KR20140146121A - 개선된 효율성을 갖는 재구성가능한 입력 전력 분배 도허티 증폭기 - Google Patents

개선된 효율성을 갖는 재구성가능한 입력 전력 분배 도허티 증폭기 Download PDF

Info

Publication number
KR20140146121A
KR20140146121A KR1020147029063A KR20147029063A KR20140146121A KR 20140146121 A KR20140146121 A KR 20140146121A KR 1020147029063 A KR1020147029063 A KR 1020147029063A KR 20147029063 A KR20147029063 A KR 20147029063A KR 20140146121 A KR20140146121 A KR 20140146121A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
phase
output
wave signal
power
terminal
Prior art date
Application number
KR1020147029063A
Other languages
English (en)
Inventor
사이후아 린
로저 브로켄브로우
Original Assignee
퀄컴 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 퀄컴 인코포레이티드 filed Critical 퀄컴 인코포레이티드
Publication of KR20140146121A publication Critical patent/KR20140146121A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/60Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
    • H03F3/602Combinations of several amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0288Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers using a main and one or several auxiliary peaking amplifiers whereby the load is connected to the main amplifier using an impedance inverter, e.g. Doherty amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • H03F1/3241Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using predistortion circuits
    • H03F1/3282Acting on the phase and the amplitude of the input signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/135Indexing scheme relating to amplifiers there being a feedback over one or more internal stages in the global amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/192A hybrid coupler being used at the input of an amplifier circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/393A measuring circuit being coupled to the output of an amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/465Power sensing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)

Abstract

개선된 효율성을 갖는 신규한 도허티 증폭기가 기재된다. 일 예시적인 실시예에서, 장치는, 선택된 페이즈 시프트에 기초하여 페이즈 시프팅된 제 1 밀리미터(MM)파 신호를 생성하도록 구성되는 페이즈 시프터, 및 출력 단자들을 포함하고 페이즈 시프팅된 제 1 MM파 신호 및 제 2 MM파 신호의 결합들에 기초하여 출력 단자들에서 출력 전력 레벨들을 조정하도록 구성되는 하이브리드 플러스 커플러를 포함한다.

Description

개선된 효율성을 갖는 재구성가능한 입력 전력 분배 도허티 증폭기{RECONFIGURABLE INPUT POWER DISTRIBUTION DOHERTY AMPLIFIER WITH IMPROVED EFFICIENCY}
본 출원은 일반적으로 무선 디바이스들의 동작 및 설계에 관한 것으로, 더 상세하게는 전력 증폭기들의 동작 및 설계에 관한 것이다.
연장된 통화 시간들을 제공하기 위한 저전력 동작이 가능한 무선 디바이스들을 갖는 것에 대한 수요가 증가하고 있다. 저전력 소비를 달성하기 위한 하나의 키(key)는 디바이스의 전력 증폭기(PA)의 성능과 연관된다. 예를 들어, 고 선형성이고 효율적인 전력 증폭기들은 핸드셋에 대한 대기(standby) 시간 및 통화 시간을 최대화하기 위해 사용될 수 있다. 그러나, 종래의 PA 설계들에서, 효율성은 고출력 레벨들에서만 일반적으로 높다. OFDM 같은 복소 변조에 대해 통상적으로, 더 낮은 출력 레벨들이 필요한 경우 효율성은 실질적으로 떨어진다.
도허티(Doherty) 전력 증폭기는 평균 전력 효율성을 개선하기 위해 사용되어 왔다. 도허티 전력 증폭기는, 입력 전력을 메인 증폭기 및 보조 증폭기로 분할시키는 전력 분할기를 갖는다. 그러나, 동작 동안 보조 증폭기가 턴 온 되지 않은 경우, 보조 증폭기에 안내(direct)된 신호 전력은 낭비되며, 그에 의해 효율성을 감소시킨다. 따라서, 필요한 것은, 도허티 증폭기에서 입력 전력 분배를 최적화하는 방법이며, 그에 의해 모든 입력 전력을 사용하고, 이는 총 전력 효율성을 증가시킬 것이다.
본 명세서에 설명되는 전술한 양상들은 첨부된 도면들과 함께 취해진 경우 후속하는 설명을 참조함으로써 더 용이하게 명백해질 것이다.
도 1은 밀리미터(MM)파 애플리케이션들에 대한 개선된 도허티 전력 증폭기의 예시적인 실시예를 도시한다.
도 2는 하이브리드 플러스 커플러의 예시적인 실시예를 도시한다.
도 3은 하이브리드 링 커플러의 예시적인 실시예를 도시한다.
도 4는, 도 1의 개선된 도허티 증폭기의 예시적인 실시예들에 의해 제공되는, 효율성에서의 증가를 도시하는 예시적인 그래프를 도시한다.
도 5는 도허티 증폭기에 증가된 효율성을 제공하기 위한 예시적인 방법을 도시한다.
도 6은 증가된 효율성을 위해 구성된 도허티 증폭기 장치의 예시적인 실시예를 도시한다.
첨부된 도면들과 관련하여 아래에 기재되는 상세한 설명은, 본 발명의 예시적인 실시예들의 설명으로서 의도되며, 본 발명이 실시될 수 있는 예시적인 실시예들만을 표현하도록 의도되지 않는다. 이러한 설명 전반에 걸쳐 사용된 용어 "예시적인"은 "예, 예시, 또는 예증으로서 기능하는 것"을 의미하고, 다른 예시적인 실시예들에 비해 반드시 바람직하거나 유리한 것으로서 해석되지는 않아야 한다. 상세한 설명은 본 발명의 예시적인 실시예들의 철저한 이해를 제공하려는 목적을 위해 특정한 세부사항들을 포함한다. 본 발명의 예시적인 실시예들이 이들 특정한 세부사항들 없이 실시될 수도 있다는 것은 당업자들에게 명백할 것이다. 몇몇 예시들에서, 본 명세서에 제시된 예시적인 실시예들의 신규성을 불명료하게 하는 것을 회피하기 위해, 잘 알려진 구조들 및 디바이스들은 블록도 형태로 도시되어 있다.
도 1은 밀리미터(MM)파 애플리케이션들에 대한 개선된 도허티 전력 증폭기(100)의 예시적인 실시예를 도시한다. 증폭기(100)는 무선 핸드셋 또는 다른 휴대용 디바이스에서 사용하기에 적절하며, 또한, 기지국 또는 임의의 다른 무선 통신 장치에서 사용하기에 적절하다.
증폭기(100)는 MM파 입력 신호(PIN)를 수신하는 전력 분할기(102)를 포함한다. 전력 검출기(104)는 입력 상의 전력을 검출하고 검출된 신호(106)를 제어기(108)에 제공한다. 분할기(102)의 제 1 출력(분할 신호)(110)은 하이브리드 플러스 커플러(112)의 "A" 입력부에 입력된다. 분할기(102)의 제 2 출력(분할 신호)(114)은 페이즈 시프터(116)에 입력된다. 페이즈 시프터(116)의 페이즈 시프팅된 출력 신호(132)는 제 2 분할 신호(114)의 페이즈 시프팅된 버전이고, 하이브리드 플러스 커플러(112)의 "C" 입력부에 입력된다. 분할기(102)의 출력들 둘 모두는, 입력 신호(PIN) 전력 레벨보다 적은 3dB의 전력 레벨들을 갖는다.
일 예시적인 실시예에서, 하이브리드 플러스 커플러(112)는 1/4 파장 연장부(118)를 포함한다. 이러한 연장부는 90도 페이즈 시프트를 제공하기 위해 사용된다. 연장부(118)는, 송신 라인들과 같은 분포 엘리먼트(distributed element)들에 의해 또는 LC 필터들과 같은 집중 엘리먼트(lumped element)들을 사용하여 구성될 수 있다. 다른 실시예에서, 하이브리드 플러스 커플러(108)는 후술되는 바와 같은 180도 링 커플러를 포함한다.
하이브리드 플러스 커플러(112)는, 메인 전력 증폭기(PA1)(120)에 커플링된 단자 "B"에서의 제 1 출력, 및 보조 전력 증폭기(PA2)(122)에 커플링된 단자 "D"에서의 제 2 출력을 갖는다. 제 1 전력 증폭기(120)의 출력은, PA1 신호 경로와 PA2 신호 경로 사이에서 PIN으로부터 POUT까지의 총 페이즈 시프트를 이퀄라이징하기 위해 사용되는 (1/4 파장 페이즈 시프터)(124)에 입력된다. 페이즈 시프터(124) 및 제 2 전력 증폭기(122)의 출력은 출력 전력 신호(POUT)를 생성하기 위해 함께 커플링된다.
동작 동안, 하이브리드 플러스 커플러(112)는 페이즈 시프팅된 버전 신호(132) 및 밀리미터파 제 2 신호(110)의 제 1 및 제 2 결합들을 생성한다. 예를 들어, 입력 신호들의 결합들은 제 1 및 제 2 출력 단자들(B 및 D)에 각각 제공된다. 제 1 및 제 2 결합들은 제 1 및 제 2 출력 단자들에서 출력 전력 레벨들을 셋팅하며, 이는, 실제로, 하이브리드 커플러 입력 단자들 상의 입력 전력을 페이즈 시프터(116)에 의해 도입되는 페이즈 시프트에 기초하여 하이브리드 커플러의 출력 단자들에 분배한다.
제어기(108)는, 전력 검출기(104)에 의해 검출된 전력 검출 신호(106)에 기초하여 페이즈 시프터(116)에 의해 적용되는 페이즈 시프트의 양을 제어하기 위해, 페이즈 제어 신호(126)를 출력한다. 따라서, 저전력에서, 제어기(108)는, 하이브리드 플러스 커플러(112)가 메인 전력 증폭기에(120)에 전력을 안내하고 그리고 보조 전력 증폭기(122)로부터 떨어지게(away) 하도록 페이즈 시프트를 생성하기 위해 페이즈 시프터(116)를 제어하며, 그에 의해 종래의 시스템들보다 개선된 효율성을 제공한다. 대안적인 실시예에서, 전력 검출기(128)는 출력 신호(POUT)의 전력 레벨을 검출하고 제어기(108)에 검출된 전력 신호(130)를 제공하도록 커플링된다. 제어기(108)는, 검출된 전력 신호(130)에 기초하여 페이즈 시프터(116)에 의해 제공되는 페이즈 시프트를 제어하도록 동작한다. 연장부(118)는, 페이즈 시프터(116)에 의해 도입되는 페이즈 시프트에 기초하여 전력을 분배하는 것을 보조(assist)한다.
따라서, 페이즈 시프터(116)를 이용하여 입력 전력 분배를 조종(steer)하고 그에 따라 저전력에서 더 큰 효율성을 제공하기 위한, 하이브리드 플러스 커플러(112)를 포함하는 개선된 도허티 증폭기가 제공된다.
도 2는 하이브리드 플러스 커플러(200)의 예시적인 실시예를 도시한다. 예를 들어, 하이브리드 플러스 커플러(200)는 도 1에 도시된 하이브리드 플러스 커플러(112)로서 사용하기에 적절하다. 하이브리드 플러스 커플러(200)는 입력 단자들(A 및 C) 및 출력 단자들(B 및 D)을 포함한다. 또한, 하이브리드 플러스 커플러(200)는, 90도 페이즈 시프트를 제공하기 위해 사용되는 연장부(202)를 포함한다. 연장부(202)는, 송신 라인들과 같은 분포 엘리먼트들에 의해 또는 LC 필터들과 같은 집중 엘리먼트들을 사용하여 구성될 수 있다. 입력 단자들(A 및 C) 상의 신호들 사이의 페이즈 차이는 출력 단자들(B 및 D) 상에서 재분배되는 입력 전력을 초래한다. 예를 들어, a 및 b는 상수 계수들이고, A 및 C 입력 단자들에 입력되는 신호들이 다음과 같다고 가정하면,
Figure pct00001
Figure pct00002
출력 단자들 B 및 D에서의 결합 신호들은 다음과 같이 표현될 수 있다.
Figure pct00003
Figure pct00004
따라서, (a=b)이면, 후속 전력 분배들은 입력 신호들 사이의 페이즈 차이에 기초하여 초래된다.
Figure pct00005
라면, B=0, 보조 증폭기로의
Figure pct00006
이다.
Figure pct00007
라면, D=0, 메인 증폭기로의
Figure pct00008
이다.
Figure pct00009
라면, 증폭기들 둘 모두는 동일한 전력을 이용하여 온 될 것이다.
도 3은 하이브리드 링 커플러(300)의 예시적인 실시예를 도시한다. 예를 들어, 하이브리드 링 커플러(300)는 도 1에 도시된 하이브리드 플러스 커플러(112)로서 사용하기에 적절하다. 하이브리드 링 커플러(300)는 입력들(A 및 C) 및 출력들(B 및 D)을 포함한다. 입력 단자들(A 및 C)에서의 신호들 사이의 페이즈 차이는 출력 단자들(B 및 D) 상에서 재분배되는 전력을 초래한다. 예를 들어, A 및 C 단자들에 입력되는 신호들이 다음과 같다고 가정하면,
Figure pct00010
Figure pct00011
출력 단자들 B 및 D에서의 결합 신호들은 다음과 같이 표현될 수 있다.
Figure pct00012
Figure pct00013
따라서, (a=b)이면, 후속 전력 분배들은 입력 신호들 사이의 페이즈 차이에 기초하여 초래된다.
Figure pct00014
라면, B=0, 보조 증폭기로의
Figure pct00015
이다.
Figure pct00016
라면, D=0, 메인 증폭기로의
Figure pct00017
이다.
Figure pct00018
라면, 증폭기들 둘 모두는 동일한 전력을 이용하여 온 될 것이다.
도 4는, 개선된 도허티 증폭기(100)의 예시적인 실시예들에 의해 제공되는, 효율성에서의 증가를 도시하는 예시적인 그래프(400)를 도시한다. 예를 들어, 그래프(400)는 통상적인 도허티 증폭기의 효율성을 표현하는 플롯 라인(402)을 포함한다. 플롯 라인(404)은, 기재된 실시예들에 따라 구성된 개선된 도허티 증폭기의 전력 증폭기 효율성(PAE)을 표현하며, 여기서, PAE = (POUT-PIN)/PDC 이다.
도 5는 개선된 도허티 증폭기를 제공하기 위한 예시적인 방법(500)을 도시한다. 예를 들어, 방법(500)은 도 1에 도시된 증폭기(100)에 의해 수행된다.
블록(502)에서, 증폭될 MM파 신호는, 제 1 및 제 2 분할 신호들을 생성하기 위해 전력 분할기에 입력된다. 예를 들어, 신호는, 제 1 분할 신호(110) 및 제 2 분할 신호(114)를 생성하기 위해 도 1에 도시된 전력 분할기(102)에 입력된다.
블록(504)에서, 제 2 분할 신호는 페이즈 시프팅된 분할 신호를 생성하기 위해 페이즈 시프팅된다. 예를 들어, 분할 신호(114)는 페이즈 시프팅된 신호(132)를 생성하기 위해 페이즈 시프터(116)로 입력된다.
블록(506)에서, 제 1 신호의 페이즈 시프팅된 버전과 밀리미터파 제 2 신호의 제 1 및 제 2 결합들은, 제 1 및 제 2 출력 단자들에서 각각 생성된다. 제 1 및 제 2 결합들은, 제 1 및 제 2 출력 단자들에서 출력 전력 레벨들은 셋팅한다. 예를 들어, 제 1 분할 신호 및 페이즈 시프팅된 분할 신호는 하이브리드 플러스 커플러(112)에 입력된다. 예를 들어, 신호(110) 및 신호(132)는 하이브리드 플러스 커플러(112)의 입력 단자들(A 및 C)에 입력된다. 하이브리드 플러스 커플러(112)는 상술된 바와 같은 90도 페이즈 시프트를 제공하기 위한 연장부(118)를 갖는다. 하이브리드 플러스 커플러는, 위에 나타낸 수학식들에 따라 자신의 입력 신호들의 결합들을 생성하도록 동작한다. 따라서, 하이브리드 플러스 커플러는, 페이즈 시프팅된 제 1 MM파 신호 및 제 2 MM파 신호의 결합들에 기초하여 자신의 출력 단자들에서 출력 전력 레벨들을 조정하도록 동작한다.
블록(508)에서, 전력 레벨이 검출된다. 예를 들어, 전력 검출기(104)는 입력 신호의 전력을 검출하고 제어기(108)에 전력 검출 신호(106)를 제공한다. 다른 예시적인 실시예에서, 전력 검출기(128)는 출력 신호(POUT)의 전력을 검출하고 제어기(108)에 전력 검출 신호(130)를 제공한다.
블록(510)에서, 페이즈 시프트는 효율성을 개선하기 위해 검출된 전력에 기초하여 조정된다. 예를 들어, 제어기(108)는, 하이브리드 플러스 커플러(112)에 의해 제공되는 전력 분배가 종래의 시스템들보다 개선된 효율성을 제공하도록, 페이즈 시프터(116)에 의해 도입되는 페이즈 시프트를 제어하기 위한 페이즈 제어 신호(126)을 출력한다.
따라서, 방법(500)은, 개선된 효율성을 달성하도록 출력의 전력 분배를 조정하기 위한 페이즈 시프터(116) 및 하이브리드 플러스 커플러(112)를 사용하여 개선된 도허티 증폭기를 제공하도록 동작한다. 다른 예시적인 실시예들에서, 방법(500)의 동작들은 본 명세서에 설명된 기능들을 제공하기 위해 재배열되거나 변형될 수도 있다.
도 6은 개선된 효율성을 제공하는 도허티 증폭기 장치(600)의 예시적인 실시예를 도시한다. 예를 들어, 장치(600)는 도 1에 도시된 증폭기(100)로서 사용하기에 적절하다. 일 양상에서, 장치(600)는, 본 명세서에 설명된 바와 같은 기능들을 제공하도록 구성되는 하나 또는 그 초과의 모듈들에 의해 구현된다. 예를 들어, 일 양상에서, 각각의 모듈은 하드웨어 및/또는 소프트웨어를 실행하는 하드웨어를 포함한다.
장치(600)는, 선택된 페이즈 시프트에 기초하여 페이즈 시프팅된 제 1 밀리미터(MM)파 신호를 생성하기 위한 수단(602)을 포함하는 제 1 모듈을 포함하며, 제 1 모듈은, 일 양상에서 페이즈 시프터(116)를 포함한다.
또한, 장치(600)는, 페이즈 시프팅된 제 1 MM파 신호 및 제 2 MM파 신호의 결합들에 기초하여 출력 단자들에서 출력 전력 레벨들을 조정하기 위한 수단(604)을 포함하는 제 2 모듈을 포함하며, 제 2 모듈은, 일 양상에서 하이브리드 플러스 커플러(112)를 포함한다.
당업자들은, 정보 및 신호들이 다양한 상이한 기술들 및 기법들 중 임의의 기술 및 기법을 사용하여 표현되거나 프로세싱될 수도 있음을 이해할 것이다. 예를 들어, 상기 설명 전반에 걸쳐 참조될 수도 있는 데이터, 명령들, 커맨드들, 정보, 신호들, 비트들, 심볼들, 및 칩들은 전압들, 전류들, 전자기파들, 자기장들 또는 자기 입자들, 광학 필드들 또는 광학 입자들, 또는 이들의 임의의 결합에 의해 표현될 수도 있다. 트랜지스터 타입들 및 기술들은 동일한 결과들을 달성하기 위해 치환, 재배열 또는 달리 변형될 수도 있음을 추가적으로 유의한다. 예를 들어, PMOS 트랜지스터들을 이용하여 도시된 회로들은 NMOS 트랜지스터들을 사용하도록 변형될 수도 있고, 그 역으로 될 수도 있다. 따라서, 본 명세서에 기재된 증폭기들은 다양한 트랜지스터 타입들 및 기술들을 사용하여 실현될 수도 있으며, 도면들에 도시된 이들 트랜지스터 타입들 및 기술들로 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, BJT, GaAs, MOSFET 또는 임의의 다른 트랜지스터 기술과 같은 트랜지스터 타입들이 사용될 수도 있다.
당업자들은 본 명세서에 기재된 예시적인 실시예들과 관련하여 설명된 다양한 예시적인 로직 블록들, 모듈들, 회로들, 및 알고리즘 단계들이 전자 하드웨어, 컴퓨터 소프트웨어, 또는 이 둘의 결합들로서 구현될 수도 있음을 추가적으로 인식할 것이다. 하드웨어와 소프트웨어의 이러한 상호교환가능성을 명확히 예시하기 위해, 다양한 예시적인 컴포넌트들, 블록들, 모듈들, 회로들, 및 단계들은 그들의 기능의 관점들에서 일반적으로 상술되었다. 그러한 기능이 하드웨어로서 구현되는지 또는 소프트웨어로서 구현되는지는 특정 애플리케이션 및 전체 시스템에 부과된 설계 제한들에 의존한다. 당업자들은 설명된 기능을 각각의 특정한 애플리케이션에 대해 다양한 방식들로 구현할 수도 있지만, 그러한 구현 결정들이 발명의 예시적인 실시예들의 범위를 벗어나게 하는 것으로서 해석되지는 않아야 한다.
본 명세서에 기재된 예시적인 실시예들과 관련하여 설명된 다양한 예시적인 로직 블록들, 모듈들, 및 회로들은 범용 프로세서, 디지털 신호 프로세서(DSP), 주문형 집적회로(ASIC), 필드 프로그래밍가능 게이트 어레이(FPGA) 또는 다른 프로그래밍가능 로직 디바이스, 이산 게이트 또는 트랜지스터 로직, 이산 하드웨어 컴포넌트들, 또는 본 명세서에 설명된 기능들을 수행하도록 설계된 이들의 임의의 결합으로 구현되거나 수행될 수도 있다. 범용 프로세서는 마이크로프로세서일 수도 있지만, 대안적으로, 프로세서는 임의의 종래의 프로세서, 제어기, 마이크로제어기, 또는 상태 머신일 수도 있다. 또한, 프로세서는 컴퓨팅 디바이스들의 결합, 예를 들어 DSP와 마이크로프로세서의 결합, 복수의 마이크로프로세서들, DSP 코어와 결합된 하나 또는 그 초과의 마이크로프로세서들, 또는 임의의 다른 그러한 구성으로서 구현될 수도 있다.
본 명세서에 기재된 예시적인 실시예들과 관련하여 설명된 방법 또는 알고리즘의 단계들은 직접 하드웨어로, 프로세서에 의해 실행되는 소프트웨어 모듈로, 또는 이 둘의 결합으로 구현될 수도 있다. 소프트웨어 모듈은 랜덤 액세스 메모리(RAM), 플래시 메모리, 판독 전용 메모리(ROM), 전기적으로 프로그래밍가능 ROM(EPROM), 전기적으로 소거가능한 프로그래밍가능 ROM(EEPROM), 레지스터들, 하드 디스크, 착탈형 디스크, CD-ROM, 또는 당업계에 알려진 임의의 다른 형태의 저장 매체에 상주할 수도 있다. 예시적인 저장 매체는, 프로세서가 저장 매체로부터 정보를 판독하고, 저장 매체에 정보를 기입할 수 있도록 프로세서에 커플링된다. 대안적으로, 저장 매체는 프로세서에 통합될 수도 있다. 프로세서 및 저장 매체는 ASIC에 상주할 수도 있다. ASIC은 사용자 단말에 상주할 수도 있다. 대안적으로, 프로세서 및 저장 매체는 사용자 단말 내의 별개의 컴포넌트들로서 상주할 수도 있다.
하나 또는 그 초과의 예시적인 실시예들에서, 설명된 기능들은 하드웨어, 소프트웨어, 펌웨어, 또는 이들의 임의의 결합으로 구현될 수 있다. 소프트웨어로 구현되면, 기능들은 컴퓨터-판독가능 매체 상에 하나 또는 그 초과의 명령들 또는 코드로서 저장되거나 이들을 통해 송신될 수도 있다. 컴퓨터-판독가능 매체들은, 일 장소에서 다른 장소로의 컴퓨터 프로그램의 전달을 용이하게 하는 임의의 매체를 포함한 통신 매체들 및 비-일시적인 컴퓨터 저장 매체들 양자를 포함한다. 비-일시적인 저장 매체들은 컴퓨터에 의해 액세스될 수 있는 임의의 이용가능한 매체들일 수도 있다. 제한이 아닌 예로서, 그러한 컴퓨터-판독가능 매체들은 RAM, ROM, EEPROM, CD-ROM 또는 다른 광학 디스크 저장부, 자기 디스크 저장 또는 다른 자기 저장 디바이스들, 또는 명령들 또는 데이터 구조들의 형태로 원하는 프로그램 코드를 반송 또는 저장하는데 사용될 수 있고, 컴퓨터에 의해 액세스될 수 있는 임의의 다른 매체를 포함할 수 있다. 또한, 임의의 접속수단(connection)이 컴퓨터-판독가능 매체로 적절히 지칭된다. 예를 들어, 소프트웨어가 동축 케이블, 광섬유 케이블, 연선(twisted pair), 디지털 가입자 라인(DSL), 또는 (적외선, 라디오, 및 마이크로파와 같은) 무선 기술들을 사용하여 웹사이트, 서버, 또는 다른 원격 소스로부터 송신되면, 동축 케이블, 광섬유 케이블, 연선, DSL, 또는 (적외선, 라디오, 및 마이크로파와 같은) 무선 기술들이 매체의 정의에 포함된다. 본 명세서에 사용되는 바와 같이, 디스크(disk) 및 디스크(disc)는 컴팩트 디스크(disc)(CD), 레이저 디스크(disc), 광 디스크(disc), 디지털 다목적 디스크(digital versatile disc)(DVD), 플로피 디스크(disk) 및 blu-Ray 디스크(disc)를 포함하며, 여기서 디스크(disk)들은 일반적으로 데이터를 자기적으로 재생하지만, 디스크(disc)들은 레이저들을 이용하여 광학적으로 데이터를 재생한다. 또한, 상기의 결합들은 컴퓨터-판독가능 매체들의 범위 내에 포함되어야 한다.
기재된 예시적인 실시예들의 설명은 당업자가 본 발명을 사용 또는 실시할 수 있도록 제공된다. 이들 예시적인 실시예들에 대한 다양한 변형들은 당업자들에게 용이하게 명백할 것이며, 본 명세서에 정의된 일반적인 원리들은 본 발명의 사상 또는 범위를 벗어나지 않으면서 다른 예시적인 실시예들에 적용될 수도 있다. 따라서, 본 발명은 본 명세서에 설명된 예시적인 실시예들로 제한되도록 의도되는 것이 아니라, 본 명세서에 기재된 원리들 및 신규한 특성들과 일치하는 가장 넓은 범위에 부합할 것이다.

Claims (20)

  1. 장치로서,
    선택된 페이즈 시프트에 기초하여 페이즈 시프팅된 제 1 밀리미터(MM)파 신호를 생성하도록 구성되는 페이즈 시프터; 및
    출력 단자들을 포함하고 상기 페이즈 시프팅된 제 1 MM파 신호 및 제 2 MM파 신호의 결합들에 기초하여 상기 출력 단자들에서 출력 전력 레벨들을 조정하도록 구성되는 하이브리드 플러스 커플러를 포함하는, 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 하이브리드 플러스 커플러는, 제 1 결합에 기초하여 제 1 출력 단자에서 출력 전력을 조정하고 제 2 결합에 기초하여 제 2 출력 단자에서 출력 전력을 조정하도록 구성되는, 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 장치는 도허티(Doherty) 증폭기로서 구성되는, 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    MM파 입력 신호를 수신하고 실질적으로 동일한 전력 레벨들로 제 1 MM파 신호 및 상기 제 2 MM파 신호를 생성하도록 구성되는 분할기를 더 포함하고,
    상기 제 1 MM파 신호는 상기 페이즈 시프터에 입력되는, 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 하이브리드 플러스 커플러는 선택된 출력 단자에서 연장부를 포함하고,
    상기 연장부는 상기 결합들을 생성하기 위해 사용되는 90도 페이즈 시프트를 제공하도록 구성되는, 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 하이브리드 플러스 커플러는, 상기 제 2 MM파 신호와 상기 페이즈 시프팅된 제 1 MM파 사이의 페이즈 차이(
    Figure pct00019
    )에 기초하여 제 1 출력 단자(B)와 제 2 출력 단자(D) 사이에서 전력 분배를 생성하도록 구성되고,
    상기 단자(B)와 상기 단자(D) 사이에서 전력 분배는 다음으로부터 결정되는, 장치.
    Figure pct00020

    Figure pct00021
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 선택된 페이즈 시프트를 조정하는 페이즈 제어 신호를 출력하도록 구성되는 제어기를 더 포함하는, 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 페이즈 제어 신호를 생성하기 위해 상기 제어기에 의해 사용되는 입력 전력 표시자를 출력하도록 구성되는 입력 전력 검출기를 더 포함하는, 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 페이즈 제어 신호를 생성하기 위해 상기 제어기에 의해 사용되는 출력 전력 표시자를 출력하도록 구성되는 출력 전력 검출기를 더 포함하는, 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 장치는, 무선 디바이스 및 기지국 중 적어도 하나에서 MM파 입력 신호를 증폭하도록 구성되는, 장치.
  11. 방법으로서,
    선택된 페이즈 시프트에 기초하여 페이즈 시프팅된 제 1 밀리미터(MM)파 신호를 생성하는 단계; 및
    상기 페이즈 시프팅된 제 1 MM파 신호 및 제 2 MM파 신호의 결합들에 기초하여 출력 단자들에서 출력 전력 레벨들을 조정하는 단계를 포함하는, 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    제 1 결합에 기초하여 제 1 출력 단자에서 출력 전력을 조정하는 단계; 및
    제 2 결합에 기초하여 제 2 출력 단자에서 출력 전력을 조정하는 단계를 포함하는, 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    실질적으로 동일한 전력 레벨들로 제 1 MM파 신호 및 상기 제 2 MM파 신호를 생성하도록 MM파 입력 신호를 분할하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 2 MM파 신호와 상기 페이즈 시프팅된 제 1 MM파 신호 사이의 페이즈 차이(
    Figure pct00022
    )에 기초하여 제 1 입력 단자(B)와 제 2 입력 단자(D) 사이에서 전력 분배를 생성하는 단계를 더 포함하며,
    상기 단자(B)와 상기 단자(D) 사이에서 전력 분배는 다음으로부터 결정되는, 방법.
    Figure pct00023

    Figure pct00024
  15. 제 11 항에 있어서,
    검출된 입력 전력 레벨에 기초하여 상기 선택된 페이즈 시프트를 조정하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  16. 제 11 항에 있어서,
    검출된 출력 전력 레벨에 기초하여 상기 선택된 페이즈 시프트를 조정하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  17. 장치로서,
    선택된 페이즈 시프트에 기초하여 페이즈 시프팅된 제 1 밀리미터(MM)파 신호를 생성하기 위한 수단; 및
    상기 페이즈 시프팅된 제 1 MM파 신호 및 제 2 MM파 신호의 결합들에 기초하여 출력 단자들에서 출력 전력 레벨들을 조정하기 위한 수단을 포함하는, 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    제 1 결합에 기초하여 제 1 출력 단자에서 출력 전력을 조정하기 위한 수단; 및
    제 2 결합에 기초하여 제 2 출력 단자에서 출력 전력을 조정하기 위한 수단을 더 포함하는, 장치.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 제 2 MM파 신호와 상기 페이즈 시프팅된 제 1 MM파 신호 사이의 페이즈 차이(
    Figure pct00025
    )에 기초하여 제 1 입력 단자(B)와 제 2 입력 단자(D) 사이에서 전력 분배를 생성하기 위한 수단을 더 포함하며,
    상기 단자(B)와 상기 단자(D) 사이에서 전력 분배는 다음으로부터 결정되는, 장치.
    Figure pct00026

    Figure pct00027
  20. 제 17 항에 있어서,
    검출된 입력 전력 레벨 및 검출된 출력 전력 레벨 중 적어도 하나에 기초하여 상기 선택된 페이즈 시프트를 조정하기 위한 수단을 더 포함하는, 장치.
KR1020147029063A 2012-03-19 2013-03-19 개선된 효율성을 갖는 재구성가능한 입력 전력 분배 도허티 증폭기 KR20140146121A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/424,199 US8970297B2 (en) 2012-03-19 2012-03-19 Reconfigurable input power distribution doherty amplifier with improved efficiency
US13/424,199 2012-03-19
PCT/US2013/033022 WO2013142529A2 (en) 2012-03-19 2013-03-19 Reconfigurable input power distribution doherty amplifier with improved efficiency

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140146121A true KR20140146121A (ko) 2014-12-24

Family

ID=48048259

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147029063A KR20140146121A (ko) 2012-03-19 2013-03-19 개선된 효율성을 갖는 재구성가능한 입력 전력 분배 도허티 증폭기

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8970297B2 (ko)
EP (1) EP2828970B1 (ko)
JP (1) JP6185551B2 (ko)
KR (1) KR20140146121A (ko)
CN (1) CN104205625B (ko)
WO (1) WO2013142529A2 (ko)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9306502B2 (en) 2011-05-09 2016-04-05 Qualcomm Incorporated System providing switchable impedance transformer matching for power amplifiers
US8514007B1 (en) 2012-01-27 2013-08-20 Freescale Semiconductor, Inc. Adjustable power splitter and corresponding methods and apparatus
US9203348B2 (en) 2012-01-27 2015-12-01 Freescale Semiconductor, Inc. Adjustable power splitters and corresponding methods and apparatus
US9431969B2 (en) * 2012-12-11 2016-08-30 Rf Micro Devices, Inc. Doherty power amplifier with tunable impedance load
US9031518B2 (en) 2012-12-17 2015-05-12 Qualcomm Incorporated Concurrent hybrid matching network
US9397617B2 (en) 2013-06-25 2016-07-19 Rf Micro Devices, Inc. Multi-broadband Doherty power amplifier
US9484865B2 (en) 2013-09-30 2016-11-01 Qorvo Us, Inc. Reconfigurable load modulation amplifier
US9948243B2 (en) 2013-09-30 2018-04-17 Qorvo Us, Inc. Reconfigurable load modulation amplifier
US9225291B2 (en) * 2013-10-29 2015-12-29 Freescale Semiconductor, Inc. Adaptive adjustment of power splitter
US9369095B2 (en) 2014-01-27 2016-06-14 Rf Micro Devices, Inc. Unbalanced linear power amplifier
US9774299B2 (en) 2014-09-29 2017-09-26 Nxp Usa, Inc. Modifiable signal adjustment devices for power amplifiers and corresponding methods and apparatus
US9831837B2 (en) 2014-11-05 2017-11-28 Qualcomm Incorporated Dynamic power divider circuits and methods
US9647611B1 (en) 2015-10-28 2017-05-09 Nxp Usa, Inc. Reconfigurable power splitters and amplifiers, and corresponding methods
CN107147366B (zh) * 2017-06-12 2023-08-29 广州慧智微电子股份有限公司 一种射频功率放大器的温度补偿电路
KR102463954B1 (ko) * 2018-01-22 2022-11-04 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 증폭기
CN109167580B (zh) * 2018-10-30 2022-06-14 北京振兴计量测试研究所 一种平面四路功率合成放大器
GB201817747D0 (en) * 2018-10-31 2018-12-19 Leonardo Mw Ltd A radio frequency power amplifier
FR3115113B1 (fr) * 2020-10-09 2023-01-06 St Microelectronics Sa Procédé et dispositif de détermination du déphasage entre deux signaux, en particulier des signaux radiofréquence

Family Cites Families (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53136945A (en) * 1977-05-06 1978-11-29 Fujitsu Ltd Parallel-operation amplifier
US4490684A (en) * 1983-01-03 1984-12-25 Motorola, Inc. Adaptive quadrature combining apparatus
JPS61265910A (ja) * 1985-05-20 1986-11-25 Fujitsu Ltd ハイパワ増幅器
US5287069A (en) * 1990-02-07 1994-02-15 Fujitsu Limited Constant-amplitude wave combination type amplifier
JPH04288703A (ja) * 1991-02-01 1992-10-13 Fujitsu Ltd 吸収抵抗内蔵型ラットレース及び増幅器
JPH06120750A (ja) * 1992-10-01 1994-04-28 Nec Corp 電力増幅装置
JP2001203540A (ja) * 2000-01-19 2001-07-27 Hitachi Ltd 高周波電力増幅器
SE520760C2 (sv) 2000-06-06 2003-08-19 Ericsson Telefon Ab L M Doherty-förstärkare av flerstegstyp
US6639463B1 (en) * 2000-08-24 2003-10-28 Lucent Technologies Inc. Adaptive power amplifier system and method
US6384679B1 (en) 2000-11-15 2002-05-07 National Semiconductor Corporation Rail-to-rail amplifier with reduced GM and compensating cap
US6472934B1 (en) * 2000-12-29 2002-10-29 Ericsson Inc. Triple class E Doherty amplifier topology for high efficiency signal transmitters
JP3809777B2 (ja) 2001-05-30 2006-08-16 ソニー株式会社 電力増幅器
US6522160B1 (en) 2001-06-13 2003-02-18 Micron Technology, Inc. Input buffer with automatic switching point adjustment circuitry, and synchronous DRAM device including same
JP3947373B2 (ja) 2001-07-31 2007-07-18 株式会社ルネサステクノロジ 高周波電力増幅器
US6806767B2 (en) 2002-07-09 2004-10-19 Anadigics, Inc. Power amplifier with load switching circuit
KR100450744B1 (ko) 2002-08-29 2004-10-01 학교법인 포항공과대학교 도허티 증폭기
US6794935B2 (en) 2002-10-17 2004-09-21 Motorola Inc. Power amplification circuit and method for supplying power at a plurality of desired power output levels
JP2004221646A (ja) 2003-01-09 2004-08-05 Nec Corp ドハ−ティ増幅器
DE10308848A1 (de) 2003-02-27 2004-09-09 Marconi Communications Gmbh Integrierte Verstärkeranordnung
JP3907052B2 (ja) 2003-03-07 2007-04-18 ソニー・エリクソン・モバイルコミュニケーションズ株式会社 通信端末装置及び増幅回路
US6922102B2 (en) * 2003-03-28 2005-07-26 Andrew Corporation High efficiency amplifier
US7444124B1 (en) 2003-05-14 2008-10-28 Marvell International Ltd. Adjustable segmented power amplifier
TW200518345A (en) 2003-08-08 2005-06-01 Renesas Tech Corp Semiconductor device
US20050134377A1 (en) 2003-12-23 2005-06-23 Dent Paul W. Doherty amplifier
US7157965B1 (en) 2004-06-21 2007-01-02 Qualcomm Incorporated Summing power amplifier
US7884668B2 (en) 2004-06-29 2011-02-08 Nxp B.V. Integrated doherty type amplifier arrangement with high power efficiency
JP4715994B2 (ja) 2004-08-26 2011-07-06 日本電気株式会社 ドハティ増幅器並列運転回路
US20060105733A1 (en) 2004-11-16 2006-05-18 Singh Donald R System and method for developing ultra-sensitive microwave and millimeter wave phase discriminators
US7295065B2 (en) 2004-11-18 2007-11-13 Beecem Communications Inc. High efficiency doherty amplifier with a segmented main amplifier
CN101091322B (zh) 2004-12-24 2010-04-28 华为技术有限公司 一种准线性高效功率放大器以及放大射频信号的方法
US20100001802A1 (en) 2005-05-20 2010-01-07 Nxp B.V. Integrated doherty type amplifier arrangement with high power efficiency
US7183843B1 (en) * 2005-06-27 2007-02-27 Rockwell Collins, Inc. Electronically tuned power amplifier
KR100752280B1 (ko) 2005-12-14 2007-08-28 삼성전자주식회사 휴대단말기의 안테나주파수 자동매칭 장치
DE102006008790A1 (de) * 2006-02-24 2007-09-06 Infineon Technologies Ag Modulationseinrichtung für einen Sendepfad, Verfahren zur Signalverarbeitung in einem Sendepfad und Sendepfad mit der Modulationseinrichtung
US7719141B2 (en) 2006-11-16 2010-05-18 Star Rf, Inc. Electronic switch network
US8245179B2 (en) 2006-11-21 2012-08-14 Nec Corporation RF circuit, circuit evaluation method, algorithm and recording medium
US7561854B2 (en) 2006-12-01 2009-07-14 Harris Corporation Lossless transmit path antenna switch circuit
KR100814415B1 (ko) 2007-02-14 2008-03-18 포항공과대학교 산학협력단 하모닉 제어 회로를 이용한 고효율 도허티 전력 증폭기
US20080207256A1 (en) 2007-02-22 2008-08-28 Texas Instruments Incorporated Concurrent impedance matching of a wireless transceiver
WO2009031042A2 (en) * 2007-04-23 2009-03-12 Dali Systems, Co., Ltd. N-way doherty distributed power amplifier
EP2191567A1 (en) 2007-09-03 2010-06-02 Nxp B.V. Multi-way doherty amplifier
US7609115B2 (en) 2007-09-07 2009-10-27 Raytheon Company Input circuitry for transistor power amplifier and method for designing such circuitry
KR20090071834A (ko) 2007-12-28 2009-07-02 성균관대학교산학협력단 고조파 동조를 이용한 도허티 증폭기
KR101547818B1 (ko) 2008-01-29 2015-08-27 삼성전자주식회사 시분할복신 무선통신시스템에서 송수신 안테나 스위칭 장치
US8103221B2 (en) 2008-05-30 2012-01-24 National Ict Australia Limited High-isolation transmit/receive switch on CMOS for millimeter-wave applications
JP2009303040A (ja) 2008-06-16 2009-12-24 Toshiba Corp 高周波電力増幅器、および増幅方法
US9300508B2 (en) 2008-08-07 2016-03-29 Trex Enterprises Corp. High data rate milllimeter wave radio on a chip
US7952433B2 (en) 2008-11-25 2011-05-31 Samsung Electro-Mechanics Company Power amplifiers with discrete power control
US7863979B2 (en) 2009-01-26 2011-01-04 Skyworks Solutions, Inc. High efficiency power amplifier having embedded switching
US8666340B2 (en) 2009-03-03 2014-03-04 Broadcom Corporation Method and system for on-chip impedance control to impedance match a configurable front end
JP5163577B2 (ja) 2009-03-27 2013-03-13 富士通株式会社 増幅回路及び送受信機
US8432237B2 (en) 2009-05-21 2013-04-30 Qualcomm, Incorporated Output circuit with integrated impedance matching, power combining and filtering for power amplifiers and other circuits
JP5311038B2 (ja) * 2009-05-22 2013-10-09 住友電気工業株式会社 増幅装置及び無線基地局
KR101573719B1 (ko) 2009-07-31 2015-12-02 삼성전자주식회사 시분할 복신 방식의 무선통신시스템에서 수신회로 보호 장치 및 방법
US8295212B2 (en) 2009-08-05 2012-10-23 Alcatel Lucent System and method for TDD/TMA with hybrid bypass switch of receiving amplifier
WO2011045312A1 (en) 2009-10-12 2011-04-21 St-Ericsson (France) Sas Integrated transformer with multiple transformation ratios
JP5705122B2 (ja) 2009-10-23 2015-04-22 日本碍子株式会社 ドハティ増幅器用合成器
CN102064774B (zh) * 2009-11-18 2013-11-06 中兴通讯股份有限公司 一种功率放大电路实现方法及功率放大装置
EP2339745A1 (en) 2009-12-15 2011-06-29 Nxp B.V. Doherty amplifier
US9048787B2 (en) 2010-04-20 2015-06-02 Rf Micro Devices, Inc. Combined RF detector and RF attenuator with concurrent outputs
US8626084B2 (en) 2010-05-13 2014-01-07 Qualcomm, Incorporated Area efficient concurrent matching transceiver
US8760240B2 (en) 2010-09-15 2014-06-24 Wilocity, Ltd. Method for designing coupling-function based millimeter wave electrical elements
US8611834B2 (en) 2010-11-01 2013-12-17 Cree, Inc. Matching network for transmission circuitry
US9306502B2 (en) 2011-05-09 2016-04-05 Qualcomm Incorporated System providing switchable impedance transformer matching for power amplifiers
US9031518B2 (en) 2012-12-17 2015-05-12 Qualcomm Incorporated Concurrent hybrid matching network

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013142529A2 (en) 2013-09-26
CN104205625A (zh) 2014-12-10
EP2828970B1 (en) 2021-03-10
CN104205625B (zh) 2017-06-20
JP2015514360A (ja) 2015-05-18
US20130241640A1 (en) 2013-09-19
WO2013142529A3 (en) 2013-11-14
JP6185551B2 (ja) 2017-08-23
EP2828970A2 (en) 2015-01-28
US8970297B2 (en) 2015-03-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20140146121A (ko) 개선된 효율성을 갖는 재구성가능한 입력 전력 분배 도허티 증폭기
JP6271589B2 (ja) 逆電流防止
US8774742B2 (en) High efficiency transmitter
US20150194936A1 (en) Power amplifier envelope tracking
KR101548888B1 (ko) 잡음 소거 기능을 갖는 전력 공급 발생기
US9031518B2 (en) Concurrent hybrid matching network
US7768352B2 (en) High-speed, multi-stage class AB amplifiers
US10171048B2 (en) Power amplifier
CN102422529B (zh) 可切换输入对操作放大器
WO2012028017A1 (zh) 一种音频功率放大器及音频功放模式切换方法
CN107438962A (zh) 在音频放大器环路中通过噪声抵消来改进电源抑制率
US8717097B2 (en) Amplifier with improved noise reduction
US20150054581A1 (en) Combination nmos/pmos power amplifier
JP2010193258A (ja) Ask変調器
Sim et al. A CMOS power amplifier using a split cascode structure to enhance its efficiency
CN102355204A (zh) 一种音频功放自动切换电路及功放芯片
US9106198B2 (en) High power tunable capacitor
JP6312833B2 (ja) 改良された線形性を有する金属酸化物半導体(mos)キャパシタ
CN104661146A (zh) 一种音频放大系统

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid