CN104064687A - 显示面板 - Google Patents
显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104064687A CN104064687A CN201410316791.9A CN201410316791A CN104064687A CN 104064687 A CN104064687 A CN 104064687A CN 201410316791 A CN201410316791 A CN 201410316791A CN 104064687 A CN104064687 A CN 104064687A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- reflector
- substrate
- material layer
- encapsulating material
- display floater
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 91
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 106
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 100
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 41
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 4
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DQMUQFUTDWISTM-UHFFFAOYSA-N O.[O-2].[Fe+2].[Fe+2].[O-2] Chemical compound O.[O-2].[Fe+2].[Fe+2].[O-2] DQMUQFUTDWISTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910021541 Vanadium(III) oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- QYIJPFYCTROKTM-UHFFFAOYSA-N [Sn].P(O)(O)(O)=O Chemical compound [Sn].P(O)(O)(O)=O QYIJPFYCTROKTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000005385 borate glass Substances 0.000 claims description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 claims description 3
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 claims description 3
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 3
- ZPPSOOVFTBGHBI-UHFFFAOYSA-N lead(2+);oxido(oxo)borane Chemical compound [Pb+2].[O-]B=O.[O-]B=O ZPPSOOVFTBGHBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 3
- LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N vanadate(3-) Chemical compound [O-][V]([O-])([O-])=O LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 208000034699 Vitreous floaters Diseases 0.000 claims 16
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 abstract 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 15
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 11
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002939 deleterious effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
一种显示面板，具有显示区。显示面板包含第一基板、第二基板、封装材料层、第一反射层以及第二反射层。第二基板相对第一基板设置。封装材料层位于第一基板与第二基板之间，且封装材料层围绕显示区设置，其中封装材料层包括第一侧边以及第二侧边。封装材料层的第一侧边于垂直投影方向上部分重迭于第一反射层，且第一反射层围绕第一侧边设置。封装材料层的第二侧边于垂直投影方向上部分重迭于第二反射层，且第二反射层围绕第二侧边设置，其中第一反射层与第二反射层相对设置于第一基板上。
Description
技术领域
本发明是有关于一种显示面板，特别是有关于一种使用有机发光二极管的显示面板。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)为采用发光性的有机化合物的发光元件，具有自发光特性，且其薄型化、显示质量以及省电特性皆优于液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)。由于OLED具有广视角、高反应速度、超薄等特性，使得OLED面板应用范围愈来愈广泛。
影响OLED元件寿命的因素除了有机发光物、无机的氧化铟锡(Indium tinoxide，ITO)镀膜及金属电极之外，阻隔水气与氧气渗透的封装材料也是重要的因子，由于有机发光材料或高活性的负极金属电极对水气及氧气有极高的敏感度，OLED面板若无适当的保护，将很快地产生黑点(Dark Spots)，进而造成光强度衰减，最后损坏整个元件。
以激光熔融玻璃焊料(Frit Glass)以进行基板间的黏合为OLED面板其中一种封装方式。在激光熔融玻璃焊料时，由于玻璃焊料中央和边缘的温度会不均匀，因而只有中央部份的玻璃焊料烧结完全而具有较好的黏合效果。若是增强激光强度，虽然可以提升玻璃焊料边缘的温度，使玻璃焊料边缘烧结完全并使其黏合效果提升，但是玻璃焊料中央部位却会因为温度过高而产生气泡，因而使黏合效果变差，如此形成一种两难的困境。
发明内容
本发明提供一种显示面板，借由设置反射层，用以提升激光烧结的封装材料层与基板的结合强度。
根据本发明一实施方式，一种显示面板，具有显示区以及周边区，其中周边区围绕显示区。显示面板包含第一基板、第二基板、封装材料层、第一反射层以及第二反射层。第二基板相对第一基板设置。封装材料层位于第一基板与第二基板之间，且封装材料层围绕显示区设置，其中封装材料层包括第一侧边以及第二侧边，第一侧边邻近于显示区，第二侧边邻近于周边区。封装材料层的第一侧边于垂直投影方向上部分重迭于第一反射层，且第一反射层围绕第一侧边设置。封装材料层的第二侧边于垂直投影方向上部分重迭于第二反射层，且第二反射层围绕第二侧边设置，其中第一反射层与第二反射层相对设置于第一基板上。
于本发明的一或多个实施方式中，显示面板更包含保护层，设置于第一基板与封装材料层之间。
于本发明的一或多个实施方式中，保护层设置于第一基板上，保护层未覆盖第一反射层及第二反射层，且封装材料层与保护层、部份的第一反射层及第二反射层直接接触。
于本发明的一或多个实施方式中，保护层设置于第一基板上，保护层完全覆盖第一反射层及第二反射层，且封装材料层仅与保护层直接接触。
于本发明的一或多个实施方式中，保护层部份设置在第一基板上，保护层完全覆盖第一反射层及第二反射层，且封装材料层与部份的保护层及部份的第一基板直接接触。
于本发明的一或多个实施方式中，周边区更包含多条周边线路设置于第一基板上。
于本发明的一或多个实施方式中，周边区更包含介电层覆盖于周边线路上，且介电层设置于周边线路与第一反射层及第二反射层之间。
于本发明的一或多个实施方式中，周边线路于垂直投影方向上未与第一反射层及第二反射层重迭。
于本发明的一或多个实施方式中，反射层材料为钼、铝、钛、银或上述材料的堆栈结构。
于本发明的一或多个实施方式中，反射层的厚度为约100～6000埃
于本发明的一或多个实施方式中，第一反射层或第二反射层的厚度为约100～300埃
于本发明的一或多个实施方式中，第一反射层或第二反射层的厚度为约1000～6000埃
于本发明的一或多个实施方式中，封装材料层的材料为氧化镁、氧化钙、氧化铅、氧化锡、二氧化钛、二氧化铅、二氧化硅、三氧化二铋、三氧化二铁、三氧化二铝、五氧化二钒、五氧化二硼、硼酸铅玻璃、磷酸锡玻璃、钒酸盐玻璃、硼硅玻璃或上述材料的组合。
于本发明的一或多个实施方式中，第一基板为显示元件基板，第二基板为彩色滤光基板或覆盖玻璃。
本发明上述实施方式借由设置第一反射层及第二反射层于封装材料层的两侧，如此在熔融封装材料层并黏合第一基板与第二基板时，可以借由反射烧结封装材料层两侧的激光，使激光两次熔融封装材料层的两侧，而升高封装材料层两侧的温度，并使封装材料层的整体温度均匀，因而提升封装材料层烧结后的整体黏合效果。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1绘示依照本发明一实施方式的显示面板的上视图。
图2绘示沿图1的切线2的剖面图。
图3A～3C绘示依照本发明一实施方式的的显示面板于不同封装步骤的立体图。
图4A绘示传统显示面板的剖面图。
图4B绘示图4A的封装材料层在熔融时的位置-温度图。
图5A绘示依照本发明一实施方式中沿图1的的切线2的剖面图。
图5B绘示图5A的的封装材料层在熔融时的位置-温度图。
图6～图8绘示依照本发明不同实施方式中沿图1的的切线2的剖面图。
图9绘示沿图1的切线9的剖面图。
图10绘示依照本发明另一实施方式的显示面板的上视图。
其中，附图标记：
2、9：切线
100：显示面板
101：显示区
102：周边区
110、110’：第一基板
120、120’：封装材料层
121：第一侧边
122：第二侧边
130、130’：第二基板
141：第一反射层
142：第二反射层
150：保护层
160：周边线路
170：介电层
200：激光装置
C、C’：中央区域
D、D’：方向
P、P’：边缘区域
W、W’：宽度
具体实施方式
以下将以图式揭露本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些现有惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式绘示之。
图1绘示依照本发明一实施方式的显示面板100的上视图。图2绘示沿图1的切线2的剖面图。本发明不同实施方式的显示面板100主要为使用有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)的显示面板，并且主要使用激光熔融玻璃焊料(Frit Glass)进行基板间的黏合与封装。
如1图与图2所绘示，显示面板100具有显示区101以及周边区102，其中周边区102围绕显示区101。显示面板100包含第一基板110、第二基板130、封装材料层120、第一反射层141以及第二反射层142。第二基板130相对第一基板110设置。封装材料层120位于第一基板110与第二基板130之间，且封装材料层120围绕显示区101设置，其中封装材料层120包括第一侧边121以及第二侧边122，第一侧边121邻近于显示区101，第二侧边122邻近于周边区102。封装材料层120的第一侧边121于垂直投影方向上部分重迭于第一反射层141，且第一反射层141围绕第一侧边121设置。封装材料层120的第二侧边122于垂直投影方向上部分重迭于第二反射层142，且第二反射层142围绕第二侧边122设置，其中第一反射层141与第二反射层142相对设置于第一基板110上。在本实施中，周边区102更包含多条周边线路160设置于第一基板110上，周边线路160用以与显示区101的显示元件电性连接。
在本实施例中，第一反射层141或第二反射层142的厚度可为约100～6000埃然而，当第一反射层141与第二反射层142的厚度小于时，由于制程的缘故较难以形成均匀的膜层，进而降低反射层的反射效果。另外，当第一反射层141与第二反射层142的厚度大于时，因为反射层的膜层太厚则导致材料内部应力过大而产生突起(hillock)，进而造成第一反射层141与第二反射层142的膜层不均匀，而降低反射层的的反射效果。因此，当第一反射层141或第二反射层142的厚度为约时，第一反射层141或第二反射层142则具有较佳的反射效果。
在本实施例中，第一反射层141与第二反射层142的厚度亦可依显示区101的金属层厚度而定。如此一来，第一反射层141与第二反射层142可与显示区101的金属层共同制作，进而简化制程与成本。例如一般显示面板中，薄膜晶体管的金属层厚度约为由于金属层亦可使用三层堆栈的结构，因此金属层的厚度总和最高亦可达到在另一实施例中，第一反射层141或第二反射层142的厚度可为约例如一般OLED显示面板中，所使用的电极的金属层厚度约为
在本实施例中，第一反射层141或第二反射层142的材料可为钼、铝、钛、银或上述材料的堆栈结构，但不限于此。在本发明所属技术领域中具有通常知识者，可依实际需要选择第一反射层141与第二反射层142的材料。
在本实施例中，封装材料层120的材料可为氧化镁、氧化钙、氧化铅、氧化锡、二氧化钛、二氧化铅、二氧化硅、三氧化二铋、三氧化二铁、三氧化二铝、五氧化二钒、五氧化二硼、硼酸铅玻璃、磷酸锡玻璃、钒酸盐玻璃、硼硅玻璃或上述材料的组合，但不限于此。
在本实施例中，第一基板110可为显示元件基板，第二基板130可为彩色滤光基板或覆盖玻璃(Cover Glass)，但不限于此。在本发明所属技术领域中具有通常知识者，可依实际需要选择第一基板110与第二基板130的具体实施方式。
应注意的是，如图2所绘示，第一侧边121及第二侧边122与第二基板130呈现一斜角结构，此乃因为当封装材料层120涂布或印刷于第二基板130时，封装材料层120的分子内聚力将封装材料层120远离第二基板130的部份向内拉缩所导致(此时封装材料层120为胶状)，因此第一侧边121及第二侧边122与第二基板130之间的夹角角度并非用以限制本发明的特征。
图3A～3C绘示依照本发明一实施方式的显示面板100于不同封装步骤的立体图。如图3A～3C所绘示，为了将显示区101中的元件隔离于外界，因而阻隔外来物如水气与氧气渗透，通常会进行以下的封装步骤。如图3A所绘示，首先提供第二基板130，接着在第二基板130上以涂布或印刷等方式设置封装材料层120，其中封装材料层120围绕显示区101设置。接着，如图3B所绘示，将第二基板130反转180度，然后将第二基板130与第一基板110对组封装。接着，如图3C所绘示，使用激光装置200从第二基板130上方发射激光，使激光穿过第二基板130后熔融封装材料层120，如此使封装材料层120经激光烧结后黏合第一基板110与第二基板130，并因此将显示区101中的显示元件与外界隔离，以达成阻绝水气与氧气的封装效果。
图4A绘示传统显示面板的剖面图。图4B绘示图4A的封装材料层120’在熔融时的位置-温度图。如图4A所绘示，当激光装置由第二基板130’上方发射激光，使激光穿过第二基板130’后熔融封装材料层120’时，封装材料层120’的位置-温度图将如图4B所绘示，其中位置为图4A中的封装材料层120’沿方向D’的位置，封装材料层120’的中央区域C’的温度将远高于封装材料层120’的边缘区域P’的温度。如此，封装材料层120’的中央区域C’因烧结完全而具有较好的黏合效果，即具有较好的承受拉伸(tensile)的能力，并形成具有宽度W’的反应完全区域。然而封装材料层120’的边缘区域P’因为熔融温度不够高，所以无法反应完全，因而黏合效果不好。若是提升激光强度，则整个封装材料层120’的温度皆会提升，虽然封装材料层120’的边缘区域P’会因为其温度提升而烧结完全并具有较好的黏合效果，然而封装材料层120’的中央区域C’的温度将会过高，因而产生气泡，使封装材料层120’的中央区域C’对于承受弯曲(bending)的能力下降。
图5A绘示依照本发明一实施方式中沿图1的切线2的剖面图。图5B绘示图5A的封装材料层120在熔融时的位置-温度图。如图5A所绘示，当激光装置由第二基板130上方发射激光，使激光穿过第二基板130后熔融封装材料层120时，通过封装材料层120的边缘区域P的激光会分别被第一反射层141与第二反射层142反射，因而封装材料层120的边缘区域P将会被反射前的激光与反射后的激光熔融两次，而提升其温度。因此，封装材料层120的位置-温度图将如图5B所绘示，其中位置为图5A中的封装材料层120沿方向D的位置，相对于图4A中的传统显示面板，封装材料层120从中央区域C延伸至边缘区域P的温度分布较为均匀，也因此封装材料层120将形成具有宽度W的反应完全区域，其中反应完成区域包含中央区域C以及部份的边缘区域P，并且宽度W大于图4A中的宽度W’。如此，相比于传统显示面板，封装材料层120将具有较好的黏合效果，即具有较好的承受拉伸的能力，但在同时又不会因为封装材料层120的温度过高导致产生气泡，因而使封装材料层120承受弯曲的能力下降。
图6～图8绘示依照本发明不同实施方式中沿图1的切线2的剖面图。如图6～图8所绘示，显示面板100更可包含保护层150，设置于第一基板110与封装材料层120之间。在本实施例中，保护层150的材料可为氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅或上述的任意组合，但不限于此。在本发明所属技术领域中具有通常知识者，可依实际需要选择保护层150的材料。保护层150具备保护功能，将第一反射层141与第二反射层142与外界隔离，因此避免第一反射层141与第二反射层142与外界的水气与氧气接触而氧化。由于封装材料层120的材料特性不同，封装材料层120与第一反射层141、第二反射层142以及第一基板110的接合强度可能会下降。因此设置保护层150亦可增加封装材料层120与第一反射层141、第二反射层142以及第一基板110的接合强度。在图6～图8中仅绘示出保护层150设置于封装材料层120的周围，实际上保护层150亦可完全覆盖第一基板110。保护层150的实际设置位置可以依照制程的设计需求调整。
如图6所绘示，保护层150设置于第一基板110上，保护层150未覆盖第一反射层141及第二反射层142，且封装材料层120与保护层150、部份的第一反射层141及第二反射层142直接接触。如此，保护层150具有平坦化与增加接合强度的功能。具体而言，当封装材料层120与第一基板110的接合强度较弱时，可以使用本实施方式加强显示面板100的整体黏合效果。
如图7所绘示，保护层150设置于第一基板110上，保护层150完全覆盖第一反射层141及第二反射层142，且封装材料层120仅与保护层150直接接触。如此，保护层150具有保护与增加接合强度的功能。具体而言，当封装材料层120与第一反射层141、第二反射层142及第一基板110的接合强度较弱时，可以使用本实施方式加强显示面板100的整体黏合效果。
如图8所绘示，保护层150部份设置在第一基板110上，保护层150完全覆盖第一反射层141及第二反射层142，且封装材料层120与部份的保护层150及部份的第一基板110直接接触。如此，保护层150具有保护与增加接合强度的功能。具体而言，当封装材料层120与第一反射层141及第二反射层142的接合强度较弱时，可以使用本实施方式加强显示面板100的整体黏合效果。
图9绘示沿图1的切线9的剖面图。请同时参阅图1及图9所绘示，周边线路160设置于第一基板110上，且于垂直投影方向上与第一反射层141及第二反射层142重迭。在本实施例中，周边区102更包含介电层170覆盖于周边线路160上，且介电层170设置于周边线路160与第一反射层141及第二反射层142之间。如此一来，周边线路160借由介电层170与第一反射层141及第二反射层142电性隔离，进而使得周边线路160不会与第一反射层141或第二反射层142因接触产生电性相连而造成短路。
图10绘示本发明另一实施方式的显示面板100的上视图。如图10所绘示，其与图1的差异在于周边线路160于垂直投影方向上未与第一反射层141及第二反射层142重迭。因此可以避免周边线路160产生静电放电、串音(crosstalk)现象或额外的寄生电容等问题。
综上所述，本发明的实施方式借由设置第一反射层141及第二反射层142于封装材料层120的两侧，如此在熔融封装材料层120并黏合第一基板110与第二基板130时，可以借由反射烧结封装材料层120两侧的激光，使激光两次熔融封装材料层120的两侧，而升高封装材料层120两侧的温度，并使封装材料层120的整体温度均匀，因而提升封装材料层120烧结后的整体黏合效果。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (14)
1.一种显示面板，该显示面板具有一显示区以及一周边区，该周边区围绕该显示区，其特征在于，该显示面板包含：
一第一基板；
一第二基板，相对该第一基板设置；
一封装材料层，位于该第一基板与该第二基板之间，且该封装材料层围绕该显示区设置，其中该封装材料层包括一第一侧边以及一第二侧边，该第一侧边邻近于该显示区，该第二侧边邻近于该周边区；
一第一反射层，该封装材料层的该第一侧边于垂直投影方向上部分重迭于该第一反射层，且该第一反射层围绕该第一侧边设置；以及
一第二反射层，该封装材料层的该第二侧边于垂直投影方向上部分重迭于该第二反射层，且该第二反射层围绕该第二侧边设置，其中该第一反射层与该第二反射层相对设置于该第一基板上。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，更包含一保护层，设置于该第一基板与该封装材料层之间。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，该保护层设置于该第一基板上，该保护层未覆盖该第一反射层及该第二反射层，且该封装材料层与该保护层、部份的该第一反射层及该第二反射层直接接触。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，该保护层设置于该第一基板上，该保护层完全覆盖该第一反射层及该第二反射层，且该封装材料层仅与该保护层直接接触。
5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，该保护层部份设置在该第一基板上，该保护层完全覆盖该第一反射层及该第二反射层，且该封装材料层与部份的该保护层及部份的该第一基板直接接触。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该周边区更包含多条周边线路设置于该第一基板上。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，该周边区更包含一介电层覆盖于该些周边线路上，且该介电层设置于该些周边线路与该第一反射层及该第二反射层之间。
8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，该些周边线路于垂直投影方向上未与该第一反射层及该第二反射层重迭。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该第一反射层或该第二反射层的材料为钼、铝、钛、银或上述材料的堆栈结构。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该第一反射层或该第二反射层的厚度为约100～6000埃。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，该第一反射层或该第二反射层的厚度为约100～300埃。
12.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，该第一反射层或该第二反射层的厚度为约1000～6000埃。
13.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，封装材料层的材料为氧化镁、氧化钙、氧化铅、氧化锡、二氧化钛、二氧化铅、二氧化硅、三氧化二铋、三氧化二铁、三氧化二铝、五氧化二钒、五氧化二硼、硼酸铅玻璃、磷酸锡玻璃、钒酸盐玻璃、硼硅玻璃或上述材料的组合。
14.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该第一基板为一显示元件基板，该第二基板为一彩色滤光基板或覆盖玻璃。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW103113243 | 2014-04-10 | ||
| TW103113243A TWI574442B (zh) | 2014-04-10 | 2014-04-10 | 顯示面板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104064687A true CN104064687A (zh) | 2014-09-24 |
| CN104064687B CN104064687B (zh) | 2016-04-06 |
Family
ID=51552310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410316791.9A Active CN104064687B (zh) | 2014-04-10 | 2014-07-04 | 显示面板 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9379353B2 (zh) |
| CN (1) | CN104064687B (zh) |
| TW (1) | TWI574442B (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104916662A (zh) * | 2015-05-08 | 2015-09-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光二极管显示面板及其制造方法、显示器 |
| CN106025097A (zh) * | 2016-08-01 | 2016-10-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 母板基板、母板面板、显示面板及其制作方法、显示装置 |
| CN106935731A (zh) * | 2017-05-15 | 2017-07-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光显示器件和显示装置 |
| WO2017117931A1 (zh) * | 2016-01-04 | 2017-07-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板的封装方法、oled显示面板及oled显示装置 |
| CN107342311A (zh) * | 2017-08-30 | 2017-11-10 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 有机发光显示面板及制备方法、有机发光显示装置 |
| CN107565051A (zh) * | 2017-08-25 | 2018-01-09 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 显示面板、显示装置和制造方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102264651B1 (ko) * | 2015-02-03 | 2021-06-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102439308B1 (ko) * | 2015-10-06 | 2022-09-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| CN106025096B (zh) * | 2016-07-28 | 2018-04-13 | 昆山国显光电有限公司 | 封装结构及封装方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050116221A1 (en) * | 2003-10-21 | 2005-06-02 | Lg Electronics Inc. | Electro luminescence display device |
| US20080111561A1 (en) * | 2006-11-13 | 2008-05-15 | Kormanyos Brian K | Method for characterizing integrated circuits for identification or security purposes |
| CN102714894A (zh) * | 2010-01-19 | 2012-10-03 | 松下电器产业株式会社 | 面状发光装置 |
| CN102884015A (zh) * | 2010-07-28 | 2013-01-16 | 欧司朗股份有限公司 | 光电半导体元器件和所属的不使用玻璃焊剂通过借助超短脉冲激光直接焊接玻璃壳体组件的制造方法 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4802873A (en) * | 1987-10-05 | 1989-02-07 | Planar Systems, Inc. | Method of encapsulating TFEL panels with a curable resin |
| JP3768718B2 (ja) * | 1999-03-05 | 2006-04-19 | キヤノン株式会社 | 画像形成装置 |
| US20050248270A1 (en) | 2004-05-05 | 2005-11-10 | Eastman Kodak Company | Encapsulating OLED devices |
| US7537504B2 (en) * | 2005-12-06 | 2009-05-26 | Corning Incorporated | Method of encapsulating a display element with frit wall and laser beam |
| KR100688796B1 (ko) | 2006-01-25 | 2007-03-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제작 방법 |
| KR100671638B1 (ko) | 2006-01-26 | 2007-01-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 |
| KR100645706B1 (ko) | 2006-01-27 | 2006-11-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100838077B1 (ko) * | 2007-01-12 | 2008-06-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 표시장치의 제조방법 |
| US8329304B2 (en) * | 2008-05-27 | 2012-12-11 | Guardian Industries Corp. | Plasma display panel including TCC EMI filter, and/or method of making the same |
| KR101097306B1 (ko) * | 2009-03-30 | 2011-12-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 얼라인 마크를 포함하는 디스플레이 장치 |
| KR101401177B1 (ko) * | 2010-07-23 | 2014-05-29 | 파나소닉 주식회사 | 표시 패널 및 그 제조 방법 |
| KR101201720B1 (ko) * | 2010-07-29 | 2012-11-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 |
| KR20120138168A (ko) | 2011-06-14 | 2012-12-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법 |
| KR101785561B1 (ko) * | 2011-06-16 | 2017-11-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 강화된 씰링부를 가지는 표시 장치 |
| KR101917753B1 (ko) * | 2011-06-24 | 2018-11-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| WO2013031509A1 (en) * | 2011-08-26 | 2013-03-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, electronic device, lighting device, and method for manufacturing the light-emitting device |
| KR102001815B1 (ko) * | 2011-11-29 | 2019-07-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 밀봉체의 제작 방법 및 발광 장치의 제작 방법 |
-
2014
- 2014-04-10 TW TW103113243A patent/TWI574442B/zh active
- 2014-07-04 CN CN201410316791.9A patent/CN104064687B/zh active Active
- 2014-08-14 US US14/459,764 patent/US9379353B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050116221A1 (en) * | 2003-10-21 | 2005-06-02 | Lg Electronics Inc. | Electro luminescence display device |
| US20080111561A1 (en) * | 2006-11-13 | 2008-05-15 | Kormanyos Brian K | Method for characterizing integrated circuits for identification or security purposes |
| CN102714894A (zh) * | 2010-01-19 | 2012-10-03 | 松下电器产业株式会社 | 面状发光装置 |
| CN102884015A (zh) * | 2010-07-28 | 2013-01-16 | 欧司朗股份有限公司 | 光电半导体元器件和所属的不使用玻璃焊剂通过借助超短脉冲激光直接焊接玻璃壳体组件的制造方法 |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10056573B2 (en) | 2015-05-08 | 2018-08-21 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display panel, manufacturing method thereof and display |
| CN104916662A (zh) * | 2015-05-08 | 2015-09-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光二极管显示面板及其制造方法、显示器 |
| US10205132B2 (en) | 2016-01-04 | 2019-02-12 | Boe Technology Group Co., Ltd. | OLED display panel and method for packaging an OLED display panel with a covering layer having a concave structure |
| WO2017117931A1 (zh) * | 2016-01-04 | 2017-07-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板的封装方法、oled显示面板及oled显示装置 |
| WO2018024041A1 (zh) * | 2016-08-01 | 2018-02-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 母板基板、母板面板、显示面板及其制作方法、显示装置 |
| CN106025097B (zh) * | 2016-08-01 | 2018-03-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 母板基板、母板面板、显示面板及其制作方法、显示装置 |
| CN106025097A (zh) * | 2016-08-01 | 2016-10-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 母板基板、母板面板、显示面板及其制作方法、显示装置 |
| US10680211B2 (en) | 2016-08-01 | 2020-06-09 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Motherboard substrate, motherboard panel, display panel, manufacturing method thereof, and display device |
| CN106935731A (zh) * | 2017-05-15 | 2017-07-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光显示器件和显示装置 |
| CN106935731B (zh) * | 2017-05-15 | 2020-03-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光显示器件和显示装置 |
| US10651248B2 (en) | 2017-05-15 | 2020-05-12 | Ordos Yuansheng Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Organic electroluminescent display panel and display device |
| CN107565051A (zh) * | 2017-08-25 | 2018-01-09 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 显示面板、显示装置和制造方法 |
| CN107565051B (zh) * | 2017-08-25 | 2019-08-02 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 显示面板、显示装置和制造方法 |
| CN107342311A (zh) * | 2017-08-30 | 2017-11-10 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 有机发光显示面板及制备方法、有机发光显示装置 |
| CN107342311B (zh) * | 2017-08-30 | 2020-01-21 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 有机发光显示面板及制备方法、有机发光显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9379353B2 (en) | 2016-06-28 |
| US20150296573A1 (en) | 2015-10-15 |
| TW201539825A (zh) | 2015-10-16 |
| CN104064687B (zh) | 2016-04-06 |
| TWI574442B (zh) | 2017-03-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104064687B (zh) | 显示面板 | |
| EP3633658B1 (en) | Display device, glass substrate, and method for manufacturing glass substrate | |
| US10770515B2 (en) | Display device including color filters | |
| TWI655798B (zh) | 顯示裝置及其製造方法 | |
| CN106328677B (zh) | 有机发光显示装置 | |
| JP6510609B2 (ja) | 貫通穴を介して基板の前面と背面を接続した平面表示装置 | |
| JP6318676B2 (ja) | 有機発光装置の製造方法、有機発光装置、及び電子機器 | |
| TWI623093B (zh) | 有機電激發光裝置之製造方法、有機電激發光裝置、電子機器 | |
| CN107579078A (zh) | 显示面板及其制造方法和显示装置 | |
| US10613402B2 (en) | Display panel with array substrate having thickness varying in packaging area, method of manufacturing display panel and display device | |
| CN108878480A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| TWI453513B (zh) | 顯示面板 | |
| CN103474581A (zh) | 电致发光装置及其制备方法 | |
| CN112864195A (zh) | 显示装置 | |
| JP2014157796A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスパネル及び有機ｅｌパネル複合体 | |
| US11456429B2 (en) | Array substrate and display device having the same | |
| KR101993430B1 (ko) | 마이크로 캐비티 구조를 갖는 유기발광 다이오드 표시 패널 및 그 제조 방법 | |
| KR20160002018A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| TWM472209U (zh) | 面板 | |
| JP2010072527A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP6337581B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器 | |
| KR102115001B1 (ko) | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법 | |
| CN109935623B (zh) | 显示装置 | |
| TWM512144U (zh) | 顯示面板 | |
| KR101988523B1 (ko) | 유기발광 다이오드 표시장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |