CN104078609A - 有机电致发光器件及其封装方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种有机电致发光器件及其封装方法，该有机电致发光器件包括阳极导电基板、发光功能层、阴极和封装盖，发光功能层和阴极依次层叠于阳极导电基板上，封装盖将发光功能层和阴极封装于阳极导电基板上，封装盖包括依次罩设于有机发光功能层和阴极上的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层及第二无机阻挡层；其中，第一有机阻挡层的材料包括第一空穴传输材料、第一电子传输材料及氟化物，第一无机阻挡层的材料包括碲化物、第一氮化物及第一金属，第二有机阻挡层的材料包括第二空穴传输材料及第二电子传输，第二无机阻挡层的材料包括第二氮化物、合金氧化物及第二金属。该有机电致发光器件的使用寿命较长。
Description
技术领域
本发明涉及电致发光技术领域，特别是涉及一种有机电致发光器件及其封装方法。
背景技术
有机电致发光器件（OLED）是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典型结构是在ITO玻璃上制作一层几十纳米厚的有机发光材料作发光层，发光层上方有一层低功函数的金属电极。当电极上加有电压时，发光层就产生光辐射。
OLED器件具有主动发光、发光效率高、功耗低、轻、薄、无视角限制等优点，被业内人士认为是最有可能在未来的照明和显示器件市场上占据霸主地位的新一代器件。作为一项崭新的照明和显示技术，OLED技术在过去的十多年里发展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越来越多的照明和显示厂家纷纷投入研发，大大的推动了OLED的产业化进程，使得OLED产业的成长速度惊人，目前已经到达了大规模量产的前夜。
然而，OLED中的发光层对于大气中的污染物、氧气、水汽等十分敏感，在污染物、氧气及水汽等的作用下发生化学反应会导致发光量子效率的降低，而阴极一般由较活泼的金属形成，在空气或氧气中易受侵蚀，从而导致OLED的稳定性较差，使用寿命较短。
发明内容
基于此，有必要提供一种使用寿命较长的有机电致发光器件。
进一步，提供一种有机电致发光器件的封装方法。
一种有机电致发光器件，包括阳极导电基板、发光功能层、阴极和封装盖，所述发光功能层和阴极依次层叠于所述阳极导电基板上，所述封装盖将所述发光功能层和阴极封装于所述阳极导电基板上，所述封装盖包括依次罩设于所述有机发光功能层和阴极上的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层及第二无机阻挡层；其中，
所述第一有机阻挡层的材料包括第一空穴传输材料、第一电子传输材料及氟化物，所述第一空穴传输材料为N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲基苯基)-4,4′-联苯二胺、N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-二胺、1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷、2-甲基-9,10-二(咪唑-2-基)蒽、4,4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯，所述第一电子传输材料为4,7-二苯基邻菲罗啉、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羟基喹啉铝、二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）铝或3-(4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑；所述氟化物为氟化锂、氟化铈、氟化镁、氟化铝、氟化钙或氟化钡；
所述第一无机阻挡层的材料包括碲化物、第一氮化物及第一金属，所述碲化物为三碲化锑、碲化铋、碲化镉、三碲化二铟、碲化锡或碲化铅，所述第一氮化物为氮化硅、氮化铝、氮化硼、氮化铪、氮化钽或氮化钛，所述第一金属为银、铝、镍、金、铜或铂；
所述第二有机阻挡层的材料包括第二空穴传输材料及第二电子传输材料，所述第二空穴传输材料为N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲基苯基)-4,4′-联苯二胺、N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-二胺、1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷、2-甲基-9,10-二(咪唑-2-基)蒽、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯，所述第二电子传输材料为4,7-二苯基邻菲罗啉、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羟基喹啉铝、二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）铝或3-(4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑；
所述第二无机阻挡层的材料包括第二氮化物、合金氧化物及第二金属，所述第二氮化物为氮化硅、氮化铝、氮化硼、氮化铪、氮化钽或氮化钛，所述合金氧化物为偏铝酸镁、钛酸铋、铬酸镍、铬酸钴、镥酸铁或铝酸钇；所述第二金属为银、铝、镍、金、铜或铂。
在其中一个实施例中，所述封装盖为3～5个，所述3～5个封装盖依次罩设于所述发光功能层和阴极。
在其中一个实施例中，所述第一空穴传输材料与所述第一电子传输材料的摩尔比为40:100～60:100；所述氟化物与所述第一电子传输材料的摩尔比为10:100～20:100。
在其中一个实施例中，所述第一无机阻挡层中，所述第一氮化物的质量百分含量为10%～40%，所述第一金属的质量百分含量为10%～30%。
在其中一个实施例中，所述第二空穴传输材料与所述第二电子传输材料的摩尔比为40:100～60:100。
在其中一个实施例中，所述第二无机阻挡层中，所述第二氮化物的质量百分含量为10%～40%，所述第二金属的质量百分含量为10%～30%。
在其中一个实施例中，所述第一有机阻挡层和第二有机阻挡层的厚度为200纳米～300纳米。
在其中一个实施例中，所述第一无机阻挡层和第二无机阻挡层的厚度为100纳米～200纳米。
一种有机电致发光器件的封装方法，包括如下步骤：
提供阳极导电基板，在所述阳极导电基板上真空蒸镀形成发光功能层；
在所述发光功能层上真空蒸镀形成阴极；
真空蒸镀制备第一有机阻挡层，所述第一有机阻挡层设置于所述阳极导电基板上并罩设于所述发光功能层和阴极上，所述第一有机阻挡层的材料包括第一空穴传输材料、第一电子传输材料及氟化物，所述第一空穴传输材料为N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲基苯基)-4,4′-联苯二胺、N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-二胺、1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷、2-甲基-9,10-二(咪唑-2-基)蒽、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯，所述第一电子传输材料为4,7-二苯基邻菲罗啉、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羟基喹啉铝、二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）铝或3-(4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑；所述氟化物为氟化锂、氟化铈、氟化镁、氟化铝、氟化钙或氟化钡；
磁控溅射制备第一无机阻挡层，所述第一无机阻挡层设置于所述阳极导电基板上并罩设于所述第一有机阻挡层上，所述第一无机阻挡层的材料包括碲化物、第一氮化物及第一金属，所述碲化物为三碲化锑、碲化铋、碲化镉、三碲化二铟、碲化锡或碲化铅，所述第一氮化物为氮化硅、氮化铝、氮化硼、氮化铪、氮化钽或氮化钛，所述第一金属为银、铝、镍、金、铜或铂；
真空蒸镀制备第二有机阻挡层，所述第二有机阻挡层设置于所述阳极导电基板上并罩设于所述第一无机阻挡层上，所述第二有机阻挡层的材料包括第二空穴传输材料及第二电子传输材料，所述第二空穴传输材料为N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲基苯基)-4,4′-联苯二胺、N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-二胺、1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷、2-甲基-9,10-二(咪唑-2-基)蒽、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯，所述第二电子传输材料为4,7-二苯基邻菲罗啉、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羟基喹啉铝、二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）铝或3-(4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑；及
磁控溅射制备第二无机阻挡层，所述第二无机阻挡层设置于所述阳极导电基板上并罩设于所述第二有机阻挡层上，所述第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层及第二无机阻挡层依次罩设于在所述发光功能层和阴极上，形成设置于所述阳极导电基板上的封装盖，封装得到有机电致发光器件；其中，所述第二无机阻挡层的材料包括第二氮化物、合金氧化物及第二金属，所述第二氮化物为氮化硅、氮化铝、氮化硼、氮化铪、氮化钽或氮化钛，所述第二合金氧化物为偏铝酸镁、钛酸铋、铬酸镍、铬酸钴、镥酸铁或铝酸钇；所述第二金属为银、铝、镍、金、铜或铂。
在其中一个实施例中，所述真空蒸镀制备第一有机阻挡层的步骤及真空蒸镀制备第二有机阻挡层的步骤中，所述真空蒸镀的真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa；
所述磁控溅射制备第一无机阻挡层的步骤及磁控溅射制备第二无机阻挡层的步骤中，本底的真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa。
上述有机电致发光器件的阳极导电基板上设置有封装盖，封装盖将活泼的发光功能层和阴极封装于阳极导电基板上，由第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层及第二无机阻挡层依次罩设于发光功能层和阴极上形成的致密的封装盖能够有效地减少外部水、氧等活性物质对发光功能层和阴极的侵蚀，对有机电致发光器件的发光功能层和阴极形成有效的保护，从而使有机电致发光器件的使用寿命较高。
附图说明
图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
图2为一实施方式的有机电致发光器件的封装方法流程图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100，包括阳极导电基板10、发光功能层20、阴极30及封装盖40。
发光功能层20和阴极30依次层叠于阳极导电基板10上。发光功能层20覆盖阳极导电基板10的部分表面，封装盖40设置于阳极导电基板10未被发光功能层20覆盖的表面上并罩设于发光功能层20和阴极30上，从而将发光功能层20和阴极30封装于阳极导电基板10上。
阳极导电基板10为铟锡氧化物玻璃（ITO）、铝锌氧化物玻璃（AZO）或铟锌氧化物玻璃（IZO），优选为铟锡氧化物玻璃（ITO）。
发光功能层20包括依次层叠于阳极导电基板10上的空穴注入层（图未示）、空穴传输层（图未示）、发光层（图未示）、电子传输层（图未示）及电子注入层（图未示）。
空穴注入层的材料为三氧化钼（MoO3）掺杂于N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺（NPB）中形成的掺杂材料。其中，三氧化钼（MoO3）与N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺（NPB）的质量比为30:100。
优选地，空穴注入层的厚度为10纳米。
空穴传输层的材料为4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）。
优选地，空穴传输层的厚度为30纳米。
发光层的材料为三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)掺杂于1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）中形成的掺杂材料。其中，三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)与1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）的质量比为5:100。
优选地，发光层的厚度为20纳米。
电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）。
优选地，电子传输层的厚度为10纳米。
电子注入层的材料为叠氮化铯（CsN3）掺杂于4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）中形成的掺杂材料。其中，叠氮化铯（CsN3）与4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）的质量比为30:100。
优选地，电子注入层的厚度为20纳米。
阴极的材料为金属铝（Al）。优选地，阴极30的厚度为100纳米。
封装盖40包括依次罩设于发光功能层20和阴极30上的第一有机阻挡层41、第一无机阻挡层42、第二有机阻挡层43及第二无机阻挡层44。
第一有机阻挡层41的材料包括第一空穴传输材料、第一电子传输材料及氟化物。
第一空穴传输材料为N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲基苯基)-4,4′-联苯二胺（TPD）、N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-二胺（NPB）、1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷（TAPC）、2-甲基-9,10-二(咪唑-2-基)蒽（MADN）、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）或1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯（mCP）。
第一电子传输材料为4,7-二苯基邻菲罗啉（Bpen）、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉（BCP）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）、8-羟基喹啉铝（Alq3）、二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）铝（Balq）或3-(4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑（TAZ）。
氟化物为氟化锂（LiF）、氟化铈（CeF2）、氟化镁（MgF2）、氟化铝（AlF3）、氟化钙（CaF2）或氟化钡（BaF2）。
优选地，第一空穴传输材料与第一电子传输材料的摩尔比为40:100～60:100，氟化物与第一电子传输材料的摩尔比为10:100～20:100。
优选地，第一有机阻挡层41的厚度为200纳米～300纳米。
第一无机阻挡层42的材料包括碲化物、第一氮化物及第一金属。
碲化物为三碲化锑（Sb2Te3）、碲化铋（Bi2Te）、碲化镉（CdTe）、三碲化二铟（In2Te3）、碲化锡（SnTe）或碲化铅（PbTe）。
第一氮化物为氮化硅（Si3N4）、氮化铝（AlN）、氮化硼（BN）、氮化铪（HfN）、氮化钽（TaN）或氮化钛（TiN）。
第一金属为银（Ag）、铝（Al）、镍（Ni）、金（Au）、铜（Cu）或铂（Pt）。
优选地，第一无机阻挡层42中，第一氮化物的质量百分含量为10%～40%，第一金属的质量百分含量为10%～30%。
优选地，第一无机阻挡层42的厚度为100纳米～200纳米。
第二有机阻挡层43的材料包括第二空穴传输材料及第二电子传输材料。
第二空穴传输材料为N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲基苯基)-4,4′-联苯二胺（TPD）、N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-二胺（NPB）、1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷（TAPC）、2-甲基-9,10-二(咪唑-2-基)蒽（MADN）、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）或1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯（mCP）。
第二电子传输材料为4,7-二苯基邻菲罗啉（Bphen）、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉（BCP）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）、8-羟基喹啉铝（Alq3）、二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）铝（Balq）或3-(4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑（TAZ）。
优选地，第二空穴传输材料与第二电子传输材料的摩尔比为40:100～60:100。
优选地，第二有机阻挡层43的厚度为200纳米～300纳米。
第二无机阻挡层44的材料包括第二氮化物、合金氧化物及第二金属。
第二氮化物为氮化硅（Si3N4）、氮化铝（AlN）、氮化硼（BN）、氮化铪（HfN）、氮化钽（TaN）或氮化钛（TiN）。
合金氧化物为偏铝酸镁（MgAl2O4）、钛酸铋（Bi2Ti4O11）、铬酸镍（CrNiO4）、铬酸钴（CoCr2O4）、镥酸铁（Fe2LuO4）或铝酸钇（Y3Al5O12）。
第二金属为银（Ag）、铝（Al）、镍（Ni）、金（Au）、铜（Cu）或铂（Pt）。
优选地，第二无机阻挡层中，第二氮化物的质量百分含量为10%～40%，第二金属的质量百分含量为10%～30%。
封装盖40设置于阳极导电基板上10，与阳极导电基板10形成密封的收容腔（图未示），发光功能层20和阴极30收容于收容腔中。阳极导电基板10具有较好的阻隔性能，由上述材料形成的封装盖40的致密性较高，能够有效地阻挡空气中的氧气、水汽等，进一步满足封装的密封性要求，从而能够有效地保护发光功能层20及阴极30，使得有机电致发光器件100的使用寿命（T701000cd/m2）较高，达到7600小时以上。
优选地，封装盖40的数量为3～5个。3～5个封装盖40的大小不等，且3～5个大小不等的封装盖40按小到大的顺序依次罩设于发光功能层和阴极上。3～5个封装盖40能够进一步提高封装的密封性，提高有机电致发光器件100的使用寿命。
请参阅图2，一实施方式中的有机电致发光器件的封装方法，包括如下步骤：
步骤S110：提供阳极导电基板，在阳极导电基板上采用真空蒸镀形成发光功能层。
阳极导电基板为铟锡氧化物玻璃（ITO）、铝锌氧化物玻璃（AZO）或铟锌氧化物玻璃（IZO），优选为铟锡氧化物玻璃（ITO）。
采用真空蒸镀在洁净的干燥的玻璃基板上蒸镀铟锡氧化物、铝锌氧化物或铟锌氧化物，在玻璃基板形成阳极图形，得到阳极导电基板。
优选地，阳极图形的厚度为100纳米。
采用真空蒸镀在阳极导电基板上形成发光功能层之前，首先将阳极导电基板依次放入丙酮、乙醇、去离子水及乙醇中进行超声清洗，每次超声清洗5分钟，然后用氮气吹干，再用烘箱烘干，得到洁净、干燥的阳极导电基板。进一步将阳极导电基板进行表面活性处理，以增加阳极导电基板表面的含氧量，提高阳极导电基板的功函数。进行表面活性处理的步骤为采用紫外-臭氧（UV-ozone）对清洗干燥后的阳极导电基板进行处理30～50分钟。
发光功能层包括依次层叠于阳极导电基板上的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层。发光功能层覆盖阳极导电基板的部分表面。
在洁净、干燥的阳极导电基板上真空蒸镀依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层，得到层叠于阳极导电基板上的发光功能层。
空穴注入层的材料为三氧化钼（MoO3）掺杂于N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺（NPB）中形成的掺杂材料。其中，三氧化钼（MoO3）与N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺（NPB）的质量比为30:100。
优选地，空穴注入层的厚度为10纳米。
真空蒸镀形成空穴注入层的真空度为3×10-5Pa。蒸发速度为
空穴传输层的材料为4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）。
优选地，空穴传输层的厚度为30纳米。
真空蒸镀形成空穴传输层的真空度为3×10-5Pa。蒸发速度为
发光层的材料为三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)掺杂于1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）中形成的掺杂材料。其中，三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)与1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）的质量比为5:100。
优选地，发光层的厚度为20纳米。
真空蒸镀形成发光层的真空度为3×10-5Pa。蒸发速度为
电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）。
优选地，电子传输层的厚度为10纳米。
真空蒸镀形成电子传输层的真空度为3×10-5Pa。蒸发速度为
电子注入层的材料为叠氮化铯（CsN3）掺杂于4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）中形成的掺杂材料。其中，叠氮化铯（CsN3）与4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）的质量比为30:100。
优选地，电子注入层的厚度为20纳米。
真空蒸镀形成电子注入层的真空度为3×10-5Pa。蒸发速度为
步骤S120：在发光功能层上真空蒸镀形成阴极。
阴极的材料为金属铝（Al）。优选地，阴极的厚度为100纳米。
真空蒸镀的真空度为3×10-5Pa。蒸发速度为
步骤S130：真空蒸镀制备第一有机阻挡层，第一有机阻挡层设置于阳极导电基板上并罩设于发光功能层和阴极上。
第一有机阻挡层的材料包括第一空穴传输材料、第一电子传输材料及氟化物。
第一空穴传输材料为N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲基苯基)-4,4′-联苯二胺（TPD）、N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-二胺（NPB）、1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷（TAPC）、2-甲基-9,10-二(咪唑-2-基)蒽（MADN）、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）或1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯（mCP）。
第一电子传输材料为4,7-二苯基邻菲罗啉（Bphen）、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉（BCP）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）、8-羟基喹啉铝（Alq3）、二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）铝（Balq）或3-(4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑（TAZ）。
氟化物为氟化锂（LiF）、氟化铈（CeF2）、氟化镁（MgF2）、氟化铝（AlF3）、氟化钙（CaF2）或氟化钡（BaF2）。
优选地，第一空穴传输材料与第一电子传输材料的摩尔比为40:100～60:100，氟化物与第一电子传输材料的摩尔比为10:100～20:100。
优选地，第一有机阻挡层的厚度为200纳米～300纳米。
真空蒸镀的真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa。蒸发速度为
步骤S140：磁控溅射制备第一无机阻挡层，第一无机阻挡层设置于阳极导电基板上并罩设于第一有机阻挡层上。
第一无机阻挡层的材料包括碲化物、第一氮化物及第一金属。
碲化物为三碲化锑（Sb2Te3）、碲化铋（Bi2Te）、碲化镉（CdTe）、三碲化二铟（In2Te3）、碲化锡（SnTe）或碲化铅（PbTe）。
第一氮化物为氮化硅（Si3N4）、氮化铝（AlN）、氮化硼（BN）、氮化铪（HfN）、氮化钽（TaN）或氮化钛（TiN）。
第一金属为银（Ag）、铝（Al）、镍（Ni）、金（Au）、铜（Cu）或铂（Pt）。
优选地，第一无机阻挡层中，第一氮化物的质量百分含量为10%～40%，第一金属占的质量百分含量为10%～30%。
优选地，第一无机阻挡层的厚度为100纳米～200纳米。
本底的真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa。
步骤S150：真空蒸镀制备第二有机阻挡层，第二有机阻挡层设置于阳极导电基板上并罩设于第一无机阻挡层上。
第二有机阻挡层的材料包括第二空穴传输材料及第二电子传输材料。
第二空穴传输材料为N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲基苯基)-4,4′-联苯二胺（TPD）、N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-二胺（NPB）、1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷（TAPC）、2-甲基-9,10-二(咪唑-2-基)蒽（MADN）、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）或1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯（mCP）。
第二电子传输材料为4,7-二苯基邻菲罗啉（Bphen）、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉（BCP）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）、8-羟基喹啉铝（Alq3）、二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）铝（Balq）或3-(4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑（TAZ）。
优选地，第二空穴传输材料与第二电子传输材料的摩尔比为40:100～60:100。
优选地，第二有机阻挡层的厚度为200纳米～300纳米。
真空蒸镀的真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa。蒸发速度为
步骤S160：磁控溅射制备第二无机阻挡层，第二无机阻挡层设置于阳极导电基板上并罩设于第二有机阻挡层上，第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层及第二无机阻挡层依次罩设于在发光功能层和阴极上形成设置于阳极导电基板上的封装盖，封装得到有机电致发光器件。
第二无机阻挡层的材料包括第二氮化物、合金氧化物及第二金属。
第二氮化物为氮化硅（Si3N4）、氮化铝（AlN）、氮化硼（BN）、氮化铪（HfN）、氮化钽（TaN）或氮化钛（TiN）。
合金氧化物为偏铝酸镁（MgAl2O4）、钛酸铋（Bi2Ti4O11）、铬酸镍（CrNiO4）、铬酸钴（CoCr2O4）、镥酸铁（Fe2LuO4）或铝酸钇（Y3Al5O12）。
第二金属为银（Ag）、铝（Al）、镍（Ni）、金（Au）、铜（Cu）或铂（Pt）。
优选地，第二无机阻挡层中，第二氮化物的质量百分含量为10%～40%，第二金属的质量百分含量为10%～30%。
本底的真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa。
第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层及第二无机阻挡层依次罩设于发光功能层和阴极上，形成设置于阳极导电基板上的封装盖，封装盖将发光功能层和阴极封装于阳极导电基板上，封装得到有机电致发光器件。
上述有机电致发光器件的封装方法采用真空蒸镀及磁控溅射的方法形成罩设于有机发光功能层和阴极上的封装盖，从而将发光功能层及阴极封装于阳极导电基板上，能够很好的保护发光功能层及阴极，封装得到稳定性较高、使用寿命较长的有机电致发光器件，并且封装工艺简单，易于大规模封装。
可以理解，在其他实施方式中，当封装盖的数量为3～5时，交替重复步骤S130、步骤S140、步骤S150及步骤S1602～4次，形成依次罩设于有机发光功能层和阴极上的3～5个封装盖。
在真空度1×10-5Pa～1×10-3Pa、以蒸发速度为进行真空蒸镀形成第一有机阻挡层及第二有机阻挡层，以及在本底真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa下磁控溅射形成第一无机阻挡层和第二无机阻挡层，有利于形成致密、无缺陷的膜层，得到致密性较高的封装盖。
以下为具体实施例。
实施例1
结构为ITO/MoO3:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/TPD:Bphen：LiF/Sb2Te3:Si3N4:Ag/TPD:Bphen/Si3N4:MgAl2O4:Ag的有机电致发光器件的封装。
（1）提供阳极导电基板，阳极导电基板为铟锡氧化物玻璃，表示为ITO。首先将阳极导电基板依次放入丙酮、乙醇、去离子水及乙醇中进行超声清洗，每次超声清洗5分钟，然后用氮气吹干，再用烘箱烘干，得到洁净、干燥的阳极导电基板。进一步采用紫外-臭氧（UV-ozone）对清洗干燥后的阳极导电基板进行处理进行表面活性处理30分钟，以增加阳极导电基板表面的含氧量，提高阳极导电基板的功函数；
（2）在阳极导电基板的表面上真空蒸镀形成的空穴注入层，真空蒸镀的真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为空穴注入层的材料为三氧化钼（MoO3）掺杂于N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺（NPB）中形成的掺杂材料，表示为MoO3:NPB，其中，MoO3与NPB的质量比为30:100；空穴注入层的厚度为10纳米；
（3）在空穴注入层的表面上真空蒸镀形成的空穴传输层，真空蒸镀的真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为空穴传输层的材料为4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）形成；空穴传输层的厚度为30纳米；
（4）在空穴传输层上真空蒸镀形成发光层，真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为发光层的材料为三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)掺杂于1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）中形成的掺杂材料，表示为Ir(ppy)3:TPBI，其中，Ir(ppy)3)与TPBI的质量比为5:100；发光层的厚度为20纳米；
（5）在发光层上真空蒸镀形成电子传输层，真空蒸镀的真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen），电子传输层的厚度为10纳米；
（6）在电子传输层上真空蒸镀形成电子注入层，真空蒸镀的真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为电子注入层的材料为叠氮化铯（CsN3）掺入4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）中形成的掺杂材料，表示为CsN3:Bphen，其中，CsN3与Bphen的质量比为30:100；电子注入层的厚度为20纳米；空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层依次层叠形成层叠于阳极导电基板上的发光功能能层；
（7）在发光功能层上真空蒸镀形成阴极，真空蒸镀的真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为阴极的材料为铝，阴极的厚度为100纳米；
（8）真空蒸镀制备第一有机阻挡层，第一有机阻挡层设置于阳极导电基板上并罩设于发光功能层和阴极上，真空蒸镀的真空度为1×10-5Pa，蒸发速度为第一有机阻挡层的材料包括N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲基苯基)-4,4′-联苯二胺（TPD）、4,7-二苯基邻菲罗啉（Bphen）及氟化锂（LiF）；其中，TPD与Bphen的摩尔比为55:100，LiF与Bphen的摩尔比为10:100，第一有机阻挡层的厚度为300纳米；
（9）磁控溅射制备第一无机阻挡层，第一无机阻挡层设置于阳极导电基板上并罩设于第一有机阻挡层上，本底的真空度为1×10-5Pa，第一无机阻挡层的材料包括三碲化锑（Sb2Te3）、氮化硅（Si3N4）及银（Ag），第一无机阻挡层中，Si3N4的质量百分含量为40%，Ag的质量百分含量为20%；第一无机阻挡层的厚度为200纳米；
（10）真空蒸镀制备第二有机阻挡层，第二有机阻挡层设置于阳极导电基板上并罩设于第一无机阻挡层上，真空蒸镀的真空度为1×10-5Pa，蒸发速度为第二有机阻挡层的材料包括N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲基苯基)-4,4′-联苯二胺（TPD）及4,7-二苯基邻菲罗啉（Bphen），其中，TPD与Bphen的摩尔比为55:100，第二有机阻挡层的厚度为300纳米；
（11）磁控溅射制备第二无机阻挡层，第二无机阻挡层设置于阳极导电基板上并罩设于第二有机阻挡层上，本底的真空度为1×10-5Pa，第二无机阻挡层的材料包括氮化硅（Si3N4）、偏铝酸镁（MgAl2O4）及银（Ag）；第二无机阻挡层中，Si3N4的质量百分含量为40%；Ag的质量百分含量为20%，第二无机阻挡层的厚度为200纳米；
第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层及第二无机阻挡层依次罩设于在所述发光功能层和阴极上，形成设置于所述阳极导电基板上的封装盖，封装得到结构为ITO/MoO3:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/TPD:Bphen:LiF/Sb2Te3:Si3N4:Ag/TPD:Bphen/Si3N4:MgAl2O4:Ag的有机电致发光器件。其中，斜杆“/”表示层叠或罩设，冒号“:”表示掺杂或混合，下同。
实施例2
结构为ITO/MoO3:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/NPB:BCP:CeF2/Bi2Te:AlN:Al/NPB:BCP/AlN:Bi2Ti4O11:Al的有机电致发光器件的封装。
（1）～（7）同实施例1。
（8）真空蒸镀制备第一有机阻挡层，第一有机阻挡层设置于阳极导电基板上并罩设于发光功能层和阴极上，真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为第一有机阻挡层的材料包括（N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-二胺（NPB）、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉（BCP）及氟化铈（CeF2），其中，NPB与BCP的摩尔比为50:100，CeF2和BCP的摩尔比为20:100，第一有机阻挡层的厚度为250纳米；
（9）磁控溅射制备第一无机阻挡层，第一无机阻挡层设置于阳极导电基板上并罩设于第一有机阻挡层上，本底的真空度为1×10-5Pa，第一无机阻挡层的材料包括碲化铋（Bi2Te）、氮化铝（AlN）及铝（Al），第一无机阻挡层中，AlN的质量百分含量为10%，Al的质量百分含量为15%；第一无机阻挡层的厚度为100纳米；
（10）真空蒸镀制备第二有机阻挡层，第二有机阻挡层设置于阳极导电基板上并罩设于第一无机阻挡层上，真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为第二有机阻挡层的材料包括N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-二胺（NPB）及2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉（BCP），其中，NPB与BCP的摩尔比为50:100，第二有机阻挡层的厚度为250纳米；
（11）磁控溅射制备第二无机阻挡层，第二无机阻挡层设置于阳极导电基板上并罩设于第二有机阻挡层上，本底的真空度为1×10-5Pa，第二无机阻挡层的材料包括氮化铝（AlN）、钛酸铋（Bi2Ti4O11）及铝（Al）；第二无机阻挡层中，AlN的质量百分含量为10%，Al的质量百分含量为15%；第二无机阻挡层的厚度为100纳米；第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层及第二无机阻挡层依次罩设于在所述发光功能层和阴极上，形成设置于所述阳极导电基板上的一个封装盖；
（12）交替重复步骤（8）至步骤（11）2次，形成依次罩设于发光功能层和阴极上的3个封装盖，封装得到结构为ITO/MoO3:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/NPB:BCP:CeF2/Bi2Te:AlN:Al/NPB:BCP/AlN:Bi2Ti4O11:Al的有机电致发光器件。
实施例3
结构为ITO/MoO3:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/TAPC:TPBI:MgF2/CdTe:BN:Ni/TAPC:TPBI/BN:CrNiO4:Ni的有机电致发光器件的封装。
（1）～（7）同实施例1。
（8）真空蒸镀制备第一有机阻挡层，第一有机阻挡层设置于阳极导电基板上并罩设于发光功能层和阴极上，真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为第一有机阻挡层的材料包括1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷（TAPC）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）及氟化镁（MgF2），其中，TAPC与TPBI的摩尔比为50:100，MgF2与TPBI的摩尔比为16:100，第一有机阻挡层的厚度为200纳米；
（9）磁控溅射制备第一无机阻挡层，第一无机阻挡层设置于阳极导电基板上并罩设于第一有机阻挡层上，本底的真空度为1×10-5Pa，第一无机阻挡层的材料包括碲化镉（CdTe）、氮化硼（BN）及镍（Ni），第一无机阻挡层中，BN的质量百分含量为30%，Ni的质量百分含量为15%；第一无机阻挡层的厚度为150纳米；
（10）真空蒸镀制备第二有机阻挡层，第二有机阻挡层设置于阳极导电基板上并罩设于第一无机阻挡层上，真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为第二有机阻挡层的材料包括1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷（TAPC）及1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI），其中，TAPC与TPBI的摩尔比为50:100，第二有机阻挡层的厚度为200纳米；
（11）磁控溅射制备第二无机阻挡层，第二无机阻挡层设置于阳极导电基板上并罩设于第二有机阻挡层上，本底的真空度为1×10-5Pa，第二无机阻挡层的材料包括氮化硼（BN）、铬酸镍（CrNiO4）及镍（Ni）；第二无机阻挡层中，BN的质量百分含量为30%，Ni的质量百分含量为15%；第二无机阻挡层的厚度为150纳米；第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层及第二无机阻挡层依次罩设于在所述发光功能层和阴极上形成设置于所述阳极导电基板上的一个封装盖；
（12）交替重复步骤（8）至步骤（11）4次，形成依次罩设于发光功能层和阴极上的5个封装盖，封装得到结构为ITO/MoO3:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/TAPC:TPBI:MgF2/CdTe:BN:Ni/TAPC:TPBI/BN:CrNiO4:Ni的有机电致发光器件。
实施例4
结构为ITO/MoO3:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/MADN:Alq3:AlF3/In2Te3:HfN:Au/MADN:Alq3/HfN:CoCr2O4:Au的有机电致发光器件的封装。
（1）～（7）同实施例1。
（8）真空蒸镀制备第一有机阻挡层，第一有机阻挡层设置于阳极导电基板上并罩设于发光功能层和阴极上，真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为第一有机阻挡层的材料包括2-甲基-9,10-二(咪唑-2-基)蒽（MADN）、8-羟基喹啉铝（Alq3）及氟化铝（AlF3），其中，MADN与Alq3的摩尔比为60:100，AlF3与Alq3的摩尔比为10:100，第一有机阻挡层的厚度为250纳米；
（9）磁控溅射制备第一无机阻挡层，第一无机阻挡层设置于阳极导电基板上并罩设于第一有机阻挡层上，本底的真空度为5×10-5Pa，第一无机阻挡层的材料包括三碲化二铟（In2Te3）、氮化铪（HfN）及金（Au），第一无机阻挡层中，氮化铪（HfN）的质量百分含量为20%，Au的质量百分含量为20%；第一无机阻挡层的厚度为150纳米；
（10）真空蒸镀制备第二有机阻挡层，第二有机阻挡层设置于阳极导电基板上并罩设于第一无机阻挡层上，真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为第二有机阻挡层的材料包括2-甲基-9,10-二(咪唑-2-基)蒽（MADN）及8-羟基喹啉铝（Alq3），其中，MADN与Alq3的摩尔比为60:100，第二有机阻挡层的厚度为250纳米；
（11）磁控溅射制备第二无机阻挡层，第二无机阻挡层设置于阳极导电基板上并罩设于第二有机阻挡层上，本底的真空度为5×10-5Pa，第二无机阻挡层的材料包括氮化铪（HfN）、铬酸钴（CoCr2O4）及金（Au）；第二无机阻挡层中，HfN的质量百分含量为20%，Au的质量百分含量为20%；第二无机阻挡层的厚度为150纳米；第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层及第二无机阻挡层依次罩设于在所述发光功能层和阴极上形成设置于所述阳极导电基板上的一个封装盖；
（12）交替重复步骤（8）至步骤（11）4次，形成依次罩设于发光功能层和阴极上的5个封装盖，封装得到结构为ITO/MoO3:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/MADN:Alq3:AlF3/In2Te3:HfN:Au/MADN:Alq3/HfN:CoCr2O4:Au的有机电致发光器件。
实施例5
结构为ITO/MoO3:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/TCTA:Balq:CaF2/SnTe:TaN:Cu/TCTA:Balq/TaN:Fe2LuO4:Cu的有机电致发光器件的封装。
（1）～（7）同实施例1。
（8）真空蒸镀制备第一有机阻挡层，第一有机阻挡层设置于阳极导电基板上并罩设于发光功能层和阴极上，真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为第一有机阻挡层的材料包括4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）、二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）铝（Balq）及氟化钙（CaF2），其中，TCTA与Balq的摩尔比为50:100，CaF2与Balq的摩尔比为20:100，第一有机阻挡层的厚度为250纳米；
（9）磁控溅射制备第一无机阻挡层，第一无机阻挡层设置于阳极导电基板上并罩设于第一有机阻挡层上，本底的真空度为5×10-5Pa，第一无机阻挡层的材料包括碲化锡（SnTe）、氮化钽（TaN）及铜（Cu），第一无机阻挡层中，氮化钽（TaN）的质量百分含量为25%，Cu的质量百分含量为10%；第一无机阻挡层的厚度为120纳米；
（10）真空蒸镀制备第二有机阻挡层，第二有机阻挡层设置于阳极导电基板上并罩设于第一无机阻挡层上，真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为第二有机阻挡层的材料包括4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）及二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）铝（Balq），其中，TCTA和Balq的摩尔比为50:100，第二有机阻挡层的厚度为250纳米；
（11）磁控溅射制备第二无机阻挡层，第二无机阻挡层设置于阳极导电基板上并罩设于第二有机阻挡层上，本底的真空度为5×10-5Pa，第二无机阻挡层的材料包括氮化钽（TaN）、镥酸铁（Fe2LuO4）及铜（Cu）；第二无机阻挡层中，TaN占第二无机阻挡层的质量百分数为25%，Cu占第二无机阻挡层的质量百分数为10%；第二无机阻挡层的厚度为120纳米；第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层及第二无机阻挡层依次罩设于在所述发光功能层和阴极上形成设置于所述阳极导电基板上的一个封装盖；
（12）交替重复步骤（8）至步骤（11）3次，形成依次罩设于发光功能层和阴极上的4个封装盖，封装得到结构为ITO/MoO3:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/TCTA:Balq:CaF2/SnTe:TaN:Cu/TCTA:Balq/TaN:Fe2LuO4:Cu的有机电致发光器件。
实施例6
结构为ITO/MoO3:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/mCP:TAZ:BaF2/PbTe:TiN:Pt/mCP:TAZ/TiN:Y3Al5O12:Pt的有机电致发光器件的封装。
（1）～（7）同实施例1。
（8）真空蒸镀制备第一有机阻挡层，第一有机阻挡层设置于阳极导电基板上并罩设于发光功能层和阴极上，真空蒸镀的真空度为1×10-3Pa，蒸发速度为第一有机阻挡层的材料包括1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯（mCP）、3-(4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑（TAZ）及氟化钡（BaF2）；其中，mCP与TAZ的摩尔比为40:100，BaF2与TAZ的摩尔比15:100，第一有机阻挡层的厚度为250纳米；
（9）磁控溅射制备第一无机阻挡层，第一无机阻挡层设置于阳极导电基板上并罩设于第一有机阻挡层上，本底的真空度为1×10-3Pa，第一无机阻挡层的材料包括碲化铅（PbTe）、氮化钛（TiN）及铂（Pt）；第一无机阻挡层中，氮化钛（TiN）的质量百分含量为20%，Pt的质量百分含量为30%；第一无机阻挡层的厚度为110纳米；
（10）真空蒸镀制备第二有机阻挡层，第二有机阻挡层设置于阳极导电基板上并罩设于第一无机阻挡层上，真空蒸镀的真空度为1×10-3Pa，蒸发速度为第二有机阻挡层的材料包括1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯（mCP）及3-(4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑（TAZ），其中，mCP与TAZ的摩尔比为40:100，第二有机阻挡层的厚度为250纳米；
（11）磁控溅射制备第二无机阻挡层，第二无机阻挡层设置于阳极导电基板上并罩设于第二有机阻挡层上，本底的真空度为1×10-3Pa，第二无机阻挡层的材料包括氮化钛（TiN）、铝酸钇（Y3Al5O12）及铂（Pt）；第二无机阻挡层中，TiN的质量百分比为20%，Pt的质量百分数为30%；第二无机阻挡层的厚度为110纳米；第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层及第二无机阻挡层依次罩设于在所述发光功能层和阴极上形成设置于所述阳极导电基板上的一个封装盖；
（12）交替重复步骤（8）至步骤（11）2次，形成依次罩设于发光功能层和阴极上的3个封装盖，封装得到结构为ITO/MoO3:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/mCP:TAZ:BaF2/PbTe:TiN:Pt/mCP:TAZ/TiN:Y3Al5O12:Pt的有机电致发光器件。
对比例1
结构为
ITO/MoO3:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/mCP/PbTe/mCP/TiN的有机电致发光器件的封装
封装方法同实施例1。不同于实施例1的是，第一有机阻挡层的材料为1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯（mCP），第一无机阻挡层的材料为碲化铅（PbTe），第二有机阻挡层的材料为1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯（mCP），第二无机阻挡层的材料为氮化钛（TiN），除此外，其余与实施例1相同。
表1为实施例1～6与对比例1的有机电致发光器件的水蒸气透过率（WVTR）及使用寿命，由表1可看出，实施例1～实施例6的有机电致发光器件的水蒸气透过率均小于对比1的有机电致发光器件的水蒸气，使用寿命均大于对比例1的有机电致发光器件的使用寿命。
表1实施例1～6与对比例1的有机电致发光器件的水蒸气透过率及使用寿命
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种有机电致发光器件，包括阳极导电基板、发光功能层、阴极和封装盖，所述发光功能层和阴极依次层叠于所述阳极导电基板上，所述封装盖将所述发光功能层和阴极封装于所述阳极导电基板上，其特征在于，所述封装盖包括依次罩设于所述有机发光功能层和阴极上的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层及第二无机阻挡层；其中，
所述第一有机阻挡层的材料包括第一空穴传输材料、第一电子传输材料及氟化物，所述第一空穴传输材料为N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲基苯基)-4,4′-联苯二胺、N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-二胺、1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷、2-甲基-9,10-二(咪唑-2-基)蒽、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯，所述第一电子传输材料为4,7-二苯基邻菲罗啉、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羟基喹啉铝、二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）铝或3-(4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑；所述氟化物为氟化锂、氟化铈、氟化镁、氟化铝、氟化钙或氟化钡；
所述第一无机阻挡层的材料包括碲化物、第一氮化物及第一金属，所述碲化物为三碲化锑、碲化铋、碲化镉、三碲化二铟、碲化锡或碲化铅，所述第一氮化物为氮化硅、氮化铝、氮化硼、氮化铪、氮化钽或氮化钛，所述第一金属为银、铝、镍、金、铜或铂；
所述第二有机阻挡层的材料包括第二空穴传输材料及第二电子传输材料，所述第二空穴传输材料为N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲基苯基)-4,4′-联苯二胺、N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-二胺、1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷、2-甲基-9,10-二(咪唑-2-基)蒽、4,4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯，所述第二电子传输材料为4,7-二苯基邻菲罗啉、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羟基喹啉铝、二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）铝或3-(4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑；
所述第二无机阻挡层的材料包括第二氮化物、合金氧化物及第二金属，所述第二氮化物为氮化硅、氮化铝、氮化硼、氮化铪、氮化钽或氮化钛，所述合金氧化物为偏铝酸镁、钛酸铋、铬酸镍、铬酸钴、镥酸铁或铝酸钇；所述第二金属为银、铝、镍、金、铜或铂。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述封装盖为3～5个，所述3～5个封装盖依次罩设于所述发光功能层和阴极。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一空穴传输材料与所述第一电子传输材料的摩尔比为40:100～60:100；所述氟化物与所述第一电子传输材料的摩尔比为10:100～20:100。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一无机阻挡层中，所述第一氮化物的质量百分含量为10%～40%，所述第一金属的质量百分含量为10%～30%。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第二空穴传输材料与所述第二电子传输材料的摩尔比为40:100～60:100。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第二无机阻挡层中，所述第二氮化物的质量百分含量为10%～40%，所述第二金属的质量百分含量为10%～30%。
7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一有机阻挡层和第二有机阻挡层的厚度为200纳米～300纳米。
8.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一无机阻挡层和第二无机阻挡层的厚度为100纳米～200纳米。
9.一种有机电致发光器件的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供阳极导电基板，在所述阳极导电基板上真空蒸镀形成发光功能层；
在所述发光功能层上真空蒸镀形成阴极；
真空蒸镀制备第一有机阻挡层，所述第一有机阻挡层设置于所述阳极导电基板上并罩设于所述发光功能层和阴极上，所述第一有机阻挡层的材料包括第一空穴传输材料、第一电子传输材料及氟化物，所述第一空穴传输材料为N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲基苯基)-4,4′-联苯二胺、N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-二胺、1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷、2-甲基-9,10-二(咪唑-2-基)蒽、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯，所述第一电子传输材料为4,7-二苯基邻菲罗啉、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羟基喹啉铝、二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）铝或3-(4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑；所述氟化物为氟化锂、氟化铈、氟化镁、氟化铝、氟化钙或氟化钡；
磁控溅射制备第一无机阻挡层，所述第一无机阻挡层设置于所述阳极导电基板上并罩设于所述第一有机阻挡层上，所述第一无机阻挡层的材料包括碲化物、第一氮化物及第一金属，所述碲化物为三碲化锑、碲化铋、碲化镉、三碲化二铟、碲化锡或碲化铅，所述第一氮化物为氮化硅、氮化铝、氮化硼、氮化铪、氮化钽或氮化钛，所述第一金属为银、铝、镍、金、铜或铂；
真空蒸镀制备第二有机阻挡层，所述第二有机阻挡层设置于所述阳极导电基板上并罩设于所述第一无机阻挡层上，所述第二有机阻挡层的材料包括第二空穴传输材料及第二电子传输材料，所述第二空穴传输材料为N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲基苯基)-4,4′-联苯二胺、N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-二胺、1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷、2-甲基-9,10-二(咪唑-2-基)蒽、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯，所述第二电子传输材料为4,7-二苯基邻菲罗啉、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羟基喹啉铝、二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）铝或3-(4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑；及
磁控溅射制备第二无机阻挡层，所述第二无机阻挡层设置于所述阳极导电基板上并罩设于所述第二有机阻挡层上，所述第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层及第二无机阻挡层依次罩设于在所述发光功能层和阴极上，形成设置于所述阳极导电基板上的封装盖，封装得到有机电致发光器件；其中，所述第二无机阻挡层的材料包括第二氮化物、合金氧化物及第二金属，所述第二氮化物为氮化硅、氮化铝、氮化硼、氮化铪、氮化钽或氮化钛，所述第二合金氧化物为偏铝酸镁、钛酸铋、铬酸镍、铬酸钴、镥酸铁或铝酸钇；所述第二金属为银、铝、镍、金、铜或铂。
10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件的封装方法，其特征在于，
所述真空蒸镀制备第一有机阻挡层的步骤及真空蒸镀制备第二有机阻挡层的步骤中，所述真空蒸镀的真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa；
所述磁控溅射制备第一无机阻挡层的步骤及磁控溅射制备第二无机阻挡层的步骤中，本底的真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa。
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- 2013-03-29 CN CN201310109591.1A patent/CN104078609A/zh active Pending
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