CN104277386B - 一种膜电容器用聚偏氟乙烯薄膜 - Google Patents

一种膜电容器用聚偏氟乙烯薄膜 Download PDF

Info

Publication number
CN104277386B
CN104277386B CN201410493926.9A CN201410493926A CN104277386B CN 104277386 B CN104277386 B CN 104277386B CN 201410493926 A CN201410493926 A CN 201410493926A CN 104277386 B CN104277386 B CN 104277386B
Authority
CN
China
Prior art keywords
resin
polyvinylidene difluoride
cyanate ester
difluoride film
rubber grain
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410493926.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104277386A (zh
Inventor
邹智杰
栗彦娜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ruyuan East Sunshine fluorine Co., Ltd.
Original Assignee
Dongyang Dongguan City Chang'an Light Aluminum Research And Development Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dongyang Dongguan City Chang'an Light Aluminum Research And Development Co Ltd filed Critical Dongyang Dongguan City Chang'an Light Aluminum Research And Development Co Ltd
Priority to CN201410493926.9A priority Critical patent/CN104277386B/zh
Publication of CN104277386A publication Critical patent/CN104277386A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104277386B publication Critical patent/CN104277386B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L27/00Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L27/02Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
    • C08L27/12Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment containing fluorine atoms
    • C08L27/16Homopolymers or copolymers or vinylidene fluoride
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18Manufacture of films or sheets
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2327/00Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers
    • C08J2327/02Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
    • C08J2327/12Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment containing fluorine atoms
    • C08J2327/16Homopolymers or copolymers of vinylidene fluoride
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2203/00Applications
    • C08L2203/16Applications used for films
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2203/00Applications
    • C08L2203/20Applications use in electrical or conductive gadgets
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/03Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Organic Insulating Materials (AREA)

Abstract

本发明公开了一种厚度不大于5μm的膜电容器用聚偏氟乙烯薄膜,由质量比为100:10‑20的聚合物树脂和橡胶颗粒组成,所述聚合物树脂由聚偏氟乙烯树脂和氰酸酯树脂组成;聚合物树脂中,氰酸酯树脂的质量分数为10‑30%。本发明能够有效降低介电损耗,在同等体积的情况下有效提高薄膜电容器的电容,满足高储能、超小型化的发展需求。

Description

一种膜电容器用聚偏氟乙烯薄膜
技术领域
本发明涉及高分子材料加工领域,具体涉及一种聚偏氟乙烯薄膜。
背景技术
薄膜电容器由于具有很多优良的特性,如无极性、无污染、绝缘阻抗高、频率特性优异、且介质损耗小等,在电子工业领域具有非常广泛的应用。近年来,随着电子产品市场规模的不断扩大,对高密度、小体积电容器的需求正变得日益旺盛,使得薄膜电容越来越向高储能、超小型化的方向发展。工业上,为了增加电容器的电容量,通常将金属箔与薄膜绝缘介质卷绕成芯子以尽可能减少体积,或者在薄膜介质上蒸镀一层极薄的金属作为电极,然后进行卷绕得到薄膜电容器。然而,目前工业化的有机介质材料的介电常数往往比较低,例如,市场上大量应用的聚丙烯材料,在1kHz时其介电常数仅仅只有2.2。较低的介电常数阻碍了聚丙烯薄膜电容器性能的进一步提升,为尽快满足电子行业对介电材料提出的更高要求,其它聚合物及其聚合物基介电复合材料已在短时间内得到大量研究。
聚合物中,综合性能优异的聚偏氟乙烯(PVDF)及其复合材料成为研究的热点。PVDF具有较高的介电常数(8-11),约为聚酯膜的3.5倍,为聚丙烯膜的5倍,其介质击穿强度与聚酯膜差不多,且具有较好的力学性能、良好的耐磨性能和耐腐蚀性能、阻燃性能。目前的研究中,多侧重于高介电常数聚合物基复合材料的制备,却忽视了其加工性能,得到的复合材料击穿电压较低且成膜性差,实际工业应用价值小。
发明内容
发明概述:
本发明的目的是针对上述现有技术的不足,提供一种具有高介电性能、低介电损耗,而且机械性能和加工性能良好的膜电容器用聚偏氟乙烯薄膜。为实现上述目的,本发明以聚偏氟乙烯(PVDF)树脂作为主体材料,添加少量氰酸酯树脂(CE)和橡胶颗粒通过溶液流延方式和三段干燥工艺制备PVDF介电薄膜,厚度控制在5μm,并通过热固性树脂的加入来降低介电损耗;通过橡胶颗粒的加入,来提高薄膜断裂伸长率不高的问题。因此提出了以下技术方案。
本发明的技术方案提供了一种膜电容器用聚偏氟乙烯薄膜,所述聚偏氟乙烯薄膜的厚度不大于5μm,由质量比为100:10-20的聚合物树脂和橡胶颗粒组成,所述聚合物树脂由聚偏氟乙烯树脂和氰酸酯树脂组成;聚合物树脂中,氰酸酯树脂的质量分数为10-30%;所述聚偏氟乙烯薄膜经以下步骤制备而成:
1)将聚偏氟乙烯树脂和氰酸酯树脂加入到N,N-二甲基乙酰胺中,加热、机械搅拌充分溶解,作为树脂溶液A备用;将橡胶颗粒加入到N,N-二甲基乙酰胺中搅拌分散均匀,作为分散液B备用;
2)将树脂溶液A、分散液B混合,加热、机械搅拌充分混合得到涂布液;
3)将涂布液经狭缝挤出或微凹的方式对基材进行涂布,然后60-80℃、120-140℃和150-180℃三段阶梯式烘干,从基材上剥离后即得。
发明详述:
根据上述技术方案提供的介电复合薄膜,在一些实施方式中,聚合物树脂中,氰酸酯树脂的质量分数为15%。
在一些实施方式中,聚合物树脂和橡胶颗粒的质量比为100:10。
在一些实施方式中,橡胶颗粒的粒径为50-600nm;聚偏氟乙烯的粒径为10-600nm。
氰酸酯树脂可以是液体或胶体状态,在一些实施方式中,氰酸酯树脂可以溶于不多于25%质量比的溶剂,在一些实施方式中所述溶剂为丁酮;在一些实施方式中,氰酸酯树脂是具有式I结构的双酚A型氰酸酯预聚体;
式I
在一些实施方式中,氰酸酯树脂为双环戊二烯双酚型氰酸酯(CY-3),具有式II的结构,
式II
式II中,n为2-4。
在一些实施方式中,橡胶颗粒核是丙烯酸橡胶,壳是聚甲基丙烯酸甲酯的核壳橡胶。
在一些实施方式中,步骤3)的涂布方式为微凹涂布。
本发明的实施方式采用依次通过三段长为5m,不同温度的悬浮式烘箱的方式来进行三段烘干。在一些实施方式中,步骤3)薄膜成型过程中,三段烘干的温度分别为80℃、140℃和170℃。
本发明涂布所使用的基材没有特殊限定,在本发明的实施方式中,是以PET为基材。
本发明的实施方式中使用的水均为去离子水。
本发明使用的定义“或”表示备选方案,如果合适的话,可以将它们组合,也就是说,术语“或”包括每个所列出的单独备选方案以及它们的组合。
除非明确地说明与此相反,否则,本发明引用的所有范围包括端值。例如,“加热至50-80℃进行反应”表示反应的温度T的范围为50℃≤T≤80℃。
本发明所使用的介电材料聚偏氟乙烯介电常数为8-11,相比于介电常数为2.2左右的聚丙烯或聚对苯二甲酸乙二醇酯等有机介质,能够在同等体积的情况下有效提高薄膜电容器的电容,满足高储能、超小型化的发展需求;另一方面,将聚偏氟乙烯材料与少量橡胶颗粒、氰酸酯树脂共混,在提升了薄膜的机械性能的同时,有效降低了介电损耗,从而进一步扩展了本发明的应用范围。
附图说明
图1是实施例2复合薄膜的扫描电子显微镜(SEM)照片。
具体实施方式
以下所述的是本发明的优选实施方式,本发明所保护的不限于以下优选实施方式。应当指出,对于本领域的技术人员来说在此发明创造构思的基础上,做出的若干变形和改进,都属于本发明的保护范围。实施例中所用的原料均可以通过商业途径获得。
实施例1
(1)称取PVDF 27.90g,CE(CY-10)3.10g,橡胶颗粒3.10g备用;
(2)称好的27.90g PVDF(KF1100)和3.10g CE(CY-10)加入到114.81g的N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)中,于80℃500rpm搅拌溶解8小时,得到透明的树脂溶液;
(3)将3.10g橡胶颗粒(DOWEXL2313,平均粒径500nm)加入到143.51g的DMAc中,其中橡胶颗粒的核是丙烯酸橡胶,壳是聚甲基丙烯酸甲酯。依次磁力搅拌30分钟、超声 分散30分钟,形成橡胶颗粒的均匀分散液;
(4)将(3)制备的均匀分散液加入到(2)中透明的树脂溶液中,加热、机械搅拌充分混合,即为涂布液;
(5)将(4)中的涂布液以微凹涂布的方式,以PET为基材进行涂布,之后依次通过三段长为5m,温度分别为80℃、140℃和170℃的悬浮式烘箱,从PET剥离后得到厚度为4.5μm的介电复合薄膜。
对得到的膜,参照标准GB/T-13542.3-2006进行体积电阻率、击穿场强、伸长率和介电损失和介电常数(23℃,100Hz、1kHz、10kHz)等性能测试。测试结果见表1。
实施例2
(1)称取PVDF 26.35g,CE(CY-10)4.65g,橡胶颗粒3.10g备用;
(2)将称好的26.35g PVDF(KF1100)和4.65g CE(CY-10)加入到114.81g的N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)中,于80℃500rpm搅拌溶解8小时,得到透明的树脂溶液;
(3)将3.10g橡胶颗粒(DOWEXL2313,平均粒径500nm)加入到143.51g的DMAc中,其中橡胶颗粒的核是丙烯酸橡胶,壳是聚甲基丙烯酸甲酯。依次磁力搅拌30分钟、超声分散30分钟,形成橡胶颗粒的均匀分散液;
(4)将(3)制备的均匀分散液加入到(2)中透明的树脂溶液中,加热、机械搅拌充分混合。
(5)将(4)中的涂布液以微凹涂布的方式,以PET为基材进行涂布,之后依次通过三段长为5m,温度分别为80℃、140℃和170℃的悬浮式烘箱,从PET剥离后得到厚度为4.3μm的介电复合薄膜。
对得到的膜,参照标准GB/T-13542.3-2006,进行体积电阻率、击穿场强、伸长率和介电损失和介电常数(23℃,100Hz、1kHz、10kHz)等性能测试。测试结果见表1。
实施例3
(1)称取PVDF 24.80g,CE(CY-10)6.20g,橡胶颗粒3.10g备用;
(2)将称好的24.80g PVDF(KF1100)和6.20g CE(CY-10)加入到114.81g的N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)中,于80℃500rpm搅拌溶解8小时,得到透明的树脂溶液;
(3)将3.10g橡胶颗粒(DOWEXL2313,平均粒径500nm)加入到143.51g的DMAc中,其中橡胶颗粒的核是丙烯酸橡胶,壳是聚甲基丙烯酸甲酯。依次磁力搅拌30分钟、超声分散30分钟,形成橡胶颗粒的均匀分散液;
(4)将(3)制备的均匀分散液加入到(2)中透明的树脂溶液中,加热、机械搅拌充分 混合。
(5)将(4)中的涂布液以微凹涂布的方式,以PET为基材进行涂布,之后依次通过三段长为5m,温度分别为80℃、140℃和170℃的悬浮式烘箱,从PET剥离后得到厚度为4.0μm的介电复合薄膜。
对得到的膜,参照标准GB/T-13542.3-2006进行体积电阻率、击穿场强、伸长率和介电损失和介电常数(23℃,100Hz、1kHz、10kHz)等性能测试。测试结果见表1。
实施例4
(1)称取PVDF 23.25g,CE 7.75g,橡胶颗粒3.10g备用;
(2)将称好的24.80g PVDF(KF1100)和7.75g CE(CY-10)加入到114.81g的N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)中,于80℃500rpm搅拌溶解8小时,得到透明的树脂溶液;
(3)将3.10g橡胶颗粒(DOWEXL2313,平均粒径500nm)加入到143.51g的DMAc中,其中橡胶颗粒的核是丙烯酸橡胶,壳是聚甲基丙烯酸甲酯。依次磁力搅拌30分钟、超声分散30分钟,形成橡胶颗粒的均匀分散液;
(4)将(3)制备的均匀分散液加入到(2)中透明的树脂溶液中,加热、机械搅拌充分混合。
(5)将(4)中的涂布液以微凹涂布的方式以PET为基材进行涂布,之后依次通过三段长为5m,温度分别为80℃、140℃和170℃的悬浮式烘箱,从PET剥离后得到厚度为4.4μm的介电复合薄膜。
对得到的膜,参照标准GB/T-13542.3-2006进行体积电阻率、击穿场强、伸长率和介电损失和介电常数(23℃,100Hz、1kHz、10kHz)等性能测试。测试结果见表1。
实施例5
(1)称取PVDF 21.70g,CE(CY-10)9.30g,橡胶颗粒3.10g备用;
(2)将称好的21.70g PVDF(KF1100)和9.30g CE(CY-10)加入到114.81g的N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)中,于80℃500rpm搅拌溶解8小时,得到透明的树脂溶液;
(3)将3.10g橡胶颗粒(DOWEXL2313,平均粒径500nm)加入到143.51g的DMAc中,其中橡胶颗粒的核是丙烯酸橡胶,壳是聚甲基丙烯酸甲酯。依次磁力搅拌30分钟、超声分散30分钟,形成橡胶颗粒的均匀分散液;
(4)将(3)制备的均匀分散液加入到(2)中透明的树脂溶液中,加热、机械搅拌充分混合。
(5)将(4)中的涂布液以微凹涂布的方式以PET为基材进行涂布,之后依次通过三段 长为5m,温度分别为80℃、140℃和170℃的悬浮式烘箱,从PET剥离后得到厚度为4.2μm的介电复合薄膜。
对得到的膜,参照标准GB/T-13542.3-2006进行体积电阻率、击穿场强、伸长率和介电损耗和介电常数(23℃,100Hz、1kHz、10kHz)等性能测试。测试结果见表1。
对比例1
将实施例1中PVDF/CE的质量比改为100/0,步骤(1)和(2)作如下改变,除此之外,其他操作相同,得到厚度为4.6μm的聚偏氟乙烯薄膜。
(1)100质量份树脂,配合10质量份橡胶颗粒,100质量份树脂中,PVDF/CE的质量比为90/10,具体质量分别为PVDF 31.00g,橡胶颗粒3.10g;
(2)将称好的31.00g PVDF(KF1100)加入到114.81g的N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)中,于80℃500rpm搅拌溶解8小时,得到透明的树脂溶液;
对得到的膜,参照标准GB/T-13542.3-2006进行体积电阻率、击穿场强、伸长率和介电损耗和介电常数(23℃,100Hz、1kHz、10kHz)等性能测试。测试结果见表1。
对比例2
将实施例1中CE(CY-10)变为CE(CY-3),除此之外,其他操作相同,得到厚度为4.5μm的聚偏氟乙烯薄膜。
(1)100质量份树脂,配合10质量份橡胶颗粒,100质量份树脂中,PVDF/CE的质量比为90/10,具体质量分别为PVDF 27.90g,CE(CY-3)3.10g橡胶颗粒3.10g;
(2)将称好的27.90g PVDF(KF100)和3.10g CE(CY-3)加入到114.81g的N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)中,于80℃500rpm搅拌溶解8小时,得到透明的树脂溶液;
对得到的膜,参照标准GB/T-13542.3-2006进行体积电阻率、击穿场强、伸长率和介电损耗和介电常数(23℃,100Hz、1kHz、10kHz)等性能测试。测试结果见表1。
对比例3
(1)100质量份树脂中,PVDF/CE的质量比为90/10,具体质量分别为PVDF 27.90g,CE(CY-10)3.10g;
(2)将称好的27.90g PVDF(KYNAR761)和3.10g CE(CY-10)加入到258.33g的N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)中,于80℃500rpm搅拌溶解8小时,得到透明的树脂溶液;
(3)将(2)中的涂布液以微凹涂布的方式,以PET为基材进行涂布,之后依次通过三段长为5m,温度分别为80℃、140℃和170℃的悬浮式烘箱,从PET剥离后得到厚度为4.0μm的介电复合薄膜。
对得到的膜,参照标准GB/T-13542.3-2006进行体积电阻率、击穿场强、伸长率和介电损耗和介电常数(23℃,100Hz、1kHz、10kHz)等性能测试。测试结果见表1。
表1 实施例1-5和对比例1-3的介电薄膜的性能
实施例1-5中,薄膜的厚度均不大于5μm,断裂伸长率都在100%以上。最优实施例的介电常数在温度为23℃,频率1kHz时介电常数为9.7,频率1kHz时介电损耗为0.0014,击穿强度为563kV/mm。

Claims (6)

1.一种膜电容器用聚偏氟乙烯薄膜,其特征在于,聚偏氟乙烯薄膜的厚度不大于5μm,由质量比为100:10-20的聚合物树脂和橡胶颗粒组成,所述聚合物树脂由聚偏氟乙烯树脂和氰酸酯树脂组成;聚合物树脂中,氰酸酯树脂的质量分数为10-30%;所述聚偏氟乙烯薄膜经以下步骤制备而成:
1)将聚偏氟乙烯树脂和氰酸酯树脂加入到N,N-二甲基乙酰胺中,加热、机械搅拌充分溶解,作为树脂溶液A备用;将橡胶颗粒加入到N,N-二甲基乙酰胺中搅拌分散均匀,作为分散液B备用;
2)将树脂溶液A、分散液B混合,加热、机械搅拌充分混合得到涂布液;
3)将涂布液经狭缝挤出或微凹的方式对基材进行涂布,然后60-80℃、120-140℃和150-180℃三段阶梯式烘干,从基材上剥离后即得。
2.根据权利要求1所述的聚偏氟乙烯薄膜,其特征在于,聚合物树脂中,氰酸酯树脂的质量分数为15%。
3.根据权利要求1所述的聚偏氟乙烯薄膜,其特征在于,聚合物树脂和橡胶颗粒的质量比为100:10。
4.根据权利要求1所述的聚偏氟乙烯薄膜,其特征在于,氰酸酯树脂是液体或胶体状态双酚A型氰酸酯预聚体。
5.根据权利要求1所述的聚偏氟乙烯薄膜,其特征在于,所述的橡胶颗粒核是丙烯酸橡胶,壳是聚甲基丙烯酸甲酯的核壳橡胶。
6.根据权利要求1所述的聚偏氟乙烯薄膜,其特征在于,三段阶梯式烘干的温度为80℃、140℃和170℃。
CN201410493926.9A 2014-09-24 2014-09-24 一种膜电容器用聚偏氟乙烯薄膜 Active CN104277386B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410493926.9A CN104277386B (zh) 2014-09-24 2014-09-24 一种膜电容器用聚偏氟乙烯薄膜

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410493926.9A CN104277386B (zh) 2014-09-24 2014-09-24 一种膜电容器用聚偏氟乙烯薄膜

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104277386A CN104277386A (zh) 2015-01-14
CN104277386B true CN104277386B (zh) 2016-08-24

Family

ID=52252761

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410493926.9A Active CN104277386B (zh) 2014-09-24 2014-09-24 一种膜电容器用聚偏氟乙烯薄膜

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104277386B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106192445B (zh) * 2016-06-24 2018-07-06 东莞市东佶新材料制带科技有限公司 耐磨皮带的制备方法
CN106432820A (zh) * 2016-09-29 2017-02-22 铜陵市超越电子有限公司 一种电容器薄膜的材料配方
CN108070096B (zh) * 2016-11-18 2022-04-29 东莞东阳光科研发有限公司 一种聚偏氟乙烯介电薄膜的制备方法
CN108017860B (zh) * 2017-10-09 2021-02-23 南通洪明电工科技有限公司 以橡胶组分添加制备高击穿强度和高储能密度的复合材料薄膜的方法
CN108997756A (zh) * 2018-08-10 2018-12-14 安徽长容电子有限公司 一种电容器用薄膜
CN110511410B (zh) * 2019-08-27 2020-06-05 东莞东阳光科研发有限公司 聚偏氟乙烯介电薄膜及其制备方法
CN111269448B (zh) * 2020-03-20 2021-06-08 清华大学 一种介电薄膜及其制备方法和薄膜电容器

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2771097B1 (fr) * 1997-11-19 2000-01-14 Atochem Elf Sa Compositions a base de resine fluoree et de compose imide leur procede de preparation et leurs utilisations
WO2010074024A1 (ja) * 2008-12-22 2010-07-01 ダイキン工業株式会社 フィルムコンデンサ用フィルムおよびフィルムコンデンサ
CN101752087B (zh) * 2010-01-27 2011-11-30 中国科学院上海技术物理研究所 Pvdf有机聚合物薄膜电容器
CN102850726A (zh) * 2012-09-07 2013-01-02 广东生益科技股份有限公司 复合材料、用其制作的高频电路基板及其制作方法
CN103469174B (zh) * 2013-09-18 2016-01-20 河北科技大学 一种氰酸酯树脂超薄膜的制备方法及其反应设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN104277386A (zh) 2015-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104277386B (zh) 一种膜电容器用聚偏氟乙烯薄膜
CN104479161A (zh) 一种膜电容器用聚偏氟乙烯/聚丙烯复合薄膜及制备方法
TWI503229B (zh) 太陽能電池單元模組用的背板及其製造方法
TW201242068A (en) Resin composition, multi-layered film and photovoltaic module including the same
JP2010189616A (ja) コーティング外観欠点が改善された帯電防止ポリエステルフィルム及びその製造方法
CN103921519A (zh) 一种太阳能电池背板膜及其制备方法
KR20170080798A (ko) 그래핀 분산액 및 그래핀-고분자 복합체 제조방법, 및 이를 이용한 배리어 필름 제조방법
JP2009038089A (ja) 高誘電性フィルム
JP6624054B2 (ja) 積層フィルムおよびその製造方法
CN103760695B (zh) 一种采用纳米银导电层的调光玻璃及其制造方法
JP2009038088A (ja) 高誘電性フィルム
JP2015525472A (ja) 親環境光電池モジュール用バックシート及びその製造方法
CN109762275B (zh) 一种氟化导电粒子/pvdf基复合介电薄膜的制备方法
CN113903597A (zh) 一种碳量子点/聚合物介电复合材料及其制备方法和应用
CN116535854B (zh) 一种二元共混的高温储能聚合物介电薄膜及其制备方法
JP2016117178A (ja) 二軸延伸ポリエステルフィルム
CN104151586B (zh) 一种介电复合薄膜
CN103681920B (zh) 一种太阳能电池背板及其制造方法
CN109727772A (zh) 一种层间复合聚合物介质膜及其制备方法和应用
CN103448344A (zh) 一种pvdf复合薄膜的制备方法
Chen et al. Effect of solvent on the energy storage property of poly (vinylidene fluoride-hexafluoropropylene)
DE102012108045A1 (de) Dünne Platte für ein Solarzellenmodul
CN108587007A (zh) 一种叠层结构铁电聚合物基电介质薄膜、及其制备方法和用途
JP2014189718A (ja) 二軸延伸ポリアリーレンスルフィドフィルム
CN111748166A (zh) 一种pvdf膜、pvdf/pet复合膜及其制备工艺、应用

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20170516

Address after: 512799 chlor alkali industry base of Ruyuan County Development Zone, Shaoguan, Guangdong

Patentee after: Ruyuan East Sunshine fluorine Co., Ltd.

Address before: No. 368 East Sunshine Science Park 523871 Guangdong city of Dongguan province Changan Zhen Sha Zhen'an Road

Patentee before: Dongyang, Dongguan City Chang'an light Aluminum research and development company limited