CN104130785A - 液晶组合物、液晶显示器及制造液晶显示器的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了液晶组合物、液晶显示器及制造液晶显示器的方法。在一个方面,提供了液晶显示器,其包括:第一基板、面对第一基板的第二基板、以及置于第一基板和第二基板之间并且包括液晶、第一取向聚合物、以及第二取向聚合物的液晶层。在一个方面,通过在第一波长区域中为光反应性的第一取向助剂上辐射电磁辐射形成第一取向聚合物,通过在第二波长区域中为光反应性的第二取向助剂上辐射电磁辐射形成第二取向聚合物,并且第一波长区域和第二波长区域彼此不同。
Description
相关申请的引用
在37CFR1.57下,通过引用将申请数据表中确定的任何及所有优先权权利要求或其任何修正合并于此。例如,本申请要求于2013年5月3日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2013-0050280的优先权和权益,通过引用将其全部公开内容结合于此。
技术领域
所描述的技术总体涉及液晶组合物、液晶显示器、以及制造液晶显示器的方法。
背景技术
液晶显示器通常是通过下述显示图像的装置:将液晶材料注射在其中形成公共电极等的上面板和其中形成薄膜晶体管、像素电极等的下面板之间,对像素电极和公共电极施加不同的电势以形成电场,从而改变液晶分子的排列并且调整通过其的透光率。
其中在没有施加电场的情况下液晶分子的长轴被设置为垂直于上面板和下面板的垂直取向(VA)模式液晶显示器具有高对比率并且易于实现宽视角。
在垂直取向(VA)模式液晶显示器的制备中,需要进行烘烤过程以便形成垂直取向层并且需要将取向剂施加在相应于像素电极或公共电极的透明电极上,从而增加了处理成本和时间。
进一步地,液晶的初始取向在垂直取向(VA)模式液晶显示器的制备中是重要,并且其对于控制预倾斜(pretilt)以便有利地进行液晶的初始取向是重要的。
在该背景技术部分中公开的以上信息仅为增强对本公开内容的背景技术的理解,因此,其可以包含本领域普通技术人员所不知的信息并且不应被认为承认现有技术。
发明内容
一些实施方式提供了液晶组合物、液晶显示器、以及制造液晶显示器的方法,其中,可以在没有取向层的情况下垂直取向液晶分子并且能够控制预倾斜。
一些实施方式提供了液晶组合物,包含:液晶、第一取向助剂(第一定向助剂,第一配向助剂,first alignment aid)、以及第二取向助剂,其中,第一取向助剂和第二取向助剂在不同波长区域中是光反应性的(光敏的,photoreactive)。
在一些实施方式中,第一取向助剂在可见射线区域(visible ray region)中可以是光反应性的,并且第二取向助剂在紫外线区域中可以是光反应性的。
在一些实施方式中,第一取向助剂可以是垂直取向组分,并且第二取向助剂可以是预倾斜组分。
在一些实施方式中,第一取向助剂可以包括由以下化学式1至13表示的化合物中的至少一种。
其中,n可以是3至18。
第二取向助剂可以包括由以下化学式14至18表示的化合物中的至少一种。
其中,n可以是0至5。
在一些实施方式中,第一取向助剂在液晶组合物中的含量可以是0.5wt%以上且30wt%以下。
在一些实施方式中,第二取向助剂在液晶组合物中的含量可以是0.1wt%以上且10wt%以下。
一些实施方式提供了液晶显示器,包括:第一基板;面对第一基板的第二基板;以及置于第一基板和第二基板之间并且包括液晶、第一取向聚合物、以及第二取向聚合物的液晶层,其中,通过在第一波长区域中为光反应性的第一取向助剂上辐射光形成第一取向聚合物,通过在第二波长区域中为光反应性的第二取向助剂上辐射光形成第二取向聚合物,并且第一波长区域和第二波长区域彼此不同。
在一些实施方式中,第一波长区域可以是可见射线区域,并且第二波长区域可以是紫外线区域。
在一些实施方式中,第一取向聚合物可以是垂直取向组分,并且第二取向聚合物可以是预倾斜组分。
在一些实施方式中,第一取向助剂可以包括由以下化学式1至13表示的化合物中的至少一种。
其中,n可以是3至18。
在一些实施方式中,第二取向助剂可以包括由以下化学式14至18表示的化合物中的至少一种。
其中,n可以是0至5。
在一些实施方式中,第一取向助剂在包含液晶、第一取向助剂以及第二取向助剂的液晶组合物中的含量可以是0.5wt%以上且30wt%以下。
在一些实施方式中,第二取向助剂在液晶组合物中的含量可以是0.1wt%以上且10wt%以下。
一些实施方式提供了制造液晶显示器的方法,包括:在第一基板和面对第一基板的第二基板中的至少一个上形成场产生电极(field generatingelectrode);在第一基板和第二基板之间形成包括液晶、第一取向助剂、以及第二取向助剂的液晶层;通过在第一基板和第二基板之间辐射第一波长区域的光形成第一取向聚合物;在第一基板和第二基板之间形成电场;以及通过在第一基板和第二基板之间辐射第二波长区域的光形成第二取向聚合物,其中,第一波长区域和第二波长区域彼此不同。
在一些实施方式中,第一波长区域可以是可见射线区域,并且第二波长区域可以是紫外线区域。
在一些实施方式中,第一取向聚合物可以是垂直取向组分,并且第二取向聚合物可以是预倾斜组分。
在一些实施方式中,第一取向助剂可以包括由以下化学式1至13表示的化合物中的至少一种
其中,n可以是3至18。
在一些实施方式中,第二取向助剂可以包括由以下化学式14至18表示的化合物中的至少一种。
其中,n可以是0至5。
在一些实施方式中,第一取向助剂在包含液晶、第一取向助剂以及第二取向助剂的液晶组合物中的含量可以是0.5wt%以上且30wt%以下。
在一些实施方式中,第二取向助剂在液晶组合物中的含量可以是0.1wt%以上且10wt%以下。
在一些实施方式中,可以在第一基板和第二基板之间不形成电场的情况下进行第一取向聚合物的形成。
在一些实施方式中,通过使用具有不同光反应性区域的取向助剂有效形成垂直取向组分和预倾斜组分,可以改善液晶的控制能力。因此,可以获得能够实现高速响应的液晶显示器。
附图说明
图1是示出了根据示例性实施方式的液晶显示器的俯视图。
图2是沿着图1的切割线II-II的截面图。
图3和图4各自是示出了图1的示例性实施方式中的像素电极和基础电极(basic electrode)的俯视图。
图5是示出了紫外线和可见射线光谱与根据示例性实施方式的取向助剂的曲线图。
图6至8是示出了根据示例性实施方式的通过取向助剂形成液晶的垂直取向和预倾斜的方法的示意图。
标号说明
3:液晶层 50:第一取向助剂
50a:第一取向聚合物 60:第二取向助剂
60a:第二取向聚合物 100、200:显示面板
110、210:绝缘基板 121:栅极线
173:源电极 175:漏电极
191:像素电极 220:挡光件
230:滤色片
270:公共电极
310:液晶分子
具体实施方式
将参照附图详细地描述本公开内容。本领域技术人员将意识到,全部在不背离本公开内容的精神或范围的情况下,可以以各种不同的方式对所描述的实施方式进行修改。
在附图中,为了清晰起见而放大了层、膜、面板、区域等的厚度。应当理解,当提及一个层在另一个层或基板“之上”时,其可以直接地位于另一个层或基板之上,或者也可以介于它们之间。贯穿整个说明书,相同的参考标号指示相同的元件。
一些实施方式提供了包含液晶、第一取向助剂、以及第二取向助剂的液晶组合物。在一些实施方式中,第一取向助剂和第二取向助剂在不同波长区域中可以是光反应性的。在一些实施方式中,第一取向助剂在可见射线区域中可以进行光反应以固化,并且第二取向助剂在紫外线区域中可以进行光反应以固化。在一些实施方式中,可见射线波长区域可以是380nm至770nm,并且紫外线波长区域可以小于380nm。
在一些实施方式中,第一取向助剂包括由以下化学式1至13表示的化合物中的至少一种。
其中,每一个n独立地是3至18。
在一些实施方式中,第一取向助剂可以具有其中能够吸收可见射线区域的光的生色团连接至丙烯酸酯基的形式。进一步地,第一取向助剂是用于通过光固化垂直取向液晶的垂直取向组分。
在一些实施方式中,第一取向助剂可以以约0.5wt%以上且30wt%以下的含量包含在液晶组合物中。
在示例性实施方式中,第二取向助剂包括由以下化学式14至18表示的化合物中的至少一种。
其中,每一个n可以独立地是0至5。
在一些实施方式中,第二取向助剂是用于通过光固化提供液晶的预倾斜的预倾斜组分。在一些实施方式中,第二取向助剂可以以约0.1wt%以上且10wt%以下的含量包含在液晶组合物中。
在下文中,将描述包括通过使用前述液晶组合物形成的液晶层的液晶显示器。
图1是示出根据本发明示例性实施方式的液晶显示器的俯视图。图2是沿着图1的切割线II-II的截面图。图3和图4各自是示出了图1的示例性实施方式中的像素电极和基础电极的俯视图。
参考图1和图2,根据本发明的示例性实施方式的液晶显示器包括彼此面对的下面板100和上面板200、以及置于两个显示面板100和200之间的液晶层3。在一些实施方式中,液晶层3包括:液晶分子310、第一取向聚合物50a、以及第二取向聚合物60a。在一些实施方式中,第一取向聚合物50a可以沿着相应于下面板100和液晶层3之间的边界部分或上面板200和液晶层3之间的边界部分的表面设置,并且可以垂直取向(垂直于下面板100和上面板200)液晶分子310。在一些实施方式中,第二取向聚合物60a可以包含在液晶层3中,同时通过取向助剂的热固化而具有预倾斜。
首先,将描述下面板100。
在一些实施方式中,多个栅极线121以及多个存储电极线131和135形成在绝缘基板110上。
在一些实施方式中,栅极线121传输栅极信号并且主要在水平方向上延伸。在一些实施方式中,每一个栅极线121包括多个向上突出的第一和第二栅电极124a和124b。
在一些实施方式中,储存电极线包括基本上平行于栅极线121延伸的干线(stem lines)131以及从其延伸的多个存储电极135。在一些实施方式中,可以将存储电极线131和135的形状和布置改变成各种形式。
在一些实施方式中,栅极绝缘层140可以形成在栅极线121以及存储电极线131和135上,并且多个由非晶硅、晶体硅等制成的半导体154a和154b形成在栅极绝缘层140上。
在一些实施方式中,多对欧姆接触163b和165b形成在半导体154a和154b上,并且欧姆接触163b和165b可以由材料如其中硅化物或n-型杂质以高浓度掺杂的n+氢化非晶硅制成。
在一些实施方式中,多对数据线171a和171b以及多对第一和第二漏电极175a和175b可以形成在欧姆接触163b和165b以及栅极绝缘层140上。
在一些实施方式中,数据线171a和171b传输数据信号并且主要在垂直(竖直)方向上延伸以相交于栅极线121以及存储电极线的干线131。在一些实施方式中,数据线171a和171b向第一和第二栅电极124a和124b延伸,并且包括弯曲成U形的第一和第二源电极173a和173b,并且第一和第二源电极173a和173b以第一和第二栅电极124a和124b作为其中心面对第一和第二漏电极175a和175b。
在一些实施方式中,第一和第二漏电极175a和175b中的每一个从其端部向上延伸,并且其被第一和第二源电极173a和173b部分围绕,而其另一端可以具有用于连接至另一层的较宽区域。
然而,可以将第一和第二漏电极175a和175b以及数据线171a和171b的形状和布置变成各种形式。
在一些实施方式中,第一和第二栅电极124a和124b、第一和第二源电极173a和173b、以及第一和第二漏电极175a和175b连同第一和第二半导体154a和154b形成第一和第二薄膜晶体管,并且第一和第二薄膜晶体管的通道形成在第一和第二源电极173a和173b以及第一和第二漏电极175a和175b之间的第一和第二半导体154a和154b中。
在一些实施方式中,欧姆接触163b和165b仅存在于其下的半导体154a和154b和数据线171a和171b以及其上的漏电极175a和175b之间,并且减小了它们之间的接触电阻。在半导体154a和154b中,没有用数据线171a和171b以及漏电极175a和175b覆盖的暴露部分存在于源电极173a和173b以及漏电极175a和175b之间。
在一些实施方式中,由氮化硅或氧化硅制成的下钝化层180p形成在数据线171a和171b、漏电极175a和175b、以及半导体154a和154b的暴露部分上。
在一些实施方式中,滤色片230形成在下钝化层180p上。在一些实施方式中,滤色片230可以包括具有红、绿以及蓝三种颜色的滤色片。在一些实施方式中,单层或双层铬和氧化铬、或由有机材料形成的挡光件220形成在滤色片230上。在一些实施方式中,挡光件220可以具有设置成矩阵形式的开口。
在一些实施方式中,由透明有机绝缘材料形成的上钝化层180q形成在滤色片230和挡光件220上。在一些实施方式中,上钝化层180q防止滤色片230暴露并且提供平坦表面。在一些实施方式中,第一和第二漏电极175a和175b通过其而被暴露的多个接触孔185a和185b形成在上钝化层180q中。
在一些实施方式中,多个像素电极191形成在上钝化层180q上。在一些实施方式中,像素电极191可以由诸如ITO或者IZO的透明导电材料,或者诸如铝、银、铬或它们的合金的反射金属制成。
在一些实施方式中,每一个像素电极191包括彼此分开的第一和第二子像素电极191a和191b,并且第一和第二子像素电极191a和191b各自包括一种或多种示出在图4中的基础电极199或其变体。
随后,将参考图3和图4详细地描述基础电极199。
如在图4中示出的,基础电极199的整体形状是四边形,并且基础电极包括由水平杆部(horizontal stem portion)193和垂直(竖直)于其的垂直杆部192形成的十字形杆部。进一步地,基础电极199被水平杆部193以及垂直杆部192划分成第一子区域Da、第二子区域Db、第三子区域Dc、以及第四子区域Dd,并且子区域Da、Db、Dc、以及Dd中的每一个都包括多个第一至第四细分枝部(fine branched portions)194a、194b、194c以及194d。
在一些实施方式中,第一细分枝部194a在水平杆部193或垂直杆部192的左上方向上倾斜延伸,并且第二细分枝部194b在水平杆部193或垂直杆部192的右上方向上倾斜延伸。进一步地,第三细分枝部194c在水平杆部193或垂直杆部192的左下方向上延伸,并且第四细分枝部194d在水平杆部193或垂直杆部192的右下方向上倾斜延伸。
在一些实施方式中,第一至第四细分枝部194a、194b、194c、以及194d与栅极线121(示出在图1中)或水平杆部193形成约45°或135°的角度。进一步地,两个邻近子区域Da、Db、Dc、以及Dd的细分枝部194a、194b、194c、以及194d可以彼此垂直。
在一些实施方式中,细分枝部194a-194d的宽度可以是2.0μm至5.0μm,并且在一个子区域Da-Dd中邻近的细分枝部194a-194d之间的间隔可以是2.5μm至5.0μm。
尽管没有示出在附图中,但是随着细分枝部变得更靠近水平杆部193或垂直杆部192,细分枝部194a、194b、194c、以及194d的宽度可以增加。
再次参照图1至图4,第一和第二子像素电极191a和191b中的每一个包括一个基础电极199。然而,第二子像素电极191b占据整个像素电极191的面积可以大于第一子像素电极191a占据其中的面积,并且在这种情况下,形成具有不同尺寸的基础电极199,使得第二子像素电极191b的面积比第一子像素电极191a的面积大约1.0倍至2.2倍。
在一些实施方式中,第二子像素电极191b包括一对沿数据线171延伸的分枝195。在一些实施方式中,分枝195可以定位于第一子像素电极191a以及数据线171a和171b之间,并且被连接在第一子像素电极191a的下端。在一些实施方式中,第一和第二子像素电极191a和191b通过接触孔185a和185b物理且电连接至第一和第二漏电极175a和175b,并且接收来自第一和第二漏电极175a和175b的数据电压。
接下来,将描述上面板200。
在一些实施方式中,公共电极270可以形成在上面板200中的透明绝缘基板210的整个表面上。
在一些实施方式中,可以形成间隔区(spacer)363以便在上面板200和下面板100之间维持间隔。
通常,在垂直取向(VA)模式液晶显示器中,将垂直取向层施加在每一个下面板100和上面板200的内表面上,但是在示例性实施方式中,没有形成取向层。
在一些实施方式中,可以在下面板100和上面板200的外表面上提供偏振片(未示出)。
在一些实施方式中,液晶层3置于下面板100和上面板200之间。在一些实施方式中,液晶层3包括多个液晶分子310、通过光聚合第一取向助剂形成的第一取向聚合物50a、以及通过光聚合第二取向助剂形成的第二取向聚合物60a。
在一些实施方式中,液晶分子310具有负介电各向异性,并且被取向使得在其中没有电场的状态下其长轴几乎垂直(竖直)于两个显示面板100和200的表面。在一些实施方式中,由于通过光聚合具有垂直取向组分的第一取向助剂形成的第一取向聚合物50a包含在液晶层3中,即使不存在取向层,液晶分子310也可以是垂直取向的。
在一些实施方式中,第一取向助剂和第二取向助剂在不同波长区域中可以是光反应性的。在一些实施方式中,第一取向助剂在可见波长区域中可以是光反应性的以被固化,并且第二取向助剂在紫外线波长区域中可以是光反应性的以被固化。在一些实施方式中,可见波长区域可以是380nm至770nm,并且紫外波长区域可以小于380nm。
在一些实施方式中,第一取向助剂包括由以下化学式1至13表示的化合物中的至少一种。
其中,每一个n独立地是3至18。
在一些实施方式中,第一取向助剂在固化过程中吸收可见波长区域中的光,从而形成第一取向聚合物50a。在一些实施方式中,第一取向聚合物50a可以沿着相应于下面板100和液晶层3之间的边界部分或上面板200和液晶层3之间的边界部分的表面设置,以基本上起与垂直取向层相同的作用。在一些实施方式中,第一取向聚合物50a可以是垂直取向液晶分子310的垂直取向组分。
在一些实施方式中,第一取向助剂可以以约0.5wt%以上且30wt%以下的量包含在由液晶分子310、第一取向助剂以及第二取向助剂形成的液晶组合物中。
在一些实施方式中,第二取向助剂包括由以下化学式14至18表示的化合物中的至少一种。
其中,每一个n可以独立地是0至5。
在一些实施方式中,具有预倾斜的第二取向聚合物60a通过光固化第二取向助剂形成。因此,第二取向聚合物60a是控制预倾斜以便在驱动根据示例性实施方式的液晶显示器时增加响应速度的预倾斜组分,预倾斜是液晶分子310的初始取向方向。在一些实施方式中,第二取向助剂可以以约0.1wt%以上且约10wt%以下的含量包含在液晶组合物中。
在一些实施方式中,液晶分子310响应在像素电极191和公共电极270之间形成的电场,使得如果将电压施加至像素电极191和公共电极270,则将其长轴方向变成垂直(竖直)于电场方向的方向。在一些实施方式中,入射到液晶层3的光的偏振变化的程度根据液晶分子310的倾斜的程度而变化,偏振中的变化表示为偏振片的透射率的变化,并且液晶显示器通过其显示图像。
在一些实施方式中,其中液晶分子310倾斜的方向可以通过像素电极191的细分枝194a、194b、194c以及194d测定,并且液晶310可以在平行于细分枝194a、194b、194c以及194d的长度方向上倾斜。由于一个像素电极191包括其中细分枝194a、194b、194c、以及194d的长度方向彼此不同的四个子区域Da、Db、Dc、以及Dd,所以液晶310倾斜的方向约是四个方向,并且其中液晶310的取向方向彼此不同的四个区域形成在液晶层3中。如上所述,通过变化液晶的取向方向可以改善液晶显示器的视角。
在根据上述实施方式的液晶显示器中,薄膜晶体管结构和像素电极结构的描述是用于改善侧向可见度的可见结构的实例,并且薄膜晶体管结构和像素电极结构的设计不限于在示例性实施方式中所描述的内容,而是可以进行修改。
图5是示出了紫外线和可见射线光谱与根据示例性实施方式的取向助剂的曲线图。
在图5中,通过使用由化学式1表示的第一取向助剂RM1和由化学式5表示的第二取向助剂RM2作为实验性实施例测定紫外线(UV)和可见射线(Vis)光谱。
参照图5,可以确定第一取向助剂RM1吸收约380nm以上的可见波长区域的光,并且第二取向助剂RM2吸收约350nm以下的紫外波长区域的光。在一些实施方式中,第一取向助剂的材料可以延伸至吸收可见波长区域的光的材料,并且第二取向助剂的材料可以延伸至吸收紫外波长区域的光的材料。因此,在一些实施方式中,可见射线波长区域可以是380nm至770nm,并且紫外线波长区域可以小于380nm。
图6至图8是示出了根据本公开内容实施方式的通过取向助剂形成液晶的垂直取向和预倾斜的方法的示意图。
将参照图6至图8连同图1至图4对此进行描述。
首先,参照图1至图4,各自制造薄膜晶体管阵列面板100和公共电极面板200。
在一些实施方式中,下面板100可以通过以下方法制造。
在一些实施方式中,在基板110上层压多个薄膜并图案化以连续形成包括栅电极124a和124b的栅极线121、栅极绝缘层140、半导体154a和154b、包括源电极173a和173b的数据线171a和171b、漏电极175a和175b、以及下钝化层180p。
随后,滤色片230可以形成在下钝化层180p上,并且挡光件220可以形成在其上。在一些实施方式中,上钝化层180q可以形成在滤色片230以及挡光件220上。
导电层如ITO或IZO可以层压在上钝化层180q上并图案化(如在图3和图4中示出的)以形成具有垂直部分192、水平部分193、以及由其延伸的多个细分枝194a、194b、194c、以及194d的像素电极191。
在一些实施方式中,上面板200可以通过以下方法制造。
在一些实施方式中,公共电极270可以形成在基板210上。
接下来,参照图6,通过组装由上述方法制造的下面板100和上面板200形成液晶层3,并且在其中注射液晶分子310、第一取向助剂50、以及第二取向助剂60的混合物。在一些实施方式中,可以通过其中液晶分子310、第一取向助剂50、以及第二取向助剂60的混合物滴落在下面板100或上面板200上的方式形成液晶层3。
参照图7,以其中没有对像素电极191和公共电极270施加电压的情况下辐射电磁辐射1。在这种情况下,电磁辐射1对应于具有约380nm以上且770nm以下的波段的可见波长区域的光。在此,第一取向助剂50可以被光固化以形成沿相应于像素电极191和液晶层3之间的边界部分或公共电极270和液晶层3之间的边界部分的表面设置的第一取向聚合物50a,并且第一取向聚合物50a形成用于垂直取向液晶分子310的网络。在一些实施方式中,液晶分子310可以被取向使得其长轴几乎垂直(竖直)于两个显示面板100和200的表面。在这种情况下,优选的是第二取向助剂60不是光反应性的。
参照图8,将电压施加至像素电极191和公共电极270。在一些实施方式中,通过施加电压使液晶分子310和第二取向助剂60在平行于像素电极191的细分枝194a-194d的长度方向上倾斜。在一些实施方式中,通过与第一取向聚合物50a相互作用,位于像素电极191以及公共电极270周围的液晶分子310维持垂直取向。
如上所述,可以在其中将电压施加在像素电极191和公共电极270之间的情况下辐射电磁辐射1。在这种情况下,电磁辐射1相应于具有小于约380nm的波段的紫外波长区域。在一些实施方式中,紫外波长区域的电磁辐射1使第二取向助剂60聚合以形成第二取向聚合物60a。在一些实施方式中,第二取向聚合物60a可以控制液晶分子310的预倾斜。
在下文中,将通过实验性实施例描述可优选的可以包含在根据本公开内容的示例性实施方式的液晶组合物中的第一取向助剂以及第二取向助剂的含量。
参照以下表1,在其中第二取向助剂的含量维持在如实验性实施例1中的1.0wt%的情况下,将第一取向助剂的含量改变至0.5wt%、1.0wt%、15wt%、以及30wt%时测试响应速度和布莱克特性(黑色特性,blackcharacteristic)(黑光泄漏)。
当在其中第一取向助剂的含量维持在如实验性实施例2中的15wt%的情况下,将第二取向助剂的含量改变至0.1wt%、1.0wt%、以及10wt%时测试响应速度和布莱克特性(黑光泄漏)。
结果证明:优选的是,在液晶组合物中第一取向助剂的含量是0.5wt%以上且30wt%以下,并且第二取向助剂的含量是0.1wt%以上且10wt%以下。就第一取向助剂而言,在其含量小于0.5wt%的情况下,光泄漏发生的可能性增大,并且在其含量大于30wt%的情况下,响应速度劣化。就第二取向助剂而言,在其含量小于0.1wt%的情况下,响应速度劣化,并且在其含量大于10wt%的情况下,光泄漏发生的可能性增大。
表1
如在本文中公开的实施方式中示出的,相应于垂直取向组分的材料以及相应于预倾斜组分的材料基本上独立地是光反应性的。因此,当相关技术中的垂直取向组分在没有电场的情况下是光反应性时,即使相应于预倾斜组分的材料部分地是光反应性的,从而也可以防止其中预倾斜组分在电场的情况下不足以光反应的现象。
尽管已经结合目前被视为实用的示例性实施方式对本公开内容进行了描述,但应当理解,本发明不限于所披露的实施方式,而是相反,本发明旨在涵盖包含在所附权利要求书的精神和范围内的各种变形和等同设置。
Claims (22)
1.一种液晶组合物,包含:
液晶;
第一取向助剂;以及
第二取向助剂,
其中,所述第一取向助剂和所述第二取向助剂在不同波长区域中是光反应性的。
2.根据权利要求1所述的液晶组合物,其中:
所述第一取向助剂在可见射线区域中是光反应性的,并且所述第二取向助剂在紫外线区域中是光反应性的。
3.根据权利要求2所述的液晶组合物,其中:
所述第一取向助剂是垂直取向组分,并且所述第二取向助剂是预倾斜组分。
4.根据权利要求3所述的液晶组合物,其中:
所述第一取向助剂包括由以下化学式1至13表示的化合物中的至少一种:
其中,每一个n独立地是3至18。
5.根据权利要求4所述的液晶组合物,其中:
所述第二取向助剂包括由以下化学式14至18表示的化合物中的至少一种:
其中,每一个n独立地是0至5。
6.根据权利要求5所述的液晶组合物,其中:
所述第一取向助剂在所述液晶组合物中的含量是0.5wt%以上且30wt%以下。
7.根据权利要求6所述的液晶组合物,其中:
所述第二取向助剂在所述液晶组合物中的含量是0.1wt%以上且10wt%以下。
8.一种液晶显示器,包括:
第一基板;
面对所述第一基板的第二基板;以及
置于所述第一基板和所述第二基板之间并且包括液晶、第一取向聚合物、和第二取向聚合物的液晶层,
其中,通过在第一波长区域中为光反应性的第一取向助剂上辐射电磁辐射形成所述第一取向聚合物,
通过在第二波长区域中为光反应性的第二取向助剂上辐射电磁辐射形成所述第二取向聚合物,
所述第一波长区域和所述第二波长区域彼此不同。
9.根据权利要求8所述的液晶显示器,其中:
所述第一波长区域是可见区域,并且所述第二波长区域是紫外线区域。
10.根据权利要求9所述的液晶显示器,其中:
所述第一取向聚合物是垂直取向组分,并且所述第二取向聚合物是预倾斜组分。
11.根据权利要求10所述的液晶显示器,其中:
所述第一取向助剂包括由以下化学式1至13表示的化合物中的至少一种:
其中,每一个n独立地是3至18。
12.根据权利要求11所述的液晶显示器,其中:
所述第二取向助剂包括由以下化学式14至18表示的化合物中的至少一种:
其中,每一个n独立地是0至5。
13.根据权利要求12所述的液晶显示器,其中:
所述第一取向助剂在包含所述液晶、所述第一取向助剂以及所述第二取向助剂的液晶组合物中的含量是0.5wt%以上且30wt%以下。
14.根据权利要求13所述的液晶显示器,其中:
所述第二取向助剂在所述液晶组合物中的含量是0.1wt%以上且10wt%以下。
15.一种制造液晶显示器的方法,包括:
在第一基板和面对所述第一基板的第二基板的至少一个上形成场产生电极;
在所述第一基板和所述第二基板之间形成包括液晶、第一取向助剂、以及第二取向助剂的液晶层;
通过在所述第一基板和所述第二基板之间辐射第一波长区域的电磁辐射形成第一取向聚合物;
在所述第一基板和所述第二基板之间形成电场;以及
通过在所述第一基板和所述第二基板之间辐射第二波长区域的电磁辐射形成第二取向聚合物;
其中,所述第一波长区域和所述第二波长区域彼此不同。
16.根据权利要求15所述的制造液晶显示器的方法,其中:
所述第一波长区域是可见区域,并且所述第二波长区域是紫外线区域。
17.根据权利要求16所述的制造液晶显示器的方法,其中:
所述第一取向聚合物是垂直取向组分,并且所述第二取向聚合物是预倾斜组分。
18.根据权利要求17所述的制造液晶显示器的方法,其中:
所述第一取向助剂包括由以下化学式1至13表示的化合物中的至少一种:
其中,每一个n独立地是3至18。
19.根据权利要求18所述的制造液晶显示器的方法,其中:
所述第二取向助剂包括由以下化学式14至18表示的化合物中的至少一种:
其中,每一个n独立地是0至5。
20.根据权利要求19所述的制造液晶显示器的方法,其中:
所述第一取向助剂在所述液晶组合物中的含量是0.5wt%以上且30wt%以下。
21.根据权利要求20所述的制造液晶显示器的方法,其中:
所述第二取向助剂在所述液晶组合物中的含量是0.1wt%以上且10wt%以下。
22.根据权利要求15所述的制造液晶显示器的方法,其中:
在其中在所述第一基板和所述第二基板之间不形成电场的情况下进行所述第一取向聚合物的形成。
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