CN104073781A - 供气装置的控制方法以及基板处理系统 - Google Patents

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Abstract

一种供气装置的控制方法以及基板处理系统。该供气装置具备汽化器、载气供给源以及供气通路。该供气装置的控制方法具有如下工序：向上述汽化器的原料容器的内部供给液体或者固体的原料的工序；在上述原料容器的内部使上述原料汽化来产生原料气的工序；对收容上述液体或者固体的原料的上述原料容器的内部进行排气的工序；从上述载气供给源向上述原料容器的内部供给载气的工序；以及从上述原料容器经由上述供气通路向对被处理基板实施处理的处理室通过上述载气输送上述原料气的工序。

Description

供气装置的控制方法以及基板处理系统
本公开基于2013年3月28日申请的日本专利申请第2013-069973号的优先权的权益，将该日本申请的所有内容作为参考文献引用到本申请。
技术领域
本公开涉及一种供气装置的控制方法以及基板处理系统。
背景技术
在LSI(Large Scale Integration：大规模集成)制造工艺等的电子产品的制造工艺中进行薄膜的成膜处理。作为薄膜的成膜方法，广泛采用了基于干式(气相)处理的成膜。在干式处理中，成为薄膜的原料的原料气供给至基板处理系统的处理室内，在加载到处理室内的例如硅晶片等被处理基板上形成薄膜。
薄膜的原料有常温下为气体的原料以及常温下为液体、固体的原料两种。在前者的情况下，只要直接以原料气供给至处理室内即可。但是，在后者的情况下，在供给至处理室内之前必须使液体、固体的原料汽化。为此，额外需要具备使液体、固体的原料汽化来产生原料气体的汽化器的供气装置。
在这种供气装置中，液体或固体的原料被引入原料容器内，在原料容器内被汽化。原料容器起到汽化器的作用。通过送入到原料容器内的载气而向供气通路内压送在原料容器内汽化的原料(以下称为原料气)。通过载气在供气通路内输送被压送的原料气而供给至处理室内。
发明内容
发明要解决的问题
接着，在处理室内进行成膜处理。这种情况下的向处理室内的原料气供给量由原料容器内的原料气的每单位时间的产生量和送入到原料容器内的载气的流量来决定。原料气的供给量的调节是例如按每个工艺使成膜的薄膜的膜厚的均匀性、成膜速率等最优化的重要因素之一。
原料气的每单位时间的产生量主要由原料容器的加热温度的高低(温度控制)来决定，载气的流量由流量控制器的流量的增减(流量控制)来决定。
然而，确认了如下情况：当在按每个工艺最优化原料气的供给量的基础上增加载气的流量时，例如在成膜处理中有“处理室内产生的粒子增加”这样的倾向。当粒子增加时，粒子附着在成膜的薄膜上或粒子被捕获到成膜的薄膜中。因此，导致成膜的薄膜的品质劣化。
本公开提供一种在汽化器内使液体或者固体的原料汽化来产生原料气的供气装置中即使增加送入到汽化器内的载气的流量也能够抑制粒子的增加的供气装置的控制方法以及具备执行该控制方法的供气装置的基板处理系统。
另外，本公开提供一种抑制膜厚的偏差且能够进行膜厚薄的薄膜向被处理基板上的成膜的供气装置的控制方法以及具备执行该控制方法的供气装置的基板处理系统。
用于解决问题的方案
本公开的第一方式涉及供气装置的控制方法，该供气装置具备汽化器、载气供给源以及供气通路，该控制方法的特征在于，具有如下工序：向上述汽化器的原料容器的内部供给液体或者固体的原料的工序；在上述原料容器的内部使上述原料汽化来产生原料气的工序；对收容上述液体或者固体的原料的上述原料容器的内部进行排气的工序；从上述载气供给源向上述原料容器的内部供给载气的工序；以及从上述原料容器经由上述供气通路向对被处理基板实施处理的处理室通过上述载气输送上述原料气的工序。
本公开的第二方式涉及供气装置的控制方法，该供气装置具备汽化器、载气供给源以及供气通路，该控制方法的特征在于，具有如下工序：向上述汽化器的原料容器的内部供给液体或者固体的原料的工序；在上述原料容器的内部使上述原料汽化来产生原料气的工序；从上述载气供给源向上述原料容器的内部供给载气的工序；从上述原料容器经由上述供气通路向对被处理基板实施处理的处理室通过上述载气重复供给上述原料气、从而在该被处理基板上形成薄膜的工序；以及每次将上述原料气供给至上述处理室时对收容上述液体或者固体的原料的上述原料容器的内部进行排气的工序。
本公开的第三方式涉及供气装置的控制方法，该供气装置具备汽化器、载气供给源以及供气通路，该控制方法的特征在于，具有如下工序：向上述汽化器的原料容器的内部供给液体或者固体的原料的工序；在上述原料容器的内部使上述原料汽化来产生原料气的工序；从上述载气供给源向上述原料容器的内部供给载气的工序；在针对上述被处理基板的处理结束之后且针对接着处理的被处理基板的处理开始之前对收容了上述原料的上述原料容器的内部进行排气的工序；从上述原料容器经由上述供气通路向对被处理基板实施处理的处理室通过上述载气重复供给上述原料气、从而在该被处理基板上形成薄膜的工序；以及每次将上述原料气供给至上述处理室时对上述原料容器的内部进行排气的工序。
本公开的第四方式涉及基板处理系统，其具备：供气装置，其在内部具备：收容液体或者固体的原料的原料容器；在上述原料容器的内部使上述原料汽化来产生原料气的汽化器；向上述原料容器的内部供给载气的载气供给源；以及设置在上述原料容器与对被处理基板实施处理的处理室之间并通过上述载气来输送上述原料气的供气通路；基板处理装置，其具备通过上述供气通路与上述供气装置连接而对上述被处理基板实施处理的处理室以及通过排气通路连接在上述处理室和上述供气通路的排气机构；以及控制上述供气装置和上述基板处理装置来执行上述的供气装置的控制方法的控制装置。
附图说明
附图作为本说明书的一部分而引入来示出本公开的实施方式，与上述的一般说明以及后述的实施方式的详细一起说明本公开的概念。
图1是概要性地表示具备本公开的第一实施方式所涉及的供气装置的基板处理系统的一个例子的框图。
图2是概要性地表示参考例1所涉及的处理流程的流程图。
图3是表示参考例1中的吹扫供气通路时的阀的状态的图。
图4的(A)～4的(D)是表示参考例1中的原料容器的内部的样子的图。
图5是表示参考例1中的原料容器内的压力随时间变化的图。
图6是表示本公开的第二实施方式所涉及的供气装置的控制方法的一个例子的流程图。
图7是表示本公开的第二实施方式所涉及的供气装置的控制方法的对原料容器的内部进行排气时的阀的状态的图。
图8A是表示本公开的第二实施方式所涉及的供气装置的控制方法的一个例子中的原料容器内的压力随时间变化的图。
图8B是表示本公开的第二实施方式所涉及的供气装置的控制方法的变形例中的原料容器内的压力随时间变化的图。
图9的(A)以及9的(B)是表示参考例2中的原料气的供给次数与原料气的气体量之间的关系的图。
图10的(A)以及10的(B)是表示参考例2中的原料气的供给次数与原料气的气体量之间的关系的图。
图11的(A)～11的(C)是表示在本公开的第二实施方式所涉及的供气装置的控制方法的其它例子中原料气的供给次数与原料气的气体量之间的关系的图。
图12是表示在第二实施方式中对原料容器的内部进行排气时的阀的状态的图。
图13是概要性地表示第三实施方式所涉及的供气装置的控制方法的一个例子的流程图。
图14A是表示图13中的步骤S14中的阀的状态的图。
图14B是表示图13中的步骤S10中的阀的状态的图。
图14C是表示图13中的步骤S11中的阀的状态的图。
图14D是表示图13中的步骤S12中的阀的状态的图。
图15A是表示图13中的步骤S1a中的阀的状态的图。
图15B是表示图13中的步骤S10中的阀的状态的图。
图15C是表示图13中的步骤S11中的阀的状态的图。
图15D是表示图13中的步骤S12中的阀的状态的图。
具体实施方式
以下参照附图说明本发明的实施方式。在下述的详细说明中，为了能够充分理解本公开而给出了很多具体的详细例子。然而，本领域技术人员在没有这种详细的说明时也能够形成本公开是当然的事情。在其它例子中，为了避免难以理解各种实施方式，没有详细地表示公知的方法、过程、系统、结构要素。此外，在所有图中对共用的部分附加共用的参考标记。
(第一实施方式)
<基板处理系统>
图1是概要性地表示本公开的第一实施方式所涉及的、具备能够执行供气装置控制方法(后述)的供气装置的基板处理系统的一个例子的框图。
如图1所示，第一实施方式所涉及的基板处理系统100具备有供气装置1、基板处理装置2以及控制供气装置1和基板处理装置2的控制装置3。
供气装置1包含有汽化器11以及载气供给源12。汽化器11具备有在内部收容原料112的原料容器111以及对收容在原料容器111的内部的原料112进行加热的加热装置113。例如，在基板处理系统100为对被处理基板上实施薄膜的成膜处理的成膜装置的情况下，原料112是成为薄膜的原材料的物质，其以液体或者固体的状态收容在原料容器111的内部。在原料112为液体的情况下，也可以是在溶剂中溶解固体、液体或者气体的成为原材料的物质所得到的液体。在原料容器111中设置有送入侧阀114以及送出侧阀115。另外，在送入侧阀114的气体送入部与送出侧阀115的气体送出部之间存在使载气越过原料容器111的旁路阀116。
加热装置113对收容在原料容器111的内部的原料112进行加热而使其汽化。由此，在原料容器111的内部产生原料气。
载气供给源12向原料容器111的内部供给载气。载气选择相对于原料气等具有非活性性质的非活性气体。作为非活性气体的例子，例如能够举出氮(N2)气、第18族元素(稀有气体)气体。另外，在第18族元素中，可以选择氦(He)气、氖(Ne)气、氩(Ar)气、氪(Kr)气以及氙(Xe)气。在本例中选择了氩气。
载气经由流量控制器121以及开闭阀122供给至原料容器111的内部。开闭阀122与原料容器111的送入侧阀114的气体送入部以及旁路阀116的气体送入部分别连接。当送入侧阀114为“开(open)状态”而旁路阀116为“闭(close)状态”时，载气供给至原料容器111的内部。相反，当送入侧阀114为“闭状态”而旁路阀116为“开状态”时，载气越过原料容器111供给至供气通路13。
当在向原料容器111的内部供给了载气的状态下将原料容器111的送出侧阀115设为“开状态”时，在原料容器111内产生的原料气在载气的压力下与载气一起向供气通路13输送(参照图4的A～图4的D中的标记“G”)。供气通路13是连接供气装置1与基板处理装置2的气体配管。
基板处理装置2包含有处理室21、排气机构22以及转移机构23。在处理室21的内部收容多个被处理基板W，对收容的被处理基板W例如实施成膜处理等处理。被处理基板W的一个例子是半导体晶片、例如硅晶片。在处理室21的供气阀211的气体送入部连接有供气通路13。通过使供气阀211成为“开状态”，来向处理室21的内部供给通过载气输送来的原料气。另外，在处理室21上连接有与排气机构22连接的排气通路221。由此，通过排气机构22对处理室21的内部进行排气，而能够在成膜处理时将处理室21的内部调整为与处理相应的压力或对供给至处理室21的内部的原料气等处理气体进行排气。另外，排气机构22经由排气阀222与供气通路13连接。由此，通过排气机构22能够一边维持规定的压力一边对供气通路13的内部进行排气。
转移装置23进行被处理基板W向处理室21的加载以及卸载。本例的基板处理装置2是分批式纵型基板处理装置。因此，在基板处理装置2的纵型晶舟212上以在高度方向上层叠的状态收容被处理基板W。在基板处理装置2中，在被处理基板W收容在盒(未图示)的状态下加载和卸载被处理基板W。转移装置23在盒与纵型晶舟212之间进行被处理基板W的转移。
控制装置3控制供气装置1以及基板处理装置2。控制装置3包含有由微处理器(计算机)构成的工艺控制器31、用户接口32以及存储部33。工艺控制器31与用户接口32连接。为了操作员管理供气装置1以及基板处理装置2而由进行命令的输入操作等的触摸板、对供气装置1以及基板处理装置2的工作状况进行可视化显示的显示器等构成用户接口32。并且，工序控制器31与存储部33连接。存储部33保存用于以工艺控制器31的控制实现由供气装置1以及基板处理装置2执行的各种处理的控制程序、用于根据处理条件使供气装置1以及基板处理装置2的各结构部执行处理的程序即所谓的制程。制程例如存储于存储部33中的存储介质。存储介质既可以是硬盘、半导体存储器，也可以是CD-ROM、DVD、闪存等便携介质。另外，也可以是从其它装置例如经由专用线路来适当传输制程。根据需要按照来自用户接口32的指示等来从存储部33读出制程，并由工艺控制器31执行按照所读出的制程的处理，由此供气装置1以及基板处理装置2在工艺控制器31的控制下执行指定的处理。
(第二实施方式)
说明本公开的第二实施方式所涉及的供气装置的控制方法。本方法能够使用如图1所示的基板处理系统100来进行实施。
<参考例1>
在说明本公开的第二实施方式之前，说明有助于理解第一实施方式的参考例1。此外，参考例1附记了成为说明第二实施方式所涉及的供气装置的控制方法的结构的一部分的内容。
图2是概要性地表示参考例1所涉及的基板处理的流程图。
如图2所示，参考例1中的处理流程由主制程和副制程组成。主制程例如是对盒与纵型晶舟212之间的被处理基板W的转移、是否执行基板处理的决定等进行控制的流程。副制程成为在通过主制程许可了基板处理的执行时控制基板处理装置2的基板处理流程的流程。
当主制程开始时，首先进行供气通路13的吹扫(步骤S1)以及盒与纵型晶舟212之间的被处理基板W的转移(步骤S2)。之后，决定是否执行基板处理(步骤S3)。在步骤S3中决定了执行的情况下(“是”)，跳转到副制程来开始副制程。相反，在不执行的情况下(“否”)，进入到步骤S4来判断是否结束处理。在步骤S4中判断为结束的情况下(“是”)，结束处理。
在开始副制程时，首先将保持了被处理基板W的纵型晶舟212加载到处理室21的内部(步骤S5)。如果加载完成，则开始按照副制程的基板处理(步骤S6)。如果处理结束(步骤S7)，则将保持了处理完的基板W的纵型晶舟212从处理室21的内部卸载(步骤S8)。如果卸载完成，则返回到主制程，并进入到步骤S4。
在步骤S4中，判断是否结束处理。在步骤S4中判断为结束的情况下(“是”)，结束处理。在步骤S4中判断为继续执行的情况下(“否”)，返回到步骤S1以及步骤S2来重复上述的步骤S1～步骤S8。
在此，想要关注的是在继续执行处理的情况下从第1次的步骤S7中的处理结束后至第2次的步骤S6中的处理开始为止的时间。以下将该时间称为处理待机时间。在处理待机时间期间进行向处理室21的纵型晶舟212的加载以及卸载、以及在盒与纵型晶舟212之间的转移等。因此，基板处理需要长的时间。因此，在步骤S1中进行供气通路13的吹扫。吹扫供气通路13时的阀的状态在图3中示出。
如图3所示，在吹扫供气通路13时，将原料容器111的送入侧阀114、送出侧阀115以及处理室21的供气阀211设为“闭状态”，将载气供给源12的开闭阀122、原料容器111的旁路阀116、供气通路13的排气阀222设为“开状态”。载气经由开闭阀122、旁路阀116供给至供气通路13，供给至供气通路13的载气经由排气阀222向排气机构22排气。由此，进行供气通路13的吹扫。
在处理待机时间期间产生的原料容器111的内部的样子在图4的(A)～图4的(D)中示出。
图4的(A)示出了按照副制程的第1次的基板处理结束时(步骤S7)的原料容器111的内部的样子。如图4的(A)所示，紧接在处理结束之后，原料容器111的原料气G的量减少。即使在步骤S7中的处理结束后，为了下一次的处理而在处理待机时间期间加热装置113也继续加热原料容器111。其结果，如图4的(B)所示，原料112不断汽化，原料气G的量恢复。随着原料气G的量恢复，原料容器111内的压力变高。这是因为原料容器111的送入侧阀114以及送出侧阀115都是“闭状态”而原料容器111的内部被密闭。原料容器111的内部的压力随时间变化的样子在图5中示出。
当第2次的步骤6开始时，原料容器111的送入侧阀114从“闭状态”成为“开状态”，如图4的(C)所示那样经由该闭状态的送入侧阀114向原料容器111的内部供给载气。如图5所示，当向原料容器111的内部供给载气时原料容器111的内部的压力急剧上升。为了按每个工艺使原料气G的供给量最优化，设为增加载气的流量。急剧上升的原料容器111的内部的压力的程度随着载气流量增加而变大。
当原料容器111的内部的压力变高时产生的现象是汽化的原料变回液体的现象。即，引起原料气G的“雾化”。原料气G的“雾化”是在原料容器111的内部的压力超过“雾化压力”时产生的。在处理开始后，原料容器111的送出侧阀115也从“闭状态”切换为“开状态”，但是一气上升的压力不会一气下降。因此，导致在处理开始的初始阶段，如图5中斜线以及图4的(D)所示那样掺杂有雾化的原料L的状态的原料气G向处理室21的内部供给。当掺杂在原料气G中的雾化的原料L附着在处理室21的内壁、纵型晶舟212等的表面、供气通路13的内壁、供气阀211的内部时，导致形成粒子的产生源。
<供气装置的控制方法>
图6是表示本公开的第二实施方式所涉及的供气装置的控制方法的一个例子的流程图。
在此，在第二实施方式所涉及的供气装置的控制方法中，为了抑制原料气G的“雾化”，如图6所示那样将在参考例1中作为供气通路13的吹扫的步骤1设为对原料容器111的内部进行排气(抽真空)(图6中记载为原料容器真空)(步骤1a)。步骤1a以外如同在参考例1中所说明的那样。对原料容器111的内部进行排气(抽真空)时的阀的状态在图7中示出。
如图7所示，在对原料容器111的内部进行排气时，将原料容器111的送出侧阀115以及供气通路13的排气阀222设为“开状态”。将除此以外的开闭阀122、送入侧阀114、旁路阀116以及供气阀211设为“闭状态”。由此，通过排气机构22经由供气通路13对原料容器111的内部进行排气。
图8A是表示本公开的第二实施方式所涉及的供气装置的控制方法的一个例子中的原料容器111的内部的压力随时间变化的样子的图。
如图8A所示，原料容器111的内部的压力成为在处理结束时为最低的状态。随着处理结束成为处理待机时间，但是加热装置113继续加热原料容器111。因此，在原料容器111的内部原料不断汽化，原料容器111的内部的压力逐渐转为上升。在第二实施方式中，在处理待机时间期间对原料容器111的内部进行排气。由此，原料容器111的内部的压力如图8A中的向下箭头所示那样下降。下降的压力的值选择如下的值：即使供给载气使原料容器111的内部的压力上升，在下一次处理开始时也小于“雾化压力”。
这样，在第二实施方式中，对原料容器111的内部进行排气，使得在开始针对下一次处理的被处理基板W的处理之际，在向原料容器111的内部供给了载气时，原料容器111的内部的压力也小于雾化压力。通过具备该结构，即使是向原料容器111的内部大量地供给载气时也能够抑制原料气G的“雾化”。
因而，根据能够抑制原料气G的“雾化”的第二实施方式，能够获得如下优点：能够获得一种在汽化器11内使液体或者固体的原料汽化来产生原料气G的供气装置1中即使增加送入到汽化器11内的载气的流量也能够抑制粒子的增加的供气装置的控制方法。
<供气装置的控制方法的变形例>
图8B是表示本公开的第二实施方式所涉及的供气装置的控制方法的变形例中的原料容器111的内部的压力随时间变化的样子的图。
如图8B所示，变形例与上述第二实施方式(图8A)不同之处在于在当前基板处理结束时对原料容器111的内部进行排气。即使这样也能够获得与上述第二实施方式的一个例子所涉及的供气装置的控制方法相同的优点。
由此，原料容器111的内部的排气如上述第二实施方式的一个例子以及本变形例所示那样，只要在通过载气将原料气G输送到供气通路13之前、即向原料容器111的内部供给载气之前执行即可。
<参考例2>
在说明本公开的第二实施方式之前，说明有助于理解第三实施方式的参考例2。第二实施方式涉及将由原料气G的供给(气体流)、供气通路13的排气(抽真空)以及供气通路13的吹扫构成的循环重复多次来一边每次一层地层叠原子水平的层一边在被处理基板W上形成薄膜的、例如ALD(Atomic LayerDeposition：原子层沉积)法或者间歇供给CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法。此外，参考例2附记了成为说明第三实施方式所涉及的供气装置的控制方法的结构的一部分的内容。
图9的(A)和图9的(B)以及图10的(A)和图10的(B)是表示参考例2中的原料气G的供给次数与原料气G的气体量之间的关系的图。
图9的(A)示出了原料气G的供给次数为80次(80循环)时的原料气G的供给次数与原料气G的气体量之间的关系。此外，在本说明书中，气体量定义为存在于原料容器111的内部的汽化空间中所存在的原料气G的比例。
在原料气G的供给初始阶段时、即紧接在处理开始之后，原料气G的气体量处于“浓”状态。这是因为：如在第二实施方式中所说明的那样，在从处理结束至处理开始为止的处理待机时间内原料容器111的内部的原料112不断汽化。因此，从原料气G的首次的供给至第数次为止，较“浓”原料气G向处理室21的内部供给。第数次以后，原料气G的气体量稳定在能够恢复的恢复下限值。在气体量稳定以后，以稳定的气体量继续供给原料气G。
在如图9的(A)所示那样原料气G的供给次数例如80次那样较多的情况下，在被处理基板W上形成膜厚厚的薄膜。因此，在供给初始阶段中，即使向处理室21的内部供给了具有超过了恢复下限值的气体量的原料气G，对薄膜的膜厚也基本没有影响。
然而，在如图9的(B)所示那样原料气G的供给次数例如10次那样较少而在被处理基板W上形成膜厚薄的薄膜的情况下，供给初始阶段中的、具有超过了恢复下限值Rf的气体量的原料气G的供给对薄膜的膜厚带来影响。例如，因为供给具有超过了恢复下限值Rf的气体量的原料气G，所以难以使膜厚进一步薄膜化等。
此外，图9的(A)以及图9的(B)示出了原料容器111的内部的原料112充满时，但是如图10的(A)以及图10的(B)所示，当成为原料容器111的内部的原料112接近空的状态、即成为使用界限值状态时，供给初始阶段所产生的气体量与充满时(图9的A以及图9的B)相比变少。这是基于如下原因：由于原料112的量变少而原料容器111的内部的汽化空间扩大，以及从原料112产生的汽化气体量减少。另外，使用界限值状态中的恢复下限值Re成为比充满时的恢复下限值Rf低的值。
如图10的(A)所示，当原料气G的供给次数例如为80次时，供给初始阶段产生的气体量的变化、恢复下限值Rf以及Re的变化对要成膜的薄膜的膜厚影响不大。
然而，如图10的(B)所示，当原料气G的供给次数例如为10次时，供给初始阶段产生的气体量的变化、恢复下限值Rf以及Re的变化对要成膜的薄膜的膜厚带来大的影响。即，根据处于原料容器111的内部的原料气G的量的不同，在成膜的薄膜的膜厚上产生大的差异。这会导致产生在被处理基板W上难以连续形成膜厚一样的薄膜这种情形。
因此，在第二实施方式所涉及的供气装置的控制方法中，如下那样实现了成膜的薄膜的进一步薄膜化和膜厚一样的薄膜的连续成膜。
图11的(A)～图11的(C)是表示在本公开的第二实施方式所涉及的供气装置的控制方法的其它例子中原料气的供给次数与原料气的气体量之间的关系的图。
如图11的(A)以及图11的(B)所示，在第二实施方式中，在首次的原料气G供给之前，对原料容器111的内部进行排气。由此，减少原料气的气体量。而且，在每次供给原料气G时进行该排气。另外，为了使排气后的气体量在每次供给原料气G时在允许范围内稳定，进行排气使得排气后的气体量比恢复下限值Rf(参照图11的(A))低。并且，在其它的实施方式中，如图11的(B)所示的恢复下限值Re那样，在气体量根据收容在原料容器111的内部的原料112的剩余量而变化时，作为恢复下限值而选择使用界限值时的恢复下限值Re，执行排气使得排气后的气体量低于恢复下限值Re。
在这种第二实施方式时，在每次供给原料气G时对原料容器111的内部进行排气。而且，在排气时对原料容器111的内部进行排气使得低于恢复下限值Re或者恢复下限值Rf，由此使向处理室21的内部供给的原料气G的气体量从首次的原料供气时起稳定。
因而，能够获得如下优点：在为了形成膜厚薄的薄膜而将原料气G的供给次数例如设为10次以下的情况下，也能够抑制如参考例2所示那样的在供给初始阶段产生的气体量的变化、恢复下限值Rf以及Re的变化，能够在被处理基板W上以膜厚稳定且连续的方式形成薄的薄膜。
此外，如图11的(C)所示，例如也存在对原料容器111的内部只进行1次排气时不能使原料气G的气体量成为稳定的值的情况。但是，在第二实施方式中，如果进行2～3次排气，则能够使原料气G的气体量成为稳定的值。因而，如果与不对原料容器111的内部进行排气的参考例2相比，则能够在被处理基板W上以膜厚稳定且连续的方式形成薄的薄膜。因而，根据第二实施方式，能够实现能够抑制膜厚的偏差且形成膜厚薄的薄膜的供气装置的控制方法。
图12是表示在第二实施方式中对原料容器111的内部进行排气时的阀的状态的图。
如图12所示，在第二实施方式中，在对原料容器111的内部进行排气时，将开闭阀122、送入侧阀114、送出侧阀115以及排气阀222设为“开状态”。将除此以外的旁路阀116以及供气阀211设为“闭状态”。由此，能够通过排气机构22经由供气通路13来对原料容器111的内部进行排气。
此外，在第二实施方式中，在对原料容器111的内部进行排气时，可以保持向原料容器111的内部供给载气。这是由于第二实施方式中的以下等原因：
(1)只要降低原料容器111的内部的原料气G的气体量即可，因此与第一实施方式相比不需要大幅降低原料容器111的内部的压力，以及
(2)在短时间内重复载气的通断有可能扰乱从载气供给源12向原料容器111的内部的载气供给路中的气流而难以稳定地供给载气。
(第三实施方式)
图13是概要性地表示第三实施方式所涉及的供气装置的控制方法的流程图。
如图13所示，第三实施方式所涉及的供气装置的控制方法使用第二实施方式的主制程，除了进一步进行步骤S10～S14的副制程之外，与第二实施方式相同。当主制程开始时，进行按照第二实施方式的原料容器111的内部的排气(步骤S1a)以及盒与纵型晶舟212之间的被处理基板W的转移(步骤S2)。在步骤3中判断为继续执行基板处理的情况下，进入到步骤S5来开始副制程。
当副制程开始时，如步骤5所示那样将保持了被处理基板W的纵型晶舟212加载到处理室21的内部。如果加载完成，则开始处理(步骤6)。在本例中，首先如步骤10所示那样向处理室21的内部供给原料气G(气体流)。接着，如步骤11所示那样对供气通路13内进行排气(真空)。接着，如步骤12所示那样例如以惰性的载气对供气通路13内进行吹扫(吹扫)。接着，在步骤13中判断是否结束处理。在判断为不结束处理的情况下(“否”)，进入到步骤14，进行按照第三实施方式的原料容器111的内部的排气(抽真空)(原料容器真空(副制程))。然后，重复步骤10～步骤13。在步骤13中判断为结束基板处理的情况下(“是”)，进入到步骤S7来结束基板处理。接着，进入到步骤8，将保持了处理完的基板W的纵型晶舟212从处理室21的内部卸载。如果卸载完成，则进入到步骤S4来判断是否结束主制程的基板处理。
在步骤4中判断为结束的情况下(“是”)，结束处理。在步骤4中判断为不结束的情况下(“否”)，回到步骤1a以及步骤2来重复上述的步骤1a～步骤14。
这样，在实施第三实施方式的情况下希望与第二实施方式并用。此外，图14A～图14D示出第三实施方式的流程的步骤14、步骤10、步骤11、步骤12中的阀的状态，图15A～图15D示出第二以及第三实施方式的流程中步骤1a、步骤10、步骤11、步骤12中的阀的状态。
以上按照实施方式说明了本公开，但是本公开不限定于上述实施方式，能够在不超出其宗旨的范围内进行种种变形。
例如，在上述实施方式中将原料设为液体，但是原料也可以是固体。另外，关于基板处理装置，例示了分批式纵型基板处理装置，但是基板处理装置不限于纵型，也不限于分批式。
根据本公开，能够提供一种在使供给至汽化器内的液体或者固体的原料汽化来产生原料气的供气装置中即使增加送入到汽化器内的载气的流量也能够抑制粒子的增加的供气装置的控制方法以及具备执行该控制方法的供气装置的基板处理系统。
另外，本公开能够提供一种抑制膜厚的偏差且能够进行膜厚薄的薄膜向被处理基板上的成膜的供气装置的控制方法以及具备执行该控制方法的供气装置的基板处理系统。
应该认为本次公开的实施方式在所有点上是例示而不是限制性的内容。实际上，上述的实施方式能够以多种方式来具体化。另外，上述的实施方式也可以不超出权利要求范围及其主旨而以各种方式进行省略、置换、变更。本发明的范围意图包含权利要求范围和其均等意味以及范围内的所有变更。

Claims (11)

1.一种供气装置的控制方法，该供气装置具备汽化器、载气供给源以及供气通路，该控制方法的特征在于，具有如下工序：
向上述汽化器的原料容器的内部供给液体或者固体的原料的工序；
在上述原料容器的内部使上述原料汽化来产生原料气的工序；
对收容上述液体或者固体的原料的上述原料容器的内部进行排气的工序；
从上述载气供给源向上述原料容器的内部供给载气的工序；以及
从上述原料容器经由上述供气通路向对被处理基板实施处理的处理室通过上述载气输送上述原料气的工序。
2.根据权利要求1所述的供气装置的控制方法，其特征在于，
在针对上述被处理基板的处理结束之后、针对接着处理的被处理基板的处理开始之前执行上述原料容器的内部的排气。
3.根据权利要求2所述的供气装置的控制方法，其特征在于，
在上述原料容器的内部的压力中存在上述原料汽化而产生的上述原料气雾化的雾化压力，
执行上述原料容器的内部的排气使得在开始针对上述接着处理的被处理基板的处理时，在向上述原料容器的内部供给了上述载气时上述原料容器的内部的压力低于上述雾化压力。
4.根据权利要求1所述的供气装置的控制方法，其特征在于，
上述汽化器具备对收容在上述原料容器的内部的上述原料进行加热的加热装置，
上述加热装置从针对上述被处理基板的处理结束起至针对接着处理的被处理基板的处理开始为止对收容在上述原料容器内的上述原料继续加热。
5.一种供气装置的控制方法，该供气装置具备汽化器、载气供给源以及供气通路，该控制方法的特征在于，具有如下工序：
向上述汽化器的原料容器的内部供给液体或者固体的原料的工序；
在上述原料容器的内部使上述原料汽化来产生原料气的工序；
从上述载气供给源向上述原料容器的内部供给载气的工序；
从上述原料容器经由上述供气通路向对被处理基板实施处理的处理室通过上述载气重复供给上述原料气、从而在该被处理基板上形成薄膜的工序；以及
每次将上述原料气供给至上述处理室时对收容上述液体或者固体的原料的上述原料容器的内部进行排气的工序。
6.根据权利要求5所述的供气装置的控制方法，其特征在于，
执行上述原料容器的内部的排气使得每次供给上述原料气时从上述原料容器输送的上述原料气的气体量在允许范围内稳定。
7.根据权利要求6所述的供气装置的控制方法，其特征在于，
对于上述原料气的气体量设有恢复下限值，该恢复下限值在上述原料气通过上述载气从上述原料容器的内部向上述供气通路输送之后至下一次将原料气通过上述载气从上述原料容器的内部向上述供气通路输送为止的期间上述原料气的气体量能够恢复的值，
执行上述原料容器的内部的排气使得上述原料气的气体量低于上述恢复下限值。
8.根据权利要求7所述的供气装置的控制方法，其特征在于，
当上述恢复下限值根据收容在上述原料容器的内部的上述原料的剩余量而变化时，
上述恢复下限值选择与上述原料的剩余量接近空的使用界限值状态相对应的值。
9.根据权利要求5所述的供气装置的控制方法，其特征在于，
重复上述原料气的供给的重复次数是10次以下。
10.一种供气装置的控制方法，该供气装置具备汽化器、载气供给源以及供气通路，该控制方法的特征在于，具有如下工序：
向上述汽化器的原料容器的内部供给液体或者固体的原料的工序；
在上述原料容器的内部使上述原料汽化来产生原料气的工序；
从上述载气供给源向上述原料容器的内部供给载气的工序；
在针对被处理基板的处理结束之后且针对接着处理的被处理基板的处理开始之前对收容了上述原料的上述原料容器的内部进行排气的工序；
从上述原料容器经由上述供气通路向对被处理基板实施处理的处理室通过上述载气重复供给上述原料气、从而在该被处理基板上形成薄膜的工序；以及
每次将上述原料气供给至上述处理室时对上述原料容器的内部进行排气的工序。
11.一种基板处理系统，其特征在于，具备：
供气装置，其在内部具备：收容液体或者固体的原料的原料容器；在上述原料容器的内部使上述原料汽化来产生原料气的汽化器；向上述原料容器的内部供给载气的载气供给源；以及设置在上述原料容器与对被处理基板实施处理的处理室之间并通过上述载气来输送上述原料气的供气通路；
基板处理装置，其具备通过上述供气通路与上述供气装置连接而对上述被处理基板实施处理的处理室以及通过排气通路连接在上述处理室和上述供气通路的排气机构；以及
控制上述供气装置和上述基板处理装置来执行根据权利要求1所述的供气装置的控制方法的控制装置。
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