CN104113810A - Mems麦克风及其制备方法与电子设备 - Google Patents
Mems麦克风及其制备方法与电子设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104113810A CN104113810A CN201410344849.0A CN201410344849A CN104113810A CN 104113810 A CN104113810 A CN 104113810A CN 201410344849 A CN201410344849 A CN 201410344849A CN 104113810 A CN104113810 A CN 104113810A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- backboard
- vibrating diaphragm
- electrode
- layer
- mems microphone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Micromachines (AREA)
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
Abstract
本发明提供一种MEMS麦克风及其制备方法以及应用所述MEMS麦克风的电子设备。所述MEMS麦克风包括电连接的MEMS芯片和ASIC芯片，所述MEMS芯片包括振膜、第一背板和第二背板，所述振膜设置在所述第一背板和所述第二背板之间，所述第一背板和所述第二背板分别包括多个声学通孔，所述振膜为不包括声学通孔的麦克风振膜，所述振膜与所述第一背板形成第一电容结构，所述振膜与所述第二背板形成第二电容结构，所述第一电容结构和所述第二电容结构以差分形式与ASIC芯片电性连接。本发明的所述MEMS麦克风及电子设备具备高信噪比和高声压性能，其制作方法流程简单，工艺成本低，易于批量化生产。
Description
技术领域
本发明涉及一种高信噪比和高声压的MEMS(Micro-Electro-Mechanic System，MEMS)麦克风，以及所述MEMS麦克风的制备方法及应用所述MEMS麦克风的电子设备。
背景技术
一种与本发明相关的麦克风，包括振膜和设置在振膜一侧的背板，振膜上设置有多个声学通孔。由于振膜只有在其一侧设置有背板，因此麦克风的整体灵敏度有限，不能满足高灵敏度要求。还有，由于振膜上设置有声学通孔，使得麦克风不能满足高声压特性。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是麦克风不能满足高灵敏度和高升压要求。
为了解决上述技术问题，本发明实施例公开了一种MEMS麦克风，所述MEMS麦克风包括MEMS芯片和ASIC芯片，所述MEMS芯片和ASIC芯片电连接，所述MEMS芯片包括振膜、第一背板和第二背板，所述振膜设置在所述第一背板和所述第二背板之间，所述第一背板和所述第二背板分别包括多个声学通孔，所述振膜为不包括声学通孔的麦克风振膜，所述振膜与所述第一背板形成第一电容结构，所述振膜与所述第二背板形成第二电容结构，所述第一电容结构和所述第二电容结构以差分形式与ASIC芯片电性连接。
在本发明的一较佳实施例中，所述第一背板包括第一电极，所述第二背板包括第二电极，所述振膜包括第三电极，所述ASIC芯片包括差分电路模块，所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极分别与所述ASIC芯片的差分电路模块的输入端电性连接。
在本发明的一较佳实施例中，所述第一背板和所述振膜之间设置有第一结构层，所述第二背板和所述振膜之间设置有第二结构层。
在本发明的一较佳实施例中，还包括基座，所述基座位于所述第一背板下方，并与所述第一背板形成所述MEMS麦克风的背腔，所述基座与所述第一背板之间设置有第三结构层。
在本发明的一较佳实施例中，所述第一结构层、所述第二结构层和所述第三结构层为半导体绝缘材料，所述第一背板、所述第二背板和所述振膜为多晶硅掺杂导电材料或单晶硅掺杂导电材料，所述基座为硅材料。
在本发明的一较佳实施例中，还包括位于所述第一背板与所述振膜之间的防粘层。
本发明还实施例公开了一种电子设备，所述电子设备包括MEMS麦克风，所述MEMS麦克风包括MEMS芯片和ASIC芯片，所述MEMS芯片和ASIC芯片电连接，所述MEMS芯片包括振膜、第一背板和第二背板，所述振膜设置在所述第一背板和所述第二背板之间，所述第一背板和所述第二背板分别包括多个声学通孔，所述振膜为不包括声学通孔的麦克风振膜，所述振膜与所述第一背板形成第一电容结构，所述振膜与所述第二背板形成第二电容结构，所述第一电容结构和所述第二电容结构以差分形式与ASIC芯片电性连接。
本发明还实施例公开了一种MEMS麦克风的制备方法，所述制备方法包括步骤：
步骤S1，制作第一背板结构，包括：
步骤S11，提供第一基座，其包括第一半导体衬底、第一绝缘层和第一背板层，所述第一绝缘层和所述第一背板层依序设置在所述第一半导体衬底表面，从而形成具有SOI结构的第一基座；
步骤S12，在所述第一背板层表面制作背板绝缘层，并在所述第一半导体衬底底面制作绝缘保护层；
步骤S13，在所述背板绝缘层边缘处刻蚀出第一电极凹槽，在所述背板绝缘层和所述第一背板层的中间主体区域刻蚀出多个声学通孔，所述第一背板层的中间主体区域作为第一背板，所述背板绝缘层在所述中间主体区域由于所述多个声学通孔的分割作用形成多个防粘突起作为防粘层；
步骤S2，制作第二背板结构，包括：
步骤S21，提供第二基座，其包括第二半导体衬底、第二绝缘层和第二背板层，所述第二绝缘层和所述第二背板层依序设置在所述第二半导体衬底表面，从而形成具有SOI结构的第二基座；
步骤S22，在所述第二背板层表面沉积牺牲氧化层；
步骤S23，在所述牺牲氧化层表面通过LPCVD沉积多晶硅振膜层；
步骤S24，在所述多晶硅振膜层表面再沉积氧化硅层；
步骤S25，将所述氧化硅层刻蚀形成振膜窗口，并将靠近边缘处的氧化硅层和多晶硅振膜层刻蚀形成第二电极凹槽；
步骤S3，将所述第一背板结构和所述第二背板结构进行健合，形成第一声腔，且所述声学通孔和所述第一声腔相连通；
步骤S4，对所述第二背板结构进行晶圆减薄直至露出第二绝缘层；
步骤S5，对所述第一背板结构晶圆进行刻蚀，形成背腔；
步骤S6，对所述第二背板结构晶圆进行刻蚀，在所述第二绝缘层和所述第二背板层的中间主体区域刻蚀出多个声学通孔，所述第二背板层的中间主体区域作为第二背板；
步骤S7，对所述牺牲氧化层的中间主体区域进行刻蚀进行刻蚀，并将所述第二绝缘层剩余部分全部刻蚀掉形成第二声腔；
步骤S8，继续对所述第二背板结构进行刻蚀，形成第一电极导通孔和第三电极导通孔；
步骤S9，对第一电极导通孔和第三电极导通孔进行金属化，在特定区域表面金属化处理形成金属焊盘，以分别作为第一电极、第二电极和第三电极本发明的所述MEMS麦克风及电子设备具备高信噪比和高声压性能，其制作方法流程简单，工艺成本低，易于批量化生产。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：
图1是本发明MEMS麦克风一较佳实施例的立体结构示意图。
图2是图1所示MEMS麦克风的截面示意图。
图3是图2所示MEMS麦克风的剖视示意图。
图4是图1所示MEMS麦克风的引出电极示意图。
图5是本发明MEMS麦克风的制备方法中准备第一基座的示意图。
图6是本发明MEMS麦克风的制备方法中制作热氧化层的示意图。
图7是本发明MEMS麦克风的制备方法中刻蚀第一背板结构的示意图。
图8是本发明MEMS麦克风的制备方法中刻蚀防粘层及第一电极导通孔的示意图。
图9是本发明MEMS麦克风的制备方法中准备第二基座的示意图。
图10是本发明MEMS麦克风的制备方法中沉积牺牲氧化层的示意图。
图11是本发明MEMS麦克风的制备方法中沉积多晶硅振膜的示意图。
图12是本发明MEMS麦克风的制备方法中沉积氧化硅层的示意图。
图13是本发明MEMS麦克风的制备方法中振膜窗口刻蚀及第一电极导通孔刻蚀的示意图。
图14是本发明MEMS麦克风的制备方法中将第一背板结构晶圆和第二背板结构晶圆健合形成第一声腔的示意图。
图15是本发明MEMS麦克风的制备方法中将第二背板结构晶圆减薄至露出氧化层的示意图。
图16是本发明MEMS麦克风的制备方法中背腔刻蚀的示意图。
图17是本发明MEMS麦克风的制备方法中第二背板结构刻蚀的示意图。
图18是本发明MEMS麦克风的制备方法中刻蚀牺牲氧化层的示意图。
图19是本发明MEMS麦克风的制备方法中刻蚀第一电极导通孔和第三电极导通孔的示意图。
图20是本发明MEMS麦克风的制备方法中金属化形成第一电极、第二电极和第三电极的示意图。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
请一并参阅图1至图4，本发明实施例公开了一种MEMS麦克风，其包括MEMS芯片和ASIC芯片(图未示)，所述MEMS芯片和ASIC芯片电连接。所述MEMS芯片包括振膜1、第一背板2和第二背板3。所述振膜1设置在所述第一背板2和所述第二背板3之间，所述第一背板2与所述振膜1间形成所述MEMS麦克风的第一声腔4。所述第二背板3与所述振膜1间形成所述MEMS麦克风的第二声腔5，所述振膜1与所述第一背板2形成第一电容结构，所述振膜1与所述第二背板3形成第二电容结构，所述第一电容结构和所述第二电容结构以差分形式与ASIC芯片电性连接。所述第一背板2和所述第二背板3分别包括多个声学通孔14。其中，所述振膜1为不包括声学通孔14的麦克风振膜，其可以使得所述MEMS麦克风具有高声压性能。
其中，所述第一背板2包括第一电极10，所述第二背板3包括第二电极11，所述振膜1包括第三电极12，所述ASIC芯片包括差分电路模块，所述第一电极10、所述第二电极11和所述第三电极12分别与所述ASIC芯片的差分电路模块的输入端电性连接。由于所述MEMS麦克风在振膜1的相对两侧分别设置有所述第一背板2和所述第二背板3，并与所述ASIC芯片配合，因此所述MEMS麦克风可以提升其整体灵敏度，从而实现高信噪比要求。
进一步的，所述MEMS还包括基座13、第一结构层8、第二结构层9、第三结构层7和防粘层16。所述基座13位于所述第一背板2下方，并与所述第一背板2形成所述MEMS麦克风的背腔6，所述第一结构层8位于所述第一背板2和所述振膜1之间，所述第二结构层9位于所述第二背板3和所述振膜1之间，所述第三结构层7位于所述基座13与所述第一背板2之间，所述防粘层16位于所述第一背板2与所述振膜1之间，其具体设置在所述第一背板2相邻所述振膜1的表面上。其中，所述第一结构层8、所述第二结构层9和所述第三结构层7可以为半导体绝缘材料，所述第一背板2、所述第二背板3和所述振膜1可以为多晶硅掺杂导电材料或单晶硅掺杂导电材料，所述基座13可以为硅材料。
再进一步的，所述第一背板2及所述第一声腔4可以采用邦定(Bonding)工艺制作，所述第二背板3及所述第二声腔5可以采用低压力化学气相沉积法(LPCVD，Low Pressure Chemical Vapor Deposition)及刻蚀工艺制作。
请参阅图5至图16，本发明还公开了所述MEMS麦克风的制备方法，其包括以下步骤：
步骤S1，制作第一背板结构，具体包括：
步骤S11，提供第一基座，其包括第一半导体衬底210、第一绝缘层220和第一背板层230，如图5所示；其中，所述第一半导体衬底210可以为硅衬底，所述第一绝缘层220和所述第一背板层230分别为氧化层和掺杂导电材料的多晶硅层或者单晶硅层，且二者依序设置在所述第一半导体衬底210表面，从而形成具有SOI结构的第一基座。
步骤S12，在所述第一背板层230表面制作背板绝缘层240，并在所述第一半导体衬底210底面制作绝缘保护层270，如图6所示；其中，所述背板绝缘层240和所述绝缘保护层270可以均为氧化层。
步骤S13，在所述背板绝缘层240和所述第一背板层230的中间主体区域刻蚀出多个声学通孔14，且所述第一背板层230的中间主体区域作为第一背板，如图7所示，并在所述背板绝缘层240边缘处刻蚀出第一电极凹槽250，如图8所示；具体地，通过所述刻蚀处理，所述多个声学通孔14可以分布式地形成所述背板绝缘层240和所述第一背板层230的中间主体区域，其中所述声学通孔14穿透所述背板绝缘层240和所述第一背板层230；并且，所述背板绝缘层240在所述中间主体区域由于所述多个声学通孔14的分割作用形成多个防粘突起作为防粘层16，而所述第一背板层230位于所述中间主体区域的部分可以作为所述第一背板，所述第一背板被所述防粘层16覆盖，形成所述第一背板结构。
步骤S2，制作第二背板结构，具体包括：
步骤S21，提供第二基座，其包括第二半导体衬底310、第二绝缘层320和第二背板层330，如图9所示；其中，所述第二半导体衬底310可以为硅衬底，所述第二绝缘层320和所述第二背板层330分别为氧化层和掺杂导电材料的多晶硅层或者单晶硅层，且二者依序设置在所述第二半导体衬底310表面，从而形成具有SOI结构的第二基座。
步骤S22，在所述第二背板层330表面沉积牺牲氧化层340，如图10所示；
步骤S23，在所述牺牲氧化层340表面通过低压力化学气相沉积法沉积多晶硅振膜层350，如图11所示；
步骤S24，在所述多晶硅振膜层350表面再沉积氧化硅层360，如图12所示；
步骤S25，将所述氧化硅层360的中间主体区域刻蚀形成振膜窗口370，并将靠近边缘处的氧化硅层360和多晶硅振膜层350刻蚀形成第二电极凹槽380，如图13所示；
步骤S3，将所述第一背板结构和所述第二背板结构进行健合，形成第一声腔4，且所述声学通孔14和所述第一声腔4相连通，如图14所示，具体包括以下子步骤：
S31，将所述第一背板结构进行翻转，翻转之后所述第一声腔4开口朝上；
S32，将所述第一背板结构与所述第二背板结构对准，以使得所述第一背板层230与所述多晶硅振膜层350相对；
具体地，所述翻转之后的第一背板结构可以被移动到所述第二背板结构上方，并通过对准工艺，使得所述第一背板层230被所述多晶硅振膜层350覆盖，并且所述第一声腔4恰好位于所述多晶硅振膜层350与所述第一背板层230之间，并与所述声学通孔14相连通；
S33，通过键合工艺将所述氧化硅层360键合到所述背板绝缘层240；
键合之后所述氧化硅层360与所述背板绝缘层240合成为一体，由此使得所述第二背板结构与所述第一背板结构被合成为一个MEMS麦克风过程组件。
步骤S4，对所述第二背板结构进行晶圆减薄直至露出第二绝缘层320，如图15所示；
步骤S5，对所述第一背板结构晶圆进行刻蚀，形成背腔6，如图16所示；
首先，通过刻蚀工艺将所述绝缘保护层270和所述第二半导体衬底210的中间主体区域刻蚀；
其次，通过刻蚀工艺在所述第一背板结构的中间主体区域(即与所述所述多晶硅振膜层350相对应的区域)刻蚀出背腔6，所述背腔6可以穿透所述第一半导体衬底210和所述第一绝缘层220，并延伸到所述多晶硅振膜层350。
步骤S6，对所述第二背板结构晶圆进行刻蚀，在所述第二绝缘层320和所述第二背板层330的中间主体区域刻蚀出多个声学通孔14，且所述第二背板层330的中间主体区域作为第二背板，如图17所示；
步骤S7，对所述牺牲氧化层340的中间主体区域进行刻蚀，并将所述第二绝缘层320剩余部分全部刻蚀掉，形成第二声腔5，如图18所示；
步骤S8，继续对所述第二背板结构进行刻蚀，形成第一电极导通孔390和第三电极导通孔392，如图19所示；
其中，所述第一电极导通孔390位于所述第一背板结构的一侧，刻蚀所述第二背板层330、所述牺牲氧化层340并与所述第一电极凹槽250和第二电极凹槽380相通形成所述第一电极导通孔390；所述第三电极导通孔392位于所述多晶硅振膜层350的一侧，所述第三电极导通孔392穿透所述第二背板层330和所述牺牲氧化层340。
步骤S9，对第一电极导通孔390和第三电极导通孔392进行金属化，在特定区域表面金属化处理形成金属焊盘，以分别作为第一电极10、第二电极11和第三电极12，如图20所示。
本发明的所述MEMS麦克风具备高信噪比和高声压性能，其制作方法流程简单，工艺成本低，易于批量化生产。
本发明还公开了一种电子设备(图未示)，其包括所述MEMS麦克风，所述MEMS麦克风的描述在此不再赘述。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (8)
1.一种MEMS麦克风，其包括MEMS芯片和ASIC芯片，所述MEMS芯片和ASIC芯片电连接，其特征在于，所述MEMS芯片包括振膜、第一背板和第二背板，所述振膜设置在所述第一背板和所述第二背板之间，所述第一背板和所述第二背板分别包括多个声学通孔，所述振膜为不包括声学通孔的麦克风振膜，所述振膜与所述第一背板形成第一电容结构，所述振膜与所述第二背板形成第二电容结构，所述第一电容结构和所述第二电容结构以差分形式与ASIC芯片电性连接。
2.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述第一背板包括第一电极，所述第二背板包括第二电极，所述振膜包括第三电极，所述ASIC芯片包括差分电路模块，所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极分别与所述ASIC芯片的差分电路模块的输入端电性连接。
3.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述第一背板和所述振膜之间设置有第一结构层，所述第二背板和所述振膜之间设置有第二结构层。
4.根据权利要求3所述的MEMS麦克风，其特征在于，还包括基座，所述基座位于所述第一背板下方，并与所述第一背板形成所述MEMS麦克风的背腔，所述基座与所述第一背板之间设置有第三结构层。
5.根据权利要求4所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述第一结构层、所述第二结构层和所述第三结构层为半导体绝缘材料，所述第一背板、所述第二背板和所述振膜为多晶硅掺杂导电材料或单晶硅掺杂导电材料，所述基座为硅材料。
6.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，还包括位于所述第一背板与所述振膜之间的防粘层。
7.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1至6任一所述的MEMS麦克风。
8.一种MEMS麦克风的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1，制作第一背板结构，包括：
步骤S11，提供第一基座，其包括第一半导体衬底、第一绝缘层和第一背板层，所述第一绝缘层和所述第一背板层依序设置在所述第一半导体衬底表面，从而形成具有SOI结构的第一基座；
步骤S12，在所述第一背板层表面制作背板绝缘层，并在所述第一半导体衬底底面制作绝缘保护层；
步骤S13，在所述背板绝缘层边缘处刻蚀出第一电极凹槽，在所述背板绝缘层和所述第一背板层的中间主体区域刻蚀出多个声学通孔，所述第一背板层的中间主体区域作为第一背板，所述背板绝缘层在所述中间主体区域由于所述多个声学通孔的分割作用形成多个防粘突起作为防粘层；
步骤S2，制作第二背板结构，包括：
步骤S21，提供第二基座，其包括第二半导体衬底、第二绝缘层和第二背板层，所述第二绝缘层和所述第二背板层依序设置在所述第二半导体衬底表面，从而形成具有SOI结构的第二基座；
步骤S22，在所述第二背板层表面沉积牺牲氧化层；
步骤S23，在所述牺牲氧化层表面通过LPCVD沉积多晶硅振膜层；
步骤S24，在所述多晶硅振膜层表面再沉积氧化硅层；
步骤S25，将所述氧化硅层刻蚀形成振膜窗口，并将靠近边缘处的氧化硅层和多晶硅振膜层刻蚀形成第二电极凹槽；
步骤S3，将所述第一背板结构和所述第二背板结构进行健合，形成第一声腔，且所述声学通孔和所述第一声腔相连通；
步骤S4，对所述第二背板结构进行晶圆减薄直至露出第二绝缘层；
步骤S5，对所述第一背板结构晶圆进行刻蚀，形成背腔；
步骤S6，对所述第二背板结构晶圆进行刻蚀，在所述第二绝缘层和所述第二背板层的中间主体区域刻蚀出多个声学通孔，所述第二背板层的中间主体区域作为第二背板；
步骤S7，对所述牺牲氧化层的中间主体区域进行刻蚀进行刻蚀，并将所述第二绝缘层剩余部分全部刻蚀掉形成第二声腔；
步骤S8，继续对所述第二背板结构进行刻蚀，形成第一电极导通孔和第三电极导通孔；
步骤S9，对第一电极导通孔和第三电极导通孔进行金属化，在特定区域表面金属化处理形成金属焊盘，以分别作为第一电极、第二电极和第三电极。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410344849.0A CN104113810A (zh) | 2014-07-18 | 2014-07-18 | Mems麦克风及其制备方法与电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410344849.0A CN104113810A (zh) | 2014-07-18 | 2014-07-18 | Mems麦克风及其制备方法与电子设备 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104113810A true CN104113810A (zh) | 2014-10-22 |
Family
ID=51710418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410344849.0A Pending CN104113810A (zh) | 2014-07-18 | 2014-07-18 | Mems麦克风及其制备方法与电子设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104113810A (zh) |
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104754480A (zh) * | 2015-02-09 | 2015-07-01 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 微型机电系统麦克风及其制造方法 |
| CN105050013A (zh) * | 2015-07-28 | 2015-11-11 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 一种mems麦克风及该mems麦克风的工作控制方法 |
| CN105392089A (zh) * | 2015-12-03 | 2016-03-09 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 复合层结构及其制造方法 |
| CN105731359A (zh) * | 2014-12-26 | 2016-07-06 | 株式会社东芝 | 传感器及其制造方法 |
| WO2016192358A1 (zh) * | 2015-05-29 | 2016-12-08 | 歌尔声学股份有限公司 | 一种差分电容式mems麦克风 |
| WO2016192359A1 (zh) * | 2015-05-29 | 2016-12-08 | 歌尔声学股份有限公司 | 一种mems麦克风元件及其制造方法 |
| CN106535071A (zh) * | 2016-11-21 | 2017-03-22 | 歌尔股份有限公司 | Mems麦克风与环境传感器的集成装置及其制造方法 |
| CN106961649A (zh) * | 2017-05-12 | 2017-07-18 | 佛山市合宏泰业科技有限公司 | 一种振动传感器 |
| CN107231595A (zh) * | 2016-03-24 | 2017-10-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种mems器件及其制备方法、电子装置 |
| CN107360526A (zh) * | 2016-05-09 | 2017-11-17 | 上海微联传感科技有限公司 | 硅麦克风及其制造方法 |
| CN107529120A (zh) * | 2016-06-20 | 2017-12-29 | 上海丽恒光微电子科技有限公司 | 麦克风传感器及其制备方法 |
| CN107615777A (zh) * | 2015-05-29 | 2018-01-19 | 怀斯迪斯匹有限公司 | 电容式传声器的系统和方法 |
| CN108313975A (zh) * | 2017-01-16 | 2018-07-24 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体装置及其制造方法 |
| CN108540910A (zh) * | 2017-03-06 | 2018-09-14 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 麦克风及其制作方法 |
| CN108882132A (zh) * | 2017-05-11 | 2018-11-23 | 现代自动车株式会社 | 麦克风及其制造方法 |
| CN110636417A (zh) * | 2018-06-25 | 2019-12-31 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 麦克风及制造麦克风的方法 |
| CN110839199A (zh) * | 2018-08-19 | 2020-02-25 | 知微电子有限公司 | 制作空气脉冲产生元件的方法 |
| WO2020140572A1 (zh) * | 2018-12-31 | 2020-07-09 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | Mems麦克风制造方法 |
| CN111491244A (zh) * | 2020-03-16 | 2020-08-04 | 歌尔微电子有限公司 | 一种mems麦克风的加工方法和mems麦克风 |
| CN111825053A (zh) * | 2020-07-03 | 2020-10-27 | 瑞声科技（南京）有限公司 | 电容系统及其制备方法 |
| CN112672262A (zh) * | 2021-03-16 | 2021-04-16 | 山东新港电子科技有限公司 | 一种双背板结构的mems芯片及其制作方法、mems麦克风 |
| CN113348145A (zh) * | 2019-05-31 | 2021-09-03 | 共达电声股份有限公司 | Mems设备及其制备方法、电子设备 |
| CN113784265A (zh) * | 2020-06-09 | 2021-12-10 | 通用微(深圳)科技有限公司 | 硅基麦克风装置及电子设备 |
| CN114501274A (zh) * | 2022-01-29 | 2022-05-13 | 华润微电子控股有限公司 | 电容式mems麦克风及其制造方法 |
| CN114866936A (zh) * | 2021-01-20 | 2022-08-05 | 无锡华润上华科技有限公司 | 差分电容式mems麦克风及其制造方法 |
| WO2023185445A1 (zh) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | 无锡华润上华科技有限公司 | 差分电容式mems麦克风及其制造方法 |
| WO2023216686A1 (zh) * | 2022-05-10 | 2023-11-16 | 迈感微电子(上海)有限公司 | 双振膜mems麦克风及其制造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5452268A (en) * | 1994-08-12 | 1995-09-19 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Acoustic transducer with improved low frequency response |
| CN1993000A (zh) * | 2005-12-30 | 2007-07-04 | 财团法人工业技术研究院 | 电声致动器及其制法 |
| CN103281659A (zh) * | 2013-05-03 | 2013-09-04 | 歌尔声学股份有限公司 | Mems麦克风及其制作方法 |
| CN203279172U (zh) * | 2013-05-03 | 2013-11-06 | 歌尔声学股份有限公司 | Mems麦克风 |
| CN103561376A (zh) * | 2013-10-15 | 2014-02-05 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | Mems麦克风及其制造方法 |
-
2014
- 2014-07-18 CN CN201410344849.0A patent/CN104113810A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5452268A (en) * | 1994-08-12 | 1995-09-19 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Acoustic transducer with improved low frequency response |
| CN1993000A (zh) * | 2005-12-30 | 2007-07-04 | 财团法人工业技术研究院 | 电声致动器及其制法 |
| CN103281659A (zh) * | 2013-05-03 | 2013-09-04 | 歌尔声学股份有限公司 | Mems麦克风及其制作方法 |
| CN203279172U (zh) * | 2013-05-03 | 2013-11-06 | 歌尔声学股份有限公司 | Mems麦克风 |
| CN103561376A (zh) * | 2013-10-15 | 2014-02-05 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | Mems麦克风及其制造方法 |
Cited By (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9921238B2 (en) | 2014-12-26 | 2018-03-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sensor and its manufacturing method |
| CN105731359A (zh) * | 2014-12-26 | 2016-07-06 | 株式会社东芝 | 传感器及其制造方法 |
| CN104754480B (zh) * | 2015-02-09 | 2018-09-11 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 微型机电系统麦克风及其制造方法 |
| CN104754480A (zh) * | 2015-02-09 | 2015-07-01 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 微型机电系统麦克风及其制造方法 |
| WO2016192358A1 (zh) * | 2015-05-29 | 2016-12-08 | 歌尔声学股份有限公司 | 一种差分电容式mems麦克风 |
| WO2016192359A1 (zh) * | 2015-05-29 | 2016-12-08 | 歌尔声学股份有限公司 | 一种mems麦克风元件及其制造方法 |
| CN107615777A (zh) * | 2015-05-29 | 2018-01-19 | 怀斯迪斯匹有限公司 | 电容式传声器的系统和方法 |
| CN105050013B (zh) * | 2015-07-28 | 2019-03-05 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 一种mems麦克风及该mems麦克风的工作控制方法 |
| CN105050013A (zh) * | 2015-07-28 | 2015-11-11 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 一种mems麦克风及该mems麦克风的工作控制方法 |
| CN105392089A (zh) * | 2015-12-03 | 2016-03-09 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 复合层结构及其制造方法 |
| CN107231595A (zh) * | 2016-03-24 | 2017-10-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种mems器件及其制备方法、电子装置 |
| CN107360526A (zh) * | 2016-05-09 | 2017-11-17 | 上海微联传感科技有限公司 | 硅麦克风及其制造方法 |
| CN107529120A (zh) * | 2016-06-20 | 2017-12-29 | 上海丽恒光微电子科技有限公司 | 麦克风传感器及其制备方法 |
| CN107529120B (zh) * | 2016-06-20 | 2019-10-25 | 上海丽恒光微电子科技有限公司 | 麦克风传感器及其制备方法 |
| CN106535071A (zh) * | 2016-11-21 | 2017-03-22 | 歌尔股份有限公司 | Mems麦克风与环境传感器的集成装置及其制造方法 |
| CN106535071B (zh) * | 2016-11-21 | 2023-03-21 | 歌尔微电子有限公司 | Mems麦克风与环境传感器的集成装置及其制造方法 |
| CN108313975B (zh) * | 2017-01-16 | 2019-12-13 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体装置及其制造方法 |
| CN108313975A (zh) * | 2017-01-16 | 2018-07-24 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体装置及其制造方法 |
| US10689246B2 (en) | 2017-01-16 | 2020-06-23 | Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | Low contact resistance semiconductor structure and method for manufacturing the same |
| US10815120B2 (en) | 2017-01-16 | 2020-10-27 | Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | Method for manufacturing low contact resistance semiconductor structure |
| CN108540910A (zh) * | 2017-03-06 | 2018-09-14 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 麦克风及其制作方法 |
| CN108882132A (zh) * | 2017-05-11 | 2018-11-23 | 现代自动车株式会社 | 麦克风及其制造方法 |
| CN106961649B (zh) * | 2017-05-12 | 2019-08-09 | 佛山市合宏泰业科技有限公司 | 一种振动传感器 |
| CN106961649A (zh) * | 2017-05-12 | 2017-07-18 | 佛山市合宏泰业科技有限公司 | 一种振动传感器 |
| CN110636417A (zh) * | 2018-06-25 | 2019-12-31 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 麦克风及制造麦克风的方法 |
| CN110636417B (zh) * | 2018-06-25 | 2024-06-07 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 麦克风及制造麦克风的方法 |
| CN110839199A (zh) * | 2018-08-19 | 2020-02-25 | 知微电子有限公司 | 制作空气脉冲产生元件的方法 |
| CN110839199B (zh) * | 2018-08-19 | 2021-12-17 | 知微电子有限公司 | 制作空气脉冲产生元件的方法 |
| WO2020140572A1 (zh) * | 2018-12-31 | 2020-07-09 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | Mems麦克风制造方法 |
| CN113348145A (zh) * | 2019-05-31 | 2021-09-03 | 共达电声股份有限公司 | Mems设备及其制备方法、电子设备 |
| WO2021184591A1 (zh) * | 2020-03-16 | 2021-09-23 | 歌尔微电子有限公司 | 一种mems麦克风的加工方法和mems麦克风 |
| CN111491244B (zh) * | 2020-03-16 | 2021-11-16 | 歌尔微电子有限公司 | 一种mems麦克风的加工方法和mems麦克风 |
| CN111491244A (zh) * | 2020-03-16 | 2020-08-04 | 歌尔微电子有限公司 | 一种mems麦克风的加工方法和mems麦克风 |
| CN113784265A (zh) * | 2020-06-09 | 2021-12-10 | 通用微(深圳)科技有限公司 | 硅基麦克风装置及电子设备 |
| WO2022000621A1 (zh) * | 2020-07-03 | 2022-01-06 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 电容系统及其制备方法 |
| CN111825053A (zh) * | 2020-07-03 | 2020-10-27 | 瑞声科技（南京）有限公司 | 电容系统及其制备方法 |
| CN111825053B (zh) * | 2020-07-03 | 2023-11-10 | 瑞声科技（南京）有限公司 | 电容系统及其制备方法 |
| CN114866936A (zh) * | 2021-01-20 | 2022-08-05 | 无锡华润上华科技有限公司 | 差分电容式mems麦克风及其制造方法 |
| CN112672262A (zh) * | 2021-03-16 | 2021-04-16 | 山东新港电子科技有限公司 | 一种双背板结构的mems芯片及其制作方法、mems麦克风 |
| CN114501274A (zh) * | 2022-01-29 | 2022-05-13 | 华润微电子控股有限公司 | 电容式mems麦克风及其制造方法 |
| WO2023185445A1 (zh) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | 无锡华润上华科技有限公司 | 差分电容式mems麦克风及其制造方法 |
| WO2023216686A1 (zh) * | 2022-05-10 | 2023-11-16 | 迈感微电子(上海)有限公司 | 双振膜mems麦克风及其制造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104113810A (zh) | Mems麦克风及其制备方法与电子设备 | |
| US9266716B2 (en) | MEMS acoustic transducer with silicon nitride backplate and silicon sacrificial layer | |
| US7888754B2 (en) | MEMS transducer | |
| JP4787648B2 (ja) | コンデンサマイクロホンの製造方法およびコンデンサマイクロホン | |
| TWI472235B (zh) | 矽麥克風封裝體 | |
| CN103561376B (zh) | Mems麦克风及其制造方法 | |
| US20150189444A1 (en) | MEMS Microphone | |
| CN105792084B (zh) | Mems麦克风及其制造方法 | |
| JP5460770B2 (ja) | マイクロ電気機械システムマイクおよびその製造方法 | |
| JP2008546240A (ja) | シリコンマイクロフォン | |
| CN103508408A (zh) | 混合集成部件及其制造方法 | |
| WO2014159552A1 (en) | Mems acoustic transducer with silicon nitride backplate and silicon sacrificial layer | |
| CN109511023B (zh) | 一种高灵敏度的压电麦克风及制作方法 | |
| US10125012B2 (en) | MEMS device | |
| US9633952B2 (en) | Substrate structure and method for manufacturing same | |
| CN112678764B (zh) | 一种mems芯片及其制作方法、mems麦克风 | |
| CN104378724A (zh) | 一种无背部大声学腔体的mems硅麦克风 | |
| CN108217581A (zh) | 一种mems压电传感器及其制作方法 | |
| CN104843630A (zh) | 传感器以及用于制造传感器的方法 | |
| JP4835082B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2005340961A (ja) | 音波受信装置 | |
| US9718673B2 (en) | Component which can be produced at wafer level and method of production | |
| JP4670699B2 (ja) | マイクロホンチップの実装方法、及びその方法で実装したマイクロホンチップ | |
| CN110773408A (zh) | 电容式微纳超声换能器及其制备方法 | |
| CN102413408A (zh) | 一种增加背腔空间的微机电麦克风芯片及其制作工艺 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20141022 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |