CN104347453A - 处理基板的装置和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供半导体基板制造装置及基板处理方法，且更特定而言提供用于对半导体晶圆执行回流处理过程的方法。该基板处理装置包括：负载端口，容纳基板的载体设座于该负载端口上；基板处理模块，其包括具有处理空间的一个过程腔室或多个过程腔室，在该处理空间中执行关于该基板的回流过程；清洁单元，其清洁该基板；以及基板转移模块，其安置于该负载端口与该基板处理模块之间。该基板转移模块包括转移机器人，该转移机器人在该负载端口、该基板处理模块与该清洁单元之间转移该基板。

Description

处理基板的装置和方法
技术领域
本文揭示的发明关于半导体基板制造装置及基板处理方法，且更特定而言是关于用于对半导体晶圆执行回流处理过程的装置及方法，且本申请案为以下者的共同申请案：Semigear-30(回流处理单元及基板处理装置(Reflow Treating Unit and Substrate Treating Apparatus))及Semigear-32(回流处理单元及基板处理装置(Reflow Treating Unit andSubstrate Treating Apparatus))，Semigear-30及Semigear-32是与本案同时申请，其各自为2012年9月17日申请的美国申请案第13/573,486号(Semigear-24)的CIP申请案，该美国申请案为申请案第12/930,462号(现为美国专利8,274,161)的CIP案，该申请案为申请案第12/930,203号(现为美国专利8,252,678)的CIP案，该申请案为申请案第12/653,454号(现为美国专利7,982,320)的CIP案，该申请案为申请案第11/482,838号(现为美国专利7,632,750)的DIV案，该申请案为申请案第10/832,782号(现为美国专利7,008,879)的CIP案，该申请案为申请案第10/186,823号(现为美国专利6,827,789)的DIV案，以上各案皆以全文引用方式并入本文。
背景技术
随着半导体组件的高度整合，用于将形成有半导体集成电路的半导体芯片连接至外部电路的连接焊盘的数目增加。因此，安装于印刷电路板(PCB)上的半导体封装的引线数目显著增加。
当引线数目增加时，根据相关技艺来应用引线框架的封装技术难以应用于包括约500个接脚或500个以上接脚的高度整合半导体芯片。
因此，正在将球状栅格数组(BGA)封装技术发展成新的概念，在所述技术中，半导体封装的输出端子藉由使用半导体封装的宽下表面来安置。
在BGA封装技术中，半导体芯片系安装于PCB上，且焊球系安置成对应于PCB的输出端子。此外，半导体封装的集成电路经由PCB的输出端子及连接至输出端子的焊球来电气连接至电气组件的外部电路。
此处，焊球系安置于与安装有半导体集成电路的PCB相对的表面上。此外，需要用于将焊球电气连接至PCB的输出端子的焊接过程。
此处，用于在将半导体芯片安装于PCB表面上之后于预定温度下将半导体芯片焊接至PCB表面以固化该焊接部分的装置可称为回流装置。
在回流装置中，将置放有焊球的PCB放入加热炉中以便在预定温度下将焊球加热预定时间。因此，可将焊球焊接至PCB的输出端子。
一般而言，可在回流过程中产生助熔剂。此外，可将杂质引入基板处理装置中。由于助熔剂及杂质，包括回流过程的基板处理过程的可靠性可降低。另外，用于执行基板处理过程所需的时间可增加，从而降低过程效率。
发明内容
本发明提供一种回流处理单元，其中能够减少回流处理过程以改良基板处理过程及基板处理装置的效率。
本发明的特征不限于上述内容，而熟习此项技术者自以下描述将清楚地理解本文未描述的其他特征。
本发明提供一种基板处理装置。
本发明的实施例提供基板处理装置，其包括：负载端口，容纳基板的载体设座于该负载端口上；基板处理模块，其包括具有处理空间的一个过程腔室或多个过程腔室，在该处理空间中执行关于该基板的回流过程；清洁单元，其清洁该基板；以及基板转移模块，其安置于该负载端口与该基板处理模块之间，其中该基板转移模块包括转移机器人，该转移机器人在该负载端口、该基板处理模块与该清洁单元之间转移该基板。
在一些实施例中，该清洁单元可包括：清洁腔室，其提供执行该清洁过程的空间；基板支撑构件，其安置于该清洁腔室内以支撑该基板；以及流体供应构件，其将清洁流体喷洒至该基板上。
在其他实施例中，该基板支撑构件可包括真空吸盘，该真空吸盘提供真空压力以真空吸附该基板。
在其他实施例中，该清洁单元可进一步包括驱动部件，该驱动部件旋转该真空吸盘。
在甚至其他实施例中，该流体供应构件可包括：第一流体供应构件，其将用于清洁该基板的第一流体供应至该基板；以及第二流体供应构件，其将用于干燥该基板的第二流体供应至该基板。
在其他实施例中，该流体供应构件可进一步包括压力控制部件，该压力控制部件控制将该第一流体及该第二流体供应至该基板的压力。
在其他实施例中，该清洁单元可提供为多个。
在其他实施例中，该清洁单元可安置于该基板处理模块内，且该清洁腔室可具有与该基板转移模块接触的侧表面。
在甚至其他实施例中，该负载端口、该基板转移模块及该基板处理模块可顺序地布置在第一方向上，且该多个清洁单元可彼此间隔分开地安置于垂直于该第一方向的第二方向上。
在其他实施例中，该过程腔室可包括：下部外壳；以及上部外壳，其安置成面对该下部外壳，其中该基板处理模块可包括：旋转板，其具有固定该基板的一个基板孔或多个基板孔，该旋转板安置于该上部外壳与该下部外壳之间；驱动器，其使该旋转板旋转；以及提升构件，其提升该下部外壳以打开或关闭该过程腔室。
在另外的其他实施例中，所述基板孔可以预定距离界定成圆环形状，且该旋转板可围绕所述基板孔的中心旋转。
在另外的其他实施例中，当自上侧观察时，该多个过程腔室可分别经安置以与该多个基板孔重迭。
在甚至另外的其他实施例中，该基板处理模块可进一步包括：过程流体供应构件，其将过程流体供应至该处理空间；排出构件，其将该处理空间内的流体排出；支撑构件，其安置于该处理空间内以支撑该基板；以及加热器，其加热该支撑构件。
在另外的其他实施例中，该基板孔可包括第一基板孔至第六基板孔，且该过程腔室可包括第一腔室至第五腔室，其中该基板处理模块可经配置以使得该第一基板孔至该基板孔分别安置成对应于该第一过程腔室至该第五过程腔室，且当该旋转板旋转且该第六基板孔移动以对应于该第一过程腔室时，该第二基板孔至第五基板孔移动以分别对应于该第二过程腔室至该第五过程腔室。
根据另一实施例，本发明提供一种基板处理装置。
本发明的实施例提供基板处理装置，该基板处理装置包括：基板处理模块，其包括执行关于基板的回流过程的一个回流处理单元或多个回流处理单元；清洁单元，其清洁该基板；以及基板转移模块，其安置于该负载端口与该基板处理模块之间，其中该基板转移模块包括转移机器人，该转移机器人在该负载端口、该基板处理模块与该清洁单元之间转移该基板。
在一些实施例中，该清洁单元可包括：清洁腔室，其提供执行该清洁过程的空间；基板支撑构件，其安置于该清洁腔室内以支撑该基板；驱动器，其旋转真空吸盘；以及流体供应构件，其将清洁流体喷洒至该基板上。
在其他实施例中，该流体供应构件可进一步包括：第一流体供应构件，其将用于清洁该基板的第一流体供应至该基板；以及第二流体供应构件，其将用于干燥该基板的第二流体供应至该基板。
在其他实施例中，该清洁单元可提供为多个，其中该多个清洁单元可安置于该基板处理模块中，该清洁单元可具有与该基板转移模块接触的侧表面，且该多个清洁单元可彼此间隔分开地安置于垂直于该第一方向的第二方向上。
在甚至其他实施例中，该回流处理单元可包括：过程腔室，其中具有处理空间；支撑构件，其安置于该处理空间内；排出构件，其连接至该过程腔室的顶表面以将该处理空间内的流体排出；以及气体供应构件，其将过程气体供应至该处理空间中，其中该过程腔室可包括：下部外壳；以及上部外壳，其安置成面对该下部外壳，其中该基板处理模块可进一步包括：旋转板，其具有固定该基板的一个孔或多个孔，该旋转板安置于该上部外壳与该下部外壳之间；驱动器，其使该旋转板旋转；以及提升构件，其提升该下部外壳以打开或关闭该过程腔室。
本发明提供一种基板处理方法。
在其他实施例中，所述孔可以预定距离界定成圆环形状，且该旋转板可围绕所述孔的中心旋转。
在其他实施例中，当自上侧观察时，该多个过程腔室可经安置成以分别与该多个孔重迭。
在本发明的其他实施例中，藉由使用基板处理装置来对基板执行回流处处的基板处理方法包括：装载过程，其中将附接有焊料凸块的该基板自该负载端口装载至该基板转移模块；清洁过程，其中在该清洁单元中清洁该基板及该焊料凸块；回流过程，其中在该基板处理模块中回流处理该基板；以及卸除过程，其中将该基板转移至该负载端口中。
在一些实施例中，该清洁过程可包括：主要清洁，其中在该回流过程之前清洁该基板及该焊料凸块；以及次要清洁，其中在该回流过程之后清洁该基板及该焊料凸块。
在其他实施例中，该清洁过程可包括：洗涤过程，其中将用于洗涤该基板的第一流体供应至该基板上；以及第二清洁过程，其中将用于干燥该基板的第二流体供应至该基板上。
在其他实施例中，当该基板自该第一过程腔室移动至该第五过程腔室时，可连续地执行该回流过程，当该基板及该焊料凸块自该第一过程腔室移动至该第四过程腔室时，可加热该基板及该焊料凸块，且可在该第五过程腔室中加热或冷却该基板及该焊料凸块。
因此，本发明包含一种基板处理装置，其包含：负载端口，容纳基板的载体设座于该负载端口上；基板处理模块，其包含具有处理空间的一个过程腔室或多个过程腔室，在该处理空间中执行关于该基板的回流过程；清洁单元，其清洁该基板；以及基板转移模块，其安置于该负载端口与该基板处理模块之间，其中该基板转移模块包含转移机器人，该转移机器人在该负载端口、该基板处理模块与该清洁单元之间转移该基板。该清洁单元包含：清洁腔室，其提供执行该清洁过程的空间；板支撑构件，其安置于该清洁腔室内以支撑该基板；以及流体供应构件，其将清洁流体喷洒至该基板上。该基板支撑构件包含真空吸盘，该真空吸盘提供真空压力以真空吸附该基板。该清洁单元可进一步包含驱动部件，该驱动部件旋转该真空吸盘。该流体供应构件包含：第一流体供应构件，其将用于清洁该基板的第一流体供应至该基板；以及第二流体供应构件，其将用于干燥该基板的第二流体供应至该基板。该流体供应构件可进一步包含压力控制部件，该压力控制部件控制将该第一流体及该第二流体供应至该基板的压力。该清洁单元可提供为多个。该清洁单元可安置于该基板处理模块内，且该清洁腔室具有与该基板转移模块接触的侧表面。该负载端口、该基板转移模块及该基板处理模块较佳地顺序地布置在第一方向上，且该多个清洁单元彼此间隔分开地安置于垂直于该第一方向的第二方向上。该过程腔室较佳地包含：下部外壳；以及上部外壳，其安置成面对该下部外壳，其中该基板处理模块较佳地包含：旋转板，其具有固定该基板的一个基板孔或多个基板孔，该旋转板安置于该上部外壳与该下部外壳之间；驱动器，其使该旋转板旋转；以及提升构件，其提升该下部外壳以打开或关闭该过程腔室。所述基板孔较佳地以预定距离界定成圆环形状，且该旋转板围绕所述基板孔的中心旋转。当自上侧观察时，该多个过程腔室较佳地分别经安置以与该多个基板孔重迭。该基板处理模块较佳地进一步包含：过程流体供应构件，其将过程流体供应至该处理空间；排出构件，其将该处理空间内的流体排出；支撑构件，其安置于该处理空间内以支撑该基板；以及加热器，其加热该支撑构件。该基板孔较佳地包含第一基板孔至第六基板孔，且该过程腔室包含第一腔室至第五腔室，其中该基板处理模块经配置以使得该第一基板孔至该第五基板孔安置成分别对应于该第一过程腔室至该第五过程腔室，且当该旋转板旋转且该第六基板孔移动以对应于该第一过程腔室时，该第二基板孔至该第五基板孔移动以分别对应于该第二过程腔室至该第五过程腔室。
本发明亦包含一种基板处理装置，其包含：基板处理模块，其包含执行关于基板的回流过程的一个回流处理单元或多个回流处理单元；清洁单元，其清洁该基板；以及基板转移模块，其安置于该负载端口与该基板处理模块之间，其中该基板转移模块包含转移机器人，该转移机器人在该负载端口、该基板处理模块与该清洁单元之间转移该基板。该清洁单元较佳地包含：清洁腔室，其提供执行该清洁过程的空间；基板支撑构件，其安置于该清洁腔室内以支撑该基板；驱动器，其旋转真空吸盘；以及流体供应构件，其将清洁流体喷洒至该基板上。该流体供应构件较佳地进一步包含：第一流体供应构件，其将用于清洁该基板的第一流体供应至该基板；以及第二流体供应构件，其将用于干燥该基板的第二流体供应至该基板。该清洁单元可提供为多个，其中该多个清洁单元安置于该基板处理模块中，该清洁单元具有与该基板转移模块接触的侧表面，且该多个清洁单元彼此间隔分开地安置于垂直于该第一方向的第二方向上。该回流处理单元较佳地包含：过程腔室，其中具有处理空间；支撑构件，其安置于该处理空间内；排出构件，其连接至该过程腔室的顶表面以将该处理空间内的流体排出；以及气体供应构件，其将过程气体供应至该处理空间中，其中该过程腔室较佳地包含：下部外壳；以及上部外壳，其安置成面对该下部外壳，其中该基板处理模块较佳地进一步包含：旋转板，其具有固定该基板的一个孔或多个孔，该旋转板安置于该上部外壳与该下部外壳之间；驱动器，其使该旋转板旋转；以及提升构件，其提升该下部外壳以打开或关闭该过程腔室。所述孔较佳地以预定距离界定成圆环形状，且该旋转板较佳地围绕所述孔的中心旋转。当自上侧观察时，该多个过程腔室较佳地经安置成以分别与该多个基板孔重迭。
本发明亦可包含一种藉由使用如权利要求1所述的基板处理装置来对基板执行回流处理的基板处理方法，该基板处理方法包含：装载过程，其中将附接有焊料凸块的该基板自该负载端口装载至该基板转移模块；清洁过程，其中在该清洁单元中清洁该基板及该焊料凸块；回流过程，其中在该基板处理模块中回流处理该基板；以及卸除过程，其中将该基板转移至该负载端口中。该清洁过程可包含：主要清洁，其中在该回流过程之前清洁该基板及该焊料凸块；以及次要清洁，其中在该回流过程之后清洁该基板及该焊料凸块。该清洁过程可包含：洗涤过程，其中将用于洗涤该基板的第一流体供应至该基板上；以及第二清洁过程，其中将用于干燥该基板的第二流体供应至该基板上。当该基板自该第一过程腔室移动至该第五过程腔室时，连续地执行该回流过程，当该基板及该焊料凸块自该第一过程腔室移动至该第四过程腔室时，加热该基板及该焊料凸块，且在该第五过程腔室中加热或冷却该基板及该焊料凸块。
附图说明
包括随附图式以提供对本发明的进一步理解，且随附图式并入本说明书中且构成本说明书的一部分。所述图式例示本发明的示范性实施例，且所述实施例与描述一起用来解释本发明的原理。在图式中：
图1为根据本发明的实施例的基板处理装置的平面图；
图2为图1的基板处理装置中的基板处理模块及基板转移模块的透视图；
图3为例示根据一实施例的图1的回流处理单元的横截面图；以及
图4为例示图1的清洁单元的横截面图。
具体实施方式
现将详细参考实施例，所述实施例的实例系例示于随附图式中。然而，本发明可以不同形式来实施且不应解释为限于本文所阐述的实施例。实情为，提供此等实施例以使得本揭示案将为详尽且完整的，且所述实施例将使本发明的范畴完全传达至熟习此项技术者。在图式中，出于清晰性而夸示诸多层及区域的厚度。
图1为根据本发明的一实施例的基板处理装置的平面图。
参考图1，根据本发明的基板处理装置10包括负载端口100、基板转移模块200、基板处理模块300及清洁单元400。负载端口100、基板转移模块200及基板处理模块300顺序地安置成一列。在下文中，布置负载端口100、基板转移模块200及基板处理模块300的方向称为第一方向91。此外，当自上侧观察时，将垂直于第一方向91的方向称为第二方向92，且垂直于与第一方向91及第二方向92平行的平面的方向称为第三方向93。负载端口100、基板转移模块200及基板处理模块300顺序地布置在第一方向91上。
容纳基板的载体110设座于负载端口100上。负载端口10提供为多个。多个负载端口100顺序地布置在第二方向92上。负载端口100的数目可根据基板处理模块30的制程效率及占地面积条件而增加或减少。在载体110中界定多个狭槽，该多个狭槽用于以平行于地面安置基板的状态来容纳基板。前开式单一化晶匣(FOUP)可用作载体110。
图2为图1的基板处理装置中的基板处理模块及基板转移模块的透视图。
参考图1及图2，基板转移模块200安置于负载端口100与基板处理模块300之间。转移机器人210安置于基板转移模块200内。
转移机器人210包括主体211及臂部件212。主体211可安置于基板转移模块200的中心部分处。臂部件212包括多个臂。多个臂可彼此连接以自安置于第二方向92上两末端上的负载端口100转移基板。
转移机器人210在负载端口100与基板处理模块300之间转移基板W。例如，转移机器人210可在负载端口100、基板处理模块300与清洁单元400之间转移基板。
图3为例示出图1的回流处理单元的横截面图。参考图1至图3，基板处理模块300包括回流处理单元301、支撑板390、驱动器382及旋转板381。
回流处理单元301包括制程腔室310、支撑构件320、加热器323、排出构件330、制程流体供应构件340及提升构件370。根据一实施例，回流处理单元301系提供为多个。多个回流处理单元301可安置成圆环形状。
制程腔室310包括上部外壳311、下部外壳312及密封构件319。制程腔室310具有执行回流制程的处理空间。制程腔室310可具有一结构，该结构分为上部外壳311及下部外壳312，并且因此上部外壳311及下部外壳312中每一者为可打开的。上部外壳311具有下侧打开的圆柱形状。
下部外壳312经安置以面对上部外壳311。下部外壳312具有上侧打开的圆柱形状。上部外壳311及下部外壳312可具有相同截面积。
密封构件319可安置于上部外壳311与下部外壳312之间的界面上。根据一实施例，密封构件319a及319b可分别安置于上部外壳311的下末端及下部外壳312的上末端上。密封构件319可提供为O形环。
支撑构件320安置于制程腔室310内的处理空间中。支撑构件320支撑转移至处理空间中的基板。支撑构件320包括吸盘321及支撑轴324。
吸盘321安置于支撑构件320的上末端上。根据一实施例，吸盘321将真空压力提供至该吸盘的上部分。因此，吸盘321可充当吸附基板的真空吸盘。另一方面，可将机械夹器或静电吸盘用作吸盘321。根据一实施例，加热器323可安置于吸盘321内。加热器323加热基板。根据一实施例，加热器323加热吸盘321，且经加热吸盘321加热基板。
支撑轴324支撑吸盘321。支撑轴324具有接触制程腔室310底表面的下末端及接触吸盘321底表面的上末端。虽然未展示，但是支撑构件320可进一步包括产生旋转力的驱动部件，诸如马达。驱动部件可将旋转力传送至吸盘321中。驱动马达可包括典型组件，诸如马达、将自驱动部件传送的旋转力传送至心轴中的带子、诸如链条的动力传送部件等。
排出构件330包括排出管线331及332，排出压力提供构件(未展示)及捕集器335。
排出管线331及332包括单独排出管线331及共用排出管线332。单独排出管线331将共用排出管线332连接至制程腔室310。单独排出管线331具有连接至制程腔室310顶表面的一末端。根据一实施例，单独排出管线331可具有连接至制程腔室310顶表面的中心部分的一末端。单独排出管线331具有连接至共用排出管线332的另一末端。单独排出管线331可具有与制程腔室310的数目相同的数目。根据一实施例，可提供四个单独排出管线331。另一方面，可提供四个或四个以上单独排出管线331或四个或四个以下单独排出管线331。根据一实施例，当自上侧观察时，单独排出管线331可朝向共用排出管线332的中心径向延伸。
共用排出管线332可安置于多个制程腔室310的中心部分处。共用排出管线332可在第三方向93上延伸。根据一实施例，共用排出管线332具有连接至多个单独排出管线331的下末端。共用排出管线332具有连接至排出压力提供构件(未展示)的上末端。排出压力提供构件(未展示)将真空压力提供至排出管线331及332中。在排出压力提供构件(未展示)中产生的真空压力可经由共用排出管线332及单独排出管线331提供至制程腔室310中。
根据一实施例，捕集器335可安置于单独排出管线331上。因此，捕集器335可相应地具有与单独排出管线331的数目相同的数目。捕集器335可自流入排出管线331及332中的排出流体移除杂质。根据一实施例，捕集器335可为可分开的。另一方面，捕集器335可安置于共用排出管线332上。在此状况下，仅提供一个捕集器335。或者，可不提供捕集器335。
制程流体供应构件340包括供应喷嘴341、供应管线342、阀343及制程流体储存部件345。供应喷嘴341安置于制程腔室310的顶表面上。根据一实施例，供应喷嘴341可围绕单独排出管线331安置。另一方面，多个供应喷嘴341可以预定距离围绕单独排出管线331。
供应管线342将供应喷嘴341连接至制程流体储存部件345。制程流体经由供应管线342自制程流体储存部件345移动至制程腔室310内的处理制程中。阀343安置于供应管线342中。阀343控制流入供应管线342中的制程流体的流动速率。
提升构件370包括提升驱动部件371及支撑件373。根据一实施例，提升构件370可提升下部外壳312以打开或关闭制程腔室310。提升驱动部件371安置于下部支撑板399以下。提升驱动部件371产生动力以用于提升下部外壳312。支撑件373将提升驱动部件371连接至下部外壳312。支撑件373的长度可为可延伸的。支撑件373藉由自提升驱动部件371提供的动力拉长或收缩以提升下部外壳312。与上述方式相异地，提升构件370亦可藉由使上部外壳311提升或下降以打开或关闭制程腔室310。
旋转板381安置于上部支撑板398与下部支撑板399之间。此外，旋转板381安置于上部外壳311与下部外壳312之间。根据一实施例，制程腔室310系上部外壳311与旋转板381的顶表面接触，且下部外壳312与旋转板381的底表面接触。因此，关闭制程腔室310。旋转板381系提供成具有一个孔或多个基板孔384的平板形状。基板孔384可具有大于基板的截面积的直径。支撑接脚385安置于基板孔384的底表面上。支撑接脚385支撑基板的底表面，以使得转移至支撑板390中的基板安置于基板孔384中。基板孔384可具有与支撑板的凹槽391至凹槽396的数目相同的数目。根据一实施例，可提供六个基板孔384及支撑板的六个凹槽391至凹槽396。基板孔384系彼此具有一定间隔且可配置成圆环形状。旋转板381与基板一起旋转以将基板转移至多个制程腔室310中。旋转板381系可用基板孔384的中心做为基准而旋转。具体而言，基板孔384可包括第一基板孔至第六基板孔。此外，回流处理单元301可包括第一回流处理单元至第五回流处理单元301a、301b、301c、301d、301e。此外，基板处理模块300可安置于第一基板孔至第五基板孔分别对应于第一回流处理单元至第五回流处理单元301a、301b、301c、301d、301e所处的位置上。此后，当旋转板381旋转且因此第一基板孔移动至对应于第一回流处理单元301a的位置处时，第二基板孔至第五基板孔可分别移动至对应于第二回流处理单元至第五回流处理单元301b、301c、301d、301e的位置。经由上述方式，基板通过第一回流处理单元至第五回流处理单元301a、301b、301c、301d、301e的全部而执行回流制程。驱动器382连接至旋转板381以使旋转板381旋转。
支撑板390包括上部支撑板398与下部支撑板399。上部支撑板398具有带预定厚度的平板形状。上部支撑板398亦可具有圆板形状。支撑板390在其顶表面中具有一个凹槽或多个凹槽391至396。具体而言，一个凹槽或多个凹槽391至396系藉由使形成于下部支撑板399的凹槽与形成于上部支撑板398的孔结合而形成。根据一实施例，支撑板390具有六个凹槽391至396。此处，凹槽391至396可以预定距离安置。此外，凹槽391至396可在支撑板390顶表面上布置成圆环形状。制程腔室310可提供在多个凹槽391至396中的一部分或全部中。根据一实施例，回流处理单元301可提供在六个凹槽391至396中的五个凹槽392至396中。可将未提供回流处理单元301的入口凹槽391用作基板藉以转移至基板处理模块300中的信道。入口凹槽391可界定成比其他凹槽392至396更接近于基板转移模块200。开口397界定在支撑板390的一侧表面中。开口397可充当基板转移模块200藉以连接至基板处理模块300的信道。基板经由开口397转移，且开口397与入口凹槽391连通。
支撑板390包括上部支撑板398及下部支撑板399。上部支撑板398及下部支撑板399具有相同的截面积。
图4为例示出图1的清洁单元的横截面图。
参考图4，清洁单元400包括清洁腔室410、基板支撑构件430以及流体供应构件450及470。清洁单元400安置于基板处理模块300内。清洁单元400可提供为多个。根据一实施例，清洁单元400可安置于清洁单元400与基板转移模块200接触所处的位置上。此外，清洁单元400可安置于回流处理单元301上方。因此，可有效地利用基板处理模块300的内部空间。
一般而言，执行回流制程的基板处理装置不包括清洁单元。然而，由于自外部引入的杂质及在回流处理制程期间产生的助熔剂，基板处理制程的效率可降低。根据本发明的一实施例，基板处理装置可包括清洁单元400以改良基板处理制程的可靠性。另外，可减少清洁基板所需的时间以改良基板处理制程的效率。
清洁腔室410提供清洁基板的空间。藉以收进或取出基板的基板转移部件415安置于清洁腔室410的一侧表面中。用于打开或关闭基板转移部件415的门413安置于基板转移部件415的外表面上。根据一实施例，基板转移部件415可安置于面对基板转移模块200的清洁腔室410的表面中。
基板支撑构件430包括真空吸盘431、支撑轴432及驱动部件433。基板支撑构件430安置于清洁腔室410内。
真空吸盘431安置于基板支撑构件430的上末端上。真空吸盘431支撑转移至清洁腔室410中的基板。真空吸盘431将真空压力提供至该真空吸盘的上部分。真空吸盘431藉由使用真空压力来固定基板。另一方面，基板可藉由使用机械夹器或静电吸盘来固定。
支撑轴432将驱动部件433连接至真空吸盘431。支撑轴432具有连接至真空吸盘431下末端的一末端及连接至驱动部件433上末端的另一末端。当驱动部件433旋转时，支撑轴432可将旋转力传送至真空吸盘431中。
驱动部件433与制程腔室310的底表面接触。驱动部件433可包括马达以产生旋转动力。另一方面，驱动部件433可不旋转。
流体供应构件450及470包括第一流体供应构件450及第二流体供应构件470。根据一实施例，第一流体供应构件450可供应去离子水(DIW)。此外，第二流体供应构件470可供应氮气(N2)。
第一流体供应构件450包括喷嘴臂451、喷嘴452、第一流体供应管线453、第一流体储存部件457、第一流体控制阀455及压力控制部件456。
喷嘴臂451安置于清洁腔室410内。喷嘴臂451包括第一喷嘴臂及第二喷嘴臂。第一喷嘴臂具有与清洁腔室410的顶表面接触的上末端。此外，第一喷嘴臂具有自其上末端垂直向下延伸的另一末端。第一喷嘴臂的另一末端连接至第二喷嘴臂。第二喷嘴臂自第一喷嘴臂的下末端垂直延伸且相对于清洁腔室410的顶表面水平延伸。第二喷嘴臂具有连接至第一喷嘴臂的一末端及另一末端，在该另一末端上喷嘴452安置于该末端的底表面上。根据一实施例，喷嘴臂451可藉由使用第一喷嘴臂作为轴来可旋转地提供。因此，第一流体可均匀地供应至基板的整体表面上。根据一实施例，DIW可用作第一流体。
喷嘴452安置于第二喷嘴臂末端的底表面上。喷嘴452将第一流体喷洒至基板上。
第一流体供应管线453将第一流体储存部件457连接至喷嘴臂451。第一流体储存部件457储存第一流体。储存在第一流体储存部件457中的第一流体经由第一流体供应管线453移动至喷嘴452中。第一流体控制阀455安置于第一流体供应管线453中。第一流体控制阀455可控制流入第一流体供应管线453中的第一流体的流动速率。压力控制部件456连接至第一流体控制阀455。压力控制部件456控制第一流体控制阀455以控制喷洒的第一流体的压力。
第二流体供应构件470包括第二流体喷洒喷嘴471、第二流体供应管线473、第二流体储存部件477、第二流体控制阀475及压力控制部件。
第二流体喷洒喷嘴471安置于清洁腔室410的顶表面上。根据一实施例，第二流体喷洒喷嘴471可安置于清洁腔室410顶表面的中心部分处。第二流体喷洒喷嘴471将第二流体喷洒至基板上。
第二流体供应管线473将第二流体储存部件477连接至第二流体喷洒喷嘴471。第二流体储存部件477储存第二流体。储存在第二流体储存部件477中的第二流体经由第二流体供应管线473移动至第二流体喷洒喷嘴471。第二流体控制阀475安置于第二流体供应管线473中。第二流体控制阀475可控制流入第二流体供应管线473中的第二流体的流动速率。压力控制部件连接至第二流体控制阀475。压力控制部件控制第二流体控制阀475以控制喷洒的第二流体的压力。
虽然未展示，但是清洁单元400可进一步包括排出构件(未展示)。排出构件(未展示)可将已在清洁单元400内用于清洁的液体排至外部。
或者，可不提供上述清洁单元400。
在下文中，将描述一种基板处理方法，其包括使用根据本发明的一实施例的基板处理装置的回流处理方法。
根据本发明的一实施例的基板处理方法包括：装载制程，其中将附接有焊料凸块的基板自负载端口装载至基板转移模块中；清洁制程，其中在清洁单元内清洁基板及焊料凸块；回流制程，在基板处理模块中对基板执行该回流制程；以及卸除制程，其中将基板转移至负载端口中。
清洁制程可包括：主要清洁制程，其中在回流制程之前清洁基板及焊料凸块；以及次要清洁制程，其中在回流制程之后清洁基板及焊料凸块。此外，清洁制程包括：第一清洁制程，其中将用于清洁基板的第一流体供应至基板上；以及第二清洁制程，其中将用于干燥基板的第二流体供应至基板上。
一般而言，在用于执行回流制程的基板处理制程中的基板清洁制程可藉由使用独立装置来执行。然而，根据本发明的一实施例，清洁制程及回流处理制程可在一个基板处理装置内执行。因此，可减少用于执行包括回流处理制程的基板处理制程所需的时间，从而改良制程效率。此外，其可防止基板处理制程的效率因杂质及助熔剂而降低。
当将执行主要清洁制程的基板自第一制程腔室连续地转移至第五制程腔室时，可执行回流制程。此处，在第一制程腔室至第四制程腔室中，可加热基板及焊料凸块。此外，在第五制程腔室中，可加热或冷却基板及焊料凸块。当基板自第一制程腔室移动至第四制程腔室时，可在制程腔室中每一者内对基板及焊料凸块执行加热制程及回流制程。此后，在第五制程腔室内冷却基板。将通过第一制程腔室至第五制程腔室以完全执行回流制程的基板转移至回流处理单元外部。
对执行回流处理制程的基板执行次要清洁制程。在次要清洁制程中，移除主要在回流制程中产生的助熔剂及杂质。将执行次要清洁制程的基板转移至基板转移模块中。
根据本发明的实施例，可减少回流处理制程所需的时间以改良基板处理制程的效率。
本发明的特征不限于上述内容，而是熟习此项技术者将自本说明书及随附图式清楚地理解本文未描述的其他特征。
以上揭示的发明主题将视为说明性的而非限制性的，且随附申请专利范围意欲涵盖属于本发明的真实精神及范畴内的所有此类修改例、增强例及其他实施例。因此，为达法律所允许的最大程度，本发明的范畴将由以下申请专利范围及其等效物的最广泛许可的解释来判定，且将不受前述详细描述约束或限制。
【符号说明】
91     第一方向
92     第二方向
93     第三方向
100    负载端口
110    载体
200    基板转移模块
210    转移机器人
211    主体
212    臂部件
300    基板处理模块
301    回流处理单元
301a   第一回流处理单元
301b   第二回流处理单元
301c   第三回流处理单元
301d   第四回流处理单元
301e   第五回流处理单元
310    过程腔室
311    上部外壳
312    下部外壳
319a   密封构件
319b   密封构件
321    吸盘
323    加热器
324    支撑轴
330    排出构件
331    排出管线/单独排出管线
332    排出管线/共用排出管线
335    捕集器
340    过程流体供应构件
341    供应喷嘴
342    供应管线
343    阀
345    过程流体储存部件
370    提升构件
371    提升驱动部件
373    支撑件
381    旋转板
382    驱动器
384    基板孔
385    支撑接脚
390    支撑板
391    凹槽
392    凹槽
393    凹槽
394    凹槽
395    凹槽
396    凹槽
398    上部支撑板
399    下部支撑板
397    开口
400    清洁单元
410    清洁腔室
413    门
415    基板转移部件
430    基板支撑构件
431    真空吸盘
432    支撑轴
433    驱动部件
450    流体供应构件/第一流体供应构件
451    喷嘴臂
452    喷嘴
453    第一流体供应管线
455    第一流体控制阀
456    压力控制部件
457    第一流体储存部件
470    流体供应构件/第二流体供应构件
471    第二流体喷洒喷嘴
473    第二流体供应管线
475    第二流体控制阀
477    第二流体储存部件

Claims (25)

1.一种基板处理装置，其包含：
负载端口，容纳基板的载体设座于该负载端口上；
基板处理模块，其包含具有处理空间的一个过程腔室或多个过程腔室，在该处理空间中执行关于该基板的回流过程；
清洁单元，其清洁该基板；以及
基板转移模块，其安置于该负载端口与该基板处理模块之间，
其中该基板转移模块包含转移机器人，该转移机器人在该负载端口、该基板处理模块与该清洁单元之间转移该基板。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中该清洁单元包含：
清洁腔室，其提供执行该清洁过程的空间；
基板支撑构件，其安置于该清洁腔室内以支撑该基板；以及
流体供应构件，其将清洁流体喷洒至该基板上。
3.如权利要求2所述的基板处理装置，其中该基板支撑构件包含真空吸盘，该真空吸盘提供真空压力以真空吸附该基板。
4.如权利要求3所述的基板处理装置，其中该清洁单元进一步包含驱动部件，该驱动部件旋转该真空吸盘。
5.如权利要求2所述的基板处理装置，其中该流体供应构件包含：
第一流体供应构件，其将用于清洁该基板的第一流体供应至该基板；以及
第二流体供应构件，其将用于干燥该基板的第二流体供应至该基板。
6.如权利要求5所述的基板处理装置，其中该流体供应构件进一步包含压力控制部件，该压力控制部件控制将该第一流体及该第二流体供应至该基板的压力。
7.如权利要求1至6中任一项所述的基板处理装置，其中该清洁单元被提供为多个。
8.如权利要求7所述的基板处理装置，其中该清洁单元安置于该基板处理模块内，且
该清洁腔室具有与该基板转移模块接触的侧表面。
9.如权利要求8所述的基板处理装置，其中该负载端口、该基板转移模块及该基板处理模块顺序地布置在第一方向上，且
该多个清洁单元彼此间隔分开地安置于垂直于该第一方向的第二方向上。
10.如权利要求7所述的基板处理装置，其中该过程腔室包含：
下部外壳；以及
上部外壳，其安置成面对该下部外壳，
其中该基板处理模块包含：
旋转板，其具有固定该基板的一个基板孔或多个基板孔，该旋转板安置于该上部外壳与该下部外壳之间；
驱动器，其使该旋转板旋转；以及
提升构件，其提升该下部外壳以打开或关闭该过程腔室。
11.如权利要求10所述的基板处理装置，其中所述基板孔以预定距离界定成圆环形状，且
该旋转板围绕所述基板孔的中心旋转。
12.如权利要求11所述的基板处理装置，其中当自上侧观察时，该多个过程腔室分别经安置以与该多个基板孔重迭。
13.如权利要求10所述的基板处理装置，其中该基板处理模块进一步包含：
过程流体供应构件，其将过程流体供应至该处理空间；
排出构件，其将该处理空间内的流体排出；
支撑构件，其安置于该处理空间内以支撑该基板；以及
加热器，其加热该支撑构件。
14.如权利要求12所述的基板处理装置，其中该基板孔包含第一基板孔至第六基板孔，且该过程腔室包含第一腔室至第五腔室，
其中该基板处理模块经配置以使得该第一基板孔至该第五基板孔安置成分别对应于该第一过程腔室至该第五过程腔室，且当该旋转板旋转且该第六基板孔移动以对应于该第一过程腔室时，该第二基板孔至该第五基板孔移动以分别对应于该第二过程腔室至该第五过程腔室。
15.一种基板处理装置，其包含：
基板处理模块，其包含执行关于基板的回流过程的一个回流处理单元或多个回流处理单元；
清洁单元，其清洁该基板；以及
基板转移模块，其安置于该负载端口与该基板处理模块之间，
其中该基板转移模块包含转移机器人，该转移机器人在该负载端口、该基板处理模块与该清洁单元之间转移该基板。
16.如权利要求15所述的基板处理装置，其中该清洁单元包含：
清洁腔室，其提供执行该清洁过程的空间；
基板支撑构件，其安置于该清洁腔室内以支撑该基板；
驱动器，其旋转真空吸盘；及
流体供应构件，其将清洁流体喷洒至该基板上。
17.如权利要求16所述的基板处理装置，其中该流体供应构件进一步包含：
第一流体供应构件，其将用于清洁该基板的第一流体供应至该基板；及
第二流体供应构件，其将用于干燥该基板的第二流体供应至该基板。
18.如权利要求15至17中任一项所述的基板处理装置，其中该清洁单元被提供为多个，
其中该多个清洁单元安置于该基板处理模块中，该清洁单元具有与该基板转移模块接触的侧表面，且该多个清洁单元彼此间隔分开地安置于垂直于该第一方向的第二方向上。
19.如权利要求15所述的基板处理装置，其中该回流处理单元包含：
过程腔室，其中具有处理空间；
支撑构件，其安置于该处理空间内；
排出构件，其连接至该过程腔室的顶表面以将该处理空间内的流体排出；以及
气体供应构件，其将过程气体供应至该处理空间中，
其中该过程腔室包含：
下部外壳；以及
上部外壳，其安置成面对该下部外壳，
其中该基板处理模块进一步包含：
旋转板，其具有固定该基板的一个孔或多个孔，该旋转板安置于该上部外壳与该下部外壳之间；
驱动器，其使该旋转板旋转；以及
提升构件，其提升该下部外壳以打开或关闭该过程腔室。
20.如权利要求19所述的基板处理装置，其中所述孔以预定距离界定成圆环形状，且
该旋转板围绕所述孔的中心旋转。
21.如权利要求20所述的基板处理装置，其中当自上侧观察时，该多个过程腔室经安置以分别与该多个孔重迭。
22.一种基板处理方法，其藉由使用如权利要求1所述的基板处理装置来对基板执行回流处理，该基板处理方法包含：
装载过程，其中将焊料凸块所附接的该基板自该负载端口装载至该基板转移模块；
清洁过程，其中在该清洁单元中清洁该基板及该焊料凸块；
回流过程，其中在该基板处理模块中回流处理该基板；以及
卸除过程，其中将该基板转移至该负载端口中。
23.如权利要求22所述的基板处理方法，其中该清洁过程包含：
主要清洁，其中在该回流过程之前清洁该基板及该焊料凸块；以及
次要清洁，其中在该回流过程之后清洁该基板及该焊料凸块。
24.如权利要求22所述的基板处理方法，其中该清洁过程包含：
洗涤过程，其中将用于洗涤该基板的第一流体供应至该基板上；以
第二清洁过程，其中将用于干燥该基板的第二流体供应至该基板上。
25.如权利要求22所述的基板处理方法，其中当该基板自该第一过程腔室移动至该第五过程腔室时，连续地执行该回流过程，
当该基板及该焊料凸块自该第一过程腔室移动至该第四过程腔室时，加热该基板及该焊料凸块，且
在该第五过程腔室中加热或冷却该基板及该焊料凸块。
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