CN104216557B - 触摸屏及触摸屏的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明的触摸屏例如抑制牛顿环的发生。该触摸屏具备:第1基材,该第1基材具有第1主面、及形成有第1透明导电膜的第2主面;以及第2基材,该第2基材具有形成有第2透明导电膜的第3主面、及第4主面,该触摸屏将所述第1基材及所述第2基材配置成所述第1透明导电膜与所述第2透明导电膜相对,所述第1基材是从所述第2主面侧朝向所述第1主面侧突出的弯曲形状。
Description
【技术领域】
本发明,是有关于触摸屏及触摸屏的制造方法。
【现有技术】
近年来,在可携带设备和移动电话设备、车用导航装置等所具备的液晶显示元件等的显示设备上,配置有进行操作输入用的触摸屏。触摸屏有时被称为触控屏幕等。
现提出有各种各样的触摸屏的方式。作为代表性的方式之一,提出有电阻膜方式的触摸屏。电阻膜方式的触摸屏,是具有使2个透明导电膜隔着由丙烯树脂等绝缘材料所构成的隔片而相对配置的构造。2个透明导电膜分别起到触摸屏的上部电极及下部电极的作用。透明导电膜形成于具有透明性的基材的表面,由ITO(铟锡氧化物、Indium Tin Oxide)等高曲折率(例如1.9~2.1左右)的材料所构成。
在电阻膜方式等的触摸屏中,具有发生被称为牛顿环的现象的情况。牛顿环,是指触摸屏的上下电极间的间隔量变窄等情况下,由光的干涉而发生的干涉条纹。牛顿环的发生使得显示设备的显示质量变差,从而发生问题。因此,提出需要抑制牛顿环的发生。例如,在下述专利文献1中记载了,通过将走线电极的厚度设置为大于密封材料的厚度,从而将上基板弯曲,由此,抑制了在触摸屏上产生牛顿环。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]
日本发明专利特开2004-280759号公报
【发明内容】
[本发明所要解决的技术问题]
专利文献1所记载的技术中,因为是物理性地将上基板弯曲,所以需要细致地控制走线电极的厚度及密封材料的厚度,从而产生触摸屏的制造工序复杂化的问题。
因此,本发明的目的之一在于,提供一种触摸屏及触摸屏的制造方法,可解决上述问题,新颖且有用。
[解决技术问题所采用的技术方案]
为了解决上述的课题,本发明的触摸屏例如实现成如下这样,该触摸屏具备:第1基材,该第1基材具有第1主面、及形成有第1透明导电膜的第2主面;以及第2基材,该第2基材具有形成有第2透明导电膜的第3主面、及第4主面,该触摸屏将第1基材及第2基材配置成第1透明导电膜与第2透明导电膜相对,第1基材是从第2主面侧朝向第1主面侧突出的弯曲形状。
本发明的触摸屏例如实现成如下这样,具备玻璃基材,该玻璃基材通过浮法而获得,并具有顶面及底面,对于底面形成有透明导电膜。
本发明的触摸屏的制造方法例如实现成如下这样,该触摸屏通过对具有第1主面及第2主面的第1基材、与具有第3主面及第4主面的第2基材进行相对配置而得以形成,第1基材是从第2主面侧朝向第1主面侧突出的弯曲形状,该制造方法包含对于第1基材的第2主面形成透明导电膜的工序。
[发明效果]
至少根据一个实施例,就可以抑制牛顿环的发生。
【附图说明】
图1是表示一般的触摸屏的剖面结构的一个示例的图。
图2是表示一般的触摸屏的剖面结构及与该触摸屏一体地构成的显示设备的剖面结构的一个示例的图。
图3是表示触摸屏的使用状态的一个示例的图。
图4A及图4B是表示一般的触摸屏的制造方法的一个示例的图。
图5是表示玻璃基材的制造方法的一个示例的图。
图6是用于说明玻璃基材的制造方法的一个示例的图。
图7是用于说明玻璃基材的弯曲的一个示例的图。
图8是用于说明对玻璃基材形成透明导电膜的一个示例的图。
图9是用于说明将弯曲形状的玻璃基材适用在触摸屏的状态的一个示例的图。
图10A是用于说明一般的触摸屏中的空气注入后的状态的一个示例的图,图10B是用于说明空气注入后的触摸屏中的周缘部的状态的一个示例的图。
图11是用于说明牛顿环的发生部位的一个示例的图。
图12是用于说明本发明的一实施方式中的、对玻璃基材形成透明导电膜的一个示例的图。
图13A是用于说明本发明的一实施方式的触摸屏中的空气注入后的状态的一个示例的图,图13B是用于说明空气注入后的触摸屏中的周缘部的状态的一个示例的图。
图14是表示本发明的一实施方式中的触摸屏的剖面结构的一个示例的图。
图15是表示本发明的一实施方式中的触摸屏的制造方法的一个示例的图。
图16是表示本发明的一实施方式中的触摸屏的制造方法的其他示例的图。
【实施方式】
以下,参照附图对本发明的实施方式进行说明。说明是由以下顺序进行。
<1.一实施方式>
<2.变形例>
以下说明的实施方式等是本发明的最佳的具体示例,本发明的内容并不限定于这些实施方式等。此外,以下的说明中的效果是例示,并不否定可达成由本发明的一实施方式等所示例的效果以外的效果。
<1.一实施方式>
首先,为了容易理解一实施方式的内容,先说明一般的触摸屏的结构、制造方法等。接着,说明本发明的一实施方式中的触摸屏的结构、制造方法等。另外,在一实施方式中的触摸屏的结构等的说明中,除了特别规定外,都可适用于一般的触摸屏的结构、制造方法等。在该情况下,附加有同一标号处表示同一结构,适宜地省略重复的说明。
「一般的触摸屏的结构的一个示例」
首先,说明一般的触摸屏的结构的一个示例。在此例中,以所谓的电阻膜方式的触摸屏(电阻膜方式触摸屏)为例进行说明。电阻膜方式触摸屏可以是模拟电阻膜方式触摸屏及数字电阻膜方式触摸屏的任一种。
图1是表示触摸屏10的剖面的结构的一个示例。触摸屏10具有第1基材的一个示例即基材111及第2基材的一个示例即基材121。基材111具有作为第1主面的一个示例的主面111a、及作为第2主面的一个示例的主面111b。基材121具有作为第3主面的一个示例的主面121a、及作为第4主面的一个示例的主面121b。
在基材111的主面111b,形成有第1透明导电膜的一个示例即透明导电膜112。且,在基材121的主面121a,形成有第2透明导电膜的一个示例即透明导电膜122。配置基材111及基材121,并使得透明导电膜112及透明导电膜122相对。
通过基材111及透明导电膜112形成第1导电性基材11。通过基材121及透明导电膜122形成第2导电性基材12。导电性基材11及导电性基材12被配置于那些的周缘部间,隔着贴合部130彼此贴合,并形成一体。在透明导电膜112及透明导电膜122的相对间隙(空气层)AS中,配置有多个间隔粒子131。
此外,未图示的可挠性印刷电路基板(FPC(Flexible PrintedCircuit))例如被安装于透明导电膜112的预定部位,由此,可达成与外部的导通。
对于触摸屏10的各部分进行详细说明。首先,说明基材111。此外,除了特别规定外,对于基材121也同样,所以适宜地省略重复的说明。
基材111的形状可示例为薄片状、块体状、盘状(板状)。当然,这些形状只是一个示例,不限定于示例的形状。此外,薄片状中包含薄膜。
基材111例如是具有透明性的基体。基材111的材料例如可以使用公知的玻璃。在此例中,基材111及基材121之中,至少基材111是由浮法玻璃(有时被称为浮法平板玻璃、钠钙玻璃、钠玻璃等)所构成,并对此进行说明。
基材111的材料可以使用塑料。塑料例如可以使用公知的高分子材料。公知的高分子材料可示例为三乙酰纤维素(TAC)、聚酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯萘(PEN)、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)、芳族聚酰胺、聚乙烯(PE)、聚丙烯酸酯、聚醚磺、聚磺、聚丙烯(PP)、二乙酰纤维素、聚氯乙烯、丙烯树脂(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、环氧树脂、尿素树脂、尿烷树脂、三聚氰胺树脂、环状烯烃聚合物(COP)、降冰片烯类热可塑性树脂。
在基材111是玻璃基材的情况下,基材111的厚度优选为20μm~10mm。基材111是塑料基材的情况下,基材111的厚度优选为20μm~500μm。当然这些数值只是例示,不限定于此范围。基材111及基材121可以是相同的厚度,也可以是不同的厚度。
接着,说明透明导电膜112。此外,除了特别规定外,对于透明导电膜122也同样,所以适宜地省略重复的说明。
透明导电膜112的材料例如可以使用从由具有导电性的金属氧化物材料、金属材料、碳材料及导电性聚合物等所构成的组中选出的1种以上的材料。金属氧化物材料例如可举例为:铟锡氧化物(ITO)、氧化锌、氧化铟、掺锑氧化锡、掺氟氧化锡、掺铝氧化锌、掺镓氧化锌、掺硅氧化锌、氧化锌-氧化锡类、氧化铟-氧化锡类、氧化锌-氧化铟-氧化镁类等。金属材料例如可以使用金属纳米粒子、金属线等。
这些具体的材料例如可举例为:铜、银、金、白金、钯、镍、锡、钴、铑、铱、铁、钌、锇、锰、钼、钨、铌、钽、钛、铋、锑、铅等的金属、或是这些的合金等。
碳材料例如可举例为:碳黑、碳纤维、富勒烯、石墨烯、碳纳米管、碳微线圈及纳米角等。导电性聚合物例如可以使用由取代或无取代的聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、及从这些中选出的1种或2种所构成的(共)聚合物等。
透明导电膜112的形成方法例如可以使用:溅射法、真空蒸镀法、离子镀膜法等PVD(物理气相沉积、Physical Vapor Deposition)法、和CVD(化学气相沉积、Chemical VaporDeposition)法、涂抹法、印刷法等。
贴合部130例如可以使用:粘接糊料、粘接带等。间隔粒子131例如为大致呈半球状的形状,并被配置于透明导电膜122的表面上。间隔粒子131由丙烯尿烷树脂等构成。间隔粒子131的数量和配置态样可以对应触摸屏10的结构适宜地进行设定。
如图2所示,触摸屏10隔着贴合层(图示省略)被贴合在显示设备20。具体而言,显示设备20被贴合于基材121的主面121b。贴合层的材料可示例为:丙烯类、胶状类、硅类等的粘接剂。从透明性的观点来看,优选丙烯类粘接剂。
显示设备20可示例为:液晶显示器、CRT(电子射线管、Cathode Ray Tube)显示器、等离子显示器(Plasma Display Panel:PDP)、电致发光(Electro Luminescence:EL)显示器、LED(发光二极管、Light Emitting Diode)显示器等。
「触摸屏的使用状态的一个示例」
图3是表示触摸屏10的使用状态的一个示例的图。如图3所示,使用者可使用手指F来对触摸屏10进行操作输入。具体而言,可使用手指F对基材111的主面111a的进行操作输入。此外,对于触摸屏10的操作输入,不限定于手指,也可以使用手写笔等器具。
由此,因为对于主面111a进行操作输入,所以从提高耐擦伤性的观点来看,优选在主面111a形成硬壳层。并且,更优选为,硬壳层的表面具有防污性。对形成于主面111a的硬壳层的操作输入,也被包含于对主面111a的操作输入。
「触摸屏的动作的一个示例」
对触摸屏10的动作的一个示例进行说明。在此,所说明的触摸屏10是4线式电阻膜方式触摸屏。
基材111上形成有多个透明导电膜112(上部电极)。在基材121上,透明导电膜122(下部电极)形成于大致与透明导电膜112垂直的方向上。通常,上下方的电极分开,维持绝缘状态。
对应对于主面111a的操作输入(触碰操作),使受到操作输入处的上下电极相接触,有电流流过。通过判别已导通的电极对,来判别交点的坐标,即,受到操作输入处的位置。
当然,触摸屏10不限定于4线式,也可以是对4线式进行了改良的5线式、6线式、8线式的电阻膜方式触摸屏。触摸屏10根据这些方式来动作。
「触摸屏的制造方法的一个示例」
参照图4A及图4B,对触摸屏10的制造方法的一个示例进行说明。此外,在以下的说明中,虽然对触摸屏10的制造方法中的主要的过程进行说明,但不排除与所说明的工序不同的工序也包含在内。
首先,参照图4A说明导电性基材11的制造方法的一个示例。此外,导电性基材12的制造方法大致与导电性基材11相同,所以除了特别规定外,省略有关于导电性基材12的制造方法的说明。
在步骤S1中,进行透明导电膜的成膜工序,在基材111的主面111b上形成透明导电膜112。透明导电膜112的形成方法例如可以使用热CVD、等离子CVD、光CVD等CVD法(利用化学反应从气相析出薄膜的技术)之外,还可以使用真空蒸镀、等离子体辅助蒸镀、溅射、离子镀膜等PVD法(在真空中物理性地将气化的材料凝集在基板上,形成薄膜的技术)。
在下一个步骤S2中,进行抗蚀剂层的成膜工序,在透明导电膜112的表面上形成抗蚀剂层。抗蚀剂层的材料例如可以使用:酚醛清漆类抗蚀剂、化学增幅抗蚀剂等有机抗蚀剂。
在下一个步骤S3中,进行蚀刻工序。蚀刻例如可以使用湿式蚀刻。在蚀刻工序中除去不需要的透明导电膜112,并形成矩形状等的多个透明导电膜,并剥离抗蚀剂层。此外,在制备导电性基材12的情况下,例如,在进行蚀刻工序后,通过印刷及煅烧来形成间隔粒子131。
在下一个步骤S4中,进行电路印刷工序。在电路印刷工序中,例如,通过将银油墨印刷在导电膜图案的预定部位之后,进行加热处理,从而形成从透明导电膜112引出的走线电路。此外,依据需要也可以在透明导电膜的周围印刷、涂布绝缘油墨。
通过图4B所示的步骤S10的贴合工序,使导电性基材11及导电性基材12隔着贴合部130相贴合。具体而言,在将导电性基材11与导电性基材12进行定位之后,对导电性基材11施加预定的压力,使导电性基材11与导电性基材12相贴合。
在下一个步骤S11的空气注入工序中,为了修正导电性基材11与导电性基材12的相对间隙(间隔),将空气注入相对间隙。通过此过程使间隔得到修正,并抑制牛顿环的发生。
「基材的制造方法的一个示例」
但是,如上所述,在一实施方式中,基材111是由浮法玻璃所构成。浮法玻璃是指通过被称为浮法的制造方法而作成的玻璃的意思。
图5表示浮法的主要工序。在步骤S20中,进行熔融工序。在熔融工序中,将硅砂、苏打灰、石灰岩等玻璃材料在高温(例如1600℃以上)下进行加热,将玻璃材料进行熔融、混合。
在下一个步骤S21中,进行浮动成形工序。在浮动成形工序中,熔融的玻璃材料流入存积有熔融金属的槽(浮动成形槽、float path)。熔融金属例如是锡(Sn)。在此,因为玻璃的比重比锡轻,因此,流入浮动成形槽的玻璃材料会浮在锡的上方。由此,玻璃材料成型为一定的宽度及一定的厚度。
在下一个步骤S22中,进行冷却工序。在冷却工序中,流动至锡上方的玻璃材料是被提供至冷却管路,缓慢冷却。通过冷却工序使玻璃材料固态化。
在下一个步骤S23中,进行切割工序。在切割工序中,在步骤S22被固态化的玻璃材料被切割成适宜的大小。
图6表示基于浮法的生产线的一个示例。在熔融工序中,玻璃材料流入溶解槽150。在溶解槽150内对玻璃材料进行加热,生成熔融的玻璃材料160。熔融的玻璃材料160被提供至浮动成形槽151。
在浮动成形槽151内,存积有熔融的锡161。如上所述,因为玻璃的比重比锡轻,所以玻璃材料160流动于锡161的上方。此外,玻璃材料160被提供至冷却窑152。通过在冷却窑152使玻璃材料160缓慢冷却而使玻璃材料160固态化,形成玻璃170。通过辊165等将玻璃170排出至冷却窑152的外部,之后,玻璃170被切割成适宜的大小,形成基材111。此外,基材121也同样地形成。
通过浮法制成的基材111之中,与锡相接触的面上,薄薄地附着有锡。此面被称为底面(锡面)。另一方面,底面的相反面,即未与锡接触的面被称为顶面(非锡面)。
「因玻璃基材的弯曲而产生的问题」
根据浮法,可以制成变形、弯曲较少的玻璃基材。但是,由于冷却工序等各工序的各种因素,无法使弯曲量完全变为0。即,基材111并不是如图1等所示那样地平坦,实际是如图7所示那样,成为从底面朝顶面突出的弯曲形状。玻璃基材的弯曲量t例如为0.1mm(毫米)左右。
以往以来,在形成透明导电膜的工序中,未考虑玻璃基材的弯曲形状。因此,如图8所示例的那样,透明导电膜(例如ITO膜)112有时形成于玻璃基材111的顶面。在此情况下,基材111的顶面与主面111a相对应,基材111的底面与主面111b相对应。此外,在将ITO膜用作为透明导电膜的情况下,该成膜工序一般在常温左右的环境下通过溅射来完成。通过这种工序形成的ITO膜在物理特性上已知具有拉伸应力。在此情况下,由于ITO膜的拉伸应力会使玻璃基材的弯曲量t进一步增加。
然后,在贴合工序中,弯曲形状的玻璃基材111如图9所示例的那样,与玻璃基材121相贴合。即,基材111及基材121相贴合,并使得基材111朝向基材121突出。此外,在图9(后述的图也同样)中,适宜地省略对间隔粒子131的图示。
在基材111与基材121相贴合之后,在空气注入工序中,将空气注入间隔。图10A示出了被注入空气的状态下的触摸屏。对于被注入空气的触摸屏,其基材111的顶部TP会出现于从基材111的中心位置偏离的位置上。
图10B是触摸屏的周缘部的放大图。尤其在触摸屏的周缘部会发生凹陷。凹陷是指相对于触摸屏的外侧(周缘侧),内侧较低的状态的现象的意思。在图10B中,例如,玻璃基材111上的任意点P1位于比点P1更靠外侧的点P2更低的位置上,且发生凹陷。在发生凹陷的点P1附近,透明导电膜112与透明导电膜122相接近,所以在此周边发生牛顿环。
图11示出了空气注入后的基材111的顶部TP的位置及发生牛顿环的位置的一个示例。被附上「×」的位置表示顶部TP的位置的一个示例,被附上斜线的位置表示容易产生牛顿环的位置的一个示例。
顶部TP出现于从基材111的主面111a的中央部偏离的位置上。在基材111上、远离顶部TP的周缘部产生牛顿环。当然,这些只是示例,顶部TP的位置及牛顿环的发生位置并不完全相同。
也就是说,在基材111与基材121相贴合,且使得使基材111向基材121突出的情况下,由于基材111的弯曲形状而导致产生凹陷。并且,因该凹陷而产生牛顿环,从而产生问题。
「本发明中的触摸屏的结构的一个示例」
在此,如图12所示,在本发明的一个实施方式中,作为一个示例,在基材111的底面形成透明导电膜112。通过透明导电膜112的拉伸应力来多多少少地减少基材111的弯曲量。
图13A示出了在贴合工序中,将基材111与基材121相贴合的状态的一个示例。即,将基材111与基材121相贴合,并使得基材111从底面向顶面突出。
接着贴合工序之后,进行空气注入工序。即使在通过空气注入工序使空气注入的情况下,基材111的顶部TP仍发生在基材111的大致中央处。也就是说,维持触摸屏的内侧比外侧要高的状态。如图13B所示,基材111上的点P1位于比点P1更靠近外侧的点P2更高的位置上,即使在基材111的周缘部也不会发生凹陷。因为不会发生凹陷,所以可以抑制牛顿环的产生。
图14是表示本发明的一个实施方式中的触摸屏100的剖面结构的一个示例。在触摸屏100中,与触摸屏10相同,配置有基材111及基材121,并使得透明导电膜112与透明导电膜122相对。基材111是从主面111b(底面)朝向主面111a(顶面)突出的弯曲形状。换言之,基材111是朝与基材121不相对的非相对方向突出的弯曲形状。
图15示出了触摸屏100的制造方法的一个示例。在步骤S31中,对于基材111的主面111b,换言之,对于基材111的底面,形成透明导电膜112。透明导电膜112的形成方法可以适用在图4的步骤S1的说明中所示例的方法。
对于其他工序(抗蚀剂成膜工序S32、蚀刻工序S33、电路印刷工序S34),因为与图4中的抗蚀剂成膜工序S2、蚀刻工序S3及电路印刷工序S4的内容相同,所以省略重复的说明。通过图15所示的工序而获得的基材111在贴合工序中被贴合于基材121。然后,在空气注入过程中,空气被注入基材111及基材121的相对间隙,间隔得到修正。
此外,如图16所示,也可以在步骤S31之前的工序添加用于判别基材111的主面是底面还是顶面的判别工序(步骤S30)。
判别基材111的底面及顶面的方法例如可举例为将短波长的紫外线灯对基材111照射的方法。通过浮法制成的玻璃基材在与锡接触的面,即,会在底面薄薄地附着锡。若对玻璃基材照射紫外线,则在顶面无特别的变化,但在底面可观察到泛白的玻璃基材。
此现象的产生是由于例如300nm(纳米)以下的波长的紫外线不易通过玻璃基材。即,这是由于,若将紫外线照射在附着有锡的底面,则锡会发出荧光,与此相对,若将紫外线照射于顶面,则紫外线会被玻璃吸收而无法到达锡。
通过由人或机器观察基于紫外线照射的现象,来判别玻璃基材的顶面及底面。然后,根据判别结果,在下一个步骤S31,在被判别为底面的主面上进行透明导电膜的成膜过程。
此外,判别顶面及底面的方法不限于照射紫外线的方法。例如,也可以通过观察玻璃基材的切割面,来判别顶面及底面。另外,也可以适用与示例的方法不同的公知方法。
依据本发明的一实施方式,能在触摸屏的制造过程中防止例如凹陷的产生。因此,可以抑制因凹陷而导致牛顿环的产生,从而能提供显示质量优异的触摸屏。另外,不需要细致地对构成触摸屏的各构件的厚度进行控制,此外,也不需要在触摸屏添加新的结构。
<2.变形例>
以上,虽具体说明了本发明的实施方式,但是本发明并不局限于上述实施方式,可进行各种的变形。
在上述的一实施方式中,例举了电阻膜方式触摸屏,但是并不局限于此。本发明也可以适用于具有间隔层的结构的触摸屏、需要将该间隔层均一化的触摸屏等。
在上述的一实施方式中,以玻璃为基材的示例进行了说明,但只要基材是弯曲形状,薄膜等的基材也可以适用于本发明。此外,在一实施方式中,以一个基材(基材111)是弯曲形状的情况进行了说明,但在另一个基材(基材121)是弯曲形状的情况、两个基材均是弯曲形状的情况也同样能适用本发明。
上述实施方式及变形例所举例的结构、方法、工序、形状、材料及数值等仅是示例,可以依据需要使用与其不同的结构、方法、工序、形状、材料及数值等。另外,实施方式及变形例中的结构、方法、工序、形状、材料及数值等可以在技术上不产生矛盾的范围内相互组合。
此外,本发明不局限于装置,例如也可以由方法、程序、记录有程序的记录介质来实现。
【标号说明】
100:触摸屏
111,121:基材
111a,111b:主面
121a,121b:主面
112,122:透明导电膜
131:间隔粒子
Claims (6)
1.一种触摸屏,具备:
第1基材,该第1基材具有作为顶面的第1主面、及形成有第1透明导电膜且作为底面的第2主面;
第2基材,该第2基材具有形成有第2透明导电膜的第3主面、及第4主面;以及
贴合部,该贴合部将所述第1基材及所述第2基材相贴合而形成为一体,
该触摸屏将所述第1基材及所述第2基材配置成所述第1透明导电膜与所述第2透明导电膜相对,
所述第1基材是通过浮法以从所述第2主面侧朝向所述第1主面侧突出的弯曲形状而制成的玻璃基材。
2.如权利要求1所述的触摸屏,其特征在于,
在非按压状态下,仅利用所述贴合部将所述第1基材支撑于所述第2基材上而成。
3.如权利要求1或2所述的触摸屏,其特征在于,
所述第1透明导电膜及所述第2透明导电膜含有铟锡氧化物。
4.如权利要求1或2所述的触摸屏,其特征在于,
能够对所述第1主面进行操作输入。
5.如权利要求1或2所述的触摸屏,其特征在于,
在所述第1透明导电膜与所述第2透明导电膜的相对间隙配置有间隔粒子。
6.一种触摸屏的制造方法,其特征在于,
该触摸屏通过对具有第1主面及第2主面的第1基材、与具有第3主面及第4主面的第2基材进行相对配置而得以形成,
所述第1基材是从第2主面侧朝向第1主面侧突出的弯曲形状,
该制造方法包含:
判别所述第1基材的主面是所述第1主面还是所述第2主面的工序;以及
对于所述第1基材的所述第1主面形成透明导电膜的工序。
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