稀土磁体用合金片的制造方法以及通过该方法制造的稀土磁体用合金片
技术领域
本发明涉及通过将使用冷却辊铸造的合金带(ribbon)破碎来制造稀土磁体用合金片的方法以及通过该方法制造的稀土磁体用合金片。进一步详细而言,涉及通过从冷却辊去除附着物而能够降低所得合金片中晶体组织的偏差的稀土磁体用合金片的制造方法以及通过该方法制造的稀土磁体用合金片。
背景技术
近年,作为稀土磁体的原料中使用的合金,有磁体特性优异的R-T-B系合金。此处,“R-T-B系合金”中的“R”表示稀土元素、“T”表示以Fe为必须的过渡金属、“B”表示硼。由该R-T-B系合金制成且成为稀土磁体的原料的合金片可以使用薄带连铸法来制造。薄带连铸法包括使用单个冷却辊的单辊法和使用两个冷却辊的双辊法。
图1是表示通过单辊法的薄带连铸法来铸造合金带时使用的铸造装置的模式图。图1所示的铸造装置具备腔室5、坩埚1、中间包2以及冷却辊3。腔室5通过将内部维持为减压状态或不活性气体气氛,防止合金熔液和所铸造的合金带被氧化。
使用这种铸造装置通过薄带连铸法来铸造由R-T-B系合金制成的合金带时,例如可以通过以下的步骤来进行。
(A)在坩埚1内装入原料,使用未图示的感应加热装置将该原料加热而使其熔解,制成合金熔液。
(B)将该合金熔液借助中间包2而供给至冷却辊3的外周面时,由于冷却辊3的内部具有用于流通冷媒的结构,因此合金熔液在冷却辊3的外周面快 速冷却而凝固。
(C)这样操作而铸造厚度为0.2~1.0mm的薄带状合金带4。由于冷却辊3向该图的施加有影线的箭头所示方向旋转,与其相伴,合金带4从冷却辊3脱离。
另一方面,双辊法中,两个冷却辊设置规定间隙地配置。向其间隙供给熔液,将该熔液用两个冷却辊快速冷却而使其凝固,从而铸造薄带状合金带。
像这样通过薄带连铸法所铸造的薄带状合金带在通过破碎而制成合金片后按照规定条件被冷却。合金带的破碎和合金片的冷却出于防止合金带和合金片的氧化的目的而通常在减压下或不活性气体气氛下进行。
所得合金片具备由R2T14B相形成的结晶相(主相)与浓缩有稀土元素的富R相共存的晶体组织。主相为有助于磁化作用的强磁性相,富R相是无助于磁化作用的非磁性相。包含主相和富R相的晶体组织可以使用富R相间隔来评价。富R相间隔是从一个富R相至相邻位置的富R相为止的间隔。这种富R相间隔可以通过以能够同时观察铸造时与冷却辊接触而被冷却的面和其相反侧的自由放冷面的方式将合金片切断而成的剖面来测定。
在由R-T-B系合金制成的合金片中,富R相间隔发生变化时,以合金片作为原料而制造的稀土磁体的磁体特性也会变化。因此,在由R-T-B系合金制成的合金片的制造中,期望降低富R相间隔的偏差。
另外,对于由R-T-B系合金制成的合金片而言,晶体组织中有时产生激冷晶体。激冷晶体是在与合金片的冷却辊接触的面的附近等轴微细地生成的组织。此处,以合金片作为原料来制造稀土磁体时,将合金片通过氢脆处理而粗粉碎后,有时通过气流粉碎机进行微粉碎。合金片的晶体组织中产生激冷晶体时,将合金片粉碎时激冷晶体部成为微细粉末,扰乱粉体的粒度分布而使磁体特性恶化。因此,对于由R-T-B系合金制成的合金片而言,期望抑制晶体组织中产生激冷晶体。
另一方面,使用冷却辊来铸造合金带时,有时在冷却辊的外周面凝固了的合金带的一部分不会随着冷却辊的旋转而从冷却辊3脱离,而是继续附着于冷却辊3的外周面。这种冷却辊的外周面的附着物主要是合金、其氧化物。在附着物存在的状态下向冷却辊供给合金熔液来进行合金带的铸造时,合金熔液或凝固了的合金带与冷却辊之间会夹杂附着物。因此,在附着物的附近,合金熔液或凝固了的合金带的冷却速度会变动而降低。其结果,将合金带破碎而成的合金片的晶体组织产生偏差,由R-T-B系合金制成的合金片产生激冷晶体,有时其量会增加。另外,有时富R相间隔发生变动,其间隔变大。
关于从冷却辊去除附着物的方法,例如如专利文献1和专利文献2所示那样地一直以来提出了各种方案。专利文献1所提出的合金带的铸造方法中,通过向冷却辊的外周面喷射气体,能够从冷却辊去除附着物。
另外,专利文献2中提出了:使Nd合金熔液喷射至冷却辊的外周面来快速冷却·凝固从而制造片(flake)时,在熔液供给位置的上游侧依次配置研磨辊、接着配置刷辊。专利文献2中,利用研磨辊去除附着于冷却辊的外周面的异物,同时利用刷辊在冷却辊的外周面形成微细的粗糙(mat)状的凹凸。由此,能够抑制使合金熔液在冷却辊的外周面凝固时因卷入气氛气体而产生的大气孔(air pocket),在均匀的冷却条件下制造片。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平11-277187号公报
专利文献2:日本特开平2-247308号公报
发明内容
发明要解决的问题
如上所述,使用冷却辊来铸造合金带时,由于附着物附着于冷却辊的外 周面而使冷却速度降低,导致将合金带破碎而成的合金片中的晶体组织产生偏差。
前述专利文献1中提出了通过向冷却辊的外周面喷射气体来去除附着物的方法。另外,前述专利文献2中提出了通过研磨辊从冷却辊的外周面去除附着物的方法。此处,将合金熔液供给于冷却辊的外周面而使其凝固时,冷却辊的外周面从微观来看具有微小的凹凸,因此合金熔液的一部分会进入到该微小的凹凸中。进入这种微小凹凸的合金熔液凝固时,不会以合金带的形式脱离,而是容易成为附着物。难以去除进入到冷却辊的外周面的微小凹凸的附着物,本发明人经研究,通过气体的喷射、研磨辊,大部分会残留而不会被去除。像这样,使用外周面的微小凹凸残留有附着物的冷却辊来制造合金片时,由于冷却速度会降低,因此所得合金片的晶体组织会产生偏差。
本发明是鉴于这种状况而进行的,其目的在于,提供通过将附着于冷却辊的附着物去除而能够降低所得合金片中晶体组织的偏差的稀土磁体用合金片的制造方法、以及通过该方法制造的稀土磁体用合金片。
用于解决问题的方案
本发明人为了解决上述问题而进行了各种试验,重复进行了深入研究,结果发现:通过对冷却辊的外周面实施喷砂处理,能够从冷却辊的外周面去除附着物,其结果,能够降低所得合金片的晶体组织的偏差。
本发明是基于上述见解而完成的,其以下述(1)~(3)的合金片的制造方法和下述(4)的合金片为主旨。
(1)一种稀土磁体用合金片的制造方法,其特征在于,在通过将合金熔液供给至冷却辊的外周面而使其凝固来铸造合金带,并将该合金带破碎来制造稀土磁体用合金片的方法中,对前述冷却辊的外周面实施喷砂处理,从前述冷却辊的外周面去除附着物。
(2)根据上述(1)所述的稀土磁体用合金片的制造方法,其特征在于, 实施前述喷砂处理时,作为投射材料,使用中值直径D50为3.0mm以下且包含金属系投射材料、非金属系投射材料以及树脂系投射材料中的任意1种或2种以上的投射材料。
(3)根据上述(1)或(2)所述的稀土磁体用合金片的制造方法,其特征在于,实施前述喷砂处理时,使喷出压力为0.10MPa以上且1.00MPa以下。
(4)一种稀土磁体用合金片,其特征在于,其是通过上述(1)~(3)中任一项所述的合金片的制造方法制造的。
发明的效果
本发明的合金片的制造方法通过实施喷砂处理而从冷却辊的外周面去除附着物,能够在铸造合金带时抑制冷却速度降低,能够降低所得合金片中晶体组织的偏差。
本发明的合金片为通过上述本发明的合金片的制造方法制造的合金片,因此能够降低用作稀土磁体的原料时磁体特性的偏差,能够获得高品质的稀土磁体。
附图说明
图1是表示通过单辊法的薄带连铸法来铸造合金带时使用的铸造装置的模式图。
具体实施方式
如上所述,本发明的合金片的制造方法的特征在于,在通过将合金熔液供给至冷却辊的外周面而使其凝固来铸造合金带,并将该合金带破碎来制造稀土磁体用合金片的方法中,对冷却辊的外周面实施喷砂处理,从冷却辊的外周面去除附着物。以下,针对将本发明的合金片的制造方法如上那样地进行规定的理由以及优选方式进行说明。
在合金、其氧化物以附着物的形式存在的状态下对冷却辊的外周面实施喷砂处理时,具有大动能的投射材料冲击冷却辊的外周面,附着物被直接或间接地打击。通过该冲击可使附着物从冷却辊的外周面中剥离从而被去除。
即使对于进入冷却辊的外周面所具有的微小凹凸中的附着物,通过喷砂处理而使投射材料冲击冷却辊的外周面时也会直接或间接地被打击。通过该冲击能够使附着物从微小凹凸中脱离,即使是进入到外周面的微小凹凸中的附着物也可以去除。
像这样,本发明的合金片的制造方法通过对冷却辊的外周面实施喷砂处理,去除附着物而将冷却辊的外周面清净化。对该进行了清净化的冷却辊的外周面供给合金熔液来铸造合金带时,能够抑制由附着物导致的冷却速度的降低。由此,能够降低所得合金片的晶体组织中的激冷晶体的产生和富R相间隔的偏差。
本发明的合金片的制造方法中,实施喷砂处理时,作为投射材料,优选使用中值直径D50为3.0mm以下且包含金属系投射材料、非金属系投射材料以及树脂系投射材料中的任意1种或2种以上的投射材料。
本发明中的投射材料的中值直径D50是指质量基准的粒度累积分布中的累积频率为50%的粒径,投射材料的粒度分布使用JIS Z8801-1:2006所规定的筛网,通过JIS Z8815-1994来测定。
通过使用中值直径D50为3.0mm以下的投射材料,能够进一步抑制冷却速度的降低,能够进一步降低所得合金片的晶体组织的偏差。另一方面,中值直径D50不足38μm的投射材料作为投射材料其颗粒的重量变小,喷砂处理中无法赋予充分的动能。进而,通常没有广泛流通,难以获取。因此,投射材料的中值直径D50的下限优选为38μm。
作为金属系投射材料,例如可以采用由铸铁砂(grit)、高碳铸钢丸(shot)或砂、低碳铸钢丸、锌砂、不锈钢珠、不锈钢截断丝(cut wire)、不锈钢圆 形截断丝(round cut wire)、钢截断丝或者钢圆形截断丝制成的投射材料。另外,作为非金属系投射材料,例如可以采用由硅砂、橄榄石砂、十字石、铁铝榴石(almandite garnet)之类的天然矿物制成的投射材料,或者由制铁渣或制钢渣、熔融氧化铝、氧化锆、碳化硅、钠钙玻璃之类的人造矿物(artificial mineral)制成的投射材料。作为树脂系投射材料,例如可以采用由尼龙或聚碳酸酯制成的投射材料。
本发明的合金片的制造方法中,投射材料的形状没有特别限定,也可以采用具有如下任意形状的投射材料:具有棱角的角状的砂以及没有稜角、破碎面或锐利表面缺陷的球形的丸。即使在使用上述投射材料的情况下,更优选的是,根据冷却辊的外周面存在的附着物的量、冷却辊的外周面的材质等,适当选择要使用的投射材料的材质和形状。另外,也可以采用除上述以外的投射材料。
本发明的合金片的制造方法中,仅规定中值直径D50的优选范围,针对投射材料的粒度分布的宽度等没有特别限定。粒度分布的宽度可以根据投射材料来适当设定。本发明的合金片的制造方法中,例如关于金属系投射材料,可以采用具有JIS Z0311:2004中规定的研削材料的粒度分布的投射材料,关于非金属系投射材料和树脂系投射材料,可以采用具有JIS Z0312:2004中规定的研削材料的粒度分布的投射材料。
本发明的合金片的制造方法中,在实施喷砂处理时,优选使喷出压力为0.10MPa以上且1.00MPa以下。本发明中,喷出压力是指将投射材料供给至压缩流体(通常为空气)的流路,将投射材料从喷嘴随压缩流体一起喷射时的喷嘴中的压缩流体的压力。喷出压力可以通过用喷砂装置变更压缩流体的压力来调整。
通过使喷出压力为0.10MPa以上且1.00MPa以下,能够使进行了喷砂处理的冷却辊的外周面进一步清净化,能够进一步降低所得合金片中晶体组织 的偏差。另一方面,喷出压力不足0.10MPa时,通过投射材料与冷却辊的外周面的冲突而产生的冲击变小,残留于冷却辊的外周面的附着物的量增加。喷出压力超过1.00MPa时,投射材料向冷却辊的外周面冲击时,投射材料容易因该冲击而被粉碎,残留于冷却辊的外周面的附着物的量增加。另外,喷出压力超过1.00MPa时,根据情况,投射材料会咬合于冷却辊的外周面而成为附着物,有可能产生弊端。
喷砂处理只要是能够通过将投射材料供给至压缩流体的流路,并将干燥状态或湿润状态的投射材料从喷嘴随压缩流体一起喷射,使具有大动能的投射材料冲击冷却辊的外周面即可。这样的喷砂处理例如可以通过气体喷砂法或真空喷砂法来实施。只要是能够通过上述方式来实施喷砂处理,则对喷砂装置的构成没有特别限定。
在喷射湿润状态的投射材料的湿式喷砂中,存在冷却辊的表面残留水分等、该水分等附着于合金熔液或合金带而使它们氧化的担心。因此,本发明的合金片的制造方法优选喷射干燥状态的投射材料,即优选采用干式喷砂。
本发明的合金片的特征在于,其是通过上述本发明的合金片的制造方法制造的。如上所述,本发明的合金片的制造方法能够通过喷砂处理而使冷却辊的外周面清净化,在将供给至冷却辊的外周面的合金熔液快速冷却而使其凝固时抑制因附着物导致的冷却速度的降低。由此,本发明的合金片中晶体组织的偏差受到抑制,因此能够降低其用作稀土磁体的原料时磁体特性的偏差,能够获得高品质的稀土磁体。
实施例
为了验证本发明的合金片的制造方法以及本发明的合金片带来的效果,进行了下述试验。
[试验方法]
本试验中,使用前述图1所示的铸造装置,根据前述(A)~(C)的步 骤,由加热至1300℃的R-T-B系合金熔液铸造薄带状合金带。所铸造的合金带在冷却辊的后段进行破碎而制成合金片。铸造合金带时调整熔液的熔液注入量以及冷却辊的转速,铸造了厚度为0.3mm的合金带。所铸造的R-T-B系合金片的代表组成为Fe:78.2原子%、Nd:13.8原子%以及B:6.0原子%。气氛条件为属于不活性气体的氩气气氛,其压力为200torr。
本试验中,将一个冷却辊用于10次铸造,一回铸造获得约850kg的合金片。在各铸造之间(某次铸造结束至下次铸造开始为止的期间)对冷却辊的外周面实施喷砂处理,从冷却辊的外周面去除附着物。
喷砂处理通过真空喷砂法来进行。具体而言,通过使冷却辊以规定转速旋转,并且使喷砂装置所具备的喷嘴沿冷却辊的长度方向往复移动,从而对冷却辊的外周面的全周实施喷砂处理。此时,喷嘴在能够从该喷嘴排出前述投射材料的范围内极度接近冷却辊的外周面。
本试验中,作为投射材料而使用了属于金属系投射材料的铸铁砂和高碳钢丸、以及属于非金属系投射材料的熔融氧化铝中的任一种。熔融氧化铝是砂状的。投射材料的中值直径D50为0.1mm~3.2mm。关于投射材料的粒度分布,金属系投射材料调整至适合JIS Z0311:2004中规定的研削材料的粒度分布。另外,非金属系投射材料调整至适合JIS Z0312:2004中规定的研削材料的粒度分布。另外,通过改变喷砂装置的设定,将喷嘴的喷出压力在0.08~1.20MPa的范围内进行调整。
中值直径D50使用JIS Z8801-1:2006中规定的筛网,利用JIS Z8815-1994测定并求出粒度分布。具体而言,通过以下的步骤来进行。
(1)将网眼不同的多个筛以网眼大的筛位于上端的方式依次重叠,向最上端的筛投入要测定的投射材料(金属系投射材料的情况为100g、非金属系投射材料的情况为300g),赋予机械振动。
(2)测量各筛的筛上的投射材料的质量,由其结果制作质量基准的粒 度的累积分布。
(3)求出所制作的质量基准的粒度的累积分布中累积频率为50%的粒径。
比较例中,在各铸造之间不实施喷砂处理,将一个冷却辊用于10次的铸造。除此以外的试验条件与本发明例相同。
[评价指标]
本试验中,为了评价冷却辊的冷却速度而算出冷却度(℃)。冷却度(℃)是由合金的熔点温度(℃)减去从冷却辊脱离的位置处的合金带温度(℃)而得到的。从冷却辊脱离的位置处的合金带温度的测定是通过用放射温度计测定合金带的自由放冷面(与冷却辊接触的面的相反面)的温度而进行的。
本发明例和比较例均基于所算出的冷却度来评价冷却速度的降低。下述表1~4中,冷却度的“评价”栏的符号的意义如下所示。
○:表示在共计10次的铸造的冷却度中,其最大值与最小值之差为20℃以下。
△:表示在共计10次的铸造的冷却度中,其最大值与最小值之差超过20℃且为30℃以下。
×:表示在共计10次的铸造的冷却度中,其最大值与最小值之差超过30℃。
另外,关于通过本试验的各铸造而得到的合金片,调查晶体组织,测定激冷晶体的面积率和富R相间隔。激冷晶体的面积率和富R相间隔的测定使用了通过以下步骤得到的试样。
(1)采取所得合金片,将该合金片埋入热固化性树脂中而固定。
(2)为了使利用树脂固定的合金片露出可同时观察铸造时与冷却辊接触而被冷却的面以及其相反侧的面,用砂纸#120进行粗研磨后,依次用砂纸#1200和#3000进行研磨而精加工成镜面。
(3)对精加工成镜面的合金片的剖面利用硝酸乙醇溶液蚀刻5秒钟。
使用通过上述步骤得到的试样,通过以下步骤求出激冷晶体的面积率。
(1)针对实施了蚀刻的合金片的剖面,使用偏光显微镜以85倍拍摄图像。
(2)将所拍摄的图像读取入图像分析装置,以非常小的等轴晶区域为基准来提取激冷晶体部。
(3)分别算出激冷晶体部的面积和合金片的截面积,激冷晶体部的面积除以合金片的截面积并用百分率表示,记作激冷晶体的面积率(%)。
本发明例和比较例均基于所算出的激冷晶体的面积率来评价其偏差。下述表1~4中,激冷晶体的“评价”栏的符号的意义如下所示。
○:表示通过共计10次的铸造而得到的合金片的激冷晶体的面积率中,其最大值与最小值之差为0.5%以下。
△:表示通过共计10次的铸造而得到的合金片的激冷晶体的面积率中,其最大值与最小值之差超过0.5%且为1.5%以下。
×:表示通过共计10次的铸造而得到的合金片的激冷晶体的面积率中,其最大值与最小值之差超过1.5%。
另外,富R相间隔通过以下步骤而求出。
(1)使用扫描型电子显微镜以1000倍对实施了蚀刻的合金片的剖面拍摄反射电子图像。
(2)将所拍摄的图像读取入图像分析装置中,以亮度为基准来进行富R相和主相的2值化处理。
(3)在与冷却辊接触的面与自由放冷面的中央位置划出平行于与冷却辊接触的面的直线,测定10个在直线上相邻的富R相彼此的间隔,算出其平均值。
本发明例和比较例均基于所算出的富R相间隔来评价其偏差。下述表1~4 中,富R相间隔的“评价”栏的符号的意义如下所示。
○:表示在通过共计10次的铸造得到的合金片的富R相间隔中,其最大值与最小值之差为0.5μm以下。
△:表示在通过共计10次的铸造得到的合金片的富R相间隔中,其最大值与最小值之差超过0.5μm且为0.8μm以下。
×:表示在通过共计10次的铸造得到的合金片的富R相间隔中,其最大值与最小值之差超过0.8μm。
本发明例和比较例均基于激冷晶体的面积率的评价和富R相的评价来综合地评价晶体组织的偏差。下述表1~4的“综合评价”栏的符号的意义如下所示。
○:表示激冷晶体的面积率的评价和富R相的评价均为“○”。
△:表示激冷晶体的面积率的评价和富R相的评价均为“△”,或者一个为“△”而另一个为“○”。
×:表示激冷晶体的面积率的评价和富R相的评价中的任意一个或两个为“×”。
[试验结果]
表1~4示出喷砂处理中的投射材料、其粒度以及喷出压力、各铸造中的冷却度、通过各铸造得到的合金片中的激冷晶体的面积率、富R相间隔以及它们的评价、各试验的综合评价。粒度栏的粒度编号表示JIS Z0311:2004中规定的研削材料的粒度编号,粒度范围表示JIS Z0312:2004中规定的研削材料的粒度范围。
[表1]
[表2]
[表3]
[表4]
根据表1~4所示的结果,比较例中,各铸造之间未通过喷砂处理去除附着物地进行了铸造。第1次铸造时,激冷晶体的面积率为0.00%、富R相间隔为3.0μm,确认到冷却度随着铸造次数的增加而减少的倾向、即冷却速度降低的倾向,其评价为×。另外,比较例中,出现激冷晶体的面积率随着铸造次数的增加而恶化、并且富R相间隔变大的倾向。其结果,比较例中,激冷晶体的评价和富R相间隔的评价均为×,综合评价也为×。
本发明例1~15中,在各铸造之间实施喷砂处理而去除附着物,冷却度随着铸造次数的增加而减少的倾向、即冷却速度降低的倾向得以改善,其评价为○或△。其结果,本发明例1~15中,激冷晶体的评价和富R相间隔的评价均为○或△,综合评价均为○或△。由此可以明确:通过对冷却辊的外周面实施喷砂处理,从冷却辊的外周面去除附着物,能够抑制冷却辊的冷却速度降低,能够降低所得合金片中晶体组织的偏差。
另外,本发明例1~15中,作为投射材料而使用铸铁砂、高碳钢丸以及砂状的熔融氧化铝中任一种的情况下,冷却速度降低的倾向均得以改善,能够降低所得合金片中晶体组织的偏差。因此,可以明确丸或砂中的任意投射材料均可以使用。
本发明例15中使用D50超过3.0mm的投射材料,冷却度的评价为△。与此相对,本发明例1~12中使用D50为3.0mm以下的投射材料,冷却度的评价为○,冷却速度的降低进一步得到改善。另外,本发明例15中,激冷晶体的评价和富R相间隔的评价均为△,综合评价也为△。与此相对,本发明例1~12中,激冷晶体的评价和富R相间隔的评价均为○,综合评价也为○。
由此明确了:通过使用中值直径D50为3.0mm以下的投射材料来作为喷砂处理的投射材料,能够进一步抑制冷却速度的降低,能够进一步降低所得合金片的晶体组织的偏差。
本发明例13中,使喷出压力不足0.10MPa,冷却度的评价为△。另一方 面,本发明例14中,使喷出压力高于1.00MPa,冷却度的评价为△。与此相对,本发明例1~12中,使喷出压力为0.10MPa以上且1.00MPa以下,冷却度的评价为○,冷却速度的降低进一步得到改善。另外,本发明例13和14中,激冷晶体的评价和富R相间隔的评价均为△,综合评价也为△。与此相对,本发明例1~12中,激冷晶体的评价和富R相间隔的评价均为○,综合评价也为○,达到良好。
由此明确了:通过使喷砂处理中的喷出压力为0.1MPa以上且1.00MPa以下的范围,能够进一步抑制冷却速度的降低,能够进一步降低所得合金片的晶体组织的偏差。
产业上的可利用性
本发明的合金片的制造方法通过实施喷砂处理而从冷却辊的外周面去除附着物,能够抑制在铸造合金带时冷却速度降低,能够降低所得合金片中晶体组织的偏差。
本发明的合金片是通过上述本发明的合金片的制造方法制造的合金片,因此能够降低用作稀土磁体的原料时磁体特性的偏差,能够获得高品质的稀土磁体。
因此,本发明的合金片的制造方法和本发明的合金片能够显著有助于提高稀土磁体的品质。
附图标记说明
1:坩埚、2:中间包、3:冷却辊、
4:合金带、5:腔室、6:熔液 。