CN104345292B - 磁传感器测试装置和方法 - Google Patents

Abstract

提供一种磁传感器测试装置和磁传感器测试方法。该磁传感器测试装置包括被配置成产生磁场的垂直线圈和至少一个外围线圈。磁传感器测试装置和方法可以测试半导体晶片上的磁传感器。

Description

磁传感器测试装置和方法

相关申请的交叉引用

本申请根据35USC119（a）主张2013年8月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2013-0094134号的权利，在此引入其全部公开内容作为参考以用于所有目的。

技术领域

以下描述涉及一种用于测试磁传感器的磁传感器测试装置和方法。

背景技术

晶片可以与包括多个芯片的半导体衬底相对应，并且多个芯片可以与磁传感器相对应。通常，磁传感器将多个芯片中的每个芯片分开，从而遵循封装过程，并且在封装之后可以测试每个磁传感器。

磁传感器的相关技术在美国申请第2013-0009659号中公开。美国申请第2013-0009659号可以在探针卡中的多轴处配备线圈，以测试封装状态中的磁传感器。

通常，在封装过程期间或之后，当磁传感器被确定为异常传感器时，用于重制正常磁传感器的成本和时间增加。

发明内容

提供本发明内容以简化形式介绍构思的选择，所述构思会在下面的具体实施方式中进一步描述。本发明内容不旨在标识所要求保护的主题的关键特征或本质特征，也不旨在被用于帮助确定所要求保护的主题的范围。

在一个一般方面中，磁传感器测试装置包括：磁传感器；垂直线圈；以及至少一个外围线圈。

所述磁传感器测试装置可以包括：包括磁传感器的晶片；以及探针卡，并且所述垂直线圈可以被安排在所述晶片之上并且所述至少一个外围线圈可以被对称地安排在所述垂直线圈周围。

所述至少一个外围线圈可以被配置成在所述晶片的水平方向中产生磁场。

所述至少一个外围线圈可以被安排成与所述晶片的表面成锐角。

所述至少一个外围线圈可以包括四个线圈。

所述锐角可以小于90度。

所述四个线圈可以包括：安排在第一轴方向中的一对第一线圈；以及安排在第二轴方向中的一对第二线圈，所述第二轴方向垂直于所述第一轴方向。

所述磁传感器测试装置可以包括被配置成检测从所述磁传感器输出的测试信号的多个探针顶端。

所述至少一个外围线圈可以与所述垂直线圈隔开一定距离。

在另一个一般方面中，一种磁传感器测试方法包括：在垂直方向中产生磁场；以及在水平方向中产生磁场。

所述磁传感器测试方法可以应用于包括多个磁传感器的晶片；在垂直方向中产生磁场可以包括在所述晶片的垂直方向中产生磁场；以及在水平方向中产生磁场可以包括在所述晶片的水平方向中产生磁场。

在垂直方向中产生磁场可以包括将电流施加到垂直线圈以测试磁场的垂直分量的强度。

在水平方向中产生磁场可以包括将电流施加到所述第一和第二线圈对以测试磁场的水平分量的强度，该第一和第二线圈对被安排成与所述晶片的表面成锐角。

分别在垂直方向和水平方向中产生磁场可以包括测试所述多个磁传感器是否正常工作。

在垂直方向中产生磁场和在水平方向中产生磁场的执行顺序可以互不相关。

在另一个一般方面中，一种磁传感器测试装置包括：探针；安排在所述探针的中心的垂直线圈；以及对称地安排在所述垂直线圈周围的两个或更多个外围线圈。

所述磁传感器测试装置可以包括含有磁传感器的晶片。

所述两个或更多个外围线圈可以安排成与所述晶片的表面成锐角。

所述两个或更多个外围线圈可以是离所述垂直线圈等距安排的四个外围线圈。

所述两个或更多个外围线圈可以安排成45度角且产生均匀磁场。

根据下面的详细描述、附图和权利要求，其他特征和方面将是明显的。

附图说明

图1示出了磁传感器测试装置的示例；

图2示出了安排在磁传感器测试装置的探针卡中的多个线圈的示例；

图3示出了在安排在磁传感器测试装置的探针卡中的线圈中产生的磁场的示例；

图4示出了磁传感器测试装置中的磁传感器测试过程的示例；

图5A和5B示出了磁传感器测试装置的示例；

图6示出了根据通过磁传感器中心以外的磁传感器测试装置的第一和第二线圈而产生的角度的磁场强度的示例；

图7示出了根据磁传感器测试装置中的第一和第二线圈的角度的、关于第一和第二轴的磁场均匀性的示例。

在整个附图和详细描述中，除非另有描述或提供，否则相同的附图参考号码应当理解为指相同的元素、特征和结构。为了清楚、说明和方便，附图可能未按比例，并且可能夸大了元素的相对尺寸、比例和描绘。

具体实施方式

提供以下详细描述以帮助读者获得对本文所描述的方法、装置和/或系统的全面理解。然而，本文所描述的系统、装置和/或方法的各种改变、修改和等价物对于本领域普通技术人员而言是显而易见的。所描述的处理步骤和/或操作的进展是示例性的；然而，处理步骤和/或操作的顺序不限于本文阐述的顺序，而是可以如现有技术中已知的那样来更改，除了必须以特定顺序进行的步骤和/或操作之外。同样，为了更加清楚和简明，可以省略本领域普通技术人员已知的功能和构造描述。

本文所描述的特征可以以不同形式来体现，并且不应当被看做是限于本文所描述的示例。相反，本文所描述的示例已经被提供以使得本公开彻底和完整，并且将本公开的全部范围传达给本领域的普通技术人员。

图1是示出了磁传感器测试装置的示例的剖面图，并且图2是示出了安排在图1的磁传感器测试装置的探针卡中的多个线圈的示例的透视图。

参照图1和2，磁传感器测试装置100包括晶片10、探针卡20、至少一个外围线圈110、垂直线圈120和多个探针定顶端130。

晶片10是包括磁传感器的半导体薄板，并且可以在测试磁传感器是否正常工作时被切割成特定大小。通过使用磁场来完成测试。根据安排在探针卡20中的垂直线圈120和至少一个外围线圈110，来产生磁场。

探针卡20对应于连接磁传感器和用于测试半导体的工作（即测试磁传感器的工作）的测试头的设备。当探针顶端130接触安排在晶片10上的磁传感器时，探针卡20可以送电。在该示例中，根据通过送电而接收的反馈信号，探针卡20选择异常磁传感器。探针卡20包括PCB（印刷电路板）20-1、支撑单元20-2和至少一个外围线圈110。在该示例中，PCB20-1可以安排在探针卡20的上侧上，并且可以通过与PCB20-1的两个下侧相连接的支撑单元20-2来支撑至少一个外围线圈110。支撑单元20-2可以实现为“L”型。

至少一个外围线圈110安排在探针卡20中，并且对称地安排在垂直线圈120周围。

至少一个外围线圈110在安排在晶片10上的磁传感器的上侧上产生磁场，并且在探针卡20中被安排成与晶片10的表面成锐角“a”。锐角“a”可以关于在磁传感器的上侧上产生的磁场而提高至少一个外围线圈110的发送和接收的灵敏度。所述磁传感器包括根据霍尔效应而作出反应的霍尔元件。

当至少一个外围线圈110接收电流时，至少一个外围线圈110产生磁场，并且至少一个外围线圈110的两端可以被分成N极和S极以产生磁场。在该示例中，磁场可以显示为从N极指向S极的磁场磁力线的曲线，并且磁场磁力线可以被生成为不中断且不彼此相交。

至少一个外围线圈110可以以椭圆形而生成，并且可以在晶片10上产生水平方向的磁场。例如，至少一个外围线圈110可以包括二个或四个线圈。

至少一个外围线圈110可以在水平方向的第一和第二轴方向中产生磁场，以关于第一和第二轴方向的磁场而顺次地或同时地测试所述磁场传感器是否正常工作。例如，第一轴可以与笛卡尔坐标系的X轴相对应，而第二轴可以与笛卡尔坐标系的Y轴相对应。

至少一个外围线圈110可以被倾斜地安排成朝向晶片10成锐角“a”。换句话说，在晶片10的表面上，至少一个外围线圈110可以不被安排成垂直或水平方向，而是可以安排成小于90°的倾斜。例如，至少一个外围线圈110可以被安排成在线圈绕组方向和晶片10表面之间的小于90度的角。

当探针顶端130的一侧接触晶片10的磁传感器时，至少一个外围线圈110可以关于第一轴方向（即X轴）和第二轴方向（即Y轴）而产生磁场，以测试磁传感器是否正常工作。例如，至少一个外围线圈110可以产生磁传感器的第一和第二轴的均匀磁场。至少一个外围线圈110可以顺序地或同时地关于第一和第二轴中的每一个而产生磁场。

在示例中，至少一个外围线圈110可以安排成与晶片10表面成小于90度的角。例如，至少一个外围线圈110可以安排成45度角。因此，当至少一个外围线圈110安排成45度角时，每个磁传感器都可以通过至少一个外围线圈110在晶片10中产生均匀的磁场强度。

至少一个外围线圈110可以包括被安排成与水平平行面以70至110度角彼此相对的不止一个外围线圈110。至少一个外围线圈110可以被实现为彼此电连接的亥姆霍兹线圈。例如，亥姆霍兹线圈与两个同轴线圈中的每一个隔开预定半径，并且磁场可以在两个同轴线圈之间被恒定地产生。

至少一个外围线圈110可以与垂直线圈120隔开一定距离。同样，至少一个外围线圈110可以与磁传感器的上侧隔开相同距离。在示例中，所述距离可以与磁传感器的总宽度成比例，以在磁传感器处产生均匀磁场。参照图3a，至少一个外围线圈110可以与磁传感器的上侧隔开距离b，并且可以被安排在第一和第二轴中的每一个中。当至少一个外围线圈110接收要与N极和S极隔开的电流时，至少一个外围线圈110在隔开的距离b之间产生磁场301a，以将均匀磁场301a施加于晶片10上的磁传感器。图3a示出了从被安排在第一或第二轴中的至少一个外围线圈110产生的磁场301a的示例。

垂直线圈120被安排在晶片10中的探针卡20中，并且产生垂直方向的磁场。

垂直线圈120被实现为螺线管型的线圈、被安排在由探针卡20中的至少一个外围线圈110所产生的磁场中并且覆盖所述上侧上的磁传感器，以关于第三轴而测试磁传感器是否正常工作。

在示例中，由于探针卡20通过利用至少一个外围线圈110而关于第一和第二轴方向产生的磁场来测试磁传感器是否正常工作，因此垂直线圈120可以接收电流以关于该磁传感器的第三轴而测试该磁传感器是否正常工作。例如，第一、第二和第三轴的执行顺序可以是彼此不相关的。

参照图3b，根据磁传感器的总宽度，可以确定垂直线圈120的半径。例如，垂直线圈120的半径可以与磁传感器的总宽度成比例。垂直线圈120的半径可以覆盖磁传感器的总宽度以使磁场覆盖磁传感器的整个表面。在另一示例中，垂直线圈120的半径可以覆盖磁传感器中心周围的磁传感器的总宽度的一部分，以产生到磁传感器的整个表面的磁场。

垂直线圈120可以被安排在磁传感器表面上被安排成彼此相对的一个或多个外围线圈110之间。当垂直线圈120接收要与N极和S极隔开的电流时，垂直线圈120可以产生磁场301b以在磁传感器处施加均匀磁场。图3b示出了从安排在第三轴中的垂直线圈120产生的磁场301b的示例。

根据至少一个外围线圈110或垂直线圈120中产生的磁场，多个探针顶端130检测从所述磁传感器输出的测试信号。

在示例中，多个探针顶端130可以发送用于利用测试头来检测被测试的磁传感器是否正常工作的测试信号。被测试的磁传感器是根据在至少一个外围线圈110或垂直线圈120中产生的磁场来被测试的。例如，测试头可以分析从多个探针顶端130接收的测试信号，以将接收的测试信号与反映磁传感器正常工作的预定测试信号值进行比较。当从探针顶端130接收的测试信号值和反映正常工作的测试信号值相等时，测试头可以将磁传感器测量为正常工作。此外，当从探针顶端130接收的测试信号值和反映正常工作的测试信号值不同时，测试头可以将磁传感器测量为故障。

图4是示出了应用于图1的磁传感器测试装置的预先产生的磁传感器测试过程的示例的流程图。

参照图4，磁传感器测试装置100将电流或电压施加到被安排在探针卡20上且与晶片10表面成锐角的第一线圈对110（步骤S401）。

该第一线圈对110被对称地安排在垂直线圈120周围的第一轴方向中，并且以椭圆形而被产生从而关于第一轴方向（即水平分量）的磁场强度而测试所述磁传感器是否正常工作（步骤S402）。例如，所述第一轴可以与X轴相对应。

磁传感器测试装置100将电流或电压施加到被安排在探针卡20上且与晶片10表面成锐角的第二线圈对110（步骤S403）。

该第二线圈对110被对称地安排在垂直线圈120周围的第二轴方向中，并且以椭圆形而被产生从而关于第二轴方向（即垂直分量）的磁场强度而测试所述磁传感器是否正常工作（步骤S404）。该第二轴方向具有与该第一轴方向的垂直关系。例如，该第二轴可以与Y轴相对应。

参照图5a，外围线圈对110a可以被安排用来在第一和第二轴的每个轴处产生节点。例如，与外围线圈对110a的一侧相垂直的延长线可以与第一和第二轴（即X和Y轴）中的每一个相交以产生节点。外围线圈对110a可以被安排成与晶片10表面成小于90度的角。外围线圈对110a可以对应于以45度安排的亥姆霍兹线圈，从而关于所述第一和第二轴方向中每一个的磁场强度而测试磁传感器是否正常工作。为方便起见而示出了45度角，但其不应当用于限制本发明的范围。

在示例中，在从左上角到多个探针顶端130的延长线与从右下角到多个探针顶端130的延长线之间，外围线圈对110a与垂直线圈120隔开相等的距离。在另一示例中，在从左下角到多个探针顶端130的延长线与从右上角到多个探针顶端130的延长线之间，外围线圈对110a与垂直线圈120隔开相等的距离。

参照图5b，第一线圈对110b-1可以被安排在第一轴中（即X），该第一轴方向具有与第二轴方向（即Y）的垂直关系，并且第二线圈对110b-2可以被安排在第二轴中（即Y），该第二轴方向具有与第一轴方向（即X）的垂直关系。在该示例中，第一线圈对110b-1和第二线圈对110b-2中的每一个都可以对应于被安排在探针卡20的支撑单元20-2中且与晶片10表面成45度角的亥姆霍兹线圈。第一线圈对110b-1和第二线圈对110b-2中的每一个都可以关于第一和第二轴方向（即X和Y轴）中每一个的磁场强度而顺次地测试磁传感器是否正常工作。第一线圈对110b-1和第二线圈对110b-2中的每一个都与垂直线圈120隔开一定距离以被安排成彼此平行相对。

磁传感器测试装置100被安排在由第一线圈对110b-1和第二线圈对110b-2产生的磁场中，并且将电流施加到覆盖上侧上的磁传感器的垂直线圈120（步骤S405）。

垂直线圈120以圆形而被产生以关于第三轴方向（即垂直分量）的磁场强度而测试磁传感器是否正常工作（步骤S406）。例如，该第三轴可以与Z轴相对应。

图6示出了根据通过朝向图1的磁传感器中心以外的磁传感器测试装置的第一和第二线圈而产生的角度的磁场强度示例。图7示出了根据图1的磁传感器测试装置中的第一和第二线圈的角度的关于第一和第二轴的磁场均匀性。

参照图6和图7，第一和第二线圈对110中每一个的磁场强度可以根据与被安排成朝向磁传感器中心以外的晶片10的表面所成的锐角而变化。与当第一和第二线圈对110中的每一个都被安排成与磁传感器中心成直角（即90度）时相比，当第一和第二线圈对110中的每一个都被安排成锐角（即10度至75度）时，该第一和第二线圈对110中每一个的磁场强度可以增加。

例如，当第一和第二线圈对110中的每一个被安排成与磁传感器中心成20度的锐角时，第一和第二线圈对110中的每一个都可以产生最大磁场强度，并且当被安排成45度时可以产生到磁传感器的均匀磁场。在图7中，第一和第二线圈对110中的每一个都可以被安排成与晶片10表面成30度、45度或60度角，并且磁传感器测试装置100可以按照从磁传感器中心到第一轴方向或第二轴方向的恒定间隔来测量在磁传感器上侧产生的磁场。在这种情况下，当第一和第二线圈对110中的每一个都被安排成与磁传感器中心成45度角时，磁传感器测试装置100可以产生最恒定的磁场（恒定磁场与磁场的高均匀性相对应）。

通过使用一个或多个硬件组件、一个或多个软件组件、或者一个或多个硬件组件和一个或多个软件组件的组合，可以实现上述各种单元、模块、元素和方法。

硬件组件可以例如是物理上执行一个或多个操作的物理设备，但不限于此。硬件组件的示例包括麦克风、放大器、低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、模数转换器、数模转换器和处理设备。

软件组件可以例如通过由执行一个或多个操作的软件或指令所控制的处理设备来实现，但不限于此。计算机、控制器或其他控制设备可以使处理设备运行软件或执行指令。一个软件组件可以由一个处理设备来实现，或者两个或更多个软件组件可以由一个处理设备来实现，或者一个软件组件可以由两个或更多个处理设备来实现，或者两个或更多个软件组件可以由两个或更多个处理设备来实现。

可以通过使用一个或多个通用或专用计算机来实现处理设备，例如处理器、控制器和算术逻辑单元、数字信号处理器、微计算机、现场可编程阵列、可编程逻辑单元、微处理器，或者能够运行软件或执行指令的任何其他设备。处理设备可以运行操作系统（OS），并且可以运行在该OS下操作的一个或多个软件应用程序。该处理设备当运行软件或执行指令时可以访问、存储、操纵、处理和创建数据。为简便起见，在描述中可以使用单数术语“处理设备”，但本领域的普通技术人员应当认识到，处理设备可以包括多个处理元件和多种类型的处理元件。例如，处理设备可以包括一个或多个处理器、或者一个或多个处理器以及一个或多个控制器。此外，不同的处理配置是可能的，例如并行处理器或多核处理器。

被配置成实现软件组件以执行操作A的处理设备可以包括被编程为运行软件或执行指令以控制处理器执行操作A的处理器。此外，被配置成实现软件组件以执行操作A、操作B和操作C的处理设备可以具有各种配置，例如被配置成实现软件组件以执行操作A、B和C的处理器；被配置成实现软件组件以执行操作A的第一处理器，以及被配置成实现软件组件以执行操作B和C的第二处理器；被配置成实现软件组件以执行操作A和B的第一处理器，以及被配置成实现软件组件以执行操作C的第二处理器；被配置成实现软件组件以执行操作A的第一处理器，被配置成实现软件组件以执行操作B的第二处理器，以及被配置成实现软件组件以执行操作C的第三处理器；被配置成实现软件组件以执行操作A、B和C的第一处理器，以及被配置成实现软件组件以执行操作A、B和C的第二处理器，或者每个都实现操作A、B和C中的一个或多个操作的一个或多个处理器的任何其他配置。尽管这些示例涉及三个操作A、B、C，然而可以被实现的操作的数量并不限于三个，而是可以是为达到期望结果或执行期望任务所需要的任何数量的操作。

用于控制处理设备以实现软件组件的软件或指令可以包括用于独立地或共同地指示或配置处理设备以执行一个或多个期望操作的计算机程序、代码段、指令或者它们的一些组合。软件或指令可以包括可由处理设备直接执行的机器代码，例如由编译器产生的机器代码，和/或可由使用解释器的处理设备执行的高级代码。软件或指令和任何关联数据、数据文件以及数据结构可以在任何类型的机器、组件、物理或虚拟设备、计算机存储介质或设备或者能够将指令或数据提供给处理设备或由处理设备解释的传播信号波中永久地或临时地体现。软件或指令和任何关联数据、数据文件以及数据结构还可以分布在联网的计算机系统上，以使得软件或指令和任何关联数据、数据文件以及数据结构能够以分布式方式而被存储和执行。

例如，软件或指令和任何关联数据、数据文件以及数据结构可以被记录、存储或固定在一个或多个非临时性计算机可读存储介质中。非临时性计算机可读存储介质可以是能够存储软件或指令和任何关联数据、数据文件以及数据结构的任何数据存储设备，以便它们能够被计算机系统或处理设备读取。非临时性计算机可读存储介质的示例包括本领域普通技术人员已知的只读存储器（ROM）、随机存取存储器（RAM）、闪存、CD-ROM、CD-R、CD+R、CD-RW、CD+RW、DVD-ROM、DVD-R、DVD+R、DVD-RW、DVD+RW、DVD-RAM、BD-ROM、BD-R、BD-R LTH、BD-RE、磁带、软盘、磁光数据存储设备、光数据存储设备、硬盘、固态盘或者任何其他非临时性计算机可读存储介质。

基于本文提供的附图及其相应描述，示例所属领域的编程技术人员可以容易地设想用于实现本文公开的示例的功能程序、代码和代码段。

尽管本公开包括指定示例，然而本领域的普通技术人员应当认识到，在不脱离权利要求及其等同物的精神和范围的情况下，可以在这些示例中做出各种形式和细节上的改变。本文所描述的示例只被认为是描述性的，并且不用于限制的目的。每个示例中的特征或方面的描述被认为是可适用于其他示例中的类似的特征或方面。如果以不同的顺序执行所描述的技术，和/或如果所描述的系统、结构、设备或电路中的组件以不同方式被组合和/或由其他组件或其等同物来代替或补充，则可以实现适当的结果。因此，本公开的范围不由详细描述来限定，而是由权利要求及其等同物来限定，并且在权利要求及其等同物的范围内的所有变型都被看作是包含于本公开中。

Claims (16)

1.一种磁传感器测试装置，包括：

磁传感器；

晶片，其包括所述磁传感器；

探针卡；

垂直线圈；以及

至少一对外围线圈，

其中，所述垂直线圈被布置在所述晶片之上，并且所述至少一对外围线圈被对称地布置在所述垂直线圈周围且与所述晶片的表面成锐角。

2.如权利要求1所述的磁传感器测试装置，其中，所述至少一对外围线圈被配置成在所述晶片的水平方向中产生磁场。

3.如权利要求1所述的磁传感器测试装置，其中，所述至少一对外围线圈包括四个线圈。

4.如权利要求1所述的磁传感器测试装置，其中，所述锐角小于90度。

5.如权利要求3所述的磁传感器测试装置，其中，所述四个线圈包括：

被布置在第一轴方向中的第一线圈对；以及

被布置在第二轴方向中的第二线圈对，所述第二轴方向垂直于所述第一轴方向。

6.如权利要求1所述的磁传感器测试装置，还包括：

被配置成检测从所述磁传感器输出的测试信号的多个探针顶端。

7.如权利要求1所述的磁传感器测试装置，其中，所述至少一对外围线圈与所述垂直线圈隔开一定的距离。

8.一种磁传感器测试方法，包括：

在相对于晶片的平坦表面的垂直方向中产生磁场，其中待测试的所述磁传感器被布置在所述平坦表面上；以及

在相对于所述晶片的平坦表面的水平方向中从第一线圈对和第二线圈对中产生磁场，其中所述第一线圈对和所述第二线圈对被布置成与所述晶片的平坦表面成锐角。

9.如权利要求8所述的磁传感器测试方法，其中，

所述磁传感器测试方法应用于包括多个磁传感器的晶片；

在垂直方向中产生磁场包括在所述晶片的垂直方向中产生磁场；以及

在水平方向中产生磁场包括在所述晶片的水平方向中产生磁场。

10.如权利要求8所述的磁传感器测试方法，其中，在垂直方向中产生磁场包括将电流施加到垂直线圈以测试所述磁场的垂直分量的强度。

11.如权利要求9所述的磁传感器测试方法，其中，将电流施加到所述第一线圈对和所述第二线圈对，以测试所述磁场的水平分量的强度。

12.如权利要求9所述的磁传感器测试方法，其中，分别在垂直方向和水平方向中产生磁场包括测试所述多个磁传感器是否正常工作。

13.如权利要求8所述的磁传感器测试方法，其中，在垂直方向中产生磁场和在水平方向中产生磁场的执行顺序互不相关。

14.一种磁传感器测试装置，包括：

晶片，其包括磁传感器；

探针；

被布置在所述探针的中心的垂直线圈；以及

被对称布置在所述垂直线圈周围的至少一对外围线圈，

其中，所述至少一对外围线圈被布置成与所述晶片的表面成锐角。

15.如权利要求14所述的磁传感器测试装置，其中，所述至少一对外围线圈是被布置成与所述垂直线圈等距的四个外围线圈。

16.如权利要求14所述的磁传感器测试装置，其中，所述至少一对外围线圈被布置成45度角且产生均匀磁场。