CN104198560A - 一种石墨烯修饰的多孔二氧化钛复合膜的制备方法 - Google Patents

一种石墨烯修饰的多孔二氧化钛复合膜的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104198560A
CN104198560A CN201410411426.6A CN201410411426A CN104198560A CN 104198560 A CN104198560 A CN 104198560A CN 201410411426 A CN201410411426 A CN 201410411426A CN 104198560 A CN104198560 A CN 104198560A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
titanium dioxide
film
preparation
graphene
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410411426.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104198560B (zh
Inventor
郝臣
沈毓儒
周瑞
恽悦
徐军浩
周敏
冯峰
白毅
王晓红
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu University
Original Assignee
Jiangsu University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangsu University filed Critical Jiangsu University
Priority to CN201410411426.6A priority Critical patent/CN104198560B/zh
Publication of CN104198560A publication Critical patent/CN104198560A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104198560B publication Critical patent/CN104198560B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Hybrid Cells (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)

Abstract

本发明涉及一种半导体薄膜的制备方法，特指一种石墨烯修饰的多孔二氧化钛复合膜的制备方法，属于半导体技术领域。本发明采用聚苯乙烯微球为模板电沉积制得多孔二氧化钛薄膜，除去模板后通过洗涤、过滤、干燥、煅烧后得锐钛矿二氧化钛，再在薄膜上循环伏安沉积石墨烯即得到石墨烯修饰的多孔二氧化钛薄膜。该方法工艺简单，对人或环境无危害，价格低廉，易于控制，石墨烯层能覆盖在二氧化钛上，适合大规模工业化生产。

Description

一种石墨烯修饰的多孔二氧化钛复合膜的制备方法
技术领域
本发明涉及一种半导体薄膜的制备方法，特指一种制备石墨烯修饰多孔二氧化钛复合膜的方法，属于半导体技术领域。 
背景技术
    与其他碳材料相比，石墨烯具有良好的电学性能、机械强度和稳定性，是传输电子的优良材料，且石墨烯较大的比表面积也使其具有很强的吸附性能。单一的纳米材料已经无法满足人们对先进材料的需求，具有各种优良性能的纳米复合材料已受到人们的普遍关注。若将石墨烯复合到催化材料中，将得到多种性能显著提高的先进功能材料。相关研究表明，具有大的比表面积和高的导电能力的石墨烯不仅能有效降低二氧化钛的光生载流子的复合率，拓展其对光的吸收，还能有效提高二氧化钛对有机污染物分子的吸附能力。 
    石墨烯有多种制备方法，包括机械剥离，外延生长，化学还原和化学气相沉积，在这诸多方法中，尤以电化学还原最受关注。传统的电化学方法制备石墨烯通常分为两步：将氧化石墨溶液沉积到电极表面再进行还原。最新的研究发现采用循环伏安法可以一步实现氧化石墨烯在波碳电极上的还原和沉积。 
    纳米粒子具有小尺寸效应、量子尺寸效应、表面效应和宏观量子隧道效应，常规半导体材料所没有的独特的光、电、磁、热以及光催化性能等，因而在纳米材料中不断得到发掘。纳米二氧化钛（TiO2）、氧化锌（ZnO）正是其中最具应用价值的材料之二，加之其化学性质稳定、来源广泛、成本低廉及无毒环保等特点，其应用研究涉及广泛。 
   纳米TiO2是一种宽禁带n型半导体材料，有独特的光电及光化学特性，由于尺寸小、比表面积大，表现出较高的化学活性和选择性，可作为活性物质用于多种催化反应中。由于其化学性质稳定、无毒、成本低等优点、非迁移性、荧光性、压电性、吸收和散射紫外线能力等特性，在光催化、太阳能电池、传感器、以及电子器件等领域具有广阔的应用前景。 
   与其他纳米晶体材料制备方法相比，电沉积法具备以下主要优点：（1）可在常温下进行；（2）可以获得晶粒尺寸在1-100nm的多种纳米晶体材料，并可以应用于批量生产；（3）制得的纳米晶体材料密度高且孔隙率极低，结晶组织取决于电沉积参数，晶粒尺寸分布；（4）制备过程简单，可直接获得大批量纳米晶体材料；（5）电沉积法工艺灵活，膜层厚度易于控制，容易由实验室向工业生产转变；（6）有很好的经济性和较高的生产效率。采用本法制备石墨烯修饰的多孔二氧化钛薄膜，具有工艺简单、操作简便、对设备要求低、容易批量生产等优点。 
发明内容
    本发明以天然鳞片石墨制备氧化石墨并于磷酸盐缓冲液中超声分散得到氧化石墨烯、以硫酸氧钛为钛源，通过恒电势阴极电沉积法分别沉积并经相关后处理制得目标产物，原料易于得到，成本低廉，有利于工业化生产。 
   本发明的技术方案如下： 
一种石墨烯修饰的多孔二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于采用电化学沉积法制备薄膜：
（1） 根据无皂乳液聚合法合成聚苯乙烯（简写PS）微球，并以ITO导电玻璃为基底制备聚苯乙烯微球模板（参考文献：范荣玉，郑细鸣.无皂乳液聚合法制备单分散大粒径聚苯乙烯微球研究[J]. 广西轻工业，2007，2，34-36； 淮路枫，杨明.无皂乳液聚合制备微米级单分散聚苯乙烯微球[J]. 武汉工业学院学报，2008，27（4）：30-32）；
（2）首先配置先驱体溶液，电解液为水溶液体系，以硫酸氧钛（TiOSO4）作为钛源配制电解液；然后进行电化学沉积，将硫酸氧钛溶液转入三电极体系沉积；
（3）将产物用去离子水冲洗 、自然干燥，用甲苯冲洗以除去聚苯乙烯微球并煅烧，即制得二氧化钛薄膜；
（4）以天然鳞片石墨按照改进的Hummers方法制备氧化石墨，并于磷酸盐缓冲液中超声分散得到氧化石墨烯溶液；
（5）电化学沉积，将氧化石墨烯溶液转入新的三电极体系，采用循环伏安法室温下沉积石墨烯。 
（6）将得到的石墨烯修饰的多孔二氧化钛薄膜用去离子水冲洗 、自然干燥、备用。 
其中步骤（1）中制得的聚苯乙烯微球粒径为500nm，粒径分散度低。 
其中步骤（2）中所述的硫酸氧钛浓度为0.015-0.025M；所述的三电极体系中以聚苯乙烯模板作为工作电极，铂电极作为辅助电极，饱和甘汞电极作为参比电极，所述的沉积条件为室温下沉积，沉积时间15~30min ，沉积电位-1.1~-1.5V。 
其中步骤（3）中所述的煅烧为400℃煅烧1h。 
其中步骤（4）中氧化石墨烯浓度为0.5mg mL-1。 
其中步骤（5）中所述的新的三电极体系中将步骤（3）制得的二氧化钛薄膜作为工作电极，铂电极作为辅助电极，饱和甘汞电极作为参比电极；所述的循环伏安法沉积石墨烯的循环电位范围-1.5~1V，速度50mv s-1，循环圈数10~30圈。 
本发明的有益效果 ： 
本工艺采用聚苯乙烯微球为模板，通过电沉积法制备纳米二氧化钛，除去模板后经煅烧过程得到的是锐钛矿二氧化钛多孔薄膜。后经电化学一步还原在多孔二氧化钛薄膜上沉积石墨烯。最终得到的多孔且修饰了具有优异导电性质的石墨烯的结构能够大大提高电极的电化学性质，如在双氧水等的检测试验中获得了优异的测试结果；且本工艺还具有易于控制，成本低，工艺简单的优点。
附图说明
图1：(A)是实例1所得材料的SEM图，(B)是实例2所得材料的SEM图，(C)是实例3所得材料的SEM图，(D)是实例4所得材料的SEM图。 
图2：（a）实施例1所得材料的XRD图，（b）实施例3所得材料的XRD图，（c）实施例4所得材料的XRD图。 
具体实施方式
下面结合具体实施实例对本发明做进一步说明，但本发明的保护范围不限于此。 
聚苯乙烯模板制备：
    为除去苯乙烯中的阻聚剂，将苯乙烯依次用0.1 M NaOH溶液和二次去离子水洗涤四次。将15 mL洗涤好的苯乙烯单体与150 mL二次去离子水加入到250 mL的三颈烧瓶中，三颈烧瓶的颈口分别设有搅拌器、回流冷凝管和温度计，聚合反应前先通入高纯N2约10 min以除去瓶内与混合溶液中的空气，将引发剂过硫酸铵溶于10 mL二次去离子水中，加热至70 ℃后在20 min内滴加入到三颈烧瓶中，持续30 min搅拌使三颈烧瓶内充分均匀分散，反应在持续搅拌下进行冷凝回流6小时，反应温度控制在70±2 ℃，反应结束后，将制得的乳液使用双层快速滤纸进行抽滤以除去溶液中大颗粒聚合物，得到粒径均匀的PS微球乳液，静置备用。
   在ITO玻璃片上组装单层PS微球模板之前，先将玻璃片分别用去离子水、乙醇、去离子水预处理。将准制备好的PS微球乳液滴在经过处理的水平横放的ITO玻璃片上，使其浸润，覆盖住指定区域，随后将该玻璃片垂直竖立使基片表面的微球乳液液体自然蒸发，从而得到单层PS微球模板。为增强PS微球与玻璃基片之间的结合力，将此模板在105 ℃条件下加热5 min。 
实施例1：
1. 配置先驱体溶液。电解液为水溶液体系，以硫酸氧钛（TiOSO4）作为钛源配制电解液，硫酸氧钛溶液浓度0.015M。
2. 电化学沉积，将先躯体溶液转入三电极体系，其中以聚苯乙烯模板作为工作电极，铂电极作为辅助电极，饱和甘汞电极作为参比电极，沉积时间15min，沉积电位-1.3V；沉积完毕将产物用去离子水反复冲洗、用甲苯冲洗除去模板、自然干燥、400℃煅烧1h，得多孔二氧化钛薄膜。 
3．电化学沉积，将氧化石墨烯溶液转入三电极体系，其中以前面制得的多孔二氧化钛薄膜作为工作电极，铂电极作为辅助电极，饱和甘汞电极作为参比电极，采用循环伏安法室温下沉积石墨烯，循环电位范围-1.5~1V，循环圈数10圈，速度50mv s-1；沉积完毕反复用去离子水冲洗、自然干燥。其扫描电子显微镜图如图1中A图，XRD图见图2中a图。 
实施例2：
1．配置先驱体溶液。电解液为水溶液体系，以硫酸氧钛（TiOSO4）作为钛源配制电解液，硫酸氧钛溶液浓度0.015M。
2．电化学沉积，将先躯体溶液转入三电极体系，其中以聚苯乙烯模板作为工作电极，铂电极作为辅助电极，饱和甘汞电极作为参比电极，沉积时间15min，沉积电位-1.5V；沉积完毕将产物用去离子水反复冲洗、用甲苯冲洗除去模板、自然干燥、400℃煅烧1h，得多孔二氧化钛薄膜。 
3．电化学沉积，将氧化石墨烯溶液转入三电极体系，其中以前面制得的多孔二氧化钛薄膜作为工作电极，铂电极作为辅助电极，饱和甘汞电极作为参比电极，采用循环伏安法室温下沉积石墨烯，循环电位范围-1.5~1V，循环圈数20圈，速度50mv s-1；沉积完毕反复用去离子水冲洗、自然干燥。其扫描电子显微镜图片如图1中B图。 
实施例3：
1．配置先驱体溶液，电解液为水溶液体系，以硫酸氧钛（TiOSO4）作为钛源配制电解液，硫酸氧钛溶液浓度0.020M。
2．电化学沉积，将先躯体溶液转入三电极体系，其中以聚苯乙烯模板作为工作电极，铂电极作为辅助电极，饱和甘汞电极作为参比电极，沉积时间15min，沉积电位-1.1V；沉积完毕将产物用去离子水反复冲洗、用甲苯冲洗除去模板、自然干燥、400℃煅烧1h，得多孔二氧化钛薄膜。 
3．电化学沉积，将氧化石墨烯溶液转入三电极体系，其中以前面制得的多孔二氧化钛薄膜作为工作电极，铂电极作为辅助电极，饱和甘汞电极作为参比电极，采用循环伏安法室温下沉积石墨烯，循环电位范围-1.5~1V，循环圈数20圈，速度50mv s-1；沉积完毕反复用去离子水冲洗、自然干燥，其扫描电子显微镜图如图1中C图，XRD图见图2中b图。 
实施例4：
1．配置先驱体溶液，电解液为水溶液体系，以硫酸氧钛（TiOSO4）作为钛源配制电解液，硫酸氧钛溶液浓度0.020M。
2．电化学沉积，将先躯体溶液转入三电极体系，其中以聚苯乙烯模板作为工作电极，铂电极作为辅助电极，饱和甘汞电极作为参比电极，沉积时间20min，沉积电位-1.3V；沉积完毕将产物用去离子水反复冲洗、用甲苯冲洗除去模板、自然干燥、400℃煅烧1h，得多孔二氧化钛薄膜。 
3．电化学沉积，将氧化石墨烯溶液转入三电极体系，其中以前面制得的多孔二氧化钛薄膜作为工作电极，铂电极作为辅助电极，饱和甘汞电极作为参比电极，采用循环伏安法室温下沉积石墨烯，循环电位范围-1.5~1V，循环圈数30圈，速度50mv s-1；沉积完毕反复用去离子水冲洗、自然干燥，其扫描电子显微镜图如图1中D图，XRD图见图2中c图。 
实施例5：
1、配置先驱体溶液，电解液为水溶液体系，以硫酸氧钛（TiOSO4）作为钛源配制电解液，硫酸氧钛溶液浓度0.025M。
2、电化学沉积，将先躯体溶液转入三电极体系，其中以聚苯乙烯模板作为工作电极，铂电极作为辅助电极，饱和甘汞电极作为参比电极，沉积时间15min，沉积电位-1.3V；沉积完毕将产物用去离子水反复冲洗、用甲苯冲洗除去模板、自然干燥、400℃煅烧1h，得多孔二氧化钛薄膜。 
3、电化学沉积，将氧化石墨烯溶液转入三电极体系，其中以前面制得的多孔二氧化钛薄膜作为工作电极，铂电极作为辅助电极，饱和甘汞电极作为参比电极，采用循环伏安法室温下沉积石墨烯，循环电位范围-1.5~1V，循环圈数30圈，速度50mv s-1；沉积完毕反复用去离子水冲洗、自然干燥。 
实施例6：
1．配置先驱体溶液。电解液为水溶液体系，以硫酸氧钛（TiOSO4）作为钛源配制电解液，硫酸氧钛溶液浓度0.025M。
2．电化学沉积，将先躯体溶液转入三电极体系，其中以聚苯乙烯模板作为工作电极，铂电极作为辅助电极，饱和甘汞电极作为参比电极，沉积时间30min，沉积电位-1.5V；沉积完毕将产物用去离子水反复冲洗、用甲苯冲洗除去模板、自然干燥、400℃煅烧1h，得多孔二氧化钛薄膜。 
3．电化学沉积，将氧化石墨烯溶液转入三电极体系，其中以前面制得的多孔二氧化钛薄膜作为工作电极，铂电极作为辅助电极，饱和甘汞电极作为参比电极，采用循环伏安法室温下沉积石墨烯，循环电位范围-1.5~1V，循环圈数30圈，速度50mv s-1；沉积完毕反复用去离子水冲洗、自然干燥。 

Claims (6)

1. 一种石墨烯修饰的多孔二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于，采用电化学沉积法制备薄膜，按照以下步骤进行：
（1） 根据无皂乳液聚合法合成聚苯乙烯微球，并以ITO导电玻璃为基底制备聚苯乙烯微球模板；
（2）首先配置先驱体溶液，电解液为水溶液体系，以硫酸氧钛作为钛源配制电解液；然后进行电化学沉积，将硫酸氧钛溶液转入三电极体系沉积；
（3）将产物用去离子水冲洗 、自然干燥，用甲苯冲洗以除去聚苯乙烯微球并煅烧，即制得二氧化钛薄膜；
（4）以天然鳞片石墨按照改进的Hummers方法制备氧化石墨，并于磷酸盐缓冲液中超声分散得到氧化石墨烯溶液；
（5）电化学沉积，将氧化石墨烯溶液转入新的三电极体系，采用循环伏安法室温下沉积石墨烯；
（6）将得到的石墨烯修饰的多孔二氧化钛薄膜用去离子水冲洗 、自然干燥、备用。
2. 根据权利要求1所述的一种石墨烯修饰的多孔二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（1）中制得的聚苯乙烯微球粒径为500nm，粒径分散度低。
3. 根据权利要求1所述的一种石墨烯修饰的多孔二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述的硫酸氧钛浓度为0.015-0.025M；
所述的三电极体系中以聚苯乙烯模板作为工作电极，铂电极作为辅助电极，饱和甘汞电极作为参比电极；
所述的沉积条件为室温下沉积，沉积时间15~30min ，沉积电位-1.1~-1.5V。
4. 根据权利要求1所述的一种石墨烯修饰的多孔二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述的煅烧为400℃煅烧1h。
5. 根据权利要求1所述的一种石墨烯修饰的多孔二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（4）中氧化石墨烯浓度为0.5mg mL-1。
6. 根据权利要求1所述的一种石墨烯修饰的多孔二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（5）中所述的新的三电极体系中将步骤（3）制得的二氧化钛薄膜作为工作电极，铂电极作为辅助电极，饱和甘汞电极作为参比电极；
所述的循环伏安法沉积石墨烯的循环电位范围-1.5~1V，速度50mv s-1，循环圈数10~30圈。
CN201410411426.6A 2014-08-20 2014-08-20 一种石墨烯修饰的多孔二氧化钛复合膜的制备方法 Expired - Fee Related CN104198560B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410411426.6A CN104198560B (zh) 2014-08-20 2014-08-20 一种石墨烯修饰的多孔二氧化钛复合膜的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410411426.6A CN104198560B (zh) 2014-08-20 2014-08-20 一种石墨烯修饰的多孔二氧化钛复合膜的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104198560A true CN104198560A (zh) 2014-12-10
CN104198560B CN104198560B (zh) 2017-03-29

Family

ID=52083884

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410411426.6A Expired - Fee Related CN104198560B (zh) 2014-08-20 2014-08-20 一种石墨烯修饰的多孔二氧化钛复合膜的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104198560B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104596994A (zh) * 2014-12-15 2015-05-06 浙江大学 一种掺铕的二氧化钛/氧化石墨烯复合薄膜及其制备方法
CN105181770A (zh) * 2015-09-09 2015-12-23 上海大学 用作过氧化氢电化学检测的二氧化锰/石墨烯/二氧化钛修饰玻碳电极的制备方法及其应用
CN107967998A (zh) * 2017-11-22 2018-04-27 东北大学 石墨烯泡沫镍电极的制备方法
CN110988037A (zh) * 2019-11-20 2020-04-10 攀钢集团重庆钛业有限公司 检测钛白粉分散状态的方法
CN111289580A (zh) * 2018-06-27 2020-06-16 成都新柯力化工科技有限公司 一种探测大气硫化氢气体的薄膜传感材料及制备方法
CN113463150A (zh) * 2021-07-09 2021-10-01 合肥师范学院 还原氧化石墨烯负载二氧化钛薄膜的制备方法及应用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102051651A (zh) * 2011-01-11 2011-05-11 湖南大学 一种石墨烯薄膜的制备方法
CN102125837A (zh) * 2011-01-11 2011-07-20 湖南大学 金属-石墨烯-二氧化钛纳米管阵列光催化剂及其制备和应用
CN102962080A (zh) * 2012-10-11 2013-03-13 湖南大学 一种复合光催化剂及其制备和应用

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102051651A (zh) * 2011-01-11 2011-05-11 湖南大学 一种石墨烯薄膜的制备方法
CN102125837A (zh) * 2011-01-11 2011-07-20 湖南大学 金属-石墨烯-二氧化钛纳米管阵列光催化剂及其制备和应用
CN102962080A (zh) * 2012-10-11 2013-03-13 湖南大学 一种复合光催化剂及其制备和应用

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
HONGWEI YAN, YINGLING YANG, ZHENGPING FU ET AL.: "Cathodic Electrodeposition of Ordered Porous Titania Films by Polystyrene Colloidal Crystal Templating", 《CHEMISTRY LETTERS》 *
S. KARUPPUCHAMY，K. NONOMURA，T. YOSHIDA，T. SUGIURA，H. MINOURA: "Cathodic electrodeposition of oxide semiconductor thin films and their application to dye-sensitized solar cells", 《SOLID STATE IONICS》 *
崔晓莉，降志裕: "纳米TiO2薄膜的制备方法", 《化学进展》 *
魏赛玲: "有序孔结构纳米晶TiO2薄膜的制备及光电特性研究", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库 工程科技I辑》 *

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104596994A (zh) * 2014-12-15 2015-05-06 浙江大学 一种掺铕的二氧化钛/氧化石墨烯复合薄膜及其制备方法
CN104596994B (zh) * 2014-12-15 2017-05-03 浙江大学 一种掺铕的二氧化钛/氧化石墨烯复合薄膜及其制备方法
CN105181770A (zh) * 2015-09-09 2015-12-23 上海大学 用作过氧化氢电化学检测的二氧化锰/石墨烯/二氧化钛修饰玻碳电极的制备方法及其应用
CN107967998A (zh) * 2017-11-22 2018-04-27 东北大学 石墨烯泡沫镍电极的制备方法
CN111289580A (zh) * 2018-06-27 2020-06-16 成都新柯力化工科技有限公司 一种探测大气硫化氢气体的薄膜传感材料及制备方法
CN110988037A (zh) * 2019-11-20 2020-04-10 攀钢集团重庆钛业有限公司 检测钛白粉分散状态的方法
CN113463150A (zh) * 2021-07-09 2021-10-01 合肥师范学院 还原氧化石墨烯负载二氧化钛薄膜的制备方法及应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN104198560B (zh) 2017-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Chen et al. Microwave–hydrothermal crystallization of polymorphic MnO2 for electrochemical energy storage
CN104198560B (zh) 一种石墨烯修饰的多孔二氧化钛复合膜的制备方法
Huang et al. Co3O4-modified TiO2 nanotube arrays via atomic layer deposition for improved visible-light photoelectrochemical performance
Kim et al. Redox deposition of birnessite-type manganese oxide on silicon carbide microspheres for use as supercapacitor electrodes
Song et al. Enhanced photoelectrochemical response of a composite titania thin film with single-crystalline rutile nanorods embedded in anatase aggregates
CN102412369B (zh) 一种有机/无机杂化太阳电池及其制备方法
Chandiran et al. Quantum-confined ZnO nanoshell photoanodes for mesoscopic solar cells
CN104311142B (zh) 一种垂直生长TiO2纳米片及其制备方法
CN104988533A (zh) TiO2/BiVO4光阳极材料及其制备方法
CN104807859B (zh) 低温原位生长纳米结构半导体金属氧化物的方法及应用
Ma et al. Ultraviolet-induced interfacial crystallization of uniform nanoporous biphasic TiO2 spheres for durable lithium-ion battery
CN101143357B (zh) 一种纳米晶薄膜及其低温制备方法
WO2016026339A1 (zh) 一种TiO2纳米晶的合成方法
CN108130711A (zh) 一种基于纤维衬底的TiO2纳米阵列及其制备方法
CN108281550B (zh) 基于镁掺杂二氧化钛的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
Pawar et al. Photoelectrochemical solar cell based on surfactant mediated rutile TiO 2 nanorods
Wang et al. Hierarchically macro–mesoporous TiO2 film via self-assembled strategy for enhanced efficiency of dye sensitized solar cells
CN106571240B (zh) 一种原位碳掺杂层次结构的中空二氧化硅/二氧化钛微球的制备方法及其用途
CN108034982A (zh) 一种制备三氧化钨纳米片的电化学方法
CN108346517B (zh) 纳米Nb2O5/碳布复合电极材料的制备方法
CN104098147B (zh) 用电化学方法制备具有玫瑰花状形貌特征的NiO纳米颗粒
CN103320828B (zh) 一种六次甲基四胺掺杂纳米氧化锌薄膜的电化学制备方法
CN103436942B (zh) 一种CuInSe2和TiO2复合异质结薄膜的制备方法
Hsu et al. Experimental and theoretical study of improved mesoporous titanium dioxide perovskite solar cell: The impact of modification with graphene oxide
CN113023774A (zh) 一种高活性晶面共暴露的锐钛矿型TiO2纳米晶的制备方法及应用

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20170329

Termination date: 20170820

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee