CN104115233A - 闪烁器双阵列的制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种闪烁器双阵列的制造方法,其将具有不同的X射线能量检测灵敏度分布且具有相同间隔的多个平行的槽的第一闪烁器条块阵列和第二闪烁器条块阵列以两者的闪烁器条块沿层叠方向排列的方式借助中间层用树脂层接合起来,将所得到的条块阵列接合体沿着与闪烁器条块交差的方向切断,并利用树脂覆盖所得到的条块阵列接合体片的一方的断面。
Description
技术领域
本发明涉及一种高精度且高效地制造放射线检测器等所使用的闪烁器双阵列的方法。
背景技术
作为放射线检测装置之一,有计算机断层摄影装置[ComputedTomography(CT)装置]。CT装置具有:放射X射线扇形射束的X射线管和并列设置了多个放射线检测元件的放射线检测器。X射线管和放射线检测器以测定对象为中心而对置配置。从X射线管放射出的X射线扇形射束透过测定对象,由放射线检测器进行检测。以每照射一次就改变照射角度的方式收集X射线吸收数据,并通过计算机解析来计算出测定对象的断层面上的各处位置的X射线吸收率,从而构成与X射线吸收率相应的图像。作为放射线检测器,可采用组合了闪烁器阵列和硅光电二极管的检测器、或者组合了闪烁器阵列和光电子倍增管的检测器。
日本特开2001-174564号公开了一种X射线检测器阵列,其中,对能量分布不同的X射线进行检测的两种闪烁器元件配置在X射线的透过方向上,与各闪烁器元件对应的光检测元件配置在与其闪烁器元件垂直的方向上,多个闪烁器元件和多个光检测元件形成列。多个闪烁器元件由光反射物质一体地模制成平面矩阵状。在日本特开2001-174564号中,图示了3段闪烁器元件沿X射线透过方向(j方向)配置的例子。但是,日本特开2001-174564号并未具体公开X射线检测器阵列的制造方法。
作为使用了在X射线能量的检测灵敏度分布不同的两种闪烁器的双能量的检测器,WO2006/114715(日本特表2008-538966号)公开了一种放射线检测器,其为了接受放射线而与X射线源对置配置,具有:上部闪烁器,其将低能量的放射线转换成光并使高能量的放射线透过;第一光检测器,其用于自上部闪烁器接受上述光并将上述光转换为电信号;下部闪烁器,其将透过来的高能量放射线转换成光;第二光检测器,其自上述下部闪烁器接受上述光并将上述光转换为电信号。但是,WO2006/114715并未具体公开闪烁体阵列的制造方法。
日本特开平9-211139号公开了一种放射线检测器,其是能够将利用放射线发光的闪烁器和将上述闪烁器的光转换为电信号的光检测器组合而成的,其特征在于,上述闪烁器由陶瓷闪烁器和单结晶闪烁器组合而成。陶瓷闪烁器是多结晶的Gd2O2S:Pr等,单结晶闪烁器是CdWO4、Bi6Ge4O12等。在实施例中,利用环氧系粘接剂将陶瓷闪烁器和单结晶闪烁器粘接后,将光电二极管粘接于单结晶闪烁器,并且在陶瓷闪烁器的上表面形成TiO2光反射层。但是,在这样的闪烁器的制造方法中存在工时较多的问题。
发明内容
发明要解决的问题
因此,本发明的目的在于提供一种高精度且高效率地制造闪烁器双阵列的方法。
用于解决问题的方案
本发明的闪烁器双阵列的制造方法的特征在于,该闪烁器双阵列的制造方法包括以下工序:
将具有隔着平行的槽排列的多个第一闪烁器条块和填充至上述槽中的反射材料用硬化树脂的第一闪烁器条块阵列和具有隔着平行的槽排列的多个第二闪烁器条块和填充至上述槽中的反射材料用硬化树脂的第二闪烁器条块阵列以两个闪烁器条块沿层叠方向排列的方式借助中间层用树脂层接合起来,
将所得到的条块阵列接合体在上述第一闪烁器条块和上述第二闪烁器条块的排列方向上切断,
利用反射材料用树脂覆盖所得到的多个条块阵列接合体片的切断面,
上述第一闪烁器条块的间距与上述第二闪烁器条块的间距相等,
上述第一闪烁器条块和上述第二闪烁器条块具有不同的X射线能量检测灵敏度分布。
优选的是,在上述第一闪烁器条块阵列和上述第二闪烁器条块阵列的任意一者上设置了上述中间层用树脂层后,将两个闪烁器条块阵列接合起来。
优选的是,在固定于支承板的第一闪烁器基板上形成多个平行的槽,将反射用硬化树脂填充到上述槽中,磨削到规定的厚度,从而形成上述第一闪烁器条块阵列,在固定于支承板的第二闪烁器基板上形成多个平行的槽,将反射用硬化树脂填充到上述槽中,磨削到规定的厚度,从而形成上述第二闪烁器条块阵列。
作为在一个闪烁器条块阵列上形成上述中间层用树脂层的方法,优选的是采用以下方法:(a)形成包围中间层形成区域的框,并使液状的中间层用硬化性树脂流入上述框,在硬化后研磨到规定的厚度的方法、(b)利用光刻法形成包围中间层形成区域的抗蚀图案,并使液状硬化性树脂流入上述抗蚀图案,在硬化后研磨到规定的厚度的方法、或者(c)粘接规定的厚度的中间层用的硬化树脂板的方法。
优选的是,在两个闪烁器条块阵列上形成定位槽,使上述第一闪烁器条块阵列和第二闪烁器条块阵列中的任意一个位于下方,并将销嵌入该定位槽,使另一个闪烁器条块阵列的定位槽与上述销对合,从而使两个闪烁器条块沿层叠方向排列。
优选的是,多个条块阵列接合体片在支承板上等间隔地固定,并被液状硬化性树脂覆盖,使上述树脂硬化,从而形成双阵列集合体,并通过沿着上述条块阵列接合体片间的树脂层切断上述双阵列集合体,从而获得各个闪烁器双阵列。
在本发明的一个实施方式中,(a)上述第一闪烁器条块阵列通过如下方式形成:将第一闪烁器基板固定在支承板上,并在上述第一闪烁器基板上形成深度与上述第一闪烁器基板的厚度相同的多个平行的槽,利用液状硬化性树脂覆盖具有所得到的贯穿槽的第一闪烁器基板,从而将上述液状硬化性树脂填充到上述贯穿槽中,使上述树脂硬化,并将所得到的第一带槽闪烁器基板树脂硬化体磨削到所希望的厚度,(b)上述第二闪烁器条块阵列通过如下方式形成:将第二闪烁器基板固定在支承板上,并在上述第二闪烁器基板上形成深度与上述第二闪烁器基板的厚度相同的多个平行的槽,利用液状硬化性树脂覆盖具有所得到的贯穿槽的第二闪烁器基板,从而将上述液状硬化性树脂填充到上述贯穿槽中,使上述树脂硬化,并将所得到的第二带槽闪烁器基板树脂硬化体磨削到所希望的厚度。
在本发明的其他实施方式中,(a)上述第一闪烁器条块阵列通过如下方式形成:将第一闪烁器基板固定在支承板上,通过在上述第一闪烁器基板上形成深度比上述第一闪烁器基板的厚度浅的多个平行的槽,从而形成由连结部将多个平行的闪烁器条块结合起来的第一梳齿状闪烁器基板,并且利用液状硬化性树脂覆盖上述第一梳齿状闪烁器基板,从而将上述液状硬化性树脂填充到上述槽中,使上述树脂硬化,并将所得到的第一梳齿状闪烁器基板树脂硬化体以去除上述连结部的方式磨削到所希望的厚度,(b)上述第二闪烁器条块阵列通过如下方式形成:将第二闪烁器基板固定在支承板上,在上述第二闪烁器基板上形成深度比上述第二闪烁器基板的厚度浅的多个平行的槽,从而形成由连结部将多个平行的闪烁器条块结合起来的第二梳齿状闪烁器基板,并且通过利用液状硬化性树脂覆盖上述第二梳齿状闪烁器基板,从而将上述液状硬化性树脂填充到上述槽,使上述树脂硬化,并将所得到的第二梳齿状闪烁器基板树脂硬化体以去除上述连结部的方式磨削到所希望的厚度。
发明的效果
采用本发明的方法,能够高精度且高效地制造用于构成医疗用CT装置、行李检查用CT装置等所使用的放射线检测器的闪烁器双阵列。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式的制造方法的流程图。
图2是表示由步骤A2得到的带槽的YGAG基板的立体图。
图3是表示步骤A3中的树脂的填充和硬化的立体图。
图4是表示由步骤A3得到的带槽的YGAG基板树脂硬化体的立体图。
图5是表示由步骤A4得到的YGAG条块阵列的立体图。
图6是表示由步骤A7得到的带定位槽的YGAG条块阵列的立体图。
图7是表示由步骤a2得到的带槽的GOS基板的立体图。
图8是表示步骤a3中的树脂的填充和硬化的立体图。
图9是表示由步骤a3得到的带槽的GOS基板树脂硬化体的立体图。
图10是表示由步骤a4得到的GOS条块阵列的立体图。
图11(a)是表示在步骤a5中形成了中间层用树脂层的GOS条块阵列的立体图。
图11(b)是表示具有通过步骤a6被磨削成了一样的厚度的中间层用树脂层的GOS条块阵列的立体图。
图12是表示由步骤a7得到的带定位槽的GOS条块阵列的立体图。
图13是表示在带定位槽的GOS条块阵列的中间层用树脂层上粘接带定位槽的YGAG条块阵列的步骤A8的立体图。
图14是表示由步骤A8得到的条块阵列接合体的剖视图。
图15是表示利用旋转磨具将条块阵列接合体以规定的厚度切断的步骤A9-1的立体图。
图16是表示自通过步骤A9-1得到的条块阵列接合体片切除Z轴方向端部的步骤A9-2的立体图。
图17是表示通过步骤A9-2切除了Z轴方向端部后的条块阵列接合体片的放大立体图。
图18是表示以树脂覆盖条块阵列接合体片的步骤A10的立体图。
图19是表示由步骤A10得到的树脂覆盖双阵列集合体的立体图。
图20是表示由步骤A11得到的双阵列集合体的立体图。
图21(a)是表示由步骤A12得到的双阵列的放大立体图。
图21(b)是图21(a)的A-A剖视图。
图22是表示在本发明的其他的实施方式中在固定于支承板的YGAG基板上形成未贯穿的槽而制作梳齿状YGAG基板的状态的立体图。
图23是表示以树脂覆盖具有未贯穿的槽的梳齿状YGAG基板的状态的立体图。
图24(a)是表示本发明的其他实施方式的梳齿状YGAG基板树脂硬化体的立体图。
图24(b)是表示图24(a)的B-B剖视图。
图25是表示在本发明的其他实施方式中在固定于支承板的GOS基板上形成未贯穿的槽并得到梳齿状GOS基板的状态的立体图。
图26是表示以树脂覆盖具有未贯穿的槽的梳齿状GOS基板的状态的立体图。
图27(a)是表示本发明的其他实施方式的梳齿状GOS基板树脂硬化体的立体图。
图27(b)是图27(a)的C-C剖视图。
具体实施方式
下面,参照附图详细说明本发明的实施方式,但本发明并不限于这些实施方式。各实施方式的说明在没有特别声明的情况下也可以应用于其他的实施方式。
在本发明中,使用对X射线能量的检测灵敏度分布不同的2个闪烁器基板。优选的是,作为低能量侧的检测灵敏度较高的第一闪烁器基板,例如使用具有被Ce、Pr等的稀土元素活化了的(Y1-xGdx)3+a(GauAl1-u)5-aO12(x=0.10~0.5、u=0.2~0.6以及a=-0.05~0.15)的组成式的钇-钆-铝-镓石榴石(YGAG)闪烁器,作为高能量侧的检测灵敏度较高的第二闪烁器基板,例如使用具有被从Pr、Ce以及Tb中选出的至少1种元素活化了的Gd2O2S的组成式的氧硫化钆(GOS)闪烁器。作为第一闪烁器基板,也能够使用ZnSe来代替YGAG。另外,作为第二闪烁器基板,也能够使用GGAG来代替GOS。GGAG具有例如被从Ce、Pr等选出的至少1种元素活化了的(Gd1-xLux)3+a(GauAl1-u)5-aO12(x=0~0.5、u=0.2~0.6以及a=-0.05~0.15)的主要组成。本发明的制造方法是以YGAG闪烁器阵列和GOS闪烁器阵列的组合为例进行以下详细说明,但本发明并不限于该组合。
[1]第一实施方式
图1是表示本发明的第一实施方式的闪烁器双阵列的制造方法的流程图。首先,如图2所示,作为第一闪烁器基板,是将矩形板状的YGAG基板1以其表面fa朝下,借助粘接件(未图示)固定安装于第一支承板30的表面fs(步骤A1),该YGAG基板1由具有被Ce元素活化了的钇-钆-铝-镓石榴石(YGAG)的组成的闪烁器烧结体构成。粘接件只要是将YGAG基板1固定并且在后续步骤中也能正确地保持基板的位置的粘接件即可,并不特别限定,例如,能够使用粘接剂、双面粘接膜、双面粘接带等。其中,从定位精度和操作性的观点出发优选压敏或者热敏的粘接剂、压敏或者热敏的双面粘接膜。
使用切削用旋转磨具19在YGAG基板1上除两端部5b、5b以外形成从背面bb到粘接件的多个平行的贯穿槽3b。如图2所示,通过贯穿槽3b的形成,得到由被分离开的多个平行的YGAG条块2b构成的带槽的YGAG基板1b(步骤A2)。带槽的YGAG基板1b的两端部5b、5b在后续步骤A9或A12中被切下。图2所示的x轴、y轴以及z轴分别是YGAG基板1的厚度方向、槽3b的方向以及槽3b的排列方向。
如图3所示,在第一支承板30的侧面贴有液状硬化性树脂积存用的薄膜31F、31R、31B、31L。各薄膜31F、31R、31B、31L的宽度与第一支承板30的侧面的高度相比足够大,因此,自第一支承板30向上方突出的薄膜31F、31R、31B、31L形成为用于封堵液状硬化性树脂32的空间。另外,可以使用沿着第一支承板30的侧面弯折的1张薄膜代替多张薄膜。作为形成有在YGAG单元发光时作为反射材料发挥功能的树脂层3d(参照图21)的液状硬化性树脂32,优选的是,使用混合了例如白色的氧化钛微粒的液状热硬化性环氧树脂。当液状硬化性树脂32进入上述空间内时,液状硬化性树脂32在流入带槽的YGAG基板1b的贯穿槽3b的同时,覆盖带槽的YGAG基板1b的上表面和侧面(步骤A3)。通过液状硬化性树脂32的硬化,将多个YGAG条块2b一体化。
当去除薄膜31F、31R、31B、31L以及第一支承板30时,如图4所示,得到了利用硬化树脂32’将带槽的YGAG基板1b一体化而成的带槽的YGAG基板树脂硬化体33。当在带槽的YGAG基板树脂硬化体33的表面fb上残留有粘接件的情况下,通过剥离液、磨削加工或者研磨加工将粘接件去除。为了使带槽的YGAG基板1b露出,通过对带槽的YGAG基板树脂硬化体33的背面bb2侧进行磨削加工,而如图5所示得到具有一样厚度h1的YGAG条块阵列6c(步骤A4)。相当于构成带槽的YGAG基板树脂硬化体33的构件的YGAG条块阵列6c中的构件参考编号是在相同数字后用“c”代替“b”来进行标注的。另外,在例如像利用剥离液去除粘接件的情况那样、将带槽的YGAG基板1b保持为所希望的厚度h1的情况下,为了使YGAG条块阵列6c的厚度为(h1+α),可以在背面bb2的磨削后残留厚度α的树脂层。在YGAG条块阵列6c中,在YGAG条块2c的外周形成有树脂层32c。
如图6所示,在YGAG条块阵列6c中的穿过各端部5c、5c的部分的背面bc侧,通过y轴方向的磨削而形成定位槽38、38,并构成带定位槽的YGAG条块阵列6c’(步骤A7)。另外,在残留厚度α的树脂层的情况下,在表面fc上形成定位槽38、38。
另外,作为第二闪烁器基板,制作出由具有被Pr和Ce元素活化了的氧硫化钆(GOS)的组成的闪烁器烧结体构成的矩形板状的GOS基板10。GOS基板10比YGAG基板1厚。GOS基板10是以其表面Fa朝下,借助粘接件(未图示)固定安装于第二支承板40的表面Fs(步骤a1)。粘接件可以是与YGAG基板1的固定安装所使用的材料相同的材料。
使用切削用旋转磨具19在GOS基板10上除两端部15b、15b以外形成从背面Bb到粘接件的多个平行的贯穿槽13b。如图7所示,通过贯穿槽13b的形成,得到具有被分离开的多个平行的GOS条块12b的带槽的GOS基板11b(步骤a2)。GOS条块12b的宽度和间距与YGAG条块2b的宽度和间距相同。带槽的GOS基板11b的两端部15b、15b在后续步骤A9或A12中被切下。图7所示的x轴、y轴以及z轴分别是GOS基板10的厚度方向、槽13b的方向以及槽13b的排列方向。
如图8所示,在第二支承板40的侧面贴有液状硬化性树脂积存用的薄膜41F、41R、41B、41L。各薄膜41F、41R、41B、41L的宽度与第二支承板40的侧面的高度相比足够大,因此,自第二支承板40向上方突出的薄膜41F、41R、41B、41L形成为用于封堵液状硬化性树脂42的空间。另外,可以使用沿着第二支承板40的侧面弯折的1张薄膜代替多张薄膜。作为形成有在GOS单元发光时作为反射材料发挥功能的树脂层13d(参照图21)的液状硬化性树脂42可以是与带槽的YGAG基板1b的形式所使用的液状硬化性树脂32相同的树脂。当液状硬化性树脂42进入上述空间内时,液状硬化性树脂42在进入带槽的GOS基板11b的贯穿槽13b的同时,覆盖带槽的GOS基板11b的上表面和侧面(步骤a3)。通过液状硬化性树脂42的硬化,将多个GOS条块12b一体化。
当去除薄膜41F、41R、41B、41L以及第二支承板40时,如图9所示,得到了利用硬化树脂42’将带槽的GOS基板11b一体化而成的带槽的GOS基板树脂硬化体43。当在带槽的GOS基板树脂硬化体43的表面Fb上残留有粘接件的情况下,通过剥离液、磨削加工或者研磨加工将粘接件去除。为了使带槽的GOS基板11b露出,通过对带槽的GOS基板树脂硬化体43的背面Bb2侧进行磨削加工,而如图10所示得到具有一样厚度h2的GOS条块阵列16c(步骤a4)。相当于构成带槽的GOS基板树脂硬化体43的构件的GOS条块阵列16c中的构件参考编号是在相同数字后用“c”代替“b”来进行标注的。另外,在例如像利用剥离液去除粘接件的情况那样、将GOS条块阵列保持为所希望的厚度h2的情况下,为了使GOS条块阵列16c的厚度为(h2+α),可以在背面Bb2的磨削后残留厚度α的树脂层。在GOS条块阵列16c中,在GOS条块12c的外周形成有树脂层42c。
如图11(a)所示,在GOS条块阵列16c的背面Bc上形成中间层用树脂层47c(步骤a5)。中间层用树脂层47c优选含有氧化钛(TiO2)的液状热硬化性环氧树脂。如图11(b)所示,磨削所形成的树脂层47c,并形成具有一样的厚度h3的中间层用树脂层47c’(步骤a6)。作为中间层用树脂层的形成方法,列举以下方法:(a)利用粘合带等形成包围中间层形成区域的框,并使液状的中间层用硬化性树脂流入上述框,在硬化后研磨到规定的厚度h3的方法、(b)利用光刻法形成包围中间层形成区域的抗蚀图案,并利用棒式涂敷机、旋涂机、喷涂机等使液状硬化性树脂流入上述抗蚀图案,在硬化后研磨到规定的厚度h3的方法、以及(c)将规定的尺寸(厚度:h3)的中间层用的硬化树脂板粘接到GOS条块阵列16c的背面Bc的方法等。
如图12所示,在树脂层47c’的两端附近穿过端部15c、15c的部分的背面Bc侧上,通过Y轴方向的磨削而形成定位槽48、48,并构成带定位槽的GOS条块阵列16c’(步骤a7)。带定位槽的YGAG条块阵列6c’的两定位槽38、38的位置以及带定位槽的GOS条块阵列16c’的两定位槽48、48的位置设定为,在如后述那样借助销39、39而使两条块阵列6c’、16c’重叠时,YGAG条块2c的间距与GOS条块12c的间距一致。另外,可以将形成中间层用树脂层47c’的步骤a6和形成定位槽的步骤a7的顺序颠倒过来。
将销39、39配置于带定位槽的GOS条块阵列16c’的各定位槽48、48,并利用粘接剂固定。在中间层用树脂层47c’上涂敷较薄的热硬化性粘接剂。热硬化性粘接剂的涂敷量设定为,硬化后的粘接剂的厚度与中间层用树脂层47c’的厚度之和是YGAG条块和GOS条块的所希望的间隔。优选的是,热硬化性粘接剂在硬化后相当于中间层用树脂层47c’。
如图13所示,使固定在了带定位槽的GOS条块阵列16c’的定位槽48、48的销39、39与定位槽38、38对合,而将带定位槽的YGAG条块阵列6c’粘接于中间层用树脂层47c’(步骤A8)。通过使用嵌入两定位槽38、38和48、48的销39、39,能够将带定位槽的YGAG条块阵列6c’精度良好地配置于带定位槽的GOS条块阵列16c’。从定位精度的观点出发,销39、39优选具有能够以与两定位槽的内周面抵接的方式定位的形状和尺寸,优选例如像图13所示那样截面是圆形的,优选例如直径是0.2mm~1mm的不锈钢制圆棒。
在将带定位槽的YGAG条块阵列6c’粘接到带定位槽的GOS条块阵列16c’的中间层用树脂层47c’后,利用压板(未图示)对带定位槽的YGAG条块阵列6c’在X轴方向均匀地按压,使带定位槽的YGAG条块阵列6c’的背面bc固定安装于中间层用树脂层47c’。在热硬化性粘接剂硬化后将压板拆掉,得到图14所示的条块阵列接合体52。条块阵列接合体52在夹住中间层用树脂层47c’的区域以外,在两带定位槽的条块阵列6c’、16c’之间填充有树脂51。利用上述定位方法,以YGAG条块2c和GOS条块12c隔着中间层用树脂层47c’正确地对置的方式,能够高精度地进行两带定位槽的条块阵列6c’、16c’的定位。
如图15所示,利用旋转磨具54将条块阵列接合体52沿Z轴方向以规定的宽度W切断(步骤A9-1)时、如图16所示,得到具有中间层47d的多个条块阵列接合体片55。相当于构成条块阵列接合体52的构件的条块阵列接合体片55中的构件的参考编号是在相同数字后用“d”代替“c”来进行标注的。
各条块阵列接合体片55具有:将YGAG单元2d和树脂层3d沿Z轴方向交替排列而成的YGAG单元列、将GOS单元12d和树脂层13d沿Z轴方向交替排列而成的GOS单元列以及由设置在了两单元列之间的树脂层47d构成的中间层,各YGAG单元2d和各GOS单元12d沿X轴方向排列。如图16所示,将各条块阵列接合体片55沿直线X-X'、X-X'切断时(步骤A9-2)、将Z轴方向端部切断,如图17所示,得到具有由YGAG单元2d和树脂层3d构成的YGAG单元列、中间层47d以及由GOS单元12d和树脂层13d构成的GOS单元列的条块阵列接合体片57。在图示的例子中,树脂层3d、13d位于Z轴方向端部,当然也可以YGAG单元2d和GOS单元12d位于Z轴方向端部。
如图18所示,在将多个条块阵列接合体片57借助粘接件配置在了第三支承板60上后,将液状硬化性树脂积存用的薄膜61F、61R、61B、61L粘贴在第三支承板60的侧面。薄膜61F、61R、61B、61L的宽度与第三支承板60的侧面的高度相比足够大,因此,自第三支承板60向上方突出的薄膜61F、61R、61B、61L形成用于封堵液状硬化性树脂62的空间。另外,可以使用沿着第三支承板60的侧面弯折的1张薄膜代替多张薄膜。液状硬化性树脂62可以与带槽的YGAG基板1b和带槽的GOS基板11b的形成所使用的液状硬化性树脂32、42相同。将液状硬化性树脂62填充到上述空间,并使液状硬化性树脂硬化(步骤A10)。由此,条块阵列接合体片57除了与第三支承板60相对的面以外,其他的面被作为GOS单元12d和YGAG单元2d的反射材料发挥功能的硬化树脂62覆盖。
通过自硬化了的树脂62去除薄膜61F、61R、61B、61L和第三支承板60,如图19所示,得到了利用硬化树脂62’将多个条块阵列接合体片57一体化而成的树脂覆盖双阵列集合体63。在树脂覆盖双阵列集合体63的表面bb1(第三支承板60侧的面)残留有粘接件的情况下,通过剥离液、磨削加工或者研磨加工将粘接件去除。接着,对树脂覆盖双阵列集合体63的背面bs1侧进行磨削,并且如图20所示得到具有一样的所希望的厚度h4的双阵列集合体67(步骤A11)。
双阵列集合体67在条块阵列接合体片57间的树脂层的中央被分割,如图21(a)所示得到具有GOS单元阵列和YGAG单元阵列的双阵列(步骤A12)。为了达到规定的尺寸,也可以对双阵列的外周进行加工。该双阵列由YGAG单元2d和树脂层3d沿Z轴方向交替排列而成的YGAG单元列、GOS单元12d和树脂层13d沿Z轴方向交替排列而成的GOS单元列以及两列之间的树脂中间层47d构成,各YGAG单元2d和各GOS单元12d沿X轴方向排列。
如图21(b)所示,将YGAG单元2d和GOS单元12d的周围覆盖的树脂层由中间层47d、背面层62d、YGAG单元2d侧的侧面层62d’以及GOS单元12d侧的侧面层62d”构成。任意一个树脂层都是由含有白色的氧化钛微粒的硬化性环氧树脂构成。X射线穿过侧面层62d’而射入YGAG单元2d,使YGAG单元2d发光。中间层47d、背面层62d以及侧面层62d'在反射YGAG单元2d的发光的同时,作为遮挡来自外部的光的光反射层发挥功能。X射线进一步穿过中间层47d,发生能量衰减并射入GOS单元12d,使GOS单元12d发光。在双阵列的表面bb1上,YGAG单元2d和GOS单元12d露出,从由于X射线的照射而发光的YGAG单元2d和GOS单元12d发出的光射入被配置在与YGAG单元2d和GOS单元12d相对的位置的受光元件(未图示)。
[2]第二实施方式
在本发明的第二实施方式的闪烁器双阵列的制造方法中,将中间层设置于YGAG基板侧。除此以外能够通过与第一实施方式相同的工序,制作出双阵列。
[3]第三实施方式
本发明的第三实施方式的闪烁器双阵列的制造方法是将第一实施方式的方法中的形成中间层用树脂层的步骤a6和形成定位槽的步骤a7的顺序颠倒过来而得到的制造方法。即,在第三实施方式的方法中,在形成中间层用树脂层的步骤a5之后,执行用于形成定位槽的步骤,接着,进行用于磨削中间层用树脂层的步骤。除此以外与第一实施方式的方法相同。
[4]第四实施方式
第四实施方式的方法的特征在于,在各闪烁器基板上形成未贯穿基板的多个平行的槽,利用液状硬化性树脂覆盖所得到的梳齿状闪烁器基板,使上述液状硬化性树脂硬化,以去除上述连结部的方式将所得到的梳齿状闪烁器基板树脂硬化体磨削到所希望的厚度,从而得到各条块阵列。其后续步骤与第一实施方式的方法相同,因此,下面详细说明至两条块阵列的制作为止的步骤。
如图22所示,YGAG基板1借助粘接件(未图示)固定于第一支承板30上,并且使用切削用旋转磨具19在YGAG基板1上保留两端部5b、5b地形成具有未到达粘接件的深度的多个平行的槽3b’。通过槽3b’的形成,能够得到具有多个平行的YGAG条块2b和YGAG条块2b的连结部的梳齿状YGAG基板1b’。梳齿状YGAG基板1b’的两端部5b、5b在后续的步骤A9或者A12中被切下。
如图23所示,将液状硬化性树脂积存用的薄膜31F、31R、31B、31L粘贴在第一支承板30的侧面,而形成用于封堵液状硬化性树脂32的空间。当液状硬化性树脂32进入上述空间内时,液状硬化性树脂32被填充到梳齿状YGAG基板1b’的槽中。接着,当使液状硬化性树脂32硬化时,将多个YGAG条块2b和硬化树脂32’一体化。
当去除薄膜31F、31R、31B、31L以及第一支承板30时,如图24(a)和图24(b)所示,得到将梳齿状YGAG基板1b’与硬化树脂32’一体化而成的梳齿状YGAG基板树脂硬化体33’。如图24(b)所示,在去除梳齿状YGAG基板1b’的连结部的同时,与在图5中使YGAG条块2c从两面露出的做法相同,对梳齿状YGAG基板树脂硬化体33’的表面fb和背面bb2侧进行磨削,并形成具有一样的厚度h1的YGAG条块阵列6c。
接着,如图25所示,GOS基板10借助粘接件(未图示)固定于第二支承板40上,并且使用切削用旋转磨具19在GOS基板10上保留两端部15b、15b地形成具有未到达粘接件的深度的多个平行的槽13b’。通过槽13b’的形成,能够得到具有多个平行的GOS条块12b和GOS条块12b的连结部的梳齿状GOS基板11b’。GOS条块12b的宽度和间距与YGAG条块2b的宽度和间距相同。梳齿状GOS基板11b’的两端部15b、15b在后续的步骤A9或者A12中被切下。
如图26所示,将液状硬化性树脂积存用的薄膜41F、41R、41B、41L粘贴在第二支承板40的侧面,而形成用于封堵液状硬化性树脂42的空间。当液状硬化性树脂42进入上述空间内时,液状硬化性树脂42被填充到梳齿状GOS基板11b’的槽中。接着,当使液状硬化性树脂42硬化时,将多个GOS条块12b和硬化树脂42’一体化。
当去除薄膜41F、41R、41B、41L以及第二支承板40时,如图27(a)和图27(b)所示,得到将梳齿状GOS基板11b’与硬化树脂42’一体化而成的梳齿状GOS基板树脂硬化体43’。如图27(b)所示,在去除梳齿状GOS基板11b’的连结部的同时,与在图10中使GOS条块12c从两面露出的做法相同,对梳齿状GOS基板树脂硬化体43’的表面Fb和背面Bb2侧进行磨削,并形成具有一样的厚度h2的GOS条块阵列16c。
通过以下的实施例对本发明进行进一步详细地说明,但本发明并不限于该实施例。
实施例1
采用第一实施方式的方法,通过由具有(Y0.8Gd0.2Ce0.003)3.0(Ga0.5Al0.5)5.0O12的组成的YGAG烧结体构成的YGAG基板和由具有(Gd0.999Pr0.001Ce0.00001)2O2S的组成的GOS烧结体构成的GOS基板,在下述条件下制作出了图21所示的双阵列。作为第一和第二支承板使用了玻璃板。粘接件使用了热敏双面粘接膜,作为进入定位槽的销使用了不锈钢制的圆棒。作为反射材料用树脂而使用了含有白色的金红石型氧化钛粉末的环氧树脂。作为旋转磨具使用了金刚石磨具。第一实施方式的方法比使第一闪烁器和第二闪烁器一个一个组合起来而制造双阵列的、日本特开平9-211139号所记载的方法更有效率,并且YGAG单元2d和GOS单元12d的排列也是高精度的。
Claims (8)
1.一种闪烁器双阵列的制造方法,其特征在于,
该闪烁器双阵列的制造方法具有如下工序:
将具有隔着平行的槽排列的多个第一闪烁器条块和填充到了上述槽的反射材料用硬化树脂的第一闪烁器条块阵列、以及具有隔着平行的槽排列的多个第二闪烁器条块和填充到了上述槽的反射材料用硬化树脂的第二闪烁器条块阵列以两者的闪烁器条块沿层叠方向排列的方式借助中间层用树脂层接合起来,
将所得到的条块阵列接合体在上述第一闪烁器条块和上述第二闪烁器条块的排列方向上切断,
利用反射材料用树脂覆盖所得到的多个条块阵列接合体片的切断面,
上述第一闪烁器条块的间距与上述第二闪烁器条块的间距相等,
上述第一闪烁器条块和上述第二闪烁器条块具有不同的X射线能量检测灵敏度分布。
2.根据权利要求1所述的闪烁器双阵列的制造方法,其特征在于,
在上述第一闪烁器条块阵列和上述第二闪烁器条块阵列的任意一者上设置了上述中间层用树脂层后,将两个闪烁器条块阵列接合起来。
3.根据权利要求1或2所述的闪烁器双阵列的制造方法,其特征在于,
在固定于支承板的第一闪烁器基板上形成多个平行的槽,将反射用硬化树脂填充到上述槽中,磨削到规定的厚度,从而形成上述第一闪烁器条块阵列,
在固定于支承板的第二闪烁器基板上形成多个平行的槽,将反射用硬化树脂填充到上述槽中,磨削到规定的厚度,从而形成上述第二闪烁器条块阵列。
4.根据权利要求2或3所述的闪烁器双阵列的制造方法,其特征在于,
作为在一个闪烁器条块阵列上形成上述中间层用树脂层的方法,采用以下方法:(a)形成包围中间层形成区域的框,并使液状的中间层用硬化性树脂流入上述框,在硬化后研磨到规定的厚度的方法、(b)利用光刻法形成包围中间层形成区域的抗蚀图案,并使液状硬化性树脂流入上述抗蚀图案,在硬化后研磨到规定的厚度的方法、或者(c)粘接规定的厚度的中间层用的硬化树脂板的方法。
5.根据权利要求2~4中任一项所述的闪烁器双阵列的制造方法,其特征在于,
在两个闪烁器条块阵列上形成定位槽,使上述第一闪烁器条块阵列和上述第二闪烁器条块阵列中的任意一个位于下方,并将销嵌入该定位槽,使另一个闪烁器条块阵列的定位槽与上述销对合,从而使两个闪烁器条块沿层叠方向排列。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的闪烁器双阵列的制造方法,其特征在于,
多个条块阵列接合体片在支承板上等间隔地固定,并被液状硬化性树脂覆盖,通过使上述树脂硬化而形成双阵列集合体,并沿着上述条块阵列接合体片间的树脂层切断上述双阵列集合体,从而获得各个闪烁器双阵列。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的闪烁器双阵列的制造方法,其特征在于,
上述第一闪烁器条块阵列通过如下方式形成:将第一闪烁器基板固定在支承板上,并在上述第一闪烁器基板上形成深度与上述第一闪烁器基板的厚度相同的多个平行的槽,通过利用液状硬化性树脂覆盖具有所得到的贯穿槽的第一闪烁器基板而将上述液状硬化性树脂填充到上述贯穿槽中,使上述树脂硬化,并将所得到的第一带槽闪烁器基板树脂硬化体磨削到所希望的厚度,
上述第二闪烁器条块阵列通过如下方式形成:将第二闪烁器基板固定在支承板上,并在上述第二闪烁器基板上形成深度与上述第二闪烁器基板的厚度相同的多个平行的槽,通过利用液状硬化性树脂覆盖具有所得到的贯穿槽的第二闪烁器基板而将上述液状硬化性树脂填充到上述贯穿槽,使上述树脂硬化,并将所得到的第二带槽闪烁器基板树脂硬化体磨削到所希望的厚度。
8.根据权利要求1~6中任一项所述的闪烁器双阵列的制造方法,其特征在于,
上述第一闪烁器条块阵列通过如下方式形成:将第一闪烁器基板固定在支承板上,在上述第一闪烁器基板上形成深度比上述第一闪烁器基板的厚度浅的多个平行的槽,从而形成由连结部将多个平行的闪烁器条块结合起来的第一梳齿状闪烁器基板,并且通过利用液状硬化性树脂覆盖上述第一梳齿状闪烁器基板而将上述液状硬化性树脂填充到上述槽中,使上述树脂硬化,并将所得到的第一梳齿状闪烁器基板树脂硬化体以去除上述连结部的方式磨削到所希望的厚度,
上述第二闪烁器条块阵列通过如下方式形成:将第二闪烁器基板固定在支承板上,在上述第二闪烁器基板上形成深度比上述第二闪烁器基板的厚度浅的多个平行的槽,从而形成由连结部将多个平行的闪烁器条块结合起来的第二梳齿状闪烁器基板,并且通过利用液状硬化性树脂覆盖上述第二梳齿状闪烁器基板而将上述液状硬化性树脂填充到上述槽,使上述树脂硬化,并将所得到的第二梳齿状闪烁器基板树脂硬化体以去除上述连结部的方式磨削到所希望的厚度。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012-080291 | 2012-03-30 | ||
JP2012080291 | 2012-03-30 | ||
PCT/JP2013/056290 WO2013146167A1 (ja) | 2012-03-30 | 2013-03-07 | シンチレータデュアルアレイの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104115233A true CN104115233A (zh) | 2014-10-22 |
CN104115233B CN104115233B (zh) | 2016-09-21 |
Family
ID=49259435
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201380009495.8A Active CN104115233B (zh) | 2012-03-30 | 2013-03-07 | 闪烁器双阵列的制造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9899113B2 (zh) |
JP (1) | JP5854128B2 (zh) |
CN (1) | CN104115233B (zh) |
DE (1) | DE112013001689B4 (zh) |
WO (1) | WO2013146167A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108350358A (zh) * | 2015-11-02 | 2018-07-31 | 株式会社东芝 | 闪烁器、闪烁器阵列、放射线检测器及放射线检查装置 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB201308853D0 (en) | 2013-03-12 | 2013-07-03 | Verenium Corp | Genes encoding xylanase |
JP6358496B2 (ja) * | 2014-03-28 | 2018-07-18 | 日立金属株式会社 | シンチレータアレイの製造方法 |
WO2016046013A2 (en) * | 2014-09-25 | 2016-03-31 | Koninklijke Philips N.V. | Ceramic material for generating light |
EP3538879B1 (en) * | 2016-11-10 | 2022-06-01 | Koninklijke Philips N.V. | Grating-based phase contrast imaging |
CN110320546B (zh) * | 2018-03-29 | 2024-04-19 | 厦门迈通光电有限公司 | 闪烁体阵列和制备闪烁体阵列的模具及方法 |
IT201900010638A1 (it) * | 2019-07-02 | 2021-01-02 | St Microelectronics Srl | Rilevatore di radiazione a scintillatore e dosimetro corrispondente |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09211139A (ja) * | 1995-11-29 | 1997-08-15 | Hitachi Metals Ltd | 放射線検出器 |
US20010011709A1 (en) * | 1997-11-26 | 2001-08-09 | Robert J Riedner | Scintillator for a multi-slice computed tomograph system |
CN1447131A (zh) * | 2002-03-25 | 2003-10-08 | 日立金属株式会社 | 射线检测仪、其制造方法和射线ct装置 |
WO2006114715A2 (en) * | 2005-04-26 | 2006-11-02 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Detector array for spectral ct |
CN101248371A (zh) * | 2006-03-13 | 2008-08-20 | 日立金属株式会社 | 辐射探测器及其制造方法 |
CN101446644A (zh) * | 2007-11-28 | 2009-06-03 | 株式会社岛津制作所 | 放射线检测器 |
US20100264322A1 (en) * | 2007-12-21 | 2010-10-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Radiation-sensitive detector with a scintillator in a composite resin |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63113387A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-18 | Toshiba Corp | 放射線検出器 |
JPH0217489A (ja) * | 1988-07-06 | 1990-01-22 | Hitachi Medical Corp | 放射線検出器 |
JPH0519060A (ja) | 1991-07-10 | 1993-01-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | シンチレータの製造方法 |
JPH08233942A (ja) * | 1995-02-28 | 1996-09-13 | Shimadzu Corp | 放射線検出器アレイの製造方法 |
JP3104696B2 (ja) * | 1998-12-21 | 2000-10-30 | 日立金属株式会社 | 放射線検出器およびそれを用いた放射線ct装置 |
JP2001174564A (ja) | 1999-12-15 | 2001-06-29 | Ge Yokogawa Medical Systems Ltd | X線検出器およびx線ct装置 |
US6749761B1 (en) * | 2000-10-10 | 2004-06-15 | Cti Pet Systems, Inc. | Method for producing a high resolution detector array |
DE10054680B4 (de) * | 2000-11-03 | 2007-04-19 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines zweidimensionalen Detektorarrays zur Detektion elektromagnetischer Strahlung |
WO2006046163A1 (en) | 2004-10-29 | 2006-05-04 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Gos ceramic scintillating fiber optics x-ray imaging plate for use in medical df and rf imaging and in ct |
JP2006145431A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | 放射線検出器、放射線撮像装置、放射線ct装置及び放射線検出器の製造方法 |
WO2006114716A2 (en) | 2005-04-26 | 2006-11-02 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Double decker detector for spectral ct |
WO2007080535A2 (en) | 2006-01-16 | 2007-07-19 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Scintillation element, scintillation array and method for producing the same |
JP5443736B2 (ja) * | 2008-11-25 | 2014-03-19 | 株式会社東芝 | 放射線検出器、及びx線ct装置 |
WO2012004703A2 (en) * | 2010-07-06 | 2012-01-12 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | METHOD FOR PRODUCING A SCINTILLATOR ARRAY WITH SILVER (Ag) BASED SPACERS |
-
2013
- 2013-03-07 CN CN201380009495.8A patent/CN104115233B/zh active Active
- 2013-03-07 US US14/378,873 patent/US9899113B2/en active Active
- 2013-03-07 JP JP2014507605A patent/JP5854128B2/ja active Active
- 2013-03-07 DE DE112013001689.3T patent/DE112013001689B4/de active Active
- 2013-03-07 WO PCT/JP2013/056290 patent/WO2013146167A1/ja active Application Filing
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09211139A (ja) * | 1995-11-29 | 1997-08-15 | Hitachi Metals Ltd | 放射線検出器 |
US20010011709A1 (en) * | 1997-11-26 | 2001-08-09 | Robert J Riedner | Scintillator for a multi-slice computed tomograph system |
CN1447131A (zh) * | 2002-03-25 | 2003-10-08 | 日立金属株式会社 | 射线检测仪、其制造方法和射线ct装置 |
WO2006114715A2 (en) * | 2005-04-26 | 2006-11-02 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Detector array for spectral ct |
CN101248371A (zh) * | 2006-03-13 | 2008-08-20 | 日立金属株式会社 | 辐射探测器及其制造方法 |
CN101446644A (zh) * | 2007-11-28 | 2009-06-03 | 株式会社岛津制作所 | 放射线检测器 |
US20100264322A1 (en) * | 2007-12-21 | 2010-10-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Radiation-sensitive detector with a scintillator in a composite resin |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108350358A (zh) * | 2015-11-02 | 2018-07-31 | 株式会社东芝 | 闪烁器、闪烁器阵列、放射线检测器及放射线检查装置 |
CN108350358B (zh) * | 2015-11-02 | 2021-01-15 | 株式会社东芝 | 闪烁器、闪烁器阵列、放射线检测器及放射线检查装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2013146167A1 (ja) | 2013-10-03 |
DE112013001689T5 (de) | 2015-01-15 |
CN104115233B (zh) | 2016-09-21 |
US20150033541A1 (en) | 2015-02-05 |
DE112013001689B4 (de) | 2018-11-29 |
US9899113B2 (en) | 2018-02-20 |
JPWO2013146167A1 (ja) | 2015-12-10 |
JP5854128B2 (ja) | 2016-02-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |