CN104264132A - 一种涂层导体单缓冲层及其制备方法 - Google Patents

一种涂层导体单缓冲层及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种涂层导体单缓冲层，化学组成为LaZrxCeyOδ，其中x的取值为1～2，y的取值为0.2～2，δ＝1.5+2x+2y。另外，本发明还公开了该涂层导体单缓冲层的制备方法。本发明的单缓冲层既能阻隔金属离子扩散，又能传递织构，可以起到多层缓冲层的作用。本发明通过改变前驱体组份调节单缓冲层的晶格参数，使之更易于生长；能够更好与超导层的晶格参数匹配；同时LaZrxCeyOδ单缓冲层表面析出少量纳米点可以诱导超导层的生长。采用本发明的方法制备的LaZrxCeyOδ单缓冲层具有锐利的立方取向，表面光滑平整、无裂纹，有利于外延生长超导层。

Description

一种涂层导体单缓冲层及其制备方法
技术领域
本发明属于涂层导体单缓冲层技术领域，具体涉及一种涂层导体单缓冲层及其制备方法。
背景技术
涂层导体由金属基带/缓冲层/超导层/保护层组成，在液氮温区具有高的临界电流密度，是目前高温超导带材的研究热点之一。缓冲层介于超导层和NiW金属基带之间，具有非常重要的晶格过渡和阻隔扩散的作用。因此，缓冲层必须是一个连续的、平整的、化学性质稳定、晶格结构匹配的过渡层。为了提高涂层导体的性能，在缓冲层研究方面，人们提出多层膜结构的缓冲层来实现织构传递与阻隔扩散两方面的功能，迄今较为成功的结构组合有几种：①美国超导公司采用物理气相沉积(PVD)技术制备的Y2O3/YSZ/CeO2缓冲层；②美国Superpower公司采用离子束辅助沉积技术(IBAD)制备Al2O3/MgO/MgO/LaMnO3缓冲层；③日本藤苍公司采用脉冲激光沉积技术(PLD)制备的Ga2Zr2O7/CeO2缓冲层；④采用化学溶液沉积技术(CSD)制备La2Zr2O7/CeO2缓冲层。这些缓冲层组合一般控制2～4层缓冲层，随着缓冲层层数的增加，其织构度和表面质量都会下降，最终导致超导性能降低，而且多次制备也会导致成本增加。
目前，化学溶液沉积技术是缓冲层低成本制备技术的代表，涂层导体单缓冲层组合仍然比较复杂，至少需要两次制备才能实现传递织构和阻止扩散的作用，这些不利于减少涂层在制备过程中产生的缺陷和降低制备成本。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术的不足，提供一种涂层导体单缓冲层。该单缓冲层既能阻隔金属离子扩散，又能传递织构，可以起到多层缓冲层的作用。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种涂层导体单缓冲层，其特征在于，该缓冲层的化学组成为LaZrxCeyOδ，其中x的取值为1～2，y的取值为0.2～2，δ＝1.5+2x+2y。
上述的一种涂层导体单缓冲层，其特征在于，所述x的取值为1～1.5，y的取值为0.2～1。
另外，本发明还提供了一种制备上述单缓冲层的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
步骤一、将镧的有机盐、锆的有机盐和铈的有机盐按照La:Zr:Ce＝1:x:y的摩尔比溶解于丙酸中，得到金属离子摩尔浓度为1mol/L～2mol/L的前驱液；
步骤二、采用浸涂法将步骤一中所述前驱液涂敷于NiW金属基带上，然后将涂敷有前驱液的NiW金属基带置于热处理炉中，在还原性气氛保护下，以50℃/min～100℃/min的升温速率将热处理炉炉温升至900℃～1050℃，保温热处理0.5h～1h，随炉冷却后出炉，在NiW金属基带表面得到LaZrxCeyOδ单缓冲层。
上述的方法，其特征在于，步骤一中所述丙酸为分析纯试剂。
上述的方法，其特征在于，步骤一中所述镧的有机盐为乙酸镧或乙酰丙酮镧，锆的有机盐为乙酰丙酮锆，铈的有机盐为乙酸铈或乙酰丙酮铈。
上述的方法，其特征在于，步骤二中所述还原性气氛为氩气与氢气的混合气氛，混合气氛中氢气的体积百分含量为2％～6％。
本发明与现有技术相比具有以下优点：
1、本发明的单缓冲层既能阻隔金属离子扩散，又能传递织构，可以起到多层缓冲层的作用。
2、本发明通过改变前驱体组份调节单缓冲层的晶格参数，使之更易于生长；能够更好与超导层的晶格参数匹配。同时LaZrxCeyOδ单缓冲层表面析出少量纳米点可以诱导超导层的生长。
3、本发明制备的LaZrxCeyOδ单缓冲层具有锐利的立方取向，表面光滑平整、无裂纹，有利于外延生长超导层。
4、本发明制备的单缓冲层可以提高制备效率，降低成本。
下面结合附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
图1为本发明实施例1制备的LaZrCe0.2O3.9单缓冲层的X射线衍射θ-2θ扫描图。
图2为本发明实施例1制备的LaZrCe0.2O3.9单缓冲层的扫描电镜图。
图3为本发明实施例2制备的LaZr2CeO7.5单缓冲层的X射线衍射θ-2θ扫描图。
图4为本发明实施例2制备的LaZr2CeO7.5单缓冲层的扫描电镜图。
图5为本发明实施例3制备的LaZr2Ce2O9.5单缓冲层的X射线衍射θ-2θ扫描图。
图6为本发明实施例3制备的LaZr2Ce2O9.5单缓冲层的扫描电镜图。
图7为本发明实施例4制备的LaZr1.5CeO6.5单缓冲层的X射线衍射θ-2θ扫描图。
图8为本发明实施例5制备的LaZr1.2Ce0.5O4.9单缓冲层的X射线衍射θ-2θ扫描图。
具体实施方式
实施例1
LaZrCe0.2O3.9单缓冲层的制备：
步骤一、将乙酸镧、乙酰丙酮锆和乙酸铈按照La:Zr:Ce＝1:1:0.2的摩尔比溶解于丙酸(分析纯)中，得到金属离子摩尔浓度为1mol/L的前驱液；
步骤二、采用浸涂法将步骤一中所述前驱液涂敷于NiW金属基带上，然后将涂敷有前驱液的NiW金属基带置于热处理炉中，在还原性气氛保护下，以50℃/min的升温速率将热处理炉炉温升至900℃，保温热处理1h，随炉冷却后出炉，在NiW金属基带表面得到LaZrCe0.2O3.9单缓冲层；所述还原性气氛为氩气与氢气的混合气氛，混合气氛中氢气的体积百分含量为3％。
图1为本实施例制备的LaZrCe0.2O3.9单缓冲层的x衍射θ-2θ扫描图，从图中可以看出LaZrCe0.2O3.9具有(004)取向峰，且没有(222)杂相峰，显示锐利立方织构。图2为本实施例制备的LaZrCe0.2O3.9单缓冲层表面形貌的扫描电镜(SEM)图，表面光滑致密且无裂纹。
本实施例制备的LaZrCe0.2O3.9单缓冲层具有锐利的双轴织构，表面光滑平整且无裂纹和孔洞。在LaZrCe0.2O3.9外延制备超导层具有良好的超导性能，77K涂层导体的临界电流密度达到0.8MA/cm2。
实施例2
LaZr2CeO7.5单缓冲层的制备：
步骤一、将乙酰丙酮镧、乙酰丙酮锆和乙酸铈按照La:Zr:Ce＝1:2:1的摩尔比溶解于丙酸(分析纯)中，得到金属离子摩尔浓度为1.5mol/L的前驱液；
步骤二、采用浸涂法将步骤一中所述前驱液涂敷于NiW金属基带上，然后将涂敷有前驱液的NiW金属基带置于热处理炉中，在还原性气氛保护下，以80℃/min的升温速率将热处理炉炉温升至1000℃，保温热处理0.7h，随炉冷却后出炉，在NiW金属基带表面得到LaZr2CeO7.5单缓冲层；所述还原性气氛为氩气与氢气的混合气氛，混合气氛中氢气的体积百分含量为4％。
图3为本实施例制备的LaZr2CeO7.5缓冲层的x衍射θ-2θ扫描图，从图中可以看出LaZr2CeO7.5具有(004)取向峰，且没有(222)杂相峰，显示锐利立方织构。图4为本实施例制备的LaZr2CeO7.5缓冲层表面形貌的扫描电镜(SEM)图，表面光滑致密且无裂纹。
本实施例制备的LaZr2CeO7.5单缓冲层具有锐利的双轴织构，表面光滑平整且无裂纹和孔洞。在LaZr2CeO7.5外延制备超导层具有良好的超导性能，77K涂层导体的临界电流密度达到1MA/cm2。
实施例3
LaZr2Ce2O9.5单缓冲层的制备：
步骤一、将乙酰丙酮镧、乙酰丙酮锆和乙酰丙酮铈按照La:Zr:Ce＝1:2:2的摩尔比溶解于丙酸(分析纯)中，得到金属离子摩尔浓度为2mol/L的前驱液；
步骤二、采用浸涂法将步骤一中所述前驱液涂敷于NiW金属基带上，然后将涂敷有前驱液的NiW金属基带置于热处理炉中，在还原性气氛保护下，以100℃/min的升温速率将热处理炉炉温升至1050℃，保温热处理0.5h，随炉冷却后出炉，在NiW金属基带表面得到LaZr2Ce2O9.5单缓冲层；所述还原性气氛为氩气与氢气的混合气氛，混合气氛中氢气的体积百分含量为6％。
图5为本实施例制备的LaZr2Ce2O9.5缓冲层的x衍射θ-2θ扫描图，从图中可以看出LaZr2Ce2O9.5具有(004)取向峰，且没有(222)杂相峰，显示锐利立方织构。图6为本实施例制备的LaZr2Ce2O9.5缓冲层表面形貌的扫描电镜(SEM)图，表面光滑致密且无裂纹。
本实施例制备的LaZr2Ce2O9.5单缓冲层具有锐利的双轴织构，表面光滑平整且无裂纹和孔洞。在LaZr2Ce2O9.5外延制备超导层具有良好的超导性能，77K涂层导体的临界电流密度达到1.3MA/cm2。
实施例4
LaZr1.5CeO6.5单缓冲层的制备：
步骤一、将乙酸镧、乙酰丙酮锆和乙酰丙酮铈按照La:Zr:Ce＝1:1.5:1的摩尔比溶解于丙酸(分析纯)中，得到金属离子摩尔浓度为2mol/L的前驱液；
步骤二、采用浸涂法将步骤一中所述前驱液涂敷于NiW金属基带上，然后将涂敷有前驱液的NiW金属基带置于热处理炉中，在还原性气氛保护下，以70℃/min的升温速率将热处理炉炉温升至950℃，保温热处理1h，随炉冷却后出炉，在NiW金属基带表面得到LaZr1.5CeO6.5单缓冲层；所述还原性气氛为氩气与氢气的混合气氛，混合气氛中氢气的体积百分含量为2％。
图7为本实施例制备的LaZr1.5CeO6.5缓冲层的x衍射θ-2θ扫描图，从图中可以看出LaZr1.5CeO6.5具有(004)取向峰，且没有(222)杂相峰，显示锐利立方织构。
本实施例制备的LaZr1.5CeO6.5单缓冲层具有锐利的双轴织构，表面光滑平整且无裂纹和孔洞。在LaZr1.5CeO6.5外延制备超导层具有良好的超导性能，77K涂层导体的临界电流密度达到0.5MA/cm2。
实施例5
LaZr1.2Ce0.5O4.9单缓冲层的制备：
步骤一、将乙酰丙酮镧、乙酰丙酮锆和乙酸铈按照La:Zr:Ce＝1:1.2:0.5的摩尔比溶解于丙酸(分析纯)中，得到金属离子摩尔浓度为1.8mol/L的前驱液；
步骤二、采用浸涂法将步骤一中所述前驱液涂敷于NiW金属基带上，然后将涂敷有前驱液的NiW金属基带置于热处理炉中，在还原性气氛保护下，以100℃/min的升温速率将热处理炉炉温升至1000℃，保温热处理0.5h，随炉冷却后出炉，在NiW金属基带表面得到LaZr1.2Ce0.5O4.9单缓冲层；所述还原性气氛为氩气与氢气的混合气氛，混合气氛中氢气的体积百分含量为5％。
图8为本实施例制备的LaZr1.2Ce0.5O4.9缓冲层的x衍射θ-2θ扫描图，从图中可以看出LaZr1.2Ce0.5O4.9具有(004)取向峰，且没有(222)杂相峰，显示锐利立方织构。
本实施例制备的LaZr1.2Ce0.5O4.9单缓冲层具有锐利的双轴织构，表面光滑平整且无裂纹和孔洞。在LaZr1.2Ce0.5O4.9外延制备超导层具有良好的超导性能，77K涂层导体的临界电流密度达到0.9MA/cm2。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例，并非对本发明做任何限制，凡是根据发明技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效结构变化，均仍属于本发明技术方案的保护范围内。

Claims (6)

1.一种涂层导体单缓冲层，其特征在于，该缓冲层的化学组成为LaZrxCeyOδ，其中x的取值为1～2，y的取值为0.2～2，δ＝1.5+2x+2y。
2.根据权利要求1所述的一种涂层导体单缓冲层，其特征在于，所述x的取值为1～1.5，y的取值为0.2～1。
3.一种制备如权利要求1或2所述单缓冲层的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
步骤一、将镧的有机盐、锆的有机盐和铈的有机盐按照La:Zr:Ce＝1:x:y的摩尔比溶解于丙酸中，得到金属离子摩尔浓度为1mol/L～2mol/L的前驱液；
步骤二、采用浸涂法将步骤一中所述前驱液涂敷于NiW金属基带上，然后将涂敷有前驱液的NiW金属基带置于热处理炉中，在还原性气氛保护下，以50℃/min～100℃/min的升温速率将热处理炉炉温升至900℃～1050℃，保温热处理0.5h～1h，随炉冷却后出炉，在NiW金属基带表面得到LaZrxCeyOδ单缓冲层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤一中所述丙酸为分析纯试剂。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤一中所述镧的有机盐为乙酸镧或乙酰丙酮镧，锆的有机盐为乙酰丙酮锆，铈的有机盐为乙酸铈或乙酰丙酮铈。
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤二中所述还原性气氛为氩气与氢气的混合气氛，混合气氛中氢气的体积百分含量为2％～6％。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105002479A (zh) * 2015-07-13 2015-10-28 西安理工大学 一种高温超导涂层导体用缓冲层及其制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101546630A (zh) * 2008-03-29 2009-09-30 Z能源电力有限公司 高温超导体层配置体
CN101649451A (zh) * 2009-09-10 2010-02-17 东北大学 MOD法在双轴织构NiW合金上制备镧锶钴氧导电薄膜
CN102509764A (zh) * 2011-11-02 2012-06-20 西南交通大学 一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体La2Zr2O7缓冲层薄膜的方法
CN102610322A (zh) * 2012-03-06 2012-07-25 上海大学 高温超导涂层导体双层缓冲层结构及其动态沉积方法
CN102863216A (zh) * 2012-09-03 2013-01-09 西南交通大学 一种化学溶液动态制备RexCe1-xOy缓冲层长带的方法
CN102912332A (zh) * 2012-09-03 2013-02-06 西南交通大学 一种化学溶液沉积法制备RexCe1-xOy/M2Zr2O7双层缓冲层的方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101546630A (zh) * 2008-03-29 2009-09-30 Z能源电力有限公司 高温超导体层配置体
CN101649451A (zh) * 2009-09-10 2010-02-17 东北大学 MOD法在双轴织构NiW合金上制备镧锶钴氧导电薄膜
CN102509764A (zh) * 2011-11-02 2012-06-20 西南交通大学 一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体La2Zr2O7缓冲层薄膜的方法
CN102610322A (zh) * 2012-03-06 2012-07-25 上海大学 高温超导涂层导体双层缓冲层结构及其动态沉积方法
CN102863216A (zh) * 2012-09-03 2013-01-09 西南交通大学 一种化学溶液动态制备RexCe1-xOy缓冲层长带的方法
CN102912332A (zh) * 2012-09-03 2013-02-06 西南交通大学 一种化学溶液沉积法制备RexCe1-xOy/M2Zr2O7双层缓冲层的方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105002479A (zh) * 2015-07-13 2015-10-28 西安理工大学 一种高温超导涂层导体用缓冲层及其制备方法

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Application publication date: 20150107

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