H)结构部分或其去质子化形式。最优选所述酸基团(Y)为羧酸(-COOH)结构部分或其去质子化形式。
优选酸基团(Y)与芳族化合物(G11)的芳族环体系直接共价连接。
芳族化合物(G11)优选含有至少一个，更优选1-2个，最优选正好一个不同于酸基团(Y)的其它官能团(Z)。其它官能团(Z)可为不同于酸基团(Y)的任何官能团，且为：
-优选酯(-COOR3)、羟基、烷氧基、烷基、芳基、烷基芳基、芳基烷基、硝基、氨基、硫代或卤素结构部分，
-更优选酯(-COOR3)、羟基、烷氧基、硝基、氨基、硫代或卤素结构部分，
-最优选酯(-COOR3)、硝基或卤素结构部分，
其中R3为烷基、芳基、烷基芳基或芳基烷基。
在可选方案中，(Z)特别优选为羟基结构部分。
优选芳族化合物(G11)：
-每个芳族环含有至少两个酸基团(Y)，或
-每个芳族环含有至少一个酸基团(Y)和至少一个不同于酸基团(Y)的其它官能团(Z)。
芳族化合物(G11)含有至少一个，优选至少两个，最优选2-6个，特别是2-4个，例如2个酸基团(Y)。芳族化合物(G11)优选每个芳族环含有至少一个，更优选至少两个，最优选2-4个，例如2个酸基团(Y)。
在一个优选实施方案中，芳族化合物(G11)含有至少一个苯环，且(G11)优选每个苯环含有至少一个，更优选至少两个，最优选2-4个，例如2个酸基团(Y)。
在其它优选实施方案中，芳族化合物(G11)含有至少一个苯环，且(G11)优选每个苯环含有至少一个，更优选至少两个，最优选2-4个，例如2个羧酸(-COOH)基团或其去质子化形式。
在其它优选实施方案中，芳族化合物(G11)为含有至少一个，更优选至少两个，最优选2-4个，例如2个羧酸(-COOH)基团或其盐的苯羧酸。在其它优选的实施方案中，芳族化合物(G11)为含有至少一个，更优选至少两个，最优选2-4个，例如2个与苯环直接共价连接的羧酸(-COOH)基团或其盐的苯羧酸。在其它优选的实施方案中，芳族化合物(G11)最优选为邻苯二甲酸、对苯二甲酸、间苯二甲酸、5-羟基间苯二甲酸、苯-1,2,3-三甲酸、苯-1,2,3,4-四甲酸或其衍生物或其盐，特别是对苯二甲酸、间苯二甲酸、5-羟基间苯二甲酸、苯-1,2,3,4-四甲酸或其衍生物或其盐，例如对苯二甲酸、间苯二甲酸或5-羟基间苯二甲酸。
在可选方案中，芳族化合物(G11)特别是3-羟基苯甲酸或4-羟基苯甲酸。
CMP组合物(Q)的性能如稳定性和抛光性能可能取决于相应组合物的pH。一般而言，CMP组合物(Q)可具有任何pH值。组合物(Q)的pH值优选不大于14，更优选不大于13，最优选不大于12，特别优选不大于11.5，特别最优选不大于11，特别不大于10.5，例如不大于10.2。组合物(Q)的pH值优选为至少6，更优选至少7，最优选至少8，特别优选至少8.5，特别最优选至少9，特别是至少9.5，例如至少9.7。组合物(Q)的pH值优选为6-14，更优选7-13，最优选8-12，特别优选8.5-11.5，特别最优选9-11，特别是9.5-10.5，例如9.7-10.2。
CMP组合物(Q)可进一步任选包含至少一种pH调节剂(H)。pH调节剂(H)不同于组分(A)、(B)、(C)、(D)和(M)。一般而言，pH调节剂(H)为加入CMP组合物(Q)中将其pH值调节为所需值的化合物。优选CMP组合物(Q)包含至少一种pH调节剂(H)。优选pH调节剂为无机酸、羧酸、胺碱、碱金属氢氧化物、铵氢氧化物，包括四烷基铵氢氧化物。特别地，pH调节剂(H)为硝酸、硫酸、氨、氢氧化钠或氢氧化钾。例如pH调节剂(H)为氢氧化钾。
如果存在，可以变化量包含pH调节剂(H)。如果存在，(H)的量优选不大于10重量％，更优选不大于2重量％，最优选不大于0.5重量％，特别不大于0.1重量％，例如不大于0.05重量％，基于相应组合物的总重量。如果存在，(H)的量优选为至少0.0005重量％，更优选至少0.005重量％，最优选至少0.025重量％，特别是至少0.1重量％，例如至少0.4重量％，基于相应组合物(Q)的总重量。
CMP组合物(Q)可进一步任选包含至少一种生物杀伤剂(J)，例如一种生物杀伤剂。生物杀伤剂(J)不同于组分(A)、(B)、(C)、(D)和(M)。一般而言，生物杀伤剂为通过化学或生物措施阻止任何有害有机体、使其无害或对其施加防治效果的化合物。优选(J)为季铵化合物、基于异噻唑啉酮的化合物、N-取代的二氮烯(diazenium)二氧化物或N'-羟基二氮烯氧化物盐。更优选(J)为N-取代的二氮烯二氧化物或N'-羟基二氮烯氧化物盐。
如果存在，可以变化量包含生物杀伤剂(J)。如果存在，(J)的量优选不大于0.5重量％，更优选不大于0.1重量％，最优选不大于0.05重量％，特别不大于0.02重量％，例如不大于0.008重量％，基于相应组合物的总重量。如果存在，(J)的量优选为至少0.0001重量％，更优选至少0.0005重量％，最优选至少0.001重量％，特别是至少0.003重量％，例如至少0.006重量％，基于相应组合物(Q)的总重量。
如果需要，CMP组合物(Q)也可包含至少一种其它添加剂，包括但不限于稳定剂、减摩剂等。所述其它添加剂不同于组分(A)、(B)、(C)、(D)和(M)。所述其它添加剂例如为常用于CMP组合物中并因此为本领域技术人员所知的那些。该加入可例如稳定分散体，或者改善抛光性能或不同层之间的选择性。
如果存在，可以变化量包含所述其它添加剂。如果存在，所述其它添加剂的总量优选不大于10重量％，更优选不大于2重量％，最优选不大于0.5重量％，特别不大于0.1重量％，例如不大于0.01重量％，基于相应CMP组合物的总重量。如果存在，所述其它添加剂的总量优选为至少0.0001重量％，更优选至少0.001重量％，最优选至少0.008重量％，特别是至少0.05重量％，例如至少0.3重量％，基于相应组合物(Q)的总重量。
根据优选实施方案(PE1)，组合物(Q)包含：
(A)茧状二氧化硅颗粒，
(B)含有聚氧化烯基团的两亲性非离子表面活性剂，
(C)碳酸盐，
(D)具有至少两个在含水介质中不可离解的羟基的醇，和
(M)含水介质。
根据优选实施方案(PE2)，组合物(Q)包含：
(A)茧状二氧化硅颗粒，
(B)含有聚氧化烯基团的两亲性非离子表面活性剂，
(C)碳酸盐，
(D)醇，
(E)氧化剂，
(F)缓蚀剂，
(G)螯合剂，和
(M)含水介质。
根据优选实施方案(PE3)，组合物(Q)包含：
(A)茧状二氧化硅颗粒，
(B)含有聚氧化烯基团的两亲性非离子表面活性剂，
(C)碱金属碳酸盐或碱金属碳酸氢盐，
(D)具有至少两个在含水介质中不可离解的羟基的醇，
(E)氧化剂，
(F)缓蚀剂，
(G)螯合剂，和
(M)含水介质。
制备CMP组合物的方法一般是已知的。这些方法可应用于CMP组合物(Q)的制备。这可通过将上述组分(A)、(B)、(C)、(D)和任选的其它组分分散或溶解在含水介质(M)，优选水中，和通过加入酸、碱、缓冲剂或pH调节剂任选调节pH值而进行。特别优选CMP组合物(Q)可通过将包含不小于6重量％颗粒(A)如茧状二氧化硅的含水分散体、包含不小于1重量％非离子表面活性剂(B)的含水分散体、5重量％碳酸盐或碳酸氢盐(C)、5重量％醇(D)混合和利用去离子水稀释而制备。为此，可使用常规和标准的混合方法和混合装置，例如搅拌容器、高剪切叶轮、超声混合器、均化器喷嘴或逆流混合器。
CMP组合物(Q)优选通过分散茧状颗粒(A)、分散和/或溶解非离子表面活性剂(B)、碳酸盐或碳酸氢盐(C)、醇(D)和任选的其它添加剂在含水介质(M)中而制备。
抛光方法一般是已知的，且可以利用常用于制造具有集成电路的晶片中的CMP的条件下的方法和设备进行。对可用来进行抛光方法的设备无限制。
如本领域已知，CMP工艺的典型设备由覆盖有抛光垫的旋转压板组成。也使用轨道式抛光器。将晶片安放在载体或夹盘上。使晶片被处理侧面对抛光垫(单侧抛光法)。卡环将晶片固定在水平位置。
在载体下方一般也水平安置较大直径压板，且该压板提供平行于待抛光晶片表面的表面。在平坦化处理期间，压板上的抛光垫接触晶片表面。
将晶片压在抛光垫上以产生材料损失。通常使载体与压板围绕其自载体及压板垂直延伸的各轴旋转。旋转载体轴可相对于旋转压板保持固定在适当位置或可相对于压板水平振荡。载体的旋转方向典型但不是必需地与压板相同。载体及压板的旋转速度一般但不是必需地设为不同值。在本发明CMP工艺的过程中，CMP组合物(Q)一般以连续料流或逐滴形式应用于抛光垫上。通常，压板的温度设为10-70℃的温度。
晶片上的载荷可通过例如由钢制成的覆盖有软垫(通常称为背衬膜)的平板施加。如果使用更先进的设备，负载有空气或氮气压力的柔性膜将晶片压在所述垫上。该膜载体优选用于使用硬抛光垫时的低下压力方法(lowdown force process)，因为晶片上的下压力分布与使用硬压板设计的载体相比更均匀。根据本发明也可使用具有控制晶片上的压力分布的选项的载体。一般将它们设计为具有许多不同的可各自独立负载至一定程度的空间。
对于更多详情，请参考WO 2004/063301A1，尤其第16页第[0036]段至第18页第[0040]段以及图2。
通过本发明CMP方法，可获得功能优异的具有含有介电层的集成电路的晶片。
CMP组合物(Q)可以即用的浆料用于CMP方法，它们具有长贮存期和表现出长期稳定的粒度分布。因此它们易于处理和贮存。它们表现出优异的抛光性能，特别是就如下而言：(a')氮化钽的高MRR、(b')铜层的低MRR、(c')低k或超低k材料的低MRR，(d')就MRR对氮化钽比铜的高选择性和(e')就MRR对氮化钽比低k或超低k材料的高选择性。此外，本发明CMP组合物表现出更长的贮存期，可避免本发明CMP组合物内的聚结，同时保持阻隔层的高MRR。因为将其组分的量缩减至最小，因此可以划算的方式使用或应用根据本发明的CMP组合物(Q)和CMP方法。
图1：形状因数的三个不同值的示意性描述
图2：球度的三个不同值的示意性描述
图3：圆当量直径(ECD)的示意性描述
图4：在碳箔上的20重量％固体含量的干燥茧状二氧化硅颗粒分散体的能量过滤透射电子显微术(EF-TEM)(120千伏)图像
实施例和对比实施例
CMP实验的通用方法
为了评价在抛光机上的抛光性能，选择以下参数：
抛光机：Strasbaugh nSpire(Model 6EC)，ViPRR移动的卡环载体(硬压板设计)；
下压力：2.0psi(140毫巴)；
背侧压力：1.5psi(100毫巴)；
卡环压力：3.0psi(210毫巴)；
抛光平台/载体速度：112/115rpm；
浆料流速：200ml/分钟；
时间，主抛光步骤：60s；
垫修整：非原样(2Ibs(＝0.907kg)，8.9N)；
漂洗：10秒，水
抛光垫：Fujibo H800NW；
背衬膜：Strasbaugh，DF200(136个孔)；
修整盘：Diamonex CMP 4S830CF6；
在将新型浆料用于CMP之前，通过两次清扫修整所述垫。在当地供应站搅拌浆料。
(半)透明毯覆晶片的标准分析方法：
除去速率通过Filmmetrics F50反射仪以49点微分直径扫描的平均值(5mm ee)在CMP之前和之后测定。
除去速率的径向非均匀性通过49点微分直径扫描的相对标准偏差在CMP之前和之后利用Filmmetrics F50(5mm ee)评价。
(半)透明涂装晶片的CMP的标准消耗品：
SiO2膜：等离子体增强的原硅酸四乙酯(下文称作“PETEOS”)；
氮化钽：CVD；
低k材料：第一代黑金刚石(下文称作“BD1”)；
铜：电镀；
材料除去速率的评价通过8英寸(＝20.32cm)毯覆晶片进行。抛光60秒之前和之后的层厚度通过薄层电阻计(Resmap 273，Creative DesignEngineering,Inc.制造)测量。
分散体稳定性测试：
将700mL浆料放入开放的2L烧杯中并在300rpm下搅拌。监测测试之前和之后的pH以及平均粒度。
pH：Knick Portamess 911xpH，电极：Schott instruments Blue Line 28pH
校正：Bernd Kraft GmbH(pH4–Art.Nr.03083.3000和pH7–Art.Nr.03086.3000)
平均粒度：Malvern Instruments GmbH，HPPS 5001
贮存期测试：
将350g浆料和14g H2O2(31％)混合，在大气压下搅拌24h；测量和比较该测试之前和之后的pH和通过动态光散射的平均粒度。
用于根据本发明实施例的茧状颗粒(A)：
用作颗粒(A)的二氧化硅颗粒为Fuso PL-3型。Fuso PL-3为平均初级粒子大小(d1)为35nm和平均次级粒子大小(d2)为70nm的茧状胶态二氧化硅颗粒。
表1：茧状二氧化硅颗粒(A)的颗粒形状分析的实验结果
统计函数 ECD 球度 形状因数
单位 nm
颗粒的数量 475 475 475
平均值 53.67 0.631 0.881
最小值 33.68 0.150 0.513
最大值 99.78 0.997 0.978
标准偏差 11.69 0.199 0.083
中值d50 51.32 0.662 0.911
d90 0.955
(B1)为两亲性非离子聚氧化乙烯-聚氧化丙烯烷基醚表面活性剂，其为平均含有具有11-14个碳原子的烷基以及无规分布的12-20个氧化乙烯单体单元和3-5个氧化丙烯单体单元的分子的混合物。(B1)的重均分子量为900-1,500[g/mol]。
颗粒形状表征的方法
将20重量％固体含量的茧状二氧化硅颗粒含水分散体分散在碳箔上并干燥。利用能量过滤透射电子显微术(EF-TEM)(120千伏)和扫描电子显微术二次电子图像(SEM-SE)(5千伏)分析干燥的分散体。将分辨率为2k、16比特、0.6851nm/像素的EF-TEM图像(图4)用于分析。利用噪声抑制后的阈值对图像进行二进制编码。然后将颗粒手动分离。区别重叠和边缘颗粒，且不将其用于分析。计算和统计分类如前所定义的ECD、形状因数和球度。
浆料制备方法：
实施例1-2以及对比实施例V1和V2的500g组合物的制备:
将5.00g螯合剂(G)溶解在380g水(M)中，接着缓慢加入3.21g醇(D)、0.50g非离子表面活性剂(B)(10重量％水溶液)和12.5g缓蚀剂(F)(1重量％水溶液)。将KOH用于调节pH为10.5。对实施例1和2而言，在加入20.0g磨料茧状颗粒(A)(20重量％含水分散体)之前加入8g碳酸钾溶液(25重量％水溶液)。加入水以达到480g，将pH调节为10.5，监测1h。在抛光之前加入20.0g氧化剂(E)(31重量％水溶液)，获得表2所示pH值。最终的CMP组合物以表2所示的量包含组分(A)、(B)、(C)、(D)、(E)、(F)和任选的(G)或其它添加剂。
实施例1-2(根据本发明的组合物)以及对比实施例V1和V2(对比组合物)
制备包含表2所列组分的含水分散体，提供实施例1-2以及对比实施例V1和V2的CMP组合物。
实施例1-2以及对比实施例V1和V2的CMP组合物的配制和抛光性能数据如表2所示：
表2：实施例1-2以及对比实施例V1和V2的CMP组合物，在利用这些组合物化学机械抛光8英寸(＝20.32cm)毯覆晶片过程中其pH值、MRR数据和分散体稳定性数据，其中CMP组合物的含水介质(M)为去离子水。组分(A)、(B)、(C)、(D)、(E)、(F)和(G)的量以相应CMP组合物重量的重量百分数(重量％)表示。如果除(M)外的组分的量总共为CMP组合物的y重量％，则(M)的量为CMP组合物的(100-y)重量％。利用氢氧化钾调节组合物的pH。
(表2：续)
(*＝来自分散体稳定性测试的数据)
实施例1-2的CMP组合物表现出改善的抛光性能和改善的贮存期，特别是表现出氮化钽的高MRR、就MRR对氮化钽比铜的高选择性和就MRR对氮化钽比第一代黑金刚石材料的高选择性。

Claims (14)

1.化学机械抛光(CMP)组合物(Q)，包含：
(A)无机颗粒、有机颗粒或其混合物或复合物，其中所述颗粒为茧状，
(B)非离子表面活性剂，
(C)碳酸盐或碳酸氢盐，
(D)醇，和
(M)含水介质。
2.根据权利要求1的CMP组合物，其中所述醇(D)为具有至少两个在含水介质中不可离解的羟基的醇。
3.根据权利要求1或2的CMP组合物，其中CMP组合物(Q)进一步包含(E)氧化剂。
4.根据权利要求1-3中任一项的CMP组合物，其中CMP组合物(Q)进一步包含(F)缓蚀剂。
5.根据权利要求1-4中任一项的CMP组合物，其中CMP组合物(Q)进一步包含(G)螯合剂。
6.根据权利要求1-5中任一项的CMP组合物，其中颗粒(A)为茧状二氧化硅颗粒。
7.根据权利要求1-6中任一项的CMP组合物，其中非离子表面活性剂(B)为含有聚氧化烯基团的两亲性非离子表面活性剂。
8.根据权利要求1-7中任一项的CMP组合物，其中碳酸盐(C)为碱金属碳酸盐或碱金属碳酸氢盐。
9.根据权利要求1-8中任一项的CMP组合物，其中CMP组合物进一步包含(G)无机或有机酸作为螯合剂。
10.根据权利要求1-9中任一项的CMP组合物，其中组合物的pH值为8-12。
11.根据权利要求1-10中任一项的CMP组合物，其中CMP组合物(Q)包含：
(A)茧状二氧化硅颗粒，
(B)含有聚氧化烯基团的两亲性非离子表面活性剂，
(C)碱金属碳酸盐或碱金属碳酸氢盐，
(D)具有至少两个在含水介质中不可离解的羟基的醇，
(E)氧化剂，
(F)缓蚀剂，
(G)螯合剂，和
(M)含水介质。
12.一种制备半导体装置的方法，所述方法包括在如权利要求1-11中任一项定义的CMP组合物存在下将在半导体工业中使用的基底(S)化学机械抛光。
13.如权利要求1-11中任一项定义的CMP组合物在化学机械抛光在半导体工业中使用的基底(S)中的用途。
14.根据权利要求13的用途，其中基底(S)包括：
(i)铜，和/或
(ii)钽、氮化钽、钛、氮化钛、钌、钴或其合金。
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