CN112117232B - 基板支承单元和具有该基板支承单元的基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及基板支承单元和具有该基板支承单元的基板处理装置。一种用于支承基板的装置包括：可转动的旋转头，其支承所述基板；中空轴，其与所述旋转头连接、并将扭矩传递至所述旋转头；喷嘴组件，其设置在所述旋转头的内部空间中从而不旋转，并且将处理液供应到所述基板的背侧；和密封部件，其使用磁性流体密封所述旋转头与所述喷嘴组件之间的间隙。

Description

基板支承单元和具有该基板支承单元的基板处理装置
相关申请的交叉引用
本发明要求于2019年6月21日提交韩国知识产权局的第10-2019-0074238号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用整体并入本文。
技术领域
本文中描述的本发明构思的实施方案涉及用于处理基板的装置。
背景技术
为了制造半导体设备，在半导体基板上形成薄膜。清洁工艺对于形成薄膜是至关重要的。沉积在基板背侧上的薄膜在后续工艺中充当异物。因此，通过使用单基板处理装置去除异物的清洁工艺非常重要，该异物诸如基板背侧上的薄膜。
通常，基板处理装置包括旋转头(spin head)，基板安置在该旋转头上。旋转头通过由驱动电机产生的扭矩来转动。因此，安置在旋转头上的基板被旋转。后喷嘴通过旋转头的中心竖直地安装。在后喷嘴的上端部上设置有盖。盖覆盖旋转头的中心、和围绕旋转头的中心的周围区域。盖具有形成在其中的多个孔，并且化学品通过这些孔分配到基板的背侧以执行清洁工艺。
将用于旋转的轴承施用到基板处理装置的旋转头上以支承后喷嘴单元。然而，当旋转基板时，在基板的中心部分上形成低于大气压力的负压，并且由于该负压，当轴承旋转时产生的颗粒向后流动通过后喷嘴单元和旋转头之间的间隙，而污染基板的背侧。
此外，当下落到旋转头的顶侧的化学品被引入到旋转头和后喷嘴之间的间隙中时，轴承可能会被引入到该间隙中的化学品腐蚀和损坏。
发明内容
本发明构思的实施方案提供了一种基板支承单元，其用于阻碍化学品渗透到旋转头的主体与后喷嘴之间的间隙中，以及一种具有该基板支承单元的基板处理装置。
本发明构思的实施方案提供了一种基板支承单元，其用于阻碍轴承诱导的颗粒逆流，通过旋转头的主体与后喷嘴之间的间隙，以及一种具有该基板支承单元的基板处理装置。
本发明构思所要解决的技术问题不限于上述问题，且本发明构思所属领域的技术人员将从以下描述中清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。
根据一示例性实施方案，一种用于支承基板的装置包括：可转动的旋转头，其支承所述基板；中空轴，其与所述旋转头连接，并且所述中空轴将扭矩传递至所述旋转头；喷嘴组件，其设置在所述旋转头的内部空间中从而不旋转，并且喷嘴组件将处理液供应到所述基板的背侧(backside)；和密封构件，其使用磁性流体密封所述旋转头与所述喷嘴组件之间的间隙。
所述密封构件包括：磁性体，其安装在所述喷嘴组件的主体的外表面上，并且所述磁性体形成磁场；极片，其安装在所述磁性体周围，并且所述极片将所述磁性体的磁通线传递到所述旋转头；和磁性流体，其通过由所述极片传递的磁力来密封所述极片与所述旋转头之间的间隙。
所述旋转头可以包括内向突出物，所述内向突出物从所述旋转头的中空部的内表面突出，以形成所述磁性体的磁通线，其中所述内表面面向所述极片。
所述极片可以包括外向突出物，所述外向突出物从所述磁性体的外表面突出，以形成所述磁性体的磁通线，其中所述外表面面向所述内向突出物。
所述内向突出物与所述极片之间的间隙可以比所述旋转头与所述喷嘴组件之间的间隙窄。
所述极片可以沿着所述中空轴的纵向方向设置在所述磁性体的上端和下端处。
根据一示例性实施方案，一种用于处理基板的装置包括杯(cup)，所述杯中具有处理空间；支承单元，其支承所述处理空间中的所述基板；以及流体供应单元，其将处理流体供应到支承在所述支承单元上的所述基板。所述支承单元包括：可转动的旋转头，其支承基板；中空轴，其与所述旋转头连接，并且所述中空轴将扭矩传递至所述旋转头；后喷嘴组件，其设置在所述旋转头的内部空间中从而不旋转，并且所述后喷嘴组件将处理液供应到所述基板的背侧；和密封构件，其使用磁性流体密封所述旋转头与所述后喷嘴组件之间的间隙。
所述密封构件可以包括：磁性体，其安装在形成于所述后喷嘴组件的主体的外表面上的凹部中，并且形成磁场；极片，其被安装在所述磁性体周围，并且将所述磁性体的磁通线传递到所述旋转头；和磁性流体，其通过由所述极片传递的磁力来密封所述极片与所述旋转头之间的间隙。
所述旋转头可以包括内向突出物，所述内向突出物从所述旋转头的中空部的内表面突出，以形成所述磁性体的所述磁通线，其中所述内表面面向所述极片。
所述极片可以包括外向突出物，所述外向突出物从所述磁性体的外表面突出，以形成所述磁性体的所述磁通线，其中所述外表面面向所述内向突出物。
所述内向突出物与所述极片之间的间隙可以比所述旋转头与所述喷嘴组件之间的间隙窄，并且所述极片可以沿着所述中空轴的纵向方向设置在所述磁性体的上端和下端处。
附图说明
参照以下附图，上述和其他目的及特征将从以下描述中变得显而易见，其中，除非另有说明，否则贯穿各个附图，相同的附图标记指代相同的部件，且其中：
图1为示出了本发明构思的基板处理设备的示意性平面图。
图2为示出了图1的基板处理装置的平面图；
图3为示出了图1的基板处理装置的截面图；
图4为示出了图3的基板支承单元和背侧喷嘴组件的视图；
图5是图4中的细节A的放大；
图6为示出了背侧喷嘴组件的立体图；
图7为示出了密封构件的放大视图；和
图8为示出了密封构件的另一实施方案的视图。
具体实施方式
由于本发明构思允许各种改变和众多实施方案，因此示例性实施方案将在附图中示出并在书面说明书中详细描述。然而，这并非旨在将本发明构思限制于特定的实践模式，且应当理解的是，不脱离本发明构思的精神和范围的所有改变、等同物和替代物都包含在本发明构思中。在描述本发明构思中，当与已知功能或配置相关的详细描述可能使本发明构思的主题模糊时，将省略该详细描述。
本文中使用的术语仅出于描述特定实施方案的目的，且不旨在限制本发明构思的范围。除非另有说明，否则单数形式的术语可以包括复数形式。应当理解，诸如“包括(comprise)”、“包含(include)”和“具有(have)”的术语当在本文中使用时，特指所陈述的特征、数量、步骤、操作、部件(component)、零件(part)或其组合的存在，但不排除一个或多个其他特征、数量、步骤、操作、部件、零件或其组合的存在或增加。
诸如第一、第二等的术语可以用于描述不同的部件，但是该部件不应受术语的限制。术语可以仅用于将一个部件与其他部件区分开。
下文中，将参照附图详细地描述根据本发明构思的实施方案。在参照附图描述实施方案中，不管附图标记如何，相同或相应的部件在附图中设置有相同的附图标记，并将省略其重复描述。
图1为示出了本发明构思的基板处理设备1的示意性平面图。
参照图1，基板处理设备1包括索引模块1000和工艺模块2000。索引模块1000包括装载端口1200和传送框架1400。装载端口1200、传送框架1400和工艺模块2000依序地布置成排。下文中，装载端口1200、传送框架1400和工艺模块2000排列的方向被称为第一方向12。从上面观察时垂直于第一方向12的方向被称为第二方向14，且垂直于包括第一方向12和第二方向14的平面的方向被称为第三方向16。
载体1300被放置在装载端口1200上，载体1300具有容纳在载体1300中的基板W。设置多个装载端口1200。装载端口1200沿第二方向14设置成排。图1示出了索引模块10000包括四个装载端口1200的实施例。然而，装载端口1200的数量可以依据诸如工艺模块2000的工艺效率和占地面积来增加或减少。支承基板W的边缘的槽(未示出)形成在载体1300中。槽被布置在第三方向16上。基板W以沿着第三方向16彼此间隔开的状态堆叠在载体1300中。前开式晶圆传送盒(front opening unified pod,FOUP)可以用作载体1300。
工艺模块2000包括缓冲单元2200、传送腔室2400和工艺腔室2600。传送腔室2400设置成使得其纵向方向平行于第一方向12。工艺腔室2600沿着第二方向14设置在传送腔室2400的一侧和相对侧上。传送腔室2400的一侧上的工艺腔室2600和传送腔室2400的相对侧上的工艺腔室2600关于传送腔室2400以对称布置进行定位。一些工艺腔室2600沿传送腔室2400的纵向方向设置。此外，其他工艺腔室2600在彼此之上相互堆叠。也就是说，工艺腔室2600可以以A×B阵列(A和B为1以上的自然数)方式布置在传送腔室2400的一侧上。此处，“A”为沿第一方向12设置成排的工艺腔室2600的数量，且“B”为沿第三方向16设置成列的工艺腔室2600的数量。当四个或六个工艺腔室2600设置在传送腔室2400的一侧上时，工艺腔室2600可以布置成2×2或3×2阵列。工艺腔室2600的数量可以增加或减少。可替代地，工艺腔室2600可以仅设置在传送腔室2400的一侧上。在另一情况中，工艺腔室2600可以在传送腔室2400的一侧和相对侧上设置在单层中。
缓冲单元2200设置在传送框架1400和传送腔室2400之间。缓冲单元2200提供基板W在传送腔室2400和传送框架1400之间传送之前停留的空间。缓冲单元2200具有槽(未示出)，基板W放置在该槽中。槽(未示出)沿第三方向16彼此间隔开。缓冲单元2200在与传送框架1400相对的一侧处、以及在与传送腔室2400相对的相对侧处是敞开的。
传送框架1400在放置于装载端口1200上的载体1300、与缓冲单元2200之间传送基板W。索引轨道1420和索引机械手1440设置在传送框架1400中。索引轨道1420设置成使得其纵向方向平行于第二方向14。索引机械手1440安装在索引轨道1420上，并在第二方向14上沿着索引轨道1420线性地(rectilinearly)移动。索引机械手1440具有基部1441、主体1442和索引臂1443。基部1441安装成沿着索引轨道1420是可移动的。主体1442耦合至基部1441。主体1442在基部1441上沿第三方向16是可移动的。此外，主体1442在基部1441上是可旋转的。索引臂1443耦合到主体1442，并相对于主体1442可向前和向后移动。设置多个索引臂1443。索引臂1443被独立驱动。索引臂1443沿第三方向16在彼此之上相互堆叠，其间具有间距间隙。一些索引臂1443可以用于将基板W从工艺模块2000传送至载体1300，且其他索引臂1443可以用于将基板W从载体1300传送至工艺模块2000。因此，在索引机械手1440在载体130与工艺模块2000之间传送基板W的工艺中，可以防止从待处理的基板W产生的颗粒粘附至处理过的基板W。
传送腔室2400在缓冲单元2200与工艺腔室2600之间、以及在工艺腔室2600之间传送基板W。传送腔室2400中设置有导轨2420和主机械手2440。导轨2420设置成使得其纵向方向平行于第一方向12。主机械手2440安装在导轨2420上，并沿第一方向12在导轨2420上线性地移动。主机械手2440具有基部2441、主体2442和主臂2443。基部2441安装成沿着导轨2420是可移动的。主体2442耦合至基部2441。主体2442在基部2441上沿第三方向16是可移动的。此外，主体2442在基部2441上是可旋转的。主臂2443耦合到主体2442，并相对于主体2442可向前和向后移动。设置多个主臂2443。主臂2443被独立驱动。主臂2443沿第三方向16在彼此之上相互堆叠，其间具有间距间隙。用于将基板W从缓冲单元2200传送到工艺腔室2600的主臂2443可以不同于用于将基板W从工艺腔室2600传送到缓冲单元2200的主臂2443。
工艺腔室2600的各工艺腔室在其中具有基板处理装置10，在该基板处理装置10中在基板W上执行清洁工艺。依照由基板处理装置10执行的清洁工艺的类型，各个工艺腔室2600中的基板处理装置10可以具有不同的结构。选择性地，各个工艺腔室2600中的基板处理装置10可以具有相同的结构。选择性地，工艺腔室2600可以划分成多个组。属于相同组的工艺腔室2600中的基板处理装置10可以具有相同的结构，而属于不同组的工艺腔室2600中的基板处理装置10可以具有不同的结构。例如，在工艺腔室2600划分成两个组的情况下，第一组工艺腔室2600可以设置在传送腔室2400的一侧上，而第二组工艺腔室2600可以设置在传送腔室2400的相对侧上。选择性地，在传送腔室2400的相对侧上，第一组工艺腔室2600可以设置在下层中，而第二组工艺腔室2600可以设置在上层中。第一组工艺腔室2600可以依照所使用的化学品类型、和清洁工艺类型区分于第二组工艺腔室2600。
在下面的实施方案中，将描述用于通过使用处理流体在基板W上执行清洁工艺、剥离工艺和有机残留物去除工艺的装置，该处理流体诸如包含臭氧的臭氧处理流体、清洗溶液和干燥气体。
图2为示出了图1的基板处理装置的平面图，且图3为示出了图1的基板处理装置的截面图。
参照图2和图3，基板处理装置10包括腔室800、处理容器100、基板支承单元200、加热单元280、流体供应单元300、工艺排出单元500和升降单元600。
腔室800具有密封的内部空间。腔室800在其顶部处配备有气流供应单元810。气流供应单元810在腔室800中形成向下气流。
气流供应单元810过滤高湿度的外部空气并将该高湿度的外部空气供应到腔室800中。高湿度的外部空气在通过气流供应单元810供应到腔室800中的同时形成向下气流。向下气流在基板W上方提供了均匀气流，并且将在通过处理流体处理基板W表面的过程中产生的污染物、与空气一起通过处理容器100的回收碗110、120和130而释放到工艺排出单元500。
腔室800通过水平分隔壁814被分隔成工艺区域816和维护区域818。处理容器100和基板支承单元200位于工艺区域816中。除了与处理容器100连接的排出管线510和排放管线141、143和145之外，升降单元600的致动器、与流体供应单元300连接的致动器、以及供应管线位于维护区域818中。维护区域818与工艺区域816隔离开。
处理容器100具有顶部敞开的圆柱形形状，并且提供用于处理基板W的处理空间。处理容器100的敞开的顶侧用作将基板W搬入或搬出处理容器100所通过的通道。基板支承单元200位于工艺空间中。当在工艺期间基板支承单元200支承基板W的情况下，基板支承单元200旋转基板W。
处理容器100在其底部处具有下部空间，排出管道190连接至该下部空间以执行强制排出(forced exhaust)。处理容器100包括第一至第三回收碗110、120和130，该第一至第三回收碗110、120和130以多级设置，并且接收(take in)旋转的基板W上方散射(scattered)的处理液和气体。
第一至第三环形回收碗110、120和130具有排出孔H，排出孔H连接至一个公共环形空间。
具体地，第一至第三回收碗110、120和130的各回收碗包括：具有环形形状的底壁；以及具有从该底壁延伸的圆柱形形状的侧壁。第二回收碗120围绕第一回收碗110，并与第一回收碗110间隔开。第三回收碗130围绕第二回收碗120，并与第二回收碗120间隔开。
第一至第三回收碗110、120和130分别具有第一至第三回收空间RS1、RS2和RS3，包含从基板W散射的处理液和烟雾的气流被引入至该回收空间RS1、RS2和RS3中。第一回收空间RS1由第一回收碗110限定，第二回收空间RS2由第一回收碗110和第二回收碗120之间的间隔空间限定，且第三回收空间RS3由第二回收碗120和第三回收碗130之间的间隔空间限定。
第一至第三回收碗110、120和130的各回收碗的顶侧在中心是敞开的。第一至第三回收碗110、120和130的各回收碗包括倾斜壁，该倾斜壁是向上倾斜的，使得倾斜壁和相应的底壁之间的距离从侧壁到敞开的顶侧逐渐增加。从基板W散射的处理液沿第一至第三回收碗110、120和130的顶侧流入到回收空间RS1、RS2和RS3中。
引入到第一回收空间RS1的第一处理液体通过第一回收管线141被排放到外部。引入到第二回收空间RS2的第二处理液通过第二回收管线143被排放到外部。引入到第三回收空间RS3的第三处理液通过第三回收管线145被排放到外部。
工艺排出单元500负责处理容器100的排空(evacuation)。例如，工艺排出单元500将排出压力(抽吸压力)施用到第一至第三回收碗110、120和130中的一个回收碗，该一个回收碗在工艺期间回收处理液。工艺排出单元500包括与排出管道190和阻尼器(damper)520连接的排出管线510。排出管线510接收来自排出泵(未示出)的排出压力，并与掩埋在半导体制造管线底部下方的主排出管线连接。
处理容器100与改变处理容器100的竖直位置的升降单元600结合。升降单元600在竖直方向上线性地移动处理容器100。当竖直地移动处理容器100时，处理容器100的高度相对于基板支承单元200被改变。
升降单元600包括支架612、可移动轴614、和致动器616。支架612固定地附接至处理容器100的外壁。可移动轴614固定地耦合至支架612并由致动器616竖直地移动。当基板W装载到旋转头210上或从旋转头210卸载时，降低处理容器100以允许旋转头210进一步突出超过处理容器100。此外，在工艺期间，依据供应到基板W上的处理液的类型来调节处理容器100的高度，以允许将处理液分别引入到预设的回收碗110、120和130中。处理容器100的竖直位置相对于基板W是变化的。处理容器100可以改变回收到各个回收空间RS1、RS2和RS3中的处理液和污染气体的类型。根据一实施方案，升降单元600竖直地移动处理容器100，以改变处理容器100相对于基板支承单元200的竖直位置。
液体分配单元360包括喷嘴支承杆362、喷嘴364、支承轴366、和致动器368。
支承轴366被设置成使得其纵向方向平行于第三方向16，且致动器368耦合至支承轴366的下端。致动器368旋转、提升和下降支承轴366。喷嘴支承杆362垂直耦合至与支承轴366的下端相对的支承轴366的上端，致动器388耦合至支承轴366的下端。喷嘴364安装在喷嘴支承杆362的远端的底表面上。喷嘴364通过致动器368在工艺位置和待机位置之间移动。工艺位置为喷嘴364位于处理容器100正上方的位置，而待机位置为喷嘴364偏离处理容器100正上方的位置。喷嘴364将液体分配到基板W上。
基板支承单元200包括旋转头210、转动轴220、致动器230、背侧喷嘴组件240和密封构件250。
连接到旋转头210的转动轴220通过致动器230旋转，并且因此，旋转安装在旋转头210上的基板W。通过转动轴220轴向插入的背侧喷嘴组件240将化学品分配到基板W的背侧。旋转头210具有支承构件，该支承构件支承与旋转头210向上间隔开的基板W。支承构件包括多个卡紧销(chucking pin)211和多个支承销222，该多个卡紧销211从旋转头210的上表面的边缘部分向上突出并且以预定间隔彼此间隔开，该多个支承销222安装在卡紧销211的内部并且从旋转头210的上表面向上突出。转动轴220连接到旋转头210。转动轴220具有中空轴形状，并将致动器230的扭矩传递到旋转头210，该制动器230将在下面描述。
加热单元290安装在基板支承单元200内侧。为了方便起见，从截面图中省略了加该热单元290。加热单元290在清洁工艺期间加热基板W。加热单元290可以安装在旋转头210内侧。可以设置多个加热单元290。加热单元290可以具有不同的直径。加热单元290可以具有环形形状。例如，加热单元290可以以环形形状的多个灯具来实施。加热单元290可以被细分(subdivide)为多个同心的区段(section)。灯具可以设置在区段中以独立加热这些区段。灯具可以是相对于旋转头210的中心以不同半径而同心地布置。
图4为示出了图3的基板支承单元和背侧喷嘴组件的视图。图5是图4中的细节A的放大。图6为示出了背侧喷嘴组件的立体图。图7为示出了密封构件的放大图。
参照图4到图8，背侧喷嘴组件240安装在旋转头210和转动轴220的中空部中。背侧喷嘴组件240由设置在转动轴220内侧的轴承支承。因此，在工艺期间，旋转头210和转动轴220通过致动器230旋转，而背侧喷嘴组件240不旋转。
背侧喷嘴组件240可包括主体242和喷嘴轴241。
主体242可以位于旋转头210的中空部中。主体242可以包括体部244和喷嘴头246。
具有中空形状的喷嘴轴241可以耦合至体部244的下端。喷嘴轴241中的中空部可以与体部244中的中空部连接。喷嘴轴241插入到转动轴220的中空部中。轴承222安装在喷嘴轴241和转动轴220之间。轴承222的外圈(outer race)固定地插入到转动轴220中，并且喷嘴轴241固定地插入到轴承222的内圈中。转动轴220通过致动器230旋转，而喷嘴轴241不旋转，因为喷嘴轴241固定地插入到轴承222的内圈中。
喷嘴盖(cap)247可以安装在喷嘴头246上。喷嘴盖247具有伞形，并且覆盖旋转头210的上表面的一部分。
将处理液分配到基板W背侧的背侧喷嘴272设置在主体242和喷嘴轴241的中空部中，并且该背侧喷嘴272插入到主体242中，使得背侧喷嘴272的上端进一步向上突出超过喷嘴头246。
由于上述耦合关系，旋转头210和转动轴220被旋转，而背侧喷嘴组件240不旋转。
密封构件250是使用磁性流体密封主体242与旋转头210之间的间隙(gap)(间隔(clearance))K的装置。
例如，密封构件250可以包括用作磁通量产生装置的磁性体252、用作磁通量传递装置的极片(pole piece)254、以及磁性流体256。磁性体252可以以用于形成磁力(magnetism)的永磁体来实施，并且磁性体252可以安装在体部244的外表面上。体部244可以具有在其外表面上沿圆周方向形成的安装槽，并且磁性体252和极片对(the pair ofpole pieces)254可以具有环形形状并且可以安装在安装槽中。
极片对254位于磁性体252的上端和下端处，以将磁性体252的磁通线(magneticflux line,MFL)传递到旋转头210。极片254由磁性材料形成。
磁性流体256通过由极片254传递的磁力来密封极片254与旋转头210之间的间隙。
磁性流体256通过由磁性体252产生的磁通量而保持在间隙K中，间隙K形成在极片对254和旋转头210的中空部的内表面213之间。磁性流体256可以是通过使用表面活性剂将超细磁性颗粒分散在溶剂或油中而获得的公知的磁性流体，并且可以具有通过沿着磁通量移动而被捕获在磁场中的性质。磁性流体256可以确保极片254与旋转头210的中空部的内表面213之间的密封效率。
同时，旋转头210可以包括具有环形形状的内向突出物258，该内向突出物258从面向极片254的旋转头210中空部的内表面213突出。内向突出物258可以从旋转头210的中空部的内表面213突出，以形成磁性体252的磁通线(MFL)，该内表面面向极片254。因此，磁性流体256可以被更稳定地保持在间隙K中。作为参考，磁性流体256被保持在内向突出物258和极片254之间。因为内向突出物258和极片254之间的间隔K1比旋转头210和背侧喷嘴组件240之间的间隙K窄，所以更有效的密封是可能的，并且磁性流体256向下流动的现象可以被最小化。如果不存在内向突出物，则磁性流体256会被广泛地保持在极片254的整个表面上，因此密封效率会相对降低。
在该实施方案中，各极片254的三个内向突出物258，即总共六个内向突出物258沿着间隔形成，因此可以实现提供六层密封结构的显著效果。即，可以利用增加内向突出物258的数量来实施多重密封结构。
如上所述，本发明构思可以有效地防止由于在旋转头210与背侧喷嘴组件240之间的间隔中产生的污染颗粒逆流而污染基板W，以及由于化学品通过间隔的渗透而导致的轴承222腐蚀和污染。
图8为示出了密封构件的另一实施方案的视图。
如图8所示，密封构件的特征在于，极片254包括从极片254的外表面突出的外向突出物259，以形成磁性体252的磁通线，该外向突出物259面向内向突出物258。磁性流体256位于内向突出物258与外向突出物259之间。
如上所述，根据本发明构思的实施方案，可以以非接触方式阻碍化学品渗透到旋转头与背侧喷嘴组件之间的间隙中，从而可以防止轴承污染。
根据本发明构思的实施方案，旋转头与背侧喷嘴组件之间的间隙可以由磁性流体密封。因此，可以防止从轴承产生的颗粒流回到基板，从而可以防止基板的污染。
本发明构思的效果不限于上述效果，且本发明构思所属领域的技术人员可以从本说明书和附图中清楚地理解本文中未提及的任何其他效果。
以上描述例证了本发明构思。此外，上述内容描述了本发明构思的示例性实施方案，并且本发明构思可以用于各种其他的组合、变化和环境中。也就是说，在不脱离本说明书中公开的本发明构思的范围、与书面公开的等同范围、和/或本领域技术人员的技术或知识范围的情况下，可以对本发明构思进行变化或修改。书面实施方案描述了实施本发明构思的技术精神的最佳状态，且可以进行本发明构思的特定应用和目的所需的各种改变。因此，本发明构思的详细描述并非旨在将发明构思限制在所公开的实施方案状态中。另外，应当解释为，所附权利要求包括其他的实施方案。
虽然已经参照示例性实施方案描述了本发明构思，但对于本领域的技术人员来说将显而易见的是，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，可以做出各种改变和修改。因此，应当理解的是，上述实施方案并非限制性的，而是说明性的。

Claims (9)

1.一种用于支承基板的装置，所述装置包括：
可转动的旋转头，其配置为支承所述基板；
中空轴，其与所述旋转头连接，并且所述中空轴配置为将扭矩传递至所述旋转头；
喷嘴组件，其设置在所述旋转头的内部空间中从而不旋转，并且所述喷嘴组件配置为将处理液供应到所述基板的背侧；和
密封构件，其配置为使用磁性流体密封所述旋转头与所述喷嘴组件之间的间隙，
其中所述密封构件包括：
磁性体，其安装在第一构件上，所述第一构件是所述喷嘴组件的主体、和所述旋转头中的一个，所述旋转头配置为围绕所述主体；
极片，其安装在所述磁性体周围、并且所述极片配置为将所述磁性体的磁力传递到第二构件，所述第二构件是所述喷嘴组件的所述主体、和所述旋转头中的另一个；和
磁性流体，其设置在所述第二构件和所述极片之间，并且所述磁性流体配置为通过由所述极片传递的所述磁力来密封所述第二构件与所述极片之间的间隙。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述旋转头包括内向突出物，所述内向突出物从所述旋转头的中空部的内表面突出，以形成所述磁性体的磁通线，所述内表面配置为面向所述极片。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述极片包括外向突出物，所述外向突出物从所述磁性体的外表面突出，以形成所述磁通线，所述外表面配置为面向所述内向突出物。
4.根据权利要求2所述的装置，其中，所述内向突出物与所述极片之间的间隙比所述旋转头与所述喷嘴组件之间的间隙窄。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述极片沿着所述中空轴的纵向方向设置在所述磁性体的上端和下端处。
6.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
杯，所述杯中具有处理空间；
支承单元，其配置为支承所述处理空间中的所述基板；和
流体供应单元，其配置为将处理流体供应至支承在所述支承单元上的所述基板；
其中，所述支承单元包括：
可转动的旋转头，其配置为支承所述基板；
中空轴，其与所述旋转头连接，且所述中空轴配置为将扭矩传递到所述旋转头；
后喷嘴组件，其设置在所述旋转头的内部空间中从而不旋转，并且所述后喷嘴组件配置为将处理液供应到所述基板的背侧；和
密封构件，其配置为使用磁性流体密封所述旋转头与所述后喷嘴组件之间的间隙；
所述密封构件包括：
磁性体，其安装在凹部中，所述凹部形成在所述后喷嘴组件的主体的外表面上，并且所述磁性体配置为形成磁场；
极片，其安装在所述磁性体周围，并且所述极片配置为将所述磁性体的磁通线传递到所述旋转头；和
磁性流体，其配置为通过由所述极片传递的磁力来密封所述极片与所述旋转头之间的间隙。
7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述旋转头包括内向突出物，所述内向突出物从所述旋转头的中空部的内表面突出，以形成所述磁性体的所述磁通线，所述内表面配置为面向所述极片。
8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述极片包括外向突出物，所述外向突出物从所述磁性体的外表面突出，以形成所述磁通线，所述外表面配置为面向所述内向突出物。
9.根据权利要求7所述的装置，其中，所述内向突出物与所述极片之间的间隙比所述旋转头与所述喷嘴组件之间的间隙窄，并且
其中，所述极片沿着所述中空轴的纵向方向设置在所述磁性体的上端和下端处。
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