CN104205625B - 具有改进的效率的可重配置输入功率分配多尔蒂放大器 - Google Patents

具有改进的效率的可重配置输入功率分配多尔蒂放大器 Download PDF

Info

Publication number
CN104205625B
CN104205625B CN201380014736.8A CN201380014736A CN104205625B CN 104205625 B CN104205625 B CN 104205625B CN 201380014736 A CN201380014736 A CN 201380014736A CN 104205625 B CN104205625 B CN 104205625B
Authority
CN
China
Prior art keywords
power
millimeter
lead
out terminal
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201380014736.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104205625A (zh
Inventor
S·林
R·布鲁肯布鲁弗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qualcomm Inc
Original Assignee
Qualcomm Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Qualcomm Inc filed Critical Qualcomm Inc
Publication of CN104205625A publication Critical patent/CN104205625A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104205625B publication Critical patent/CN104205625B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
    • H03F3/602—Combinations of several amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0288—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers using a main and one or several auxiliary peaking amplifiers whereby the load is connected to the main amplifier using an impedance inverter, e.g. Doherty amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • H03F1/3241—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using predistortion circuits
    • H03F1/3282—Acting on the phase and the amplitude of the input signal
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/135—Indexing scheme relating to amplifiers there being a feedback over one or more internal stages in the global amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/192—A hybrid coupler being used at the input of an amplifier circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/393—A measuring circuit being coupled to the output of an amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/465—Power sensing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)

Abstract

公开了一种具有改善的效率的改进型Doherty放大器。在一个示例性实施例中，一种装置包括移相器和混合加型耦合器，该移相器被配置成基于所选择的相移来生成经移相的第一毫米(MM)波信号，该混合加型耦合器包括输出端子并且被配置成基于经移相的第一MM波信号和第二MM波信号的组合来调整输出端子处的输出功率电平。

Description

具有改进的效率的可重配置输入功率分配多尔蒂放大器
领域
本申请一般涉及无线设备的操作和设计，尤其涉及功率放大器的操作和设计。
背景
越来越需要使得无线设备能够进行低功率操作以提供延长的通话时间。达成更低功耗的一个关键与设备的功率放大器(PA)的性能相关联。例如，高度线性化和高效的功率放大器可被用于使手持设备的待机和通话时间最大化。然而，在传统的PA设计中，效率一般仅在高输出电平处才较高。当需要较低的输出电平时(典型地用于如OFDM之类的复调制)，效率明显地降低。
Doherty(多尔蒂)功率放大器已被用于改进平均功率效率。Doherty功率放大器具有功率拆分器，其将输入功率拆分到主放大器和辅助放大器中。然而，在辅助放大器未开启时的操作期间，被引导到辅助放大器的信号功率被浪费，由此降低了效率。因此，需要一种优化Doherty放大器中的输入功率分配的方法，从而利用全部的输入功率，这将提高总的功率效率。
附图简述
通过参照以下结合附图考虑的描述，本文中所描述的以上方面将变得更易于明了，在附图中：
图1解说了用于毫米(MM)波应用的改进型Doherty功率放大器的示例性实施例；
图2示出了混合加型耦合器的示例性实施例；
图3示出了混合环型耦合器的示例性实施例；
图4示出了解说由图1的改进型Doherty放大器的示例性实施例所提供的效率提高的示例性图表；
图5示出了用于通过Doherty放大器提供提高的效率的示例性方法；以及
图6示出了配置成用于提高效率的Doherty放大器设备的示例性实施例。
详细描述
下面结合附图阐述的详细描述旨在作为对本发明的示例性实施例的描述，而非旨在代表可在其中实践本发明的仅有实施例。贯穿本描述使用的术语“示例性”意指“用作示例、实例或解说”，并且不应一定解释成优于或胜于其它示例性实施例。本详细描述包括具体细节以提供对本发明的示例性实施例的透彻理解。对于本领域技术人员将显而易见的是，没有这些具体细节也可实践本发明的示例性实施例。在一些实例中，公知的结构和设备以框图形式示出以免湮没本文中给出的示例性实施例的新颖性。
图1解说了用于毫米(MM)波应用的改进型Doherty功率放大器100的示例性实施例。放大器100适合用在无线手持设备或其它便携式设备中，并且也适合用在基站或任何其它无线通信装置中。
放大器100包括接收MM波输入信号(PIN)的功率拆分器102。功率检测器104检测输入端上的功率，并且提供检测信号106给控制器108。拆分器102的第一输出(拆分信号)110被输入到混合加型耦合器112的“A”输入端。拆分器102的第二输出(拆分信号)114被输入到移相器116。移相器116的经移相的输出信号132是第二拆分信号114的经移相版本，并且被输入到混合加型耦合器112的“C”输入端。拆分器102的两个输出都具有比输入信号(PIN)功率电平小3dB的功率电平。
在示例性实施例中，混合加型耦合器112包括1/4波长延伸部118。这一延伸部被用于提供90度相移。延伸部118可通过分布式元件(如传输线)或使用集总元件(如LC滤波器)来构造。在另一实施例中，混合加型耦合器108包括180度环型耦合器，如以下讨论的。
混合加型耦合器112具有在耦合到主功率放大器(PA1)120的端子“B”处的第一输出以及在耦合到辅助功率放大器(PA2)122的端子“D”处的第二输出。第一功率放大器120的输出被输入到1/4波长移相器124，该1/4波长移相器124被用于均衡PA1信号路径和PA2信号路径之间从PIN到POUT的总相移。移相器124和第二功率放大器122的输出被耦合在一起以产生输出功率信号(POUT)。
在操作期间，混合加型耦合器112生成经移相版本信号132和毫米波第二信号110的第一和第二组合。例如，这些输入信号的组合被分别在第一和第二输出端子(B和D)处提供。第一和第二组合设置第一和第二输出端子处的输出功率电平，这实际上基于移相器116所引入的相移将混合耦合器输入端子上的输入功率分配到其输出端子。
控制器108基于功率检测器104所检测的功率检测信号106输出相位控制信号126以控制移相器116所应用的相移量。因此，在低功率处，控制器108控制移相器116生成相移，使得混合加型耦合器112将功率引导到主功率放大器120而远离辅助功率放大器122，从而提供相对于传统系统而言改善的效率。在替代实施例中，功率检测器128被耦合以检测输出信号(POUT)的功率电平并提供检测到的功率信号130给控制器108。控制器108操作用于基于检测到的功率信号130来控制移相器116所提供的相移。延伸部118基于移相器116所引入的相移来辅助分配功率。
相应地，提供了改进型Doherty放大器，其包括混合加型耦合器112，用于通过移相器116来操控输入功率分配，并且因此在低功率时提供更高效率。
图2示出了混合加型耦合器200的示例性实施例。例如，混合加型耦合器200适于用作图1中所示的混合加型耦合器108。混合加型耦合器200包括输入端子A和C以及输出端子B和D。混合加型耦合器200还包括用于提供90度相移的延伸部202。延伸部202可通过分布式元件(如传输线)或使用集总元件(如LC滤波器)来构造。输入端子(A和C)上的信号之间的相位差导致输入功率在输出端子(B和D)上被重新分配。例如，假设a和b是恒定系数，并且输入到A和C输入端子的信号是：
A＝aej0 (1)
输出端子B和D处的组合信号可表达为：
因此，如果(a＝b)，则基于输入信号之间的相位差得到以下功率分配结果。
如果则B＝0,分配给辅助放大器
如果则D＝0,分配给主放大器
如果则两个放大器将以相等的功率工作
图3示出了混合环型耦合器300的示例性实施例。例如，混合环型耦合器300适于用作图1中所示的混合加型耦合器108。混合环型耦合器300包括输入端A和C以及输出端B和D。输入端子(A和C)处的信号之间的相位差导致功率在输出端子(B和D)上被重新分配。例如，假设输入到A和C端子的信号是：
A＝aej0 (5)
输出端子B和D处的组合信号可表达为：
因此，如果(a＝b)，则基于输入信号之间的相位差得到以下功率分配结果。
如果则B＝0,分配给辅助放大器
如果则D＝0,分配给主放大器
如果则两个放大器将以相等的功率工作
图4示出了解说由改进型Doherty放大器100的示例性实施例所提供的效率提高的示例性图表400。例如，图表400包括代表典型的Doherty放大器的效率的绘制线402。绘制线404代表根据所公开的实施例构造的改进型Doherty放大器的功率放大器效率(PAE)，其中：
PAE＝(POUT–PIN)/PDC
图5示出了用于提供改进型Doherty放大器的示例性方法500。例如，方法500由图1中所示的放大器100执行。
在框502，要放大的MM波信号被输入到功率拆分器以生成第一和第二拆分信号。例如，信号被输入到图1中所示的功率拆分器102以生成第一拆分信号110和第二拆分信号114。
在框504，第二拆分信号被移相以生成经移相的拆分信号。例如，拆分信号114被输入到移相器116中以生成经移相的信号132。
在框506，分别在第一和第二输出端子处生成第一信号的经移相版本和毫米波第二信号的第一和第二组合。第一和第二组合设置第一和第二输出端子处的输出功率电平。例如，第一拆分信号和经移相的拆分信号被输入到混合加型耦合器112。例如，信号110和信号132被输入到混合加型耦合器112的输入端子(A和C)。混合加型耦合器112具有延伸部118，用于如上所述地提供90度相移。混合加型耦合器操作用于根据以上所示的方程式来生成其输入信号的各组合。因此，混合加型耦合器操作用于基于经移相的第一MM波信号和第二MM波信号的组合来调整其输出端子处的输出功率电平。
在框508，检测功率电平。例如，功率检测器104检测输入信号的功率并且提供功率检测信号106给控制器108。在另一个示例性实施例中，功率检测器128检测输出信号(POUT)的功率并且提供功率检测信号130给控制器108。
在框510，基于所检测的功率来调整相移以改善效率。例如，控制器108输出相位控制信号126以控制移相器116所引入的相移，使得混合加型耦合器112所提供的功率分配提供相对于传统系统而言改善的效率。
因此，方法500操作用于通过使用移相器116和混合加型耦合器112调整输出的功率分配以获得改善的效率来提供改进型Doherty放大器。在其它示例性实施例中，方法500的操作可被重新排列或修改以提供本文所描述的功能。
图6示出了用于提供改善的效率的Doherty放大器设备600的示例性实施例。例如，设备600适于用作图1中所示的放大器100。在一方面，设备600由被配置成提供如本文中所描述的功能的一个或多个模块来实现。例如，在一方面，每个模块包括硬件和/或执行软件的硬件。
设备600包括第一模块，第一模块包括用于基于所选择的相移生成经移相的第一毫米(MM)波信号的装置(602)，在一个方面中，装置(602)包括移相器116。
设备600还包括第二模块，第二模块包括用于基于经移相的第一MM波信号和第二MM波信号的组合来调整输出端子处的输出功率电平的装置(604)，在一个方面中，装置(604)包括混合加型耦合器112。
本领域技术人员将理解，信息和信号可使用各种不同技术和技艺中的任何一种来表示或处理。例如，以上描述通篇可能引述的数据、指令、命令、信息、信号、位(比特)、码元、和码片可由电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光学粒子、或其任何组合来表示。还应注意晶体管的类型和技术可被替换、重新安排或以其他方式修改以达成相同的结果。例如，可以把示为利用PMOS晶体管的电路修改为使用NMOS晶体管，反之亦然。由此，本文中所公开的放大器可以使用各种晶体管类型和技术来实现，并且不受限于附图中所示的这些晶体管类型和技术。例如，可以使用诸如BJT、GaAs、MOSFET之类的晶体管类型或任何其他的晶体管技术。
本领域技术人员将进一步领会，结合本文所公开的实施例描述的各种解说性逻辑框、模块、电路、和算法步骤可被实现为电子硬件、计算机软件、或两者的组合。为清楚地解说硬件与软件的这一可互换性，各种解说性组件、块、模块、电路、和步骤在上面是以其功能性的形式作一般化描述的。此类功能性是被实现为硬件还是软件取决于具体应用和施加于整体系统的设计约束。技术人员可针对每种特定应用以不同方式来实现所描述的功能性，但此类实现决策不应被解读为致使脱离本发明的示例性实施例的范围。
结合本文所公开的实施例描述的各种解说性逻辑块、模块、和电路可用设计成执行本文所描述的功能的通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或其他可编程逻辑器件、分立门或晶体管逻辑、分立硬件组件、或其任何组合来实现或执行。通用处理器可以是微处理器，但在替换方案中，该处理器可以是任何常规的处理器、控制器、微控制器、或状态机。处理器还可以被实现为计算设备的组合，例如DSP与微处理器的组合、多个微处理器、与DSP核心协同的一个或多个微处理器或任何其它此类配置。
结合本文所公开的实施例描述的方法或算法的各个步骤可直接用硬件、由处理器执行的软件模块或两者的组合来实现。软件模块可驻留在随机存取存储器(RAM)、闪存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦式可编程ROM(EEPROM)、寄存器、硬盘、可移动盘、CD-ROM、或本领域中所知的任何其他形式的存储介质中。示例性存储介质被耦合到处理器以使得该处理器能从/向该存储介质读和写信息。替换地，存储介质可以被整合到处理器。处理器和存储介质可驻留在ASIC中。ASIC可驻留在用户终端中。替换地，处理器和存储介质可作为分立组件驻留在用户终端中。
在一个或多个示例性实施例中，所描述的功能可在硬件、软件、固件或其任何组合中实现。如果在软件中实现，则各功能可以作为一条或多条指令或代码存储在计算机可读介质上或藉其进行传送。计算机可读介质包括非瞬态计算机存储介质和通信介质两者，其包括促成计算机程序从一地到另一地的转移的任何介质。非瞬态存储介质可以是能被计算机访问的任何可用介质。作为示例而非限定，这样的计算机可读介质可包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其它光盘存储、磁盘存储或其它磁存储设备、或能被用来携带或存储指令或数据结构形式的期望程序代码且能被计算机访问的任何其它介质。任何连接也被正当地称为计算机可读介质。例如，如果软件是使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)、或诸如红外、无线电、以及微波之类的无线技术从web网站、服务器、或其它远程源传送而来，则该同轴电缆、光纤电缆、双绞线、DSL、或诸如红外、无线电、以及微波之类的无线技术就被包括在介质的定义之中。如本文中所使用的盘(disk)和碟(disc)包括压缩碟(CD)、激光碟、光碟、数字多用碟(DVD)、软盘和蓝光碟，其中盘(disk)往往以磁的方式再现数据，而碟(disc)用激光以光学方式再现数据。上述的组合也应被包括在计算机可读介质的范围内。
提供了对所公开的示例性实施例的描述是为了使得本领域任何技术人员皆能够制作或使用本发明。对这些示例性实施例的各种修改对于本领域技术人员将是显而易见的，并且本文中定义的一般原理可被应用于其他实施例而不会脱离本发明的精神或范围。因此，本发明并非意在被限定于本文中所示出的示例性实施例，而是应当被授予与本文中所公开的原理和新颖性特征相一致的最广义的范围。

Claims (16)

1.一种功率放大器，包括：
移相器，其被配置成基于所选择的相移来生成经移相的第一毫米波信号；
混合加型耦合器，其包括输出端子并且被配置成基于所述经移相的第一毫米波信号和第二毫米波信号的组合来调整所述输出端子处的输出功率电平；以及
控制器，其被配置成输出基于所检测到的输入功率电平和所检测到的输出功率电平中的至少一者来调整所选择的相移的相位控制信号。
2.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述混合加型耦合器被配置成基于第一组合来调整第一输出端子处的输出功率，并且基于第二组合来调整第二输出端子处的输出功率。
3.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器被配置为Doherty放大器。
4.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，还包括拆分器，所述拆分器被配置成接收毫米波输入信号并生成基本相等的功率电平的第一毫米波信号和第二毫米波信号，所述第一毫米波信号被输入到所述移相器。
5.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述混合加型耦合器包括位于所选的输出端子处的延伸部，所述延伸部被配置成提供90度相移，所述90度相移被用于生成所述组合。
6.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述混合加型耦合器被配置成基于所述第二毫米波信号和所述经移相的第一毫米波信号之间的相位差来生成第一输出端子(B)和第二输出端子(D)之间的功率分配，所述第一输出端子和所述第二输出端子之间的功率分配根据下式来确定：
其中a和b是恒定系数。
7.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，还包括被配置成输出一输入功率指示符的输入功率检测器，所述输入功率指示符由所述控制器用来基于所检测到的输入功率电平生成所述相位控制信号。
8.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，还包括被配置成输出一输出功率指示符的输出功率检测器，所述输出功率指示符由所述控制器用来基于所检测到的输出功率电平生成所述相位控制信号。
9.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器被配置成放大无线设备和基站中的至少一者中的毫米波输入信号。
10.一种用于功率放大器的方法，包括：
基于所选择的相移来生成经移相的第一毫米波信号；
基于所述经移相的第一毫米波信号和第二毫米波信号的组合来调整输出端子处的输出功率电平；以及
基于所检测到的输入功率电平和所检测到的输出功率电平中的至少一者来调整所选择的相移。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，包括：
基于第一组合来调整第一输出端子处的输出功率；以及
基于第二组合来调整第二输出端子处的输出功率。
12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括拆分毫米波输入信号以生成基本相等功率电平的第一毫米波信号和第二毫米波信号。
13.如权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括基于所述第二毫米波信号和所述经移相的第一毫米波信号之间的相位差来生成第一输出端子(B)和第二输出端子(D)之间的功率分配，所述第一输出端子和所述第二输出端子之间的功率分配根据下式来确定：
其中a和b是恒定系数。
14.一种功率放大器，包括：
用于基于所选择的相移来生成经移相的第一毫米波信号的装置；
用于基于所述经移相的第一毫米波信号和第二毫米波信号的组合来调整输出端子处的输出功率电平的装置；以及
用于基于所检测到的输入功率电平和所检测到的输出功率电平中的至少一者来调整所选择的相移的装置。
15.如权利要求14所述的功率放大器，其特征在于，进一步包括：
用于基于第一组合来调整第一输出端子处的输出功率的装置；以及
用于基于第二组合来调整第二输出端子处的输出功率的装置。
16.如权利要求14所述的功率放大器，其特征在于，还包括用于基于所述第二毫米波信号和所述经移相的第一毫米波信号之间的相位差来生成第一输出端子(B)和第二输出端子(D)之间的功率分配的装置，所述第一输出端子和所述第二输出端子之间的功率分配根据下式来确定：
其中a和b是恒定系数。
CN201380014736.8A 2012-03-19 2013-03-19 具有改进的效率的可重配置输入功率分配多尔蒂放大器 Active CN104205625B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/424,199 US8970297B2 (en) 2012-03-19 2012-03-19 Reconfigurable input power distribution doherty amplifier with improved efficiency
US13/424,199 2012-03-19
PCT/US2013/033022 WO2013142529A2 (en) 2012-03-19 2013-03-19 Reconfigurable input power distribution doherty amplifier with improved efficiency

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104205625A CN104205625A (zh) 2014-12-10
CN104205625B true CN104205625B (zh) 2017-06-20

Family

ID=48048259

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380014736.8A Active CN104205625B (zh) 2012-03-19 2013-03-19 具有改进的效率的可重配置输入功率分配多尔蒂放大器

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8970297B2 (zh)
EP (1) EP2828970B1 (zh)
JP (1) JP6185551B2 (zh)
KR (1) KR20140146121A (zh)
CN (1) CN104205625B (zh)
WO (1) WO2013142529A2 (zh)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9306502B2 (en) 2011-05-09 2016-04-05 Qualcomm Incorporated System providing switchable impedance transformer matching for power amplifiers
US9203348B2 (en) 2012-01-27 2015-12-01 Freescale Semiconductor, Inc. Adjustable power splitters and corresponding methods and apparatus
US8514007B1 (en) 2012-01-27 2013-08-20 Freescale Semiconductor, Inc. Adjustable power splitter and corresponding methods and apparatus
US9431969B2 (en) * 2012-12-11 2016-08-30 Rf Micro Devices, Inc. Doherty power amplifier with tunable impedance load
US9031518B2 (en) 2012-12-17 2015-05-12 Qualcomm Incorporated Concurrent hybrid matching network
US9397617B2 (en) 2013-06-25 2016-07-19 Rf Micro Devices, Inc. Multi-broadband Doherty power amplifier
US9948243B2 (en) 2013-09-30 2018-04-17 Qorvo Us, Inc. Reconfigurable load modulation amplifier
US9484865B2 (en) 2013-09-30 2016-11-01 Qorvo Us, Inc. Reconfigurable load modulation amplifier
US9225291B2 (en) * 2013-10-29 2015-12-29 Freescale Semiconductor, Inc. Adaptive adjustment of power splitter
US9369095B2 (en) 2014-01-27 2016-06-14 Rf Micro Devices, Inc. Unbalanced linear power amplifier
US9774299B2 (en) 2014-09-29 2017-09-26 Nxp Usa, Inc. Modifiable signal adjustment devices for power amplifiers and corresponding methods and apparatus
US9831837B2 (en) 2014-11-05 2017-11-28 Qualcomm Incorporated Dynamic power divider circuits and methods
US9647611B1 (en) 2015-10-28 2017-05-09 Nxp Usa, Inc. Reconfigurable power splitters and amplifiers, and corresponding methods
CN107147366B (zh) * 2017-06-12 2023-08-29 广州慧智微电子股份有限公司 一种射频功率放大器的温度补偿电路
US11251762B2 (en) * 2018-01-22 2022-02-15 Mitsubishi Electric Corporation Amplifier
CN109167580B (zh) * 2018-10-30 2022-06-14 北京振兴计量测试研究所 一种平面四路功率合成放大器
GB201817747D0 (en) * 2018-10-31 2018-12-19 Leonardo Mw Ltd A radio frequency power amplifier
FR3115113B1 (fr) * 2020-10-09 2023-01-06 St Microelectronics Sa Procédé et dispositif de détermination du déphasage entre deux signaux, en particulier des signaux radiofréquence

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5287069A (en) * 1990-02-07 1994-02-15 Fujitsu Limited Constant-amplitude wave combination type amplifier
US6472934B1 (en) * 2000-12-29 2002-10-29 Ericsson Inc. Triple class E Doherty amplifier topology for high efficiency signal transmitters
CN1833358A (zh) * 2003-03-28 2006-09-13 安德鲁公司 具有输出混合耦合器的Doherty放大器
CN102089966A (zh) * 2007-04-23 2011-06-08 大力系统有限公司 N路doherty分布式功率放大器

Family Cites Families (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53136945A (en) * 1977-05-06 1978-11-29 Fujitsu Ltd Parallel-operation amplifier
US4490684A (en) * 1983-01-03 1984-12-25 Motorola, Inc. Adaptive quadrature combining apparatus
JPS61265910A (ja) * 1985-05-20 1986-11-25 Fujitsu Ltd ハイパワ増幅器
JPH04288703A (ja) * 1991-02-01 1992-10-13 Fujitsu Ltd 吸収抵抗内蔵型ラットレース及び増幅器
JPH06120750A (ja) * 1992-10-01 1994-04-28 Nec Corp 電力増幅装置
JP2001203540A (ja) * 2000-01-19 2001-07-27 Hitachi Ltd 高周波電力増幅器
SE520760C2 (sv) 2000-06-06 2003-08-19 Ericsson Telefon Ab L M Doherty-förstärkare av flerstegstyp
US6639463B1 (en) * 2000-08-24 2003-10-28 Lucent Technologies Inc. Adaptive power amplifier system and method
US6384679B1 (en) 2000-11-15 2002-05-07 National Semiconductor Corporation Rail-to-rail amplifier with reduced GM and compensating cap
JP3809777B2 (ja) 2001-05-30 2006-08-16 ソニー株式会社 電力増幅器
US6522160B1 (en) 2001-06-13 2003-02-18 Micron Technology, Inc. Input buffer with automatic switching point adjustment circuitry, and synchronous DRAM device including same
JP3947373B2 (ja) 2001-07-31 2007-07-18 株式会社ルネサステクノロジ 高周波電力増幅器
US6806767B2 (en) 2002-07-09 2004-10-19 Anadigics, Inc. Power amplifier with load switching circuit
KR100450744B1 (ko) 2002-08-29 2004-10-01 학교법인 포항공과대학교 도허티 증폭기
US6794935B2 (en) 2002-10-17 2004-09-21 Motorola Inc. Power amplification circuit and method for supplying power at a plurality of desired power output levels
JP2004221646A (ja) 2003-01-09 2004-08-05 Nec Corp ドハ−ティ増幅器
DE10308848A1 (de) 2003-02-27 2004-09-09 Marconi Communications Gmbh Integrierte Verstärkeranordnung
JP3907052B2 (ja) 2003-03-07 2007-04-18 ソニー・エリクソン・モバイルコミュニケーションズ株式会社 通信端末装置及び増幅回路
US7444124B1 (en) 2003-05-14 2008-10-28 Marvell International Ltd. Adjustable segmented power amplifier
TW200518345A (en) 2003-08-08 2005-06-01 Renesas Tech Corp Semiconductor device
US20050134377A1 (en) 2003-12-23 2005-06-23 Dent Paul W. Doherty amplifier
US7157965B1 (en) 2004-06-21 2007-01-02 Qualcomm Incorporated Summing power amplifier
CN100542011C (zh) 2004-06-29 2009-09-16 Nxp股份有限公司 具有高功效的集成多赫尔蒂型放大器装置
JP4715994B2 (ja) 2004-08-26 2011-07-06 日本電気株式会社 ドハティ増幅器並列運転回路
US20060105733A1 (en) 2004-11-16 2006-05-18 Singh Donald R System and method for developing ultra-sensitive microwave and millimeter wave phase discriminators
US7295065B2 (en) 2004-11-18 2007-11-13 Beecem Communications Inc. High efficiency doherty amplifier with a segmented main amplifier
WO2006066461A1 (en) 2004-12-24 2006-06-29 Huawei Technologies Co., Ltd. Butler doherty power amplifier
JP2008541648A (ja) 2005-05-20 2008-11-20 エヌエックスピー ビー ヴィ 高出力効率の集積ドハティ型増幅装置
US7183843B1 (en) * 2005-06-27 2007-02-27 Rockwell Collins, Inc. Electronically tuned power amplifier
KR100752280B1 (ko) 2005-12-14 2007-08-28 삼성전자주식회사 휴대단말기의 안테나주파수 자동매칭 장치
DE102006008790A1 (de) * 2006-02-24 2007-09-06 Infineon Technologies Ag Modulationseinrichtung für einen Sendepfad, Verfahren zur Signalverarbeitung in einem Sendepfad und Sendepfad mit der Modulationseinrichtung
US7719141B2 (en) 2006-11-16 2010-05-18 Star Rf, Inc. Electronic switch network
WO2008062607A1 (fr) 2006-11-21 2008-05-29 Nec Corporation Circuit rf, procédé d'évaluation de circuit, algorithme et support d'enregistrement
US7561854B2 (en) 2006-12-01 2009-07-14 Harris Corporation Lossless transmit path antenna switch circuit
KR100814415B1 (ko) 2007-02-14 2008-03-18 포항공과대학교 산학협력단 하모닉 제어 회로를 이용한 고효율 도허티 전력 증폭기
US20080207256A1 (en) 2007-02-22 2008-08-28 Texas Instruments Incorporated Concurrent impedance matching of a wireless transceiver
WO2009031097A1 (en) 2007-09-03 2009-03-12 Nxp B.V. Multi-way doherty amplifier
US7609115B2 (en) 2007-09-07 2009-10-27 Raytheon Company Input circuitry for transistor power amplifier and method for designing such circuitry
KR20090071834A (ko) 2007-12-28 2009-07-02 성균관대학교산학협력단 고조파 동조를 이용한 도허티 증폭기
KR101547818B1 (ko) 2008-01-29 2015-08-27 삼성전자주식회사 시분할복신 무선통신시스템에서 송수신 안테나 스위칭 장치
US8103221B2 (en) 2008-05-30 2012-01-24 National Ict Australia Limited High-isolation transmit/receive switch on CMOS for millimeter-wave applications
JP2009303040A (ja) 2008-06-16 2009-12-24 Toshiba Corp 高周波電力増幅器、および増幅方法
US9300508B2 (en) 2008-08-07 2016-03-29 Trex Enterprises Corp. High data rate milllimeter wave radio on a chip
US7952433B2 (en) 2008-11-25 2011-05-31 Samsung Electro-Mechanics Company Power amplifiers with discrete power control
US7863979B2 (en) 2009-01-26 2011-01-04 Skyworks Solutions, Inc. High efficiency power amplifier having embedded switching
US8666340B2 (en) 2009-03-03 2014-03-04 Broadcom Corporation Method and system for on-chip impedance control to impedance match a configurable front end
JP5163577B2 (ja) 2009-03-27 2013-03-13 富士通株式会社 増幅回路及び送受信機
US8432237B2 (en) 2009-05-21 2013-04-30 Qualcomm, Incorporated Output circuit with integrated impedance matching, power combining and filtering for power amplifiers and other circuits
JP5311038B2 (ja) * 2009-05-22 2013-10-09 住友電気工業株式会社 増幅装置及び無線基地局
KR101573719B1 (ko) 2009-07-31 2015-12-02 삼성전자주식회사 시분할 복신 방식의 무선통신시스템에서 수신회로 보호 장치 및 방법
US8295212B2 (en) 2009-08-05 2012-10-23 Alcatel Lucent System and method for TDD/TMA with hybrid bypass switch of receiving amplifier
WO2011045312A1 (en) 2009-10-12 2011-04-21 St-Ericsson (France) Sas Integrated transformer with multiple transformation ratios
JP5705122B2 (ja) 2009-10-23 2015-04-22 日本碍子株式会社 ドハティ増幅器用合成器
CN102064774B (zh) * 2009-11-18 2013-11-06 中兴通讯股份有限公司 一种功率放大电路实现方法及功率放大装置
EP2339745A1 (en) 2009-12-15 2011-06-29 Nxp B.V. Doherty amplifier
US9048787B2 (en) 2010-04-20 2015-06-02 Rf Micro Devices, Inc. Combined RF detector and RF attenuator with concurrent outputs
US8626084B2 (en) 2010-05-13 2014-01-07 Qualcomm, Incorporated Area efficient concurrent matching transceiver
US8760240B2 (en) 2010-09-15 2014-06-24 Wilocity, Ltd. Method for designing coupling-function based millimeter wave electrical elements
US8611834B2 (en) 2010-11-01 2013-12-17 Cree, Inc. Matching network for transmission circuitry
US9306502B2 (en) 2011-05-09 2016-04-05 Qualcomm Incorporated System providing switchable impedance transformer matching for power amplifiers
US9031518B2 (en) 2012-12-17 2015-05-12 Qualcomm Incorporated Concurrent hybrid matching network

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5287069A (en) * 1990-02-07 1994-02-15 Fujitsu Limited Constant-amplitude wave combination type amplifier
US6472934B1 (en) * 2000-12-29 2002-10-29 Ericsson Inc. Triple class E Doherty amplifier topology for high efficiency signal transmitters
CN1833358A (zh) * 2003-03-28 2006-09-13 安德鲁公司 具有输出混合耦合器的Doherty放大器
CN102089966A (zh) * 2007-04-23 2011-06-08 大力系统有限公司 N路doherty分布式功率放大器

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013142529A2 (en) 2013-09-26
KR20140146121A (ko) 2014-12-24
US8970297B2 (en) 2015-03-03
US20130241640A1 (en) 2013-09-19
JP6185551B2 (ja) 2017-08-23
JP2015514360A (ja) 2015-05-18
EP2828970A2 (en) 2015-01-28
CN104205625A (zh) 2014-12-10
EP2828970B1 (en) 2021-03-10
WO2013142529A3 (en) 2013-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104205625B (zh) 具有改进的效率的可重配置输入功率分配多尔蒂放大器
EP2579456B1 (en) Control method for fast tracking power source, fast tracking power source and system
CN108432129B (zh) 一种功放控制方法、装置及功放控制系统
JP6789362B2 (ja) 電力増幅器のモジュール、無線周波数通信のデバイス、及び無線周波数信号を増幅する方法
JP5338262B2 (ja) 電力増幅器およびその増幅方法
US9484150B2 (en) Multi-mode power amplifying circuit, and multi-mode wireless transmission module and method thereof
US8774742B2 (en) High efficiency transmitter
CN105515538A (zh) 可切换双核功率放大器
US20150017934A1 (en) Amplifying device, transmitting device
JP2007116694A (ja) 高効率混合モード電力増幅器
CN104937842A (zh) 具有可切换共栅增益缓冲器的放大器
US20160261295A1 (en) Digital pre-distortion (dpd) training and calibration system and related techniques
US8107904B2 (en) Apparatus and method for power transmitter in wireless communication system
KR102140191B1 (ko) 전력 증폭기용 전력 공급 장치
EP1432120B8 (en) Audio power amplifier
CN104081660A (zh) 用于无线发射机的具有可配置效率的基带滤波器和上变频器
CN102355204A (zh) 一种音频功放自动切换电路及功放芯片
CN104620499B (zh) 具有误差校正的开关式电源的干扰抑制
CN202077000U (zh) 一种音频功放自动切换电路及功放芯片
CN102751954B (zh) 音效播放装置及方法
Angus Matching the amplifier to the audio for highly efficient linear amplifiers
Angus How" Green" Is My Amp?
CN104365022A (zh) 数字广播发送装置以及激励器
CN101764660A (zh) 可控制分控点的定压广播系统
EP3114742A1 (en) Method and apparatus for modulating power supply

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant