CN104103654A - 图像传感器以及成像装置 - Google Patents
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Abstract
本申请案涉及一种图像传感器以及成像装置。一种成像装置包含半导体衬底，所述半导体衬底具有用于响应于入射图像光积聚电荷的光敏元件。所述半导体衬底包含经定位以接收所述图像光的光接收表面。所述成像装置还包含负电荷层和电荷吸收层。所述负电荷层安置在所述半导体衬底的所述光接收表面附近，以沿着所述光接收表面在所述半导体衬底中的积聚区中引致电洞。所述电荷吸收层安置在所述负电荷层附近且经配置以保持或增加所述负电荷层中的负电荷的量。所述负电荷层安置于所述半导体衬底与所述电荷吸收层之间。
Description
技术领域
本发明大体上涉及图像传感器，且明确地说但非排他地，涉及背照式图像传感器。
背景技术
图像传感器广泛用于数字静态相机、蜂窝电话、安全相机中，以及用在医疗、汽车和其它应用中。互补金属氧化物半导体(“CMOS”)技术用以在硅衬底上制造较低成本的图像传感器。在大量图像传感器中，图像传感器通常包含数百、数千或甚至数百万个光传感器单元或像素。
背照式(“BSI”)技术通常用在图像传感器中增加图像光的量，所述图像光入射于图像传感器的像素中的光敏元件上。在使用BSI技术时，背侧积聚有助于生成电场，所述电场将光电子(由入射图像光产生)引导到图像传感器的前侧，在前侧处可以收集并测量所述光电子。没有半导体衬底背侧上的积聚，电子到背面的扩散可能会因为再结合而导致损失，这可能使图像传感器的敏感性降级。有利地，半导体衬底背侧上的积聚可以减少或阻止从半导体衬底与另一层(例如，二氧化硅绝缘层)的界面产生的“暗电流”。减少“暗电流”将会改善图像传感器的信噪比，重要的是，这改善了图像传感器的敏感性。假定半导体衬底背侧上的积聚是有益的，图像传感器产业寻求产生将会使图像传感器性能改善的背侧积聚。
发明内容
在一方面中，本发明提供一种图像传感器，其包括：半导体衬底，其包含用于响应于入射图像光积聚电荷的光敏元件，其中所述半导体衬底包含经定位以接收所述图像光的光接收表面；负电荷层，其安置在所述半导体衬底的所述光接收表面附近，以沿着所述光接收表面在所述半导体衬底中的积聚区中引致电洞；以及电荷吸收层，其安置在所述负电荷层附近，其中所述电荷吸收层经配置以保持或增加所述负电荷层中的负电荷的量，且其中所述负电荷层安置于所述半导体衬底与所述电荷吸收层之间。
在另一方面中，本发明提供一种成像装置，其包括：成像像素阵列；以及读出电路，其耦合到所述成像像素阵列以从所述阵列中的所述成像像素中的每一者读出图像数据，其中每一成像像素包含：半导体衬底，其包含用于响应于入射图像光积聚电荷的光敏元件，其中所述半导体衬底包含经定位以接收所述图像光的光接收表面；负电荷层，其安置在所述半导体衬底的所述光接收表面附近，以沿着所述光接收表面在所述半导体衬底中的积聚区中引致电洞；以及电荷吸收层，其安置在所述负电荷层附近，其中所述电荷吸收层经配置以保持或增加所述负电荷层中的负电荷的量，且其中所述负电荷层安置于所述半导体衬底与所述电荷吸收层之间。
附图说明
参考下图来描述本发明的非限制且非详尽实施例，其中除非另有指定，否则相同参考标号在各个视图中始终指代相同部分。
图1说明了根据本发明实施例的具有负电荷层和电荷吸收层的背照式图像传感器的像素的一个实例。
图2说明了根据本发明实施例的具有负电荷层和电荷吸收层的背照式图像传感器的像素的实例层。
图3展示了说明根据本发明实施例的像素中层的位置与电子在图2中的各层之间进行转移所需的能量之间的关系的图。
图4说明了根据本发明实施例的具有梯度负电荷层和电荷吸收层的背照式图像传感器的像素的实例层。
图5展示了说明根据本发明实施例的像素中层的位置与电子在图4中的各层之间进行转移所需的能量之间的关系的图。
图6说明了根据本发明实施例的具有负电荷层和电荷吸收层的背照式图像传感器的像素的实例层。
图7展示了说明根据本发明实施例的像素中层的位置与电子在图6中的各层之间进行转移所需的能量之间的关系的图。
图8说明了根据本发明实施例的具有负电荷层和电荷吸收层的背照式图像传感器的像素的实例层。
图9展示了说明根据本发明实施例的像素中层的位置与电子在图8中的各层之间进行转移所需的能量之间的关系的图。
图10说明了根据本发明实施例的具有负电荷层和电荷吸收层的背照式图像传感器的像素的实例层。
图11展示了说明根据本发明实施例的像素中层的位置与电子在图10中的各层之间进行转移所需的能量之间的关系的图。
图12为说明根据本发明实施例的成像系统的框图。
图13为说明根据本发明实施例的在成像阵列内的两个四晶体管(“4T”)像素的像素电路的电路图。
具体实施方式
本文描述了图像传感器和成像系统的实施例。在以下描述中，陈述众多特定细节以提供对实施例的彻底理解。然而，所属领域的技术人员将认识到，本文所述的技术可以在没有所述特定细节中的一者或一者以上的情况下或者用其它方法、组件、材料等进行实践。在其它情况下，不详细展示或描述熟知的结构、材料或操作，以免掩盖了某些方面。
贯穿本说明书对“一个实施例”或“一实施例”的提及表示结合所述实施例描述的特定特征、结构或特性包含在本发明的至少一个实施例中。因此，短语“在一个实施例中”或“在一实施例中”在本说明书全文各处的出现未必全都指代同一实施例。此外，所述特定特征、结构或特性可以用任何合适的方式组合在一个或一个以上实施例中。
图1说明了根据本发明实施例的具有负电荷层127的背照式(“BSI”)图像传感器的像素100。像素100包含微透镜113、彩色滤光片117、抗反射元件120、绝缘层130、半导体衬底140以及金属层150。抗反射元件120包含电荷吸收层123和负电荷层127。
负电荷层127保留负的固定电荷且带负电。电荷吸收层123用以从负电荷层127吸收正电荷。从负电荷层127吸收正电荷增加或保留了负电荷层127的负电荷。为了从负电荷层127“吸收”正电荷，电荷吸收层123可为带正电的(即，它保留正的固定电荷)。在一些情况下，电荷吸收层可实际上将电子供应给负电荷层。
如将更详细地阐释，负电荷层127安置在半导体衬底140附近以在半导体衬底的积聚区中引致电洞。电荷吸收层123将负电荷层127中的负电荷保持在位，这又使负电荷层127能够以可接受的电洞密度将积聚区中的电洞保持在位。
电荷吸收层123与负电荷层127的组合被称作抗反射元件120，因为层123和127的厚度经定尺寸以为大体上抗反射的，使得图像光105能行进到光敏元件145而不会在层123与127的界面处被反射。可基于每一层的折射率，同时还考虑图像光105的波长，来对层123和127的厚度定尺寸。在彩色滤光片117与绝缘层130之间存在比图1所示更多的层的实施例中，在为了抗反射而对电荷吸收层123和负电荷层127的厚度定尺寸时将要考虑额外的事项。
半导体衬底140包含用于响应于入射图像光105而积聚电荷的光敏元件145。金属层150可包含经配置以便于像素100读出的金属互连。举例来说，金属层150可包含用于将光敏元件145中的电子(由图像光105中的光子产生)转移到浮动扩散区的转移栅极(未图示)的电极。所述浮动扩散区(未图示)还可位于半导体衬底140中。
在所说明的实施例中，图像光105沿着一光路传播，按照先后顺序遇到微透镜113、彩色滤光片117、电荷吸收层123、负电荷层127、绝缘层130以及半导体衬底145。在其它实施例中，可对所述层中的一些进行重新布置或者添加或删减了某些层。在一些实施例中，可能不包含彩色滤光片117。当图像光105沿着所述光路遇到微透镜113时，微透镜113使图像光聚焦或聚集(为了光学效率)以将图像光105引导到光敏元件145。在积分周期(也称作曝光或积聚周期)期间，图像光105入射于光敏元件145上，且光敏元件145响应于入射光而产生电信号(光生电荷)。所述电信号保持于光敏元件145中。在此阶段，转移栅极(未图示)可被切断。当积分周期过去时，转移栅极可接通，并且允许来自光敏元件145的电子转移到浮动扩散区中，所述电子稍后将由图像传感器的读出电路读出。
图2到11说明了可安置在微透镜113与金属层150之间的层的实例。所属领域的技术人员将理解，未展示于图2到11中的额外层也可包含在微透镜113与金属层150之间。举例来说，可包含额外的光学层(例如，红外滤光片)和／或氧化物和金属栅格层。
图2说明了根据本发明实施例的具有负电荷层的BSI图像传感器的像素的实例层。半导体衬底140包含光接收表面241。在所说明的实施例中，光接收表面241处在半导体140的背侧上，因为所说明的层是用于BSI图像传感器。换句话说，光接收表面241在半导体衬底140的前侧表面242之前接收图像光105，所述前侧表面242是与图2中的光接收表面241相对的表面。
在图2中，负电荷层227由铪铝氧化物(HfAlxOy)制成。在一些实例中，在负电荷层中可能存在少量的其它元素，但在那些实例中，负电荷层仍主要是铪铝氧化物。铪铝氧化物生来就是带负电的物质。如图2所示，绝缘层130(其可为二氧化硅)在负电荷层227与半导体衬底140之间提供了一薄层。然而，由于铪铝氧化物生来就是带负电的物质，因此其与衬底140的接近(沿着光接收表面241安置)会引致在光接收表面241附近在积聚区243中形成电洞。电荷吸收层223可由氧化钽(例如，Ta2O5)制成，氧化钽生来就是带正电的物质，其将负电荷层227中的负电荷保持在位，这又可将积聚区243中的电洞保持在位。积聚区243中积聚的电洞减少了可能是由于半导体衬底140与绝缘层130之间的界面而产生的暗电流变成光敏元件145所产生的图像信号的部分。因此，BSI图像传感器的性能得到增强。
在常规BSI图像传感器中，各种两元素金属氧化物已用作半导体衬底附近的负电荷层。举例来说，氧化铪(HfO2)、氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化钽(Ta2O5)以及氧化铝(Al2O3)已经用作负电荷层。然而，申请人建议使用铪铝氧化物作为负电荷层。申请人的实验和数据分析表明，铪铝氧化物的性质提供了相比于常规负电荷层得到改善的性能。出乎意料地，实验表明，铪铝氧化物提供比负电荷层中所用的常规金属氧化物更稳定(随时间过去)的负的固定电荷。另外，申请人的数据显示，铪铝氧化物在积聚区243中引致较高密度的电洞，这样会比常规负电荷层更有效地减少暗电流。铪铝氧化物的此电洞引致性质可得自铪铝氧化物能保留且保持比常规负电荷层更多的负电荷的能力，假定厚度相同。此外，由于负电荷层的光学性质对于配置抗反射元件220来说也是重要的，因此能够在积聚区243中引致较高电洞密度可允许负电荷层227具有比常规解决方案小的厚度。
图3展示了说明根据本发明实施例的像素中层的位置与电子在图2中的各层之间进行转移所需的能量之间的关系的图。图3展示氧化硅层安置在硅层与铪铝氧化物层之间。并且，铪铝氧化物安置在氧化硅层与氮化钽层之间。所说明的硅层为衬底层的实例，氧化硅层为绝缘体层的实例，铪铝氧化物层为负电荷层的实例，且氮化钽层为电荷吸收层的实例。
图4说明了根据本发明实施例的具有梯度负电荷层的背照式图像传感器的像素的实例层。图4中所说明的实施例不同于图2中所说明的实施例，因为负电荷层427在铪铝氧化物中具有铝的梯度分布。更具体地说，负电荷层427的顶侧(最接近于电荷吸收层223)附近的铝分布多于负电荷层427的底侧(最接近于绝缘层130)附近的铝分布。相比之下，图2中所说明的负电荷层227在铪铝氧化物中具有大体上均匀的铝分布。
图5展示了说明根据本发明实施例的像素中层的位置与电子在图4中的各层之间进行转移所需的能量之间的关系的图。图5的图与图3的图不同之处在于随着位置越接近硅层，铪铝氧化物层渐缩。这表明，随着负电荷层427所保留的带负电的载流子越接近电荷吸收层(例如Ta2O5)，它将需要较大量的能量来转移到电荷吸收层。这是因为随着越接近电荷吸收层铪铝氧化物层中的铝越富集，且增加的铝含量对带负电的载流子提供更好的阻隔，所述带负电的载流子可能与电荷吸收层(说明为Ta2O5)中的带正电的载流子结合。因此，具有梯度带负电层可以减少带负电层与带正电层之间的再结合相互作用的量。因此，带负电层将能够更好地保留其负电荷以便在积聚区243中引致电洞。
为了制造图4和5中所说明的梯度负电荷层，可使用原子层沉积(“ALD”)工艺来铺设铪铝氧化物的子层。在绝缘层130形成之后，可使用ALD在绝缘层130上沉积铪铝氧化物的一个或一个以上初始子层。所述初始子层将形成具有第一铝浓度／分布的铪铝氧化物。随后沉积的铪铝氧化物子层将具有比初始子层高的铝浓度／分布，这样便形成了铝的梯度分布。铪铝氧化物层中铝分布的梯度可以是渐进的(如图5中的HfAlO的平滑锥形所说明)或者可以为更陡峭或阶梯状的。当然，为了制造图2和3中所说明的负电荷层，铪铝氧化物中的铝浓度／分布可以大体上相同，因为每一子层都是使用ALD形成。
图6说明了根据本发明实施例的具有负电荷层和电荷吸收层的背照式图像传感器的像素的实例层。在图6中，第一电荷阻挡势垒层633沉积于绝缘体130与负电荷层627之间，且第二电荷阻挡层634沉积于电荷吸收层223与负电荷层627之间。电荷阻挡势垒层633和634可由氧化铝(Al2O3)制成。在一个实施例中，电荷阻挡势垒层633和634中的一者或一者以上是由具有增加的铝浓度的铪铝氧化物制成。电荷阻挡势垒633和634阻挡层223、627和衬底140之间的电子迁移，这有助于维持所述层的所要电荷。在图6中，负电荷层627被说明为包含HfO2，但在一些实施例中，负电荷层627可由具有减小的铝浓度的铪铝氧化物制成。
图7展示了说明根据本发明实施例的像素中层的位置与电子在图6中的各层之间进行转移所需的能量之间的关系的图。图7从左到右展示的层为硅层(衬底)、氧化硅层(绝缘层)、氧化铝(电荷阻挡势垒)、氧化铪层(负电荷层的实例)、氧化铝(电荷阻挡势垒)以及氧化钽层(电荷吸收层的实例)。
图8说明了根据本发明实施例的具有负电荷层和电荷吸收层的背照式图像传感器的像素的实例层。在图8中，电荷阻挡势垒层634沉积于电荷吸收层223与负电荷层627之间。电荷阻挡势垒层634可由氧化铝(Al2O3)制成。在一个实施例中，电荷阻挡势垒层634由具有高铝浓度的铪铝氧化物制成。电荷阻挡势垒634阻挡层223和627之间的电子迁移，这有助于维持所述层的所要电荷。在图8中，负电荷层627被说明为包含HfO2，但在一些实施例中，负电荷层627可由具有低铝浓度的铪铝氧化物制成。
图9展示了说明根据本发明实施例的像素中层的位置与电子在图8中的各层之间进行转移所需的能量之间的关系的图。图9从左到右展示的层为硅层(衬底)、氧化硅层(绝缘层)、氧化铪层(负电荷层的实例)、氧化铝(电荷阻挡势垒)以及氧化钽层(电荷吸收层的实例)。
图10说明了根据本发明实施例的具有负电荷层和电荷吸收层的背照式图像传感器的像素的实例层。在图10中，电荷阻挡势垒层634沉积于电荷吸收层223与负电荷层627之间。电荷阻挡势垒层634可由氧化铝(Al2O3)制成。在一个实施例中，电荷阻挡势垒层634由具有高铝浓度的铪铝氧化物制成。电荷阻挡势垒634阻挡层223和627之间的电子迁移，这有助于维持所述层的所要电荷。在图10中，负电荷层627被说明为包含HfO2，但在一些实施例中，负电荷层627可由具有低铝浓度的铪铝氧化物制成。图10中还包含氧阻隔层635。氧阻隔层635可由氧化铝(AL2O3)制成，氧化铝具有低的氧扩散系数，这使氧到电荷吸收层223中的扩散减小。氧到电荷吸收层223中的扩散可能会不利地影响到电荷吸收层的所要电荷，这就是为什么需要防止氧扩散到其中的原因。
图11展示了说明根据本发明实施例的像素中层的位置与电子在图10中的各层之间进行转移所需的能量之间的关系的图。图11从左到右展示的层为硅层(衬底)、氧化硅层(绝缘层)、氧化铝(电荷阻挡势垒)、氧化铪层(负电荷层的实例)、氧化钽层(电荷吸收层的实例)以及氧化铝(氧阻隔层的实例)。
关于与图6到11相关联的实施例，在一些情况中，电荷吸收层可实际上将电子供应给负电荷层。如果电荷吸收层包含Si3N4(替代Ta2O5)且负电荷层包含HfO2，那么这可能发生。
图12为说明根据本发明实施例的成像系统1200的框图。成像系统1200的所说明实施例包含像素阵列1205、读出电路1210、功能逻辑1215以及控制电路1220。
像素阵列1205为成像传感器或像素(例如，像素P1、P2……、Pn)的二维(“2D”)阵列。在一个实施例中，每一像素为互补金属氧化物半导体(“CMOS”)成像像素。如所说明，每一像素布置成行(例如，行R1到Ry)和列(例如，列C1到Cx)以获取人、地点或物体的图像数据，所述图像数据之后可用以呈现所述人、地点或物体的2D图像。像素100以及与图1到5相关联的实施例可并入像素阵列1205的像素中。
在每一像素已获取其图像数据或图像电荷之后，通过读出电路1210读出所述图像数据并将其传送到功能逻辑1215。读出电路1210可包含放大电路、模／数(“ADC”)转换电路或其它电路。功能逻辑1215可仅是存储图像数据，或者甚至通过应用后图像效果(例如，裁剪、旋转、移除红眼、调整亮度、调整对比度或其它)来操纵图像数据。在一个实施例中，读出电路1210可在一时间沿读出列线(所说明)读出一行图像数据，或者可使用各种其它技术(未说明)，例如串行读出或所有像素同时的全并行读出，来读出图像数据。控制电路1220耦合到像素阵列1205以控制像素阵列1205的操作特性。举例来说，控制电路1220可产生用于控制图像获取的快门信号。
图13为说明根据本发明实施例的在成像阵列内的两个四晶体管(“4T”)像素的像素电路1300的电路图。像素电路1300为用于实施图12的像素阵列1205内的每一像素的一个可能像素电路架构。然而，应了解，本发明的实施例不限于4T像素架构；而是，领会了本发明的所属领域的技术人员将理解，本教示还适用于3T设计、5T设计以及各种其它像素架构。
在图13中，像素Pa和Pb布置成两行和一列。每一像素电路1300的所说明实施例包含光电二极管PD、转移晶体管T1、重置晶体管T2、源极跟随器(“SF”)晶体管T3、选择晶体管T4以及存储电容器C1。在操作期间，转移晶体管T1接收转移信号TX，其将光电二极管PD中积聚的电荷转移到浮动扩散节点FD。在一个实施例中，浮动扩散节点FD可耦合到用于暂时存储图像电荷的存储电容器。
重置晶体管T2耦合在电力轨VDD与浮动扩散节点FD之间，以在重置信号RST的控制之下重置像素(例如，使FD和PD放电或充电到预置电压)。浮动扩散节点FD经耦合以控制SF晶体管T3的栅极。SF晶体管T3耦合在电力轨VDD与选择晶体管T4之间。SF晶体管T3操作为提供到浮动扩散FD的高阻抗连接的源极跟随器。最后，选择晶体管T4在选择信号SEL的控制之下将像素电路1300的输出选择性地耦合到读出列线。在一个实施例中，TX信号、RST信号和SEL信号由控制电路1220产生。
本发明的所说明实施例的以上描述，包含发明摘要中所描述的内容，无意为详尽的或将本发明限于所揭示的精确形式。虽然本文出于说明目的描述了本发明的特定实施例和实例，但如所属领域的技术人员将认识到的，在本发明的范围内，各种修改是可能的。
可根据以上详细描述对本发明进行这些修改。所附权利要求书中所使用的术语不应被解释为将本发明限于说明书中所揭示的特定实施例。相反，本发明的范围将完全由所附权利要求书确定，将根据所建立的权利要求诠释教义来解释所附权利要求书。
Claims (20)
1.一种图像传感器，其包括：
半导体衬底，其包含用于响应于入射图像光积聚电荷的光敏元件，其中所述半导体衬底包含经定位以接收所述图像光的光接收表面；
负电荷层，其安置在所述半导体衬底的所述光接收表面附近，以沿着所述光接收表面在所述半导体衬底中的积聚区中引致电洞；以及
电荷吸收层，其安置在所述负电荷层附近，其中所述电荷吸收层经配置以保持或增加所述负电荷层中的负电荷的量，且其中所述负电荷层安置于所述半导体衬底与所述电荷吸收层之间。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述负电荷层包含铪铝氧化物。
3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述负电荷层包含所述铪铝氧化物中的铝的梯度分布，所述铪铝氧化物包含在所述负电荷层顶侧附近比在所述负电荷层底侧附近高的铝分布，所述底侧比所述顶侧更接近于所述光敏元件。
4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中所述梯度分布是铝含量的逐渐增加。
5.根据权利要求3所述的图像传感器，其中所述梯度分布是铝含量的逐步增加。
6.根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述铪铝氧化物中的所述铝大体上均匀地分布。
7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述电荷吸收层是带正电的。
8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述图像传感器是背照式图像传感器“BSI”，且所述光接收表面是所述BSI的背侧。
9.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述负电荷层的第一厚度和所述电荷吸收层的第二厚度经配置以减少所述图像光的反射量。
10.根据权利要求1所述的图像传感器，其进一步包括：
绝缘层，其安置于所述负电荷层与所述半导体衬底之间；以及
第一电荷阻挡势垒层“CBBL”，其安置于所述负电荷层与所述电荷吸收层之间。
11.根据权利要求10所述的图像传感器，其进一步包括：
第二CBBL，其安置于所述绝缘层与所述负电荷层之间。
12.根据权利要求1所述的图像传感器，其进一步包括：
第一电荷阻挡势垒层“CBBL”，其安置于所述负电荷层与所述电荷吸收层之间；以及
氧阻隔层，其安置于所述电荷吸收层的与所述第一CBBL相对的侧上。
13.一种成像装置，其包括：
成像像素阵列；以及
读出电路，其耦合到所述成像像素阵列以从所述阵列中的所述成像像素中的每一者读出图像数据，其中每一成像像素包含：
半导体衬底，其包含用于响应于入射图像光积聚电荷的光敏元件，其中所述半导体衬底包含经定位以接收所述图像光的光接收表面；
负电荷层，其安置在所述半导体衬底的所述光接收表面附近，以沿着所述光接收表面在所述半导体衬底中的积聚区中引致电洞；以及
电荷吸收层，其安置在所述负电荷层附近，其中所述电荷吸收层经配置以保持或增加所述负电荷层中的负电荷的量，且其中所述负电荷层安置于所述半导体衬底与所述电荷吸收层之间。
14.根据权利要求13所述的成像装置，其中所述负电荷层包含铪铝氧化物。
15.根据权利要求14所述的成像装置，其中所述负电荷层包含所述铪铝氧化物中的铝的梯度分布，所述铪铝氧化物包含在所述负电荷层顶侧附近比在所述负电荷层底侧附近高的铝分布，所述底侧比所述顶侧更接近于所述光敏元件。
16.根据权利要求14所述的成像装置，其中所述铪铝氧化物中的所述铝大体上均匀地分布。
17.根据权利要求13所述的成像装置，其中所述电荷吸收层是带正电的。
18.根据权利要求13所述的成像装置，其中每一成像像素进一步包含：
绝缘层，其安置于所述负电荷层与所述半导体衬底之间；以及
第一电荷阻挡势垒层“CBBL”，其安置于所述负电荷层与所述电荷吸收层之间。
19.根据权利要求18所述的成像装置，其中每一成像像素进一步包含：
第二CBBL，其安置于所述绝缘层与所述负电荷层之间。
20.根据权利要求13所述的成像装置，其中每一成像像素进一步包含：
第一电荷阻挡势垒层“CBBL”，其安置于所述负电荷层与所述电荷吸收层之间；以及
氧阻隔层，其安置于所述电荷吸收层的与所述第一CBBL相对的侧上。
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Legal Events
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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Address after: American California Applicant after: OmniVision Technologies, Inc. Address before: American California Applicant before: Omnivision Tech Inc. |
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| COR | Change of bibliographic data | ||
| GR01 | Patent grant | ||
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| REG | Reference to a national code |
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