CN104086524A - 一种耐热性有机半导体 - Google Patents

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Abstract

一种有机半导体材料，其特征是以苯并菲衍生物作为内核的芳胺，兼具空穴传输发光性能耐热稳定性和优良的电化学稳定性；应用于有机发光二极管获得器件耐温性和优良的工作寿命。

Description

一种耐热性有机半导体
技术领域
本发明涉及有机发光材料及其在有机发光器件的应用，尤其是一种耐热性有机半导体材料，可应用于有机发光OLED器件，改善器件性能。
背景技术
有机半导体材料属于新型光电材料，其大规模研究起源于1977年由白川英树，A. Heeger及A. McDiamid共同发现了导电率可达铜水平的掺杂聚乙炔。随后，1987年KodaK公司的C. Tang等发明了有机小分子发光二极管（OLED），和1990年剑桥大学的R. Friend及A. Holmes发明了聚合物发光二极管P-OLED，以及1998年S. Forrest与M. Thomson发明了效率更高的有机磷光发光二极管PHOLED。由于有机半导体材料具有结构易调可获得品种多样，能带可调，甚至如塑料薄膜加工一样的低成本好处，加上有机半导体在导电薄膜，静电复印，光伏太阳能电池应用，有机薄膜晶体管逻辑电路，和有机发光OLED平板显示与照明等众多应用，白川-Heeger-McDiamid三位科学家于2000年获得诺贝尔化学奖。
作为下一代平板显示应用的有机发光二极管，有机光电半导体要求有：1. 高发光效率；2. 优良的电子与空穴稳定性；3. 合适的发光颜色；4. 优良的成膜加工性。原则上，大部分共轭性有机分子（包含星射体），共轭性聚合物，和含有共轭性发色团配体的有机重金属络合物都有具备电激发光性能，应用在各类发光二极管，如有机小分子发光二极管（OLED），聚合物有机发光二极管（POLED），有机磷光发光二极管（PHOLED）。磷光PHOLED兼用了单线激发态（荧光）和三线激发态（磷光）的发光机理，显然比小分子OLED及高分子POLED高得多的发光效率。PHOLED制造技术和出色的PHOLED材料都是实现低功耗OLED显示和照明所必不可少的。PHOLED的量子效率和发光效率是荧光OLED材料的3-4倍，因此也减少了产生的热量，增多了OLED显示板的竞争力。这一点提供了使得总体上OLED显示或照明超越LCD显示以及传统光源的可能。 因而，现有高端OLED全色显示器件中或多或少地掺用了磷光OLED材料。
磷光OLED材料是由含有一定共轭性的有机发光团作为二齿螯合配体，与金属元素形成环金属-配合体络合物，在高能光照下（如紫外光激发）或电荷注入（电激发）条件下，由于环金属-配体电荷转移（MLCT）成为激子，然后回复到基态而导致发光。在OLED器件中电荷的注入是通过在阳极施加正电压后，从阳极注入空穴，阴极施加负电压后注入电子，分别经过电子传输层与空穴转输层，同时进入发射层的本体材料中，电子最终进入发光掺杂剂中的最低末占分子轨道（LUMO），空穴进入发光掺杂剂中的最高占有分子轨道（HOMO）而形成激发态发光掺杂剂分子（激子态）。激子态回复到基态后伴随着发射光能，其发射光能波长正对应着发光分子掺杂剂的能隙（HOMO-LUMO能级差）。
已有不少报道的重金属有机配合体络合物，受重金属的影响而增强了电子自旋轨道作用，使得本应较弱的磷光变得很强而呈现优良磷光发射。例如发绿光的三（苯基吡啶）铱（Ⅲ）配合络合物，简称为Ir(PPY)3，具有结构式为：
Ir(ppy)3；
发射蓝光的FirPic具有如下结构式：
FirPic；
其中的主配体4，6-二氟代苯基吡啶主宰着发光颜色；
发射红光的三（辛烷基喹啉）铱（Ⅲ）配合络合物，具有优异的高效发射性能（Adv. Mater.19，739（2007））其结构式为：
Ir(piq-hex)3。
发光层一般是由少量的发光材料掺入一具有更高能级的半导体本体材料中组成。相比于比较成熟的红光及绿光来说，蓝光OLED的效率与色纯度还很难同时达到要求。因为蓝色属于宽带发光，其导电能力将大大降低, 故蓝色发光材料及其器件还有待进一步发展。最近，文献（J. Mater. Chem., 2009, 19, 1865–1871）已报道一种基于对称连接的菲并咪唑类蓝光材料TPIP，具有优异的色标为（0.15，0.10），但由于单一电负性原因，外量子效率小于6%。
为获得高效的有机OLED, 通常需在发光层与阳极之间添加电子注入及电子传输层，在发光层与阴极之间添加空穴注及空穴传输层，从而达到在发光层中平衡的电子与空穴。值得注意的是，有机半导体中，电子传输迁移率通常低于空穴传输迁移率。作为电子传输层材料通常是具有较低的LUMO--最低未占据轨道能级，如金属喹啉化合物，如三-（8-羟基）铝（Alq3），噁二唑或三唑类。最近，文献（Appl.Phys.Lett.,2007，90，183503 等报）报道了由联苯与芳胺构成的空穴传输材料，但溶解性差及成膜困难。因此，开发更好、迁移率更高的空穴传输材料势在必行。
应用于有机发光器件OLED 还有多类材料，表1罗列了相应的文献。
表1：已有报道的各类有机OLED应用半导体材料
。
为满足工业生产不断提升的各种要求，获得高效、长寿命的有机OLED 显示及照明产品，开发更好、效率更高的有机半导体发光材料势在必行。
发明内容
本发明披露一种基于苯并菲衍生物作为内核的芳胺，兼具空穴传输与发光性能，耐热稳定性和优良的电化学稳定性，其特征是具有如下结构通式：
其中Ar1-6为苯基，萘基，芘基，取代芘基，菲基，取代菲基，苯并菲基，蒽基，取代蒽基，噻吩基，取代噻吩基，咔唑基，取代咔唑基；
其特征是所述化合物中Ar7-8为H,D,F, 碳原子小于12的烷基，萘基，芘基，取代芘基，菲基，取代菲基，苯并菲基，蒽基，取代蒽基，噻吩基，取代噻吩基，咔唑基，取代咔唑基。
根据（I）所述的化合物，在一种情况下，所述的化合物具有如下（Ⅱ）的结构：
其中Ar1-6为苯基，取代苯基，萘基，取代萘基，芘基，取代芘基，菲基，取代菲基，苯并菲基，蒽基，取代蒽基，噻吩基，取代噻吩基，咔唑基，取代咔唑基；其中Ar7-8为H,D,F, 碳原子小于12的烷基，萘基，取代萘基，芘基，取代芘基，菲基，取代菲基，苯并菲基，蒽基，取代蒽基，噻吩基，取代噻吩基，咔唑基，取代咔唑基。
根据（I）所述的化合物，在另一种情况下，所述的化合物具有如下（Ⅲ）的结构：
其中Ar1-6为苯基，取代苯基，萘基，取代萘基，芘基，取代芘基，菲基，取代菲基，苯并菲基，蒽基，取代蒽基，噻吩基，取代噻吩基，咔唑基，取代咔唑基；其中Ar7-8为H,D,F,碳原子小于12的烷基，萘基，取代萘基，芘基，取代芘基，菲基，取代菲基，苯并菲基，蒽基，取代蒽基，噻吩基，取代噻吩基，咔唑基，取代咔唑基。
在不违背本发明所述的范围下，所述的化合物具有如下（Ⅳ）的结构：
其中R1-2为H,D,F,碳原子数数小于8的烷基，碳原子数小于8的烷氧基，苯基，取代苯基， 芳杂环或取代芳杂环。
在另一种情款下，所述的化合物具有如下（Ⅴ）的结构：：
其特征是如下所述的化合物中Ar3-6为苯基，取代苯基，萘基，取代萘基，芘基，取代芘基，菲基，取代菲基，蒽基，取代蒽基，噻吩基，取代噻吩基，咔唑基，取代咔唑基；
其中R1-4为H,D,F,碳原子数小于8的烷基，碳原子数小于8的烷氧基，苯基，萘基，噻吩基，取代噻吩基，咔唑基，取代咔唑基。
在又一种情况下，所述的化合物具有如下（ⅤI-VII）的结构：
其特征是如下所述的化合物中Ar3-6为苯基，取代苯基，萘基，取代萘基，芘基，取代芘基，菲基，取代菲基，蒽基，取代蒽基，噻吩基，取代噻吩基，咔唑基，取代咔唑基；
其中R1-6为H,D,F,碳原子数小于8的烷基，碳原子数小于8的烷氧基，苯基，萘基，噻吩基，取代噻吩基，咔唑基，取代咔唑基。
按照有机化学一般原理，业界人员可通过多种路线制备出通式（I）的化合物。一种合成路线是如下所述的方法：
。
在不偏离本发明范围内，类似地，通式中Ar3-4为芳基，如苯基等情况下可按如下合成路线获得：
。
尤其是按照本发明所述内容，其特征是包括但不限于的优选化合物结构有如下优选的结构：
。
本发明更为重要的是在于所述的有机半导体应用于发光器件。一般地，本发明所述最简单的有机发光二极管由如下几部分组成：
（1）一个阴极；
（2）一个阳极；
（3）一个夹心于阴极与阳极之间的有机半导体发光层，该发光层包含一主体材料和一发光材料掺杂剂；
（4）一个夹心于阳极与发光层之间的有机半导体空穴传输层，其特征在于所述的有机半导体空穴传输层与发光层直接接触的化合物（Ⅰ）所组成，其厚度为5-100nm，具有如下结构通式：
，
Ar1-6为苯基，取代苯基，萘基，取代萘基，芘基，取代芘基，菲基，取代菲基，蒽基，取代蒽基，噻吩基，取代噻吩基，咔唑基，取代咔唑基。其中Ar7-8为H,D,F,萘基，碳原子小于12的烷基，苯并菲，芘，噻吩基，取代噻吩基，咔唑基，取代咔唑基。
在传统的有机发光二极管芯片中（图1），通常是采用透明导电玻璃101，或镀有铟-锡氧化物 ITO 上蒸镀一层空穴注入层HIL（102），然后依次一层空穴传输层HTL（103）、发光层EML（104）、电子传输层ETL（105）、电子注入层EIL（106），最后加一层金属（107），如铝金属层，作为阳极导电及密封层。当ITO 接正电，铝连接负电到一定电场后，空穴从ITO 经HIL注入和HTL传输至EML，而电子从铝连接的EIL注入后、经过ETL传输至EML. 电子与空穴在EML 中相遇、复合成激发子（Exciton)，然后部分激发子以光辐射形式释放出能量回到基态。光辐射的波长由EML层中的发光掺杂剂的能隙决定。
根据本专利所述有机半导体，由于其发射波长处于410-480 nm范围，适合应用于有机蓝光发光二级管中的发光层。在有机发光器件中，为使发光效率及颜色获得随电场变化（亮度调节）而更稳定，通常EML 由一能带宽度较大的作为主体材料，能隙较小的作为发光掺杂剂构成。EML 中掺杂剂含量可为 1-49%（重量），优选一般在 1-10%。已知典型的蓝光主体材料有ABPN：
。
在不偏离本发明范围情况下，其它有机主体材料也可适用于本发明，而通式（I）所述的化合物作为发光掺杂剂，其特征是发光层中含有蓝光掺杂剂具有通式Ⅰ所述的化合物，发射波长为440-480nm。
为获得高效的绿光和红光OLED，通常是使用三线态磷光OLED。其中的发射层含有磷光发光材料，如Ir(ppy)3 为绿光，或 Ir(Piq)3 作为红光掺杂剂，用2至15%的浓度发光（重量）材料，掺杂到一个主体材料中，
Ir(ppy)3 Ir(Piq）3；
主体材料常用的是含咔唑或芳胺结构类材料，一种主体材料是4,4’-N,N’-二咔唑-联苯(CBP)：
CBP。
为达到优良的磷光器件性能，在阳极上，可任选一空穴注入层，如酞青兰（CuPc）或其他含芳氨的化合物 (Appl.Phys.Lett., 69, 2160(1996)，如m-TDATA，
。
同样地，在空穴注入层与发射层EML之间，往往要选择一空穴传输层，较常使用的是4，4’-双[N-(1-萘基)-N-苯氨基]联苯（α-NPD）
。
为平衡电子与空穴的注入，提高发光效率，可任选一电子传输空穴阻挡（ETHB) 材料，如1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯TPBi，其结构为：
。
在ETHL与阴极之间，还通常使用电子注入层。电子注入层通常是功函较低的金属鋰，或其化合物如8-羟基鋰（Liq）：
。
因此，OLED发光器件是一复杂的多层结构，图1为一典型的构造，但不是唯一的应用结构。其中有机半导体层的总体厚度是50-250纳米，优选总厚度为80-180纳米。
使用OLED发光器件，可用于平板显示，如手机屏，i-Pack 屏，电视屏，电脑屏等。
本发明的有益效果是，基于本发明的苯并菲取代物而获得的空穴传输半导体，兼具高耐热性（TGA 分解温度> 420oC)，高玻璃化温度（Tg>130 oC，和由于苯基取代的苯并菲而带来的高迁移率和高器件稳定性，而NPB 的玻璃化温度只78 oC。因而，不论是红（560-630nm）、绿（500-550nm）或是蓝光OLED，本发明所述的化合物用于空穴传输层的OLED表现出更好的OLED稳定性、尤其是高温条件下OLED寿命 （70 oC)。
附图说明
图1为根据本发明所述的有机发光二极管结构示意图。
图2为根据本发明一实施例的OLED 加速器件寿命测试图（LT50%,70oC,10000 nits）。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合实施例子对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
实施例1：化合物（2）和化合物（16）的合成。
（ 1 ）化合物 SM1 的合成
Step1：化合物TM1的合成：
称取（14.8g，40mmol）的2，7-二溴菲醌，（9.2g,44mmol）二苯丙酮于500ml的三口瓶中，量取200mL的甲醇于烧瓶中，加入2.5g的KOH，升温至50°C下反应1h,减压抽滤除溶剂得到灰绿色固体，放入烘箱烘干得到18.0g产物,收率=82.4%；
Step2：化合物TM2的合成：
称取（3.0g，40mmol）的TM1，（0.6g,6.1mmol）三甲基硅乙炔250ml的三口瓶中，量取20mL的二甲苯于烧瓶中，升温至回流，继续搅拌过夜，减压浓缩至干，通过硅胶柱层析分离纯化得到1.2克产物，收率=35%；
Step3：化合物SM1的合成：
称取（0.9g，1.5mmol）的TM2于100mL的三口瓶中，加入6mL的THF,再量取（1.5mL,1.65mmol）四丁基氟化胺于烧瓶中，室温搅拌过夜，有白色沉淀析出，减压抽滤，用甲醇淋洗得到白色固体0.6克，收率=75%。
（ 2 ）化合物（ 2 ）的合成：
称取（0.4g，0.76mmol）的SM1于100ml的三口瓶中，加入(0.28g,1.6mmol)的二苯胺，S-PHOS(34mg,82ummol),叔丁醇钠（0.22g,2.3mmol），Pd2(dba)3（34mg,38umol）,量取10ml的甲苯于烧瓶中，抽真空，氮气保护，升温回流20h.减压蒸馏除溶剂再通过硅胶柱层析分离纯化得到终产物0.4克（收率：75%）.HPLC=99.8%。
（ 3 ）化合物（ 16 ）的合成：
称取（0.4g，0.743mmol）的SM1于100ml的三口瓶中，加入(0.31g,1.7mmol)的3-甲基-二苯胺，S-PHOS(34mg,82ummol),叔丁醇钠（0.22g,2.3mmol），Pd2(dba)3（34mg,38umol）,量取10ml的甲苯于烧瓶中，抽真空，氮气保护，升温回流20h.减压蒸馏除溶剂再通过硅胶柱层析分离纯化得到终产物0.5克（收率：90%），HPLC=99.0%。
实施例2：化合物（11）、化合物（36）与化合物（36）的合成。
（1） 化合物 SM2 的合成：
Step1:化合物TM1的合成：
称取（21.2g，60mmol）的2，7-二溴菲醌，（13.2g,66mmol）二苯丙酮于500ml的三口瓶中，量取300mL的甲醇于烧瓶中，加入3.7g的KOH，升温至50°下反应1h,减压抽滤除溶剂得到灰绿色固体，放入烘箱烘干得到30g产物,收率=85%；
Step2:化合物TM2的合成：
称取（12g，22mmol）的TM1，（2.4g,24.5mmol）三甲基硅乙炔250ml的三口瓶中，量取90mL的二甲苯于烧瓶中，升温至回流，继续搅拌过夜，减压浓缩至干，通过硅胶柱层析分离纯化得到4.3克产物，收率=32%；
Step3:化合物SM2的合成：
称取（4.3g，7mmol）的TM2于100mL的三口瓶中，加入30mL的THF,再量取（1.5mL,7.7mmol）四丁基氟化胺于烧瓶中，室温搅拌过夜，有白色沉淀析出，减压抽滤，用甲醇淋洗得到白色固体3.5克，收率=92%。
化合物（ 11 ）的合成：
称取（0.4g，0.743mmol）的SM1于100ml的三口瓶中，加入(0.35g,1.6mmol)的N-苯基-1萘胺， S-PHOS(34mg,82ummol),叔丁醇钠（0.22g,2.3mmol），Pd2(dba)3（34mg,38umol）,量取10ml的甲苯于烧瓶中，抽真空，氮气保护，升温回流20h.减压蒸馏除溶剂再通过硅胶柱层析分离纯化得到终产物0.45克（收率：74%）.HPLC=97.5%。
（2）化合物（ 36 ）的合成：
称取（0.4g，0.76mmol）的SM2于100ml的三口瓶中，加入(0.28g,1.6mmol)的二苯胺，S-PHOS(34mg,82ummol),叔丁醇钠（0.22g,2.3mmol），Pd2(dba)3（34mg,38umol）,量取10ml的甲苯于烧瓶中，抽真空，氮气保护，升温回流20h.减压蒸馏除溶剂再通过硅胶柱层析分离纯化得到终产物0.43克（收率：81%）.HPLC=99.2%。
化合物（ 37 ）的合成：
称取（0.4g，0.743mmol）的SM2于100ml的三口瓶中，加入(0.31g,1.7mmol)的3-甲基-二苯胺，S-PHOS(34mg,82ummol),叔丁醇钠（0.22g,2.3mmol），Pd2(dba)3（34mg,38umol）,量取10ml的甲苯于烧瓶中，抽真空，氮气保护，升温回流20h.减压蒸馏除溶剂再通过硅胶柱层析分离纯化得到终产物0.45克（收率：81.5%），HPLC=97.1%。
表1：化合物的相关数据。
实施例3：器件应用实例。
OLED 制备及比较：在一个本底真空达10-5 帕的多源蒸发OLED 制备设备中，采用如下的器件机构：ITO/mTDATA（100Å）/HTL(400 Å)/Host:5% 发光掺杂剂6%（300 Å ）/TPBi（300 Å）/LiF（10 Å）/Al ， 使用不同的HTL 或是不同的蓝发光掺杂剂 OLED 发光器件以便做比较。其中各有机层及电极的真空沉积速度于时间列于表2。
表2：OLED 器件制备条件 （发光层中掺杂wt浓度 9%）
。
表3：OLED 器件性能 （1000 Cd/cm2)
表3说明本发明化合物11为例的绿光三线态OLED （器件B) 中作为空穴传输层HTL 比使用经典NPB 作为HTL 的绿光OLED （器件A) 在2000 nits 70oC 的环境下，LT50% 寿命延长68% 时间。 在一荧光蓝光OLED中，化合物2作为发光掺剂杂的OLED（器件D) 在发光效率及高温寿命上，都比NPB 的蓝光OLED（器件C)具有明显的效率提升及寿命提升。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案的保护范围内。

Claims (10)

1.一种有机化合物，具有如下结构通式：
其特征是所述的化合物中Ar1-6为苯基，取代苯基，萘基，取代萘基，芘基，取代芘基，菲基，取代菲基，蒽基，取代蒽基，噻吩基，取代噻吩基，咔唑基，取代咔唑基；
其特征是所述的化合物中Ar7-8为H,D,F, 碳原子小于12的烷基，萘基，取代萘基，芘基，取代芘基，菲基，取代菲基，蒽基，取代蒽基，噻吩基，取代噻吩基，咔唑基，取代咔唑基。
2.根据权利要求1所述的有机化合物，其特征是所述的化合物具有如下（Ⅱ）的结构：
其特征是所述的化合物中Ar1-6为苯基，取代苯基，萘基，取代萘基，芘基，取代芘基，菲基，取代菲基，蒽基，取代蒽基，噻吩基，取代噻吩基，咔唑基，取代咔唑基；
其特征是所述的化合物中Ar7-8为H,D,F, 碳原子小于12的烷基，萘基，取代萘基，芘基，取代芘基，菲基，取代菲基，蒽基，取代蒽基，噻吩基，取代噻吩基，咔唑基，取代咔唑基。
3.根据权利要求1所述的有机化合物，其特征是所述的化合物具有如下（Ⅲ）的结构：
其特征是所述的化合物中Ar1-6为苯基，取代苯基，萘基，取代萘基，芘基，取代芘基，菲基，取代菲基，蒽基，取代蒽基，噻吩基，取代噻吩基，咔唑基，取代咔唑基；
其特征是所述的化合物中Ar7-8为H,D,F, 碳原子小于12的烷基，萘基，取代萘基，芘基，取代芘基，菲基，取代菲基，蒽基，取代蒽基，噻吩基，取代噻吩基，咔唑基，取代咔唑基。
4.根据权利要求1所述的有机化合物，其特征是所述的化合物具有如下（Ⅳ）的结构：
其中R1-2为H,D,F,碳原子数数小于8的烷基，碳原子数小于8的烷氧基，苯基，取代苯基；
其特征是如下所述的化合物中Ar3-6为苯基，取代苯基，萘基，取代萘基，芘基，取代芘基，菲基，取代菲基，蒽基，取代蒽基，噻吩基，取代噻吩基，咔唑基，取代咔唑基；
其特征是所述的化合物中Ar7-8为H,D,F, 碳原子小于12的烷基，萘基，取代萘基，芘基，取代芘基，菲基，取代菲基，苯并菲基，蒽基，取代蒽基，噻吩基，取代噻吩基，咔唑基，取代咔唑基。
5. 根据权利要求1所述的有机化合物，其特征是所述的化合物具有如下（Ⅴ-VII）的结构：
其特征是如下所述的化合物中Ar3-6为苯基，取代苯基，萘基，取代萘基，芘基，取代芘基，菲基，取代菲基，蒽基，取代蒽基，噻吩基，取代噻吩基，咔唑基，取代咔唑基；
其中R1-6为H,D,F,碳原子数小于8的烷基，碳原子数小于8的烷氧基，苯基，萘基，噻吩基，取代噻吩基，咔唑基，取代咔唑基。
6. 根据权利要求1所述的有机化合物，其特征是所述的化合物具有如下优选的结构：
。
7.一种有机发光二极管，其特征是所述的有机发光二极管，由以下部分组成：
（1）一个阴极；
（2）一个阳极；
（3）一个夹心于阴极与阳极之间的有机半导体发光层，该发光层包含一主体材料和一发光材料掺杂剂；
（4）一个夹心于阳极与发光层之间的有机半导体空穴传输层，其特征在于所述的有机半导体空穴传输层具有权利要求1所述的有机化合物（Ⅰ）结构通式：
其特征是所述的化合物中Ar1-6为苯基，取代苯基，萘基，取代萘基，芘基，取代芘基，菲基，取代菲基，蒽基，取代蒽基，噻吩基，取代噻吩基，咔唑基，取代咔唑基；
其特征是所述的化合物中Ar7-8为H,D,F, 碳原子小于12的烷基，萘基，取代萘基，芘基，取代芘基，菲基，取代菲基，蒽基，取代蒽基，噻吩基，取代噻吩基，咔唑基，取代咔唑基。
8. 根据权利要求7所述的有机发光二极管，其特征在于所述的有机半导体空穴传输层构成的材料具有如下优选化合物结构：
。
9.根据权利要求7所述的有机发光二极管，其特征是发光层中含有通式Ⅰ所述的化合物蓝光掺杂剂，发射波长为440-480nm。
10.根据权利要求7所述的有机发光二极管，其特征是发光层中含有一磷光掺杂剂，发射波长为500-630nm。
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