CN102610322A - 高温超导涂层导体双层缓冲层结构及其动态沉积方法 - Google Patents

高温超导涂层导体双层缓冲层结构及其动态沉积方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102610322A
CN102610322A CN2012100553566A CN201210055356A CN102610322A CN 102610322 A CN102610322 A CN 102610322A CN 2012100553566 A CN2012100553566 A CN 2012100553566A CN 201210055356 A CN201210055356 A CN 201210055356A CN 102610322 A CN102610322 A CN 102610322A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
resilient coating
temperature
layer structure
sputter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012100553566A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102610322B (zh
Inventor
蔡传兵
范峰
赵荣
鲁玉明
刘志勇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Shanghai for Science and Technology
Original Assignee
University of Shanghai for Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Shanghai for Science and Technology filed Critical University of Shanghai for Science and Technology
Priority to CN201210055356.6A priority Critical patent/CN102610322B/zh
Publication of CN102610322A publication Critical patent/CN102610322A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102610322B publication Critical patent/CN102610322B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
    • Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Abstract

本发明涉及一种高温超导涂层导体双层缓冲层结构及其动态沉积方法。利用反应溅射在具有双轴织构取向的Ni-5%W基底上外延生长简化的双层稀土氧化物缓冲层结构，包括（Ⅰ）La2Zr2O7/Ce2Y2O7、（Ⅱ）Y2O3/La2Zr2O7。即第一缓冲层（下缓冲层），第二缓冲层（上缓冲层），形成高温超导涂层导体双层缓冲层结构。反应溅射沉积过程之前，对金属NiW基底进行预处理。在700℃的温度和ArH2气氛中对金属基底进行热处理；抽腔体背底真空至10-5Pa以下；溅射时通入水蒸汽，水分压控制在2.1×10-2Pa；整个腔体的总压强控制在1Pa；温度在800℃；充分预溅射后，功率控制在160W。溅射沉积先进行第一层的沉积，再进行第二层的沉积。最后得到双层稀土氧化物缓冲层。

Description

高温超导涂层导体双层缓冲层结构及其动态沉积方法
技术领域
 本发明涉及一种高温超导涂层导体双层缓冲层结构的制备方法，属于超导材料技术领域。
背景技术
基于双轴织构和薄膜外延技术发展起来的高温超导涂层导体，由于克服了晶界间的弱连接和岛状生长机制而产生的大量位错钉扎中心，在液氮温区具有极高的临界电流密度和不可逆场。它突破了第一代Bi系材料只适用于直流和低温的限制，使高温超导在电力工程中的广泛应用变为可能，因此成为目前实用超导材料的研究热点。
高温超导涂层导体技术是在金属基底上辅以缓冲层生长双轴织构的钇钡铜氧YBa2Cu3O7-x（YBCO）超导层，以获得液氮温区高的、无损耗的超导载流能力。实现双轴织构是高温超导涂层导体的最关键技术。人们已发展了如下三种技术来实现超导层的双轴织构：离子束辅助沉积（IBAD）、基体倾斜沉积（ISD）、辊轴再结晶技术（Rolling Assisted Biaxially Textured Substrate, RABiTS）。其中，离子束辅助沉积（IBAD）和基体倾斜沉积（ISD）可在常规的无取向多晶金属基体（如普通的不锈钢片）上生长具有双轴织构的缓冲层，然后在缓冲层上外延生长超导层。辊轴再结晶技术（Rolling Assisted Biaxially Textured Substrate, RABiTS）则把柔性的金属基底进行机械变形，之后经退火再结晶处理，以实现金属基底的双轴织构，供缓冲层及超导层外延生长。
根据实现织构技术不同，金属基底可分为两类，即通过RABiTS技术制备的织构金属基体和用于离子束辅助沉积和基体倾斜沉积技术的非织构金属基体。其中，抗氧化、磁性和机械性能是选择金属基底材料的基本要素，同时金属基底还应具有与缓冲层及超导层相近的热膨胀系数。在众多的金属基底材料中，镍及其镍基合金在一定高的处理温度下具有很高双轴织构和抗氧化性。目前在RABiTS技术路线中应用较广泛的是Ni基合金，如Ni-5at%W。
缓冲层在涂层导体中既是超导层外延生长的织构基底，也是克服金属基体元素扩散和与YBCO可能反应的阻挡层，是获得高质量涂层导体的最为关键性因素之一。这就要求缓冲层与超导层和金属基底要有较小的晶格失配度，且能够形成致密无裂纹的薄膜，有效阻碍金属基底被氧化及阻碍基底金属原子向超导层扩散，且不与金属基底和超导层反应，这就导致了缓冲层往往由多层和多种材料组合而成。目前在RABiTS路线中普遍使用的是一种三层的缓冲层结构Y2O3/YSZ/CeO2，其中三氧化二钇Y2O3由于其在金属基底上很好的亲和性和外延生长的能力成首先生长的一层，成为后面各层外延生长的种子层；YSZ被称作钇稳定的氧化锆，它是在结构不稳定的二氧化锆掺杂一定比例的钇（Y）元素（一般掺杂原子比率3%）稳定结构，实现缓冲层外延生长传递织构及金属基底和超导层原子扩散的作用，被称作为阻挡层；缓冲层氧化铈（CeO2）其是缓冲层结构的最上面一层，要求其要和上面的超导具有良好的晶格匹配并有很好的化学稳定性，被称作为帽子层。目前这三种结构虽然能够满足最终超导层的外延生长，但是复杂的三层结构却增加了沉积工艺和批量化制备的成本。因此需要使用简化的缓冲层结构来简化制备工艺，同时使用更有效的薄膜沉积的方法。
直流反应磁控溅射法是一种十分高效的缓冲层沉积技术，通过单元或多元金属靶体溅射时的氧化反应可获得需要的氧化物缓冲层。从大规模工业生产的要求来看, 物理气相沉积中的反应磁控溅射沉积技术具有明显的优势, 这是因为: (1)反应磁控溅射所用的靶材料(单元素靶或多元素靶) 和反应气体(氧、氮等) 通常很容易获得很高的纯度, 因而有利于制备高纯度的缓冲层薄膜; (2)反应磁控溅射中调节沉积工艺参数, 可以制备化学配比或非化学配比的缓冲层薄膜, 从而达到通过调节薄膜的组成来调控缓冲层特性的目的; (3)反应磁控溅射沉积过程中基底温度一般不会有很大的升高, 而且成膜过程通常也并不要求对基板进行很高温度的加热; (4)反应磁控溅射适于制备大面积均匀薄膜,其较快的沉积速率使百米量级缓冲层长样的工业化生产易于实现。
针对现有技术所存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的实验经验，积极研究改良，提出了本发明双层氧化物缓冲层结构的及其制备方法的技术方案。
发明内容
本发明的目的之一是利用反应溅射在具有双轴织构取向的Ni-5%W基底上外延生长简化的双层稀土氧化物缓冲层结构，（Ⅰ）La2Zr2O7/Ce2Y2O7、（Ⅱ）Y2O3/La2Zr2O7。缓冲层中的各层膜均具有良好的双轴织构，且取向均匀，能够有效的阻止金属基底的扩散，抑制金属基底的氧化，可以满足在其上外延生长钇钡铜氧YBCO的需要。
本发明的又一目的是提供一种双层氧化物缓冲层的动态沉积方法。
1.      一种高温超导涂层导体双层缓冲层结构，其特征在于：在具有双轴织构取向的Ni-5%W合金基底上生长双层稀土氧化物缓冲层结构，该双层以稀土氧化物缓冲层的结构为：包括（Ⅰ）La2Zr2O7/Ce2Y2O7、（Ⅱ）Y2O3/La2Zr2O7。斜线前者为第一缓冲层也即下缓冲层，斜线后者为第二缓冲层也即上缓冲层。在所述的双层氧化物缓冲层结构中，La2Zr2O7或Gd2Zr2O7厚度为150-650nm；CeO2的厚度为40-60nm；Y2O3或Gd2O3的厚度为40-60nm。此权利要求1所述的一种高温超导涂层导体双层缓冲层结构，其特征在于所述的（Ⅰ）Ce2Y2O7第一缓冲层可以用CeO2来取代，其第二缓冲层La2Zr2O7可以用Gd2Zr2O7来取代。所述的（Ⅱ）中的Y2O3第一缓冲层可以用Gd2O3来取代，其第二缓冲层La2Zr2O7可以用Gd2Zr2O7来取代。
2. 一种高温超导涂层导体双层缓冲层结构的动态沉积方法，其特征在于该方法具有以下的步骤：
A、溅射用的靶材采用合金或拼接金属靶材。
制备上述双元稀土金属氧化物（Ⅰ）La2Zr2O7/Ce2Y2O7、（Ⅱ）Y2O3/La2Zr2O7缓冲层需采用对应原子配比的合金作为溅射靶材或者是采用的多块拼接靶材；
B、在进行整个沉积过程之前，金属NiW基底进行预处理；在700-750℃的温度下，在ArH2气氛中对金属基底进行热处理，热处理的时间为30-60分钟；其中ArH2中的H2的比例为5%-10%；
C、在进行整个沉积过程之前，抽腔体真空至10-5Pa以下，然后向腔体内通入Ar5%H2，质量流量计流量为200-500 SCCM，之后通入水蒸汽，水分压控制在1.0×10-2-5×10-2Pa，整个腔体的总压强控制在1-4Pa。
D、 沉积按先第一缓冲层后第二缓冲层次序进行，也即先下层缓冲层再上缓冲层进行；开启加热装置进行加热，整个升温过程控制在20℃/min，最终温度在650-850℃；在升温的同时开启溅射电源进行溅射，一开始进行预溅射的功率要比正式沉积的预设功率大，保证靶材表面充分进行预溅射，待温度升到预设的温度，调节溅射电源至预设功率，等待靶材溅射稳定在40-160W（不同的沉积材料形成高质量的薄膜所需功率不同）。通过仪器组件的卷绕盘带动金属基带缓慢经过沉积区，进行薄膜正式沉积，通过调节拉力保证基底动态传动的稳定性，速度为0.1-50 m/h。
通过以上步骤即通过动态连续沉积制备得到双轴织构取向的氧化物薄膜。
在所述的步骤A中的用于制备靶材设计采用一种均匀分布的拼接方式，可保证在整个薄膜沉积的过程中，薄膜具有稳定的组分和均匀的表面。金属靶材及合金靶材纯度均大于99.9%。
在所述的步骤C中，用于反应溅射的水汽的气路装置，采用了一种多级的分散气路设计，能够实现水汽在大线度范围内的均匀通气，保证在整个溅射区域薄膜气氛的稳定性，在该步骤中采用的水汽供给装置是通过针对性的设计，能够保证在整个薄膜沉积的过程中水汽流量稳定性，保证沉积薄膜的质量。
在所述的步骤D中，金属基底由步进电机控制的卷绕盘带动实现动态传动，同时设有拉力传感器，进行实时监控，调节拉力及走带的稳定性，保证薄膜质量。
在所述的步骤中，对于缓冲层双层结构中的第二层的工艺步骤与和第一层的工艺步骤相同。
本发明优点：
1.常规的高温超导涂层导体隔离层一般由三层及以上组分构成，分别包括种子层、阻挡层、帽子层等，结构相对复杂且制备工艺繁琐。本发明提出的双层隔离层结构有效的减少了隔离层的组分，简化了隔离层的制备工艺。制备过程中，分别以拼接或合金金属为靶材，采用反应磁控溅射方式先后生长双轴取向稀土氧化物缓冲层。
2.本发明提供的方法生长的双层氧化物薄膜为纯双轴织构。X光衍射扫描为纯C轴取向，各层膜均无（111）取向生成。很好的传递了衬底的双轴织构，且织构取向均匀。
3.本发明中氧化物缓冲层与YBCO超导层和NiW基底晶格失配度较小，且薄膜致密无裂纹，有效阻止了金属基底被氧化及金属原子向超导层的扩散，且与YBCO的化学稳定性和结构匹配性较好，对于提高YBCO的电性能效果显著。
4.本发明提供的动态制备方法适宜大规模长带生产，制备手段易连续化，对YBCO涂层导体的规模化制备有重要意义。
说明：在说明书附图中，FWHM（半高宽）为表征氧化物薄膜在NiW基底上生长的好坏的参数，半高宽即X射线一半的峰强高度所对应的衍射角度的宽度。
附图说明
    图1为本发明实施例1高温超导涂层导体双层缓冲层结构的总图，图中表示出各层的关系。
图2为本发明实施例1的氧化物缓冲层La2Zr2O7/Ce2Y2O7的X射线衍射（XRD）图。
图3为本发明实施例1的氧化物缓冲层La2Zr2O7/Ce2Y2O7的（111）面φ扫描图。
图4为本发明实施例1的氧化物缓冲层La2Zr2O7/Ce2Y2O7外延生长的YBCO（103）面φ 扫描图。
图5为本发明实施例1的氧化物缓冲层La2Zr2O7/Ce2Y2O7外延生长的YBCO的超导转变曲线。
图6为本发明实施例2的氧化物缓冲层Y2O3/Gd2Zr2O7的X射线衍射（XRD）图。
图7为本发明实施例2的氧化物缓冲层Y2O3/Gd2Zr2O7的（111）面φ扫描图。
图8为本发明实施例2的氧化物缓冲层Y2O3/Gd2Zr2O7外延生长的YBCO（103）面φ 扫描图。
图9为本发明实施例2的氧化物缓冲层Y2O3/Gd2Zr2O7外延生长的YBCO的超导转变曲线。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实例并配合图示予以详细说明。
实施例1
利用反应磁控溅射制备La2Zr2O7/Ce2Y2O7双层缓冲层结构。
A、溅射用的Ce2Y2O7靶材采用原子个数为1：1的Ce、Y合金金属靶材，用于溅射用的La2Zr2O7的靶材用两个半圆拼接而成，其中一半是La一半是Zr。金属靶材及合金靶材纯度均大于99.9%。
B、在进行整个沉积过程之前，对金属NiW基底进行预处理。在700℃的温度和ArH2气氛中对金属基底进行热处理，热处理的时间为40分钟，其中ArH2中的H2中的比例为5%，整体的气压维持在1Pa。
C、先使用LaZr合金靶，在进行整个沉积过程之前，抽腔体真空至10-5Pa以下，然后向腔体内通入Ar5%H2，质量流量计流量为300SCCM，然后通入水蒸汽，水分压控制在2.1×10-2Pa，整个腔体的总压强控制在1Pa。
D、开启加热装置进行加热，整个升温过程控制在20℃/min，最终温度在800℃；在升温的同时开启溅射电源进行溅射，一开始进行预溅射的功率要比正式沉积的预设功率大，保证靶材表面充分进行预溅射，待温度升到预设的温度，调节溅射电源致预设功率，等待靶材溅射稳定在160W。、通过仪器组件的卷绕盘带动金属基带缓慢经过沉积区，进行薄膜正式沉积，通过调节拉力保证基底动态传动的稳定性，速度为0.43m/h。
E．然后更换靶材制备Ce2Y2O7薄膜，重复C、D步骤，但相关沉积的参数略有变化，其中包括在C步骤中的水分压控制在2.5×10-2Pa，D步骤中的溅射功率调整到70W，动态传动速度为0.2m/h。
通过以上步骤即通过动态连续沉积在NiW基带上制备得到双轴织构取向的La 2Zr2O7/Ce2Y2O7双层氧化物薄膜缓冲层结构。
图2为本发明实施例1的氧化物缓冲层La2Zr2O7/Ce2Y2O7的X射线衍射（XRD）图。由图2可以看出La2Zr2O7/Ce2Y2O7具有很强的（004）峰，只有微弱（222）峰的出现，表明薄膜形成了很好的C轴取向。为了进一步表征薄膜的面内织构取向，对薄膜进行了φ扫描的测量。图3为本发明实施例1的氧化物缓冲层La2Zr2O7/Ce2Y2O7的（111）面φ扫描图。由图中可以得出，φ扫描的半高宽值仅有6.5°，表明薄膜具有很好的面内织构。为了进一步验证该缓冲层沉积超导层的适宜性，利用脉冲激光沉积沉积了超导层YBCO。图4为本发明实施例1的氧化物缓冲层La2Zr2O7/Ce2Y2O7外延生长的YBCO（103）面φ 扫描图。由图中可以看出φ 扫描的半高宽只有5.5°，表明在该超导层上YBCO成功的进行了外延生长。图5为本发明实施例1的氧化物缓冲层La2Zr2O7/Ce2Y2O7外延生长的YBCO的超导转变曲线。超导转变温度 Tc为90K，超导转变宽度ΔTc为1.5K。
实施例2
实施例2利用反应磁控溅射制备Y2O3/Gd2Zr2O7双层缓冲层结构。
A、溅射用的Gd2Zr2O7靶材采用原子个数为1：1的Gd、Zr合金金属靶材，用于溅射用的Y2O3的靶材采用Y金属靶，金属靶材及合金靶材纯度均大于99.9%。
B、在进行整个沉积过程之前，金属NiW基底进行预处理。在700℃的温度和ArH2气氛中对金属基底进行热处理，热处理的时间为40分钟，其中ArH2中的H2中的比例为5%，整体的气压维持在1Pa。
C、先使用Y靶，在进行整个沉积过程之前，抽腔体真空至小于10-5Pa以下，然后向腔体内通入Ar5%H2，质量流量计流量为350 SCCM，然后通入水蒸汽，水分压控制在2.8×10-2Pa，整个腔体的总压强控制在1Pa。
D开启加热装置进行加热，整个升温过程控制在20℃/min，最终温度在800℃；在升温的同时开启溅射电源进行溅射，一开始进行预溅射的功率要比正式沉积的预设功率大，保证靶材表面充分进行预溅射，待温度升到预设的温度，调节溅射电源至预设功率，等待靶材溅射稳定在70W。通过仪器组件的卷绕盘带动金属基带缓慢经过沉积区，进行薄膜正式沉积，通过调节拉力保证基底动态传动的稳定性，速度为0.43m/h。
E．然后更换靶材制备Gd2Zr2O7薄膜，重复C、D步骤，但相关沉积的参数略有变化，在C步骤中的质量流量计流量为250SCCM，水分压控制在3.5×10-2Pa，D步骤中的溅射功率调整到60W，动态传动的速度为0.2m/h.
通过以上步骤即通过动态连续沉积在NiW基带上制备得到双轴织构取向的Y2O3/Gd2Zr2O7双层氧化物薄膜缓冲层结构。
图6为本发明实施例2的氧化物缓冲层Y2O3/Gd2Zr2O7的X射线衍射（XRD）图。由图6可以看出Y2O3/Gd2Zr2O7只有（004）峰，表明薄膜形成了很好的C轴取向。为了进一步表征薄膜的面内织构的取向，对薄膜进行了φ扫描的测量。图7为本发明实施例2的氧化物缓冲层Y2O3/Gd2Zr2O7的（111）面φ扫描图。由图中可以得出，φ扫描的半高宽值仅有5.6°，表明薄膜具有很好的面内织构。为了进一步验证该缓冲层沉积超导层的适宜性，利用脉冲激光沉积沉积了超导层YBCO。图8为本发明实施例1的氧化物缓冲层Y2O3/Gd2Zr2O7外延生长的YBCO（103）面φ 扫描图。由图中可以看出φ 扫描的半高宽只有5.2°，表明在该超导层上YBCO成功的进行了外延生长。图9为本发明实施例1的氧化物缓冲层Y2O3/Gd2Zr2O7外延生长的YBCO的超导转变曲线。超导转变温度 Tc为90K 超导转变宽度为ΔTc为1K。

Claims (2)

1.一种高温超导涂层导体双层缓冲层结构，其特征在于：在具有双轴织构取向的Ni-5%W合金基底上生长双层稀土氧化物缓冲层结构，该双层稀土氧化物缓冲层的结构为：包括（Ⅰ）La2Zr2O7/Ce2Y2O7、（Ⅱ）Y2O3/La2Zr2O7；斜线前者为第一缓冲层也即下缓冲层，斜线后者为第二缓冲层也即上缓冲层此权利要求1所述的一种高温超导涂层导体双层缓冲层结构，其特征在于所述的（Ⅰ）Ce2Y2O7第一缓冲层可以用CeO2来取代，其第二缓冲层La2Zr2O7可以用Gd2Zr2O7来取代；所述的（Ⅱ）中的Y2O3第一缓冲层可以用Gd2O3来取代，其第二缓冲层La2Zr2O7可以用Gd2Zr2O7来取代。
2.一种高温超导涂层导体双层缓冲层结构的动态沉积方法，其特征在于该方法具有以下的步骤：
A、溅射用的靶材采用合金或拼接金属靶材；
制备上述双元稀土金属氧化物（Ⅰ）La2Zr2O7/Ce2Y2O7、（Ⅱ）Y2O3/La2Zr2O7缓冲层需采用对应原子配比的合金作为溅射靶材或者是采用的多块拼接靶材；
B、在进行整个沉积过程之前，金属NiW基底进行预处理；在700-750℃的温度下，在ArH2气氛中对金属基底进行热处理，热处理的时间为30-60分钟；其中ArH2中的H2的比例为5%-10%；
C、在进行整个沉积过程之前，抽腔体真空至10-5Pa以下，然后向腔体内通入Ar5%H2，质量流量计流量为200-500 SCCM，之后通入水蒸汽，水分压控制在1.0×10-2-5×10-2Pa，整个腔体的总压强控制在1-4Pa；
D、 沉积按先第一缓冲层后第二缓冲层次序进行，也即先下层缓冲层再上缓冲层进行；开启加热装置进行加热，整个升温过程控制在20℃/min，最终温度在650-850℃；在升温的同时开启溅射电源进行溅射，一开始进行预溅射的功率要比正式沉积的预设功率大，保证靶材表面充分进行预溅射，待温度升到预设的温度，调节溅射电源至预设功率，等待靶材溅射稳定在40-160W（不同的沉积材料形成高质量的薄膜所需功率不同）；
通过仪器组件的卷绕盘带动金属基带缓慢经过沉积区，进行薄膜正式沉积，通过调节拉力保证基底动态传动的稳定性，速度为0.1-50 m/h。
CN201210055356.6A 2012-03-06 2012-03-06 高温超导涂层导体双层缓冲层结构及其动态沉积方法 Active CN102610322B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210055356.6A CN102610322B (zh) 2012-03-06 2012-03-06 高温超导涂层导体双层缓冲层结构及其动态沉积方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210055356.6A CN102610322B (zh) 2012-03-06 2012-03-06 高温超导涂层导体双层缓冲层结构及其动态沉积方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102610322A true CN102610322A (zh) 2012-07-25
CN102610322B CN102610322B (zh) 2014-07-30

Family

ID=46527632

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210055356.6A Active CN102610322B (zh) 2012-03-06 2012-03-06 高温超导涂层导体双层缓冲层结构及其动态沉积方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102610322B (zh)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102912332A (zh) * 2012-09-03 2013-02-06 西南交通大学 一种化学溶液沉积法制备RexCe1-xOy/M2Zr2O7双层缓冲层的方法
CN104264132A (zh) * 2014-09-18 2015-01-07 西北有色金属研究院 一种涂层导体单缓冲层及其制备方法
CN104928660A (zh) * 2015-05-18 2015-09-23 江苏亨通光电股份有限公司 超导涂层用YxCe1-xO2/La2Zr2O7复合过渡层薄膜的制备方法
US9419079B1 (en) 2015-04-30 2016-08-16 International Business Machines Corporation Low defect relaxed SiGe/strained Si structures on implant anneal buffer/strain relaxed buffer layers with epitaxial rare earth oxide interlayers and methods to fabricate same
CN106057642A (zh) * 2016-05-27 2016-10-26 清华大学 半导体结构以及制备半导体结构的方法
CN107903060A (zh) * 2017-12-11 2018-04-13 内蒙古科技大学 一种电子束物理气相沉积用锆酸镧基陶瓷靶材及其制备方法
CN108963067A (zh) * 2018-07-27 2018-12-07 武汉工程大学 一种ReBa2Cu3O7-x超导薄膜上制备钉扎层的方法
CN110904440A (zh) * 2019-12-05 2020-03-24 西安理工大学 可有效阻隔氧扩散的掺钛锆酸钇缓冲层材料及其制备方法
CN114855135A (zh) * 2022-04-22 2022-08-05 湖南工学院 一种金属材料表面CeO2复合薄膜及其制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060116293A1 (en) * 2004-12-01 2006-06-01 Norton David P Method of producing biaxially textured substrates and related articles, devices and systems
CN1993497A (zh) * 2004-08-05 2007-07-04 特里托尔有限公司 用于制造高织构的带形高温超导体的方法
US7553799B2 (en) * 2005-06-02 2009-06-30 Ut-Battelle, Llc Chemical solution deposition method of fabricating highly aligned MgO templates
CN101562065A (zh) * 2009-05-26 2009-10-21 上海大学 氧化物缓冲层及其制备方法
US7807608B2 (en) * 2006-05-18 2010-10-05 Nexans Coated conductor and polycrystalline films useful for the production of high temperatures superconductor layers
US20110105336A1 (en) * 2009-10-29 2011-05-05 International Superconductivity Technology Center, The Juridical Foundation Rare earth element oxide superconductive wire material and method of producing the same
CN102250470A (zh) * 2011-06-09 2011-11-23 广东科顺化工实业有限公司 一种动态密封胶及其制备方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1993497A (zh) * 2004-08-05 2007-07-04 特里托尔有限公司 用于制造高织构的带形高温超导体的方法
US20060116293A1 (en) * 2004-12-01 2006-06-01 Norton David P Method of producing biaxially textured substrates and related articles, devices and systems
US7553799B2 (en) * 2005-06-02 2009-06-30 Ut-Battelle, Llc Chemical solution deposition method of fabricating highly aligned MgO templates
US7807608B2 (en) * 2006-05-18 2010-10-05 Nexans Coated conductor and polycrystalline films useful for the production of high temperatures superconductor layers
CN101562065A (zh) * 2009-05-26 2009-10-21 上海大学 氧化物缓冲层及其制备方法
US20110105336A1 (en) * 2009-10-29 2011-05-05 International Superconductivity Technology Center, The Juridical Foundation Rare earth element oxide superconductive wire material and method of producing the same
CN102250470A (zh) * 2011-06-09 2011-11-23 广东科顺化工实业有限公司 一种动态密封胶及其制备方法

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102912332B (zh) * 2012-09-03 2014-12-03 西南交通大学 一种化学溶液沉积法制备RexCe1-xOy/M2Zr2O7双层缓冲层的方法
CN102912332A (zh) * 2012-09-03 2013-02-06 西南交通大学 一种化学溶液沉积法制备RexCe1-xOy/M2Zr2O7双层缓冲层的方法
CN104264132A (zh) * 2014-09-18 2015-01-07 西北有色金属研究院 一种涂层导体单缓冲层及其制备方法
US9685328B2 (en) 2015-04-30 2017-06-20 International Business Machines Corporation Low defect relaxed SiGe/strained Si structures on implant anneal buffer/strain relaxed buffer layers with epitaxial rare earth oxide interlayers and methods to fabricate same
US9768020B2 (en) 2015-04-30 2017-09-19 International Business Machines Corporation Low defect relaxed SiGe/strained Si structures on implant anneal buffer/strain relaxed buffer layers with epitaxial rare earth oxide interlayers and methods to fabricate same
US9419079B1 (en) 2015-04-30 2016-08-16 International Business Machines Corporation Low defect relaxed SiGe/strained Si structures on implant anneal buffer/strain relaxed buffer layers with epitaxial rare earth oxide interlayers and methods to fabricate same
US9613803B2 (en) 2015-04-30 2017-04-04 International Business Machines Corporation Low defect relaxed SiGe/strained Si structures on implant anneal buffer/strain relaxed buffer layers with epitaxial rare earth oxide interlayers and methods to fabricate same
CN104928660B (zh) * 2015-05-18 2017-08-08 江苏亨通光电股份有限公司 超导涂层用YxCe1‑xO2/La2Zr2O7复合过渡层薄膜的制备方法
CN104928660A (zh) * 2015-05-18 2015-09-23 江苏亨通光电股份有限公司 超导涂层用YxCe1-xO2/La2Zr2O7复合过渡层薄膜的制备方法
CN106057642A (zh) * 2016-05-27 2016-10-26 清华大学 半导体结构以及制备半导体结构的方法
CN106057642B (zh) * 2016-05-27 2019-04-23 清华大学 半导体结构以及制备半导体结构的方法
CN107903060A (zh) * 2017-12-11 2018-04-13 内蒙古科技大学 一种电子束物理气相沉积用锆酸镧基陶瓷靶材及其制备方法
CN108963067A (zh) * 2018-07-27 2018-12-07 武汉工程大学 一种ReBa2Cu3O7-x超导薄膜上制备钉扎层的方法
CN108963067B (zh) * 2018-07-27 2022-04-29 武汉工程大学 一种ReBa2Cu3O7-x超导薄膜上制备钉扎层的方法
CN110904440A (zh) * 2019-12-05 2020-03-24 西安理工大学 可有效阻隔氧扩散的掺钛锆酸钇缓冲层材料及其制备方法
CN114855135A (zh) * 2022-04-22 2022-08-05 湖南工学院 一种金属材料表面CeO2复合薄膜及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102610322B (zh) 2014-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102610322B (zh) 高温超导涂层导体双层缓冲层结构及其动态沉积方法
Goyal et al. The RABiTS approach: Using rolling-assisted biaxially textured substrates for high-performance YBCO superconductors
KR100418279B1 (ko) 2축 배향조직을 가진 제품 및 그의 제조방법
US7087113B2 (en) Textured substrate tape and devices thereof
Paranthaman et al. YBa2Cu3O7-y− coated conductors with high engineering current density
JP2007532775A (ja) 超伝導体被覆テープのための二軸配向フィルム堆積
EP1858091B1 (en) Conductor coated with a polycrystalline film useful for the production of high temperatures superconductor layers
EP2601693A1 (en) Iron based superconducting structures and methods for making the same
CN108588648A (zh) 异位多元金属氧化物薄膜外延生长及其连续化制备的方法
JP2004071359A (ja) 酸化物超電導線材
Goyal et al. Using RABiTS to fabricate high-temperature superconducting wire
Selvamanickam High temperature superconductor (HTS) wires and tapes
JP2002150855A (ja) 酸化物超電導線材およびその製造方法
Feenstra et al. Critical currents I/sub c/(77 K)> 350 A/cm-width achieved in ex situ YBCO coated conductors using a faster conversion process
CN103215546A (zh) 基于IBAD-MgO金属基带的简化隔离层及其制备方法
CN104992777A (zh) 一种双轴织构缓冲层结构
Xue et al. Epitaxial growth and characterization of dual-sided Y2O3 buffer layer for superconducting coated conductors
US8030247B2 (en) Synthesizing precursor solution enabling fabricating biaxially textured buffer layers by low temperature annealing
Sathyamurthy et al. Solution-processed lanthanum zirconium oxide as a barrier layer for high I c-coated conductors
CN103233205A (zh) 利用PLD技术在IBAD-MgO基带上快速制备简化单一CeO2缓冲层的方法
CN1258618C (zh) 一种在金属基底上形成织构外延膜的方法
Krebs et al. Conditions for oriented growth of Y‐Ba‐Cu‐O and Bi‐Sr‐Ca‐Cu‐O films by pulsed laser ablation
Paranthaman et al. Optimization of buffer layers on rolled-Ni substrates for high current YBCO and Tl, Bi-1223 coated conductors using ex-situ precursor approaches
CN102286711B (zh) 双轴织构镍-钨金属基带的多通道快速原位退火方法
Sathyamurthy et al. American superconductor: Second generation superconductor wire—from research to power grid applications

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant