CN112864195A - 显示装置 - Google Patents

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CN112864195A CN202011239658.XA CN202011239658A CN112864195A CN 112864195 A CN112864195 A CN 112864195A CN 202011239658 A CN202011239658 A CN 202011239658A CN 112864195 A CN112864195 A CN 112864195A
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金度亨
李晙硕
S·李
D·洪
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Abstract

公开了一种显示装置，该显示装置包括：像素电极，该像素电极包括第一子像素电极和第二子像素电极，所述第一子像素电极和所述第二子像素电极被布置成在基板上的多个子像素中的至少一个子像素内彼此间隔开；驱动晶体管，该驱动晶体管驱动至少一个子像素；以及连接电极结构，该连接电极结构将像素电极的第一子像素电极和第二子像素电极中的至少一个子像素电极与驱动晶体管电连接。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年11月12日提交的韩国专利申请第10-2019-0144371号的权益，该韩国专利申请通过引用并入本文，如在本文中完全阐述的一样。
技术领域
本公开内容涉及显示装置。
背景技术
近来，随着信息时代的进步，用于可视地显示电信息信号的显示领域已经迅速发展。响应于该趋势，已经开发出具有薄轮廓、轻重量和低功耗的优异性能的各种显示装置。显示装置的详细示例包括液晶显示(LCD)装置、量子点显示装置、场发射显示装置和有机发光显示装置。
在显示装置中，不需要单独的光源的有机发光显示装置被认为是针对紧凑型装置和清晰的颜色显示的竞争性应用。
近来，由于汽车玻璃或车窗或者用于产品展示或广告的透明板以及标准化电视或蜂窝电话和显示器被赋予了显示功能，因此对使用复杂功能的显示装置诸如透明显示装置的需求增加。
在显示装置的线路、薄膜晶体管的制造过程或有机发光二极管的制造过程中可能出现薄膜晶体管的特性劣化或内部短路故障。
如果薄膜晶体管未被正常驱动，则由于电流或电压未被施加至与薄膜晶体管连接的有机发光二极管，一个像素或子像素会成为暗点。可替选地，如果驱动薄膜晶体管的源电极和漏电极被短路，驱动薄膜晶体管不能正常地被驱动，并且施加至源电极的电压被直接施加至漏电极而没有导通/关断，由此子像素始终保持在导通状态，并且因此出现亮点。
因为亮点由于良好的可见性而容易被用户的眼睛看到，因此亮点使显示质量劣化。为此，即使在显示区域上仅出现一个亮点，也认为该显示装置具有缺陷，由此出现显示装置不能被制造为最终产品的问题。特别地，由于在透明显示装置或顶部发射型大尺寸显示装置中的暗点或亮点可能被用户的眼睛看到，因此需要可以避免暗点或亮点或者使暗点或亮点最小化的解决方案。
发明内容
本公开内容是鉴于以上问题而做出的，并且本公开内容的目的是提供一种包括每个子像素的用于正常驱动显示装置的修复线和连接电极结构的显示装置，以使基于暗点或亮点的产品缺陷最小化并且提高了工艺良品率。特别地，每个子像素布置的连接电极结构可以正常地驱动具有暗点或亮点的子像素，并且可以使可能由激光产生的子像素的损坏以及可靠性劣化最小化。
除了如上面提到的本公开内容的目的之外，本领域技术人员将根据本公开内容的以下描述清楚地理解本公开内容的其他目的和特征。
根据本公开内容的一方面，以上目的和其他目的可以通过显示装置的提供来实现，该显示装置包括：像素电极，该像素电极包括第一子像素电极和第二子像素电极，所述第一子像素电极和所述第二子像素电极被布置成在基板上的多个子像素中的至少一个子像素中彼此间隔开；驱动晶体管，该驱动晶体管驱动至少一个子像素；以及连接电极结构，该连接电极结构将像素电极的第一子像素电极和第二子像素电极中的至少一个子像素电极与驱动晶体管电连接。
根据本公开内容的一方面，以上目的和其他目的可以通过显示装置的提供来实现，该显示装置包括：透射区域，该透射区域透射基板的外部光；第一子像素电极，所述第一子像素电极布置在与透射区域相邻布置的多个子像素中的至少一个子像素中；第二子像素电极，所述第二子像素电极被布置成在至少一个子像素内与第一子像素电极间隔开；驱动晶体管，该驱动晶体管驱动至少一个子像素；以及连接电极结构，该连接电极结构将第一子像素电极和第二子像素电极中的至少一个子像素电极与驱动晶体管电连接。
根据本公开内容的一方面，以上目的和其他目的可以通过显示装置的提供来实现，该显示装置包括：像素电极，该像素电极包括第一子像素电极和第二子像素电极，第一子像素电极和第二子像素电极被布置成在基板上的多个子像素中的至少一个子像素内彼此间隔开；驱动晶体管，该驱动晶体管驱动至少一个子像素；以及连接电极结构，该连接电极结构将第一子像素电极和第二子像素电极中的至少一个子像素电极与驱动晶体管电连接，其中，在多个子像素中的相邻的子像素之间沿穿过所述至少一个子像素的方向布置修复线，修复线与像素电极部分地交叠。
连接电极结构可以包括：第一连接电极，所述第一连接电极从第一子像素电极的第一端向第一方向延伸，其中，第一方向是与从第一子像素电极至第二子像素电极的方向垂直的方向；第二连接电极，所述第二连接电极从第二子像素电极的第一端向第一方向延伸；第三连接电极，所述第三连接电极电连接至驱动晶体管并且向第一方向延伸；以及第四连接电极，所述第四连接电极具有与第一连接电极接触的第一端和与第二连接电极接触的第二端，第四连接电极与第三连接电极在第一端与第二端之间接触，并且布置在与第一连接电极至第三连接电极中的至少一个连接电极不同的层中并与该层接触。
第一子像素电极和第二子像素电极中的至少一个子像素电极可以部分地布置在驱动晶体管上，并且第四连接电极可以布置在与构成驱动晶体管的有源层相同的层上。
第四连接电极沿与第一方向不同或正交的第二方向布置，并且第四连接电极可以通过桥接器将第一连接电极与第三连接电极连接，或者通过桥接器将第二连接电极与第三连接电极连接。
本公开内容可以包括每个子像素的连接电极结构以修复具有暗点或亮点的子像素，从而提高显示装置的工艺良品率和质量。
由于连接电极结构包括用于背板工艺的层，因此不需要用于形成连结电极结构的附加工艺，由此可以提高显示装置的生产率。
如果使用导电有源层作为用于对连接电极结构的激光切割的连接电极，则修复工艺所需的激光的波长范围比施加至一般金属的激光的波长范围低，由此外围结构或者其他层可能在最小范围内受到连接电极的影响。
此外，如果使用导电有源层作为用于对连接电极结构的激光切割的连接电极，则可以排除湿法蚀刻工艺，由此可以防止膜均匀性由于湿法蚀刻工艺而劣化并且可以获得工艺余量。此外，由于可以通过与薄膜晶体管的工艺相同的工艺来布置导电有源层，因此设置连接电极结构的工艺简单。
由于连接电极结构将布置在不同层上的连接电极彼此连接，因此未将厚电极结构施加至用于激光切割的连接电极，由此可以防止增加激光切割能量并且可以减少对激光弱的有机发光二极管的损坏的发生。
在本公开内容中，即使通过激光执行修复工艺，由于连接电极结构中用于激光切割的连接电极为导电有源层或不厚，因此可以防止封装层被激光损坏，由此可以防止产品的可靠性劣化。
除了如上面提到的本公开内容的效果之外，本领域技术人员将根据本公开内容的以下描述清楚地理解本公开内容的其他目的和特征。
附图说明
根据以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本公开内容的上述和其他目的、特征以及其他优点，在附图中：
图1是简要示出根据本公开内容的显示装置的透视图；
图2是示出根据图1的显示装置的单元的一个示例的图；
图3A和图3B是示出根据图1的显示装置的单元的另一示例的图；
图4是示出图1所示的单元的子像素的图；
图5是示出图4的连接电极结构的放大图；
图6是图5的沿线A-A'截取的连接电极结构的截面图；
图7是图4的子像素的电路方案；
图8是示出图6的连接电极结构的一部分经受激光切割的图；
图9至图11是示出本公开内容包括经受激光切割的连接电极结构的图；
图12是示出根据本公开内容的另一实施方式的显示装置的图；
图13A是沿图12的线B-B'线截取的截面图；
图13B是沿图12的线C-C'线截取的截面图；以及
图13C是沿图12的线D-D'线截取的截面图。
具体实施方式
将通过以下参照附图描述的实施方式来阐明本公开内容的优点和特征以及其实现方法。然而，可以以不同的形式实现本公开内容，并且本公开内容不应当被理解为限于本文阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开内容将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开内容的范围。此外，本公开内容仅由权利要求书的范围限定。
附图中公开的用于描述本公开内容的实施方式的形状、尺寸、比例、角度和数字仅是示例，并且因此，本公开内容不限于示出的细节。贯穿说明书，相似的附图标记指代相似的元件。在以下描述中，当相关的已知的功能或配置的详细描述被认定不必要地模糊本公开内容的重点时，将省略该详细描述。
在使用本说明书中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下，除非使用“仅”，否则可以添加另一部分。除非相反地指明，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
在描述位置关系时，例如，在位置关系被描述为“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“在……旁边”时，除非使用“紧接”或“直接”，否则可以在两个部分之间布置一个或更多个其他部分。
在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“在……之后”、“随后”、“然后”和“在……之前”时，除非使用“刚好”或“直接”，否则可以包括不连续的情况。
除非特别提到，否则元件“连接”或“耦接”至另一元件的表达应当被理解为：该元件可以直接连接或耦接至另一元件，但是也可以间接连接或耦接至另一元件，或者第三元件可以介于对应元件之间。
在描述本公开内容的元件时，可以使用术语“第一”、“第二”等。这些术语旨在从其他元件中识别出相应的元件，并且相应元件的基础、顺序或数目不受这些术语的限制。
术语“至少一个”应当被理解为包括一个或更多个相关联的列举项的任意组合和所有组合。
如本领域技术人员可以充分理解的，本公开内容的各种实施方式的特征可以部分地或全部地彼此耦合或组合，并且可以彼此不同地互操作以及在技术上被驱动。本公开内容的实施方式可以彼此独立地执行，或者可以以相互依存的关系一起执行。
本说明书中使用的元件名称考虑了起草本说明书的容易性来选择，并且可以与实际产品的部件名称不同。
在下文中，将参照附图详细描述根据本公开内容的显示装置的优选实施方式。
贯穿附图，将尽可能地使用相同的附图标记来指代相同或相似的部件。
参照图1，显示装置100包括：面板110；以及驱动电路，其用于驱动显示面板110。
显示面板110可以是基板111和上基板112的接合类型。基板111和上基板112可以是玻璃基板。
例如，基板111可以包括SiO2或Al2O3作为主要成分。基板111和上基板112中的至少之一可以是柔性基板。例如，基板111可以包括透明聚酰亚胺材料。考虑到进行高温沉积处理，可以使用能够耐受高温的具有优异的耐热性的聚酰亚胺作为聚酰亚胺材料的基板111。
面板110可以包括显示区域和非显示区域。显示区域是其中显示图像的区域，并且可以对应于像素阵列的有效区域。非显示区域是其中不显示图像的区域，并且可以是面板110围绕显示区域的边缘部分。驱动电路可以连接至非显示区域的至少一侧，如图1所示。
驱动电路连接至设置在基板111的非显示区域中的焊盘电极(未示出)，并且将显示驱动系统的图像数据提供至面板110。根据一个示例，驱动电路包括多个电路膜122、多个数据驱动集成电路121和印刷电路板140。驱动电路还可以包括定时控制器(未示出)。栅极驱动集成电路可以以面板内栅极(GIP)的形式布置在基板111的边缘并且由上基板112覆盖。虽然未示出，但是栅极驱动集成电路可以以膜上芯片(COF)的形式布置在单独的电路膜中，或者可以以玻璃上芯片(COG)或面板上芯片(COP)的形式布置在基板111的一个边缘处。
根据一个示例，多个电路膜122中的每个电路膜可以被实现为柔性电路膜，并且然后弯曲以减小显示装置100的边框区域。
数据驱动集成电路121中的每个数据驱动集成电路可以封装在多个电路膜122的每个电路膜中。数据驱动集成电路121中的每个数据驱动集成电路可以接收从定时控制器(未示出)提供的像素数据和数据控制信号，并且可以通过针对每个像素将像素数据转换为模拟类型数据信号、根据数据控制信号来将像素数据提供至数据线。
印刷电路板140可以在定时控制器(未示出)与驱动电路之间传递信号和功率源。在印刷电路板140处可以设置信号传输线和各种电力线。例如，可以根据面板110的尺寸或电路膜122的数目提供一个或更多个印刷电路板140。
在面板110的显示区域上布置多个单元U，用于通过透射外部光来实现图像或实现透明度。
参照图2，一个单元U包括布置在光发射区域EA中的多个子像素SP、多个数据线DL和多个扫描线SL。虽然以下附图示出一个单元U包括透射区域TA，但是根据本说明书的显示装置不限于此示例并且可以是不包括透射区域TA的显示装置。
作为另一实施方式，如图3A和图3B所示的显示装置的单元U可以包括一个透射区域TA和与一个透射区域TA对应的光发射区域EA。
由于透射区域TA应当透射外部光并且提高透射率，因此在透射区域TA中在最小范围内布置光发射区域和线。可以将穿过透射区域TA的扫描线SL布置在透射区域TA中。布置在透射区域TA中的扫描线SL可以包括透明导电膜。
光发射区域EA包括用于实现图像的多个子像素，并且可以在光发射区域EA中布置多个数据线DL以对应于多个子像素(SP)的数目。可以在光发射区域EA中沿与数据线DL正交的方向布置扫描线SL。扫描线SL可以是用于施加栅极信号的线和用于补偿的感测线中的至少之一。相对于一个单元U，扫描线SL可以布置成与沿一个数据线DL的方向布置的子像素SP的数目一样多。
例如，如果相对于一个单元U在光发射区域EA中布置四个子像素SP，则与四个子像素SP对应的四个数据线DL可以被布置成沿竖直方向穿过光发射区域EA，并且扫描线SL可以被布置成沿与数据线DL交叉的方向穿过光发射区域EA。
多个子像素SP可以包括四个子像素SP，所述四个子像素SP表示与以方块(quad)形式的一个透射区域TA对应的不同颜色。多个子像素SP中的至少一个SP可以指示红光、绿光、蓝光和白光中的至少之一。
由于每个单元U包括透射区域TA，因此每个单元可以具有透明结构。根据单元U包括透射区域TA的结构，根据本说明书的显示装置可以实现透明显示器。
在根据显示装置的另一示例的一个单元U中，如图3A和3B所示，可以沿与数据线DL并行的方向在与一个透射区域TA对应的光发射区域EA中布置多个子像素SP-1、SP-2、……、SP-K。
数据线DL可以与多个子像素SP-1、SP-2、……、SP-K一样多地通过插置于光发射区域EA来布置。由于多个子像素SP-1、SP-2、……、SP-K中的每个子像素沿与数据线DL并行的方向布置在光发射区域EA中，因此可以将扫描线SL布置成与子像素SP-1、SP-2、……、SP-K的数目一样多，在这种情况下，意味着在一个光发射区域EA中包括的子像素的数目K可以为2至6的至少一个自然数。
多个子像素、透射区域和光发射区域的布置结构可以以各种组合来设计，而不限于图2至图3B。
参照图4至图6，布置在光发射区域EA中的多个子像素SP中的至少一个SP包括像素电极以及驱动晶体管D-TR。如果根据本公开内容的显示装置实现透明显示装置，则多个子像素SP可以布置成与透射区域相邻。如果根据本公开内容的显示装置实现通用显示装置，则多个子像素SP可以布置在与光发射区域EA相邻的光发射区域中。
穿过子像素SP的扫描线SL和感测线CSL可以沿与电压线VDD或数据线DL不同的方向布置在子像素SP中。扫描线SL和感测线CSL可以沿电压线VDD或数据线DL的方向布置在相邻的子像素SP之间。扫描线SL可以是用于将栅极信号施加至子像素SP的栅极信号线。
可以在子像素SP中沿与电压线VDD或数据线DL相同的方向布置修复线RL。修复线RL可以沿穿过子像素SP和数据线DL的方向布置在相邻的子像素SP之间。修复线RL可以被布置成与扫描线SL、感测线CSL和连接电极结构CES中的至少之一部分地交叠或交叉。修复线RL可以与像素电极部分地交叠。
像素电极包括第一子像素电极SPE1和第二子像素电极SPE2，所述第一子像素电极SPE1和第二子像素电极SPE2被布置成在至少一个子像素SP中彼此间隔开，并且第一子像素电极SPE1和第二子像素电极SPE2电连接至一个驱动晶体管D-TR。此时，像素电极与连接电极结构CES连接，连接电极结构CES用于将第一子像素电极SPE1和第二子像素电极SPE2中的至少一个子像素电极与驱动晶体管D-TR电连接。
从驱动晶体管D-TR的源电极/漏电极延伸的、构成电容器C1的第一电极的导电层与连接电极结构CES的第三连接电极CE3接触。第一子像素电极SPE1和第二子像素电极SPE2中的至少一个子像素电极可以部分地布置在驱动晶体管D-TR上。
由于第一子像素电极SPE1和第二子像素电极SPE2通过连接电极结构CES电连接至一个驱动晶体管D-TR，因此与第一子像素电极SPE1对应的第一子发射部SEA1和与第二子像素电极SPE2对应的第二子发射部SEA2可以被同时驱动。第一子像素电极SPE1可以与修复线RL接触。此时，第一子像素电极SPE1的至少一部分突出以与修复线RL的至少一部分交叠。
第一子像素电极SPE1和第二子像素电极SPE2中的至少一个子像素电极可以包括ITO、MoTi、Al、Ag、Mo、Ti和Cu中的至少之一，或者可以设置有ITO、MoTi、Al、Ag、Mo、Ti和Cu中的至少之一的沉积结构。第一子像素电极SPE1和第二子像素电极SPE2中的至少一个子像素电极可以包括ITO/MoTi/Cu/ITO或ITO/Mo/Cu/ITO的沉积结构。
如果第一子像素电极SPE1和第二子像素电极SPE2中的至少一个子像素电极包括MoTi或Mo，则这些电极可以用作反射面板，由此可以增强OLED的腔效应。根据本公开内容的显示装置对应于顶部发射模式，并且第一子像素电极SPE1和第二子像素电极SPE2中的至少一个子像素电极包括MoTi、Al、Ag、Mo、Ti和Cu中的至少一个导体，该导体用作反射面板，其中，用作反射面板的导体提高了光发射效率。
第一子像素电极SPE1和第二子像素电极SPE2中的至少一个子像素电极可以具有
Figure BDA0002767936830000091
至
Figure BDA0002767936830000092
的厚度。
用于将驱动晶体管D-TR与像素电极电连接的连接电极结构CES可以被设置成突出至像素电极的一侧，并且连接电极结构CES可以部分地布置在第一子像素电极SPE1与第二子像素电极SPE2之间。
连接电极结构CES包括：第一连接电极CE1，其从第一子像素电极SPE1的第一端向第一方向延伸，其中，第一方向是与从第一子像素电极至第二子像素电极的方向垂直的方向；第二连接电极CE2，其从第二子像素电极SPE2的第一端向第一方向延伸；第三连接电极CE3，其电连接至驱动晶体管D-TR并且向第一方向延伸；以及第四连接电极CE4，其具有与第一连接电极CE1接触的第一端和与第二连接电极CE2接触的第二端，该第四连接电极CE4与第三连接电极CE3在第一端与第二端之间接触。此时，第四连接电极CE4布置在与第一连接电极至第三连接电极CE1至CE3中的至少一个连接电极不同的层中，并且与第一连接电极至第三连接电极CE1至CE3接触。
第一连接电极CE1、第二连接电极CE2和第三连接电极CE3彼此间隔开并且并行地布置。第一连接电极CE1可以与第一子像素电极SPE1形成为一体，并且第二连接电极CE2可以与第二子像素电极SPE2形成为一体。第三连接电极CE3与第一子像素电极SPE1和第二子像素电极SPE2间隔开并且布置在第一子像素电极SPE1与第二子像素电极SPE2之间。
第三连接电极CE3可以由与构成第一子像素电极SPE1、第二子像素电极SPE2、第一连接电极CE1和第二连接电极CE2中的至少之一的材料相同的材料制成，或者第三连接电极CE3可以布置在与第一子像素电极SPE1、第二子像素电极SPE2、第一连接电极CE1和第二连接电极CE2中的至少之一相同的层中。与驱动晶体管连接的第三连接电极CE3可以与第一连接电极CE1和第二连接电极CE2电连接，以通过一个驱动晶体管驱动与第一子像素电极SPE1对应的第一子发射部SEA1和与第二子像素电极SPE2对应的第二子发射部SEA2。
连接电极CE4可以沿与其中布置第一连接电极至第三连接电极CE1至CE3的第一方向不同或垂直的第二方向布置，并且连接电极CE4将第一连接电极CE1、第二连接电极CE2和第三连接电极CE3彼此电连接。第四连接电极CE4布置在与第一连接电极CE1、第二连接电极CE2和第三连接电极CE3中的至少一个连接电极不同的层中。第四连接电极CE4通过桥接器将第一连接电极CE1与第三连接电极CE3连接，或者通过桥接器将第二连接电极CE2与第三连接电极CE3连接。
第四连接电极CE4可以布置在与构成驱动薄膜晶体管的有源层相同的层中，并且可以布置在基板111上的缓冲层220上。第一连接电极CE1、第二连接电极CE2和第三连接电极CE3通过穿过布置在第四连接电极CE4上的第一绝缘膜和第二绝缘膜240和250的接触孔与第四连接电极CE4接触。第四连接电极CE4可以由与构成驱动薄膜晶体管的有源层的材料相同的材料制成。此时，有源层可以是氧化物半导体层，诸如IGZO。
第一连接电极CE1、第二连接电极CE2和第三连接电极CE3中的至少一个连接电极可以包括ITO、MoTi、Al、Ag、Mo、Ti和Cu中的至少之一，或者可以设置有ITO、MoTi、Al、Ag、Mo、Ti和Cu中的至少之一的沉积结构。第一连接电极CE1、第二连接电极CE2和第三连接电极CE3中的至少一个连接电极可以包括ITO/MoTi/Cu/ITO的沉积结构。第一连接电极CE1、第二连接电极CE2和第三连接电极CE3中的至少一个连接电极可以具有
Figure BDA0002767936830000101
至
Figure BDA0002767936830000102
的厚度。
第四连接电极CE4可以包括与构成驱动晶体管的有源层的材料相同的材料并且可以是氧化物半导体层。第四连接电极CE4可以具有
Figure BDA0002767936830000103
或更小的厚度。
参照图7，可能需要驱动晶体管D-TR和至少两个开关晶体管T1和T2来驱动子像素SP。第一开关晶体管T1的栅电极与扫描线SL连接，以将连接至第一开关晶体管T1的源电极/漏电极的数据线DL的信号提供至驱动晶体管D-TR的栅电极。
驱动晶体管D-TR响应于栅电极的信号而将连接至驱动晶体管D-TR一侧处的源电极/漏电极的电压VDD施加至第一子像素电极SPE1和第二子像素电极SPE2。此时，连接电极结构CES电连接在驱动晶体管D-TR的另一侧处的源电极/漏电极与第一子像素电极和第二子像素电极SPE1和SPE2之间，以通过连接电极结构CES将驱动晶体管D-TR的另一侧处的源电极/漏电极的电压或电流施加至第一子像素电极和第二子像素电极SPE1和SPE2。第二开关晶体管T2连接至驱动晶体管D-TR的另一侧的源电极/漏电极，第二开关晶体管T2的栅电极连接至感测线CSL，并且参考电压VRef连接至第二开关晶体管T2的源电极/漏电极电极的一侧。
参照图8至图11，如果在显示面板的任意一个子像素SP中出现暗点或亮点，则可以对连接电极结构CES的第四连接电极CE4的一部分进行激光切割，由此来自一个子像素SP的第一子像素电极SPE1或第二子像素电极SPE2可以与驱动晶体管D-TR电连接。
例如，可以针对第二连接电极CE2与第三连接电极CE3之间的第四连接电极CE4执行激光切割，由此使连接至第二连接电极CE2的第二子像素电极SPE2从驱动晶体管D-TR电断开，并且与第二子像素电极SPE2对应的第二光发射区域变为浮置状态。此时，第一子像素电极SPE1可以通过第三连接电极CE3电连接至驱动晶体管D-TR，并且因此可以驱动第一子像素电极SPE1，其中，第三连接电极CE3通过第一连接电极CE1和第四连接电极CE4与驱动晶体管D-TR电连接。
也就是说，即使在一个子像素SP中出现暗点或亮点，也可以针对第四连接电极CE4执行激光切割以使一个子发射部浮置，由此可以正常地驱动子像素。
虽然示出了激光切割针对第二连接电极CE2与第三连接电极CE3之间的第四连接电极CE4来执行，但是激光切割也可以针对在第一连接电极CE1与第三连接电极CE3之间的第四连接电极CE4形成。
如果在与第一子像素电极SPE1对应的第一光发射区域中出现暗点或亮点，则可以针对第一连接电极CE1与第三连接电极CE3之间的第四连接电极CE4执行激光切割，由此使连接至第一连接电极CE1的第一子像素电极SPE1从驱动晶体管D-TR电断开，并且与第一子像素电极SPE1对应的第一子发射部变为浮置状态。此时，第二子像素电极SPE2可以通过第三连接电极CE3电连接至驱动晶体管D-TR，并且因此可以驱动第二子像素电极SPE2，其中，第三连接电极CE3通过第二连接电极CE2和第四连接电极CE4与驱动晶体管D-TR电连接。
即使在一个子像素SP中出现暗点或亮点，也可以针对第四连接电极CE4执行激光切割以驱动第二子发射部，由此可以正常地驱动子像素。
如果在一个子像素SP中出现暗点或亮点，则第一连接电极CE1和布置在与第三连接电极CE3不同的层上的第四连接电极CE4可以在第一连接电极CE1与第三连接电极CE3之间彼此分离，并且第二连接电极CE2和布置在与第三连接电极CE3不同的层上的第四连接电极CE4可以在第二连接电极CE2与第三连接电极CE3之间彼此分离。
如果在一个子像素SP中没有出现暗点或亮点，则如上所述，第四连接电极CE4将第一连接电极CE1、第二连接电极CE2和第三连接电极CE3彼此电连接。
如果第四连接电极CE4由与其他电极CE1、CE2和CE3的材料相同的材料制成或者由金属制成，则在执行激光切割时会增加能量，并且激光被金属反射以降低吸收率，由此增加了切割所消耗的功率，并且因此可能增加对装置的损坏。然而，如果经受激光切割的第四连接电极CE4由氧化物半导体层制成，则即使在低的波长范围吸收率也高，以使得切割能够进行。
此外，用于切割由氧化物半导体层制成的第四连接电极CE4的波长带不与相邻的金属反应，由此仅可以切割第四连接电极CE4，并且不会引起对OLED的损坏。如果第四连接电极CE4与第一连接电极至第三连接电极CE1、CE2和CE3一样具有
Figure BDA0002767936830000121
至
Figure BDA0002767936830000122
的厚度，则在执行激光切割时能量增加，由此可能损坏相邻的层。然而，由于第四连接电极CE4具有
Figure BDA0002767936830000123
Figure BDA0002767936830000124
或更小的厚度，因此在激光切割期间能量消耗较少，由此可以使相邻的层可能受到的损坏最小化。特别地，由于第四连接电极CE4通过与驱动晶体管的有源层的工艺相同的工艺来布置，因此不需要附加工艺，由此可以防止生产率降低。
根据本公开内容的一个实施方式的显示装置可以实现透明显示装置。此时，显示装置如图12至图13C所示，该显示装置包括基板111、基板111外部透射光的透射区域TA、以及与透射区域TA相邻布置的、显示图像的光发射区域EA。
透射区域TA可以包括基板111、缓冲层220、第一绝缘膜240、第二绝缘膜250、有机发光二极管EL、阴极电极290和封装层310的沉积结构。如果透射区域TA的沉积结构是本领域已知的透射区域TA的沉积结构，则可以不受限制地使用。
基板111可以是玻璃基板。例如，基板111可以包括SiO2或Al2O3作为主要成分。
缓冲层220可以布置在透射区域TA和光发射区域EA上，并且缓冲层220可以包括硅氮化物膜(SiNx)、硅氧化物膜(SiOx)和SiON中的任何一个，或者可以是包括由SiNx、SiOx和SiON的组合制成的多个层的沉积结构。缓冲层220可以形成在基板111的整个上表面上，以防止水通过基板111渗透至发光二极管中。由于缓冲层220包括多个无机膜，因此缓冲层220可以改善面板的水蒸气透过率(WVTR)。
布置在透射区域TA中的有机二极管层EL布置在第二绝缘膜250上并且是构成OLED的有机公共层，并且有机二极管层EL包括空穴传输层、空穴注入层、电子传输层和电子注入层。透射区域TA的有机二极管层EL可以不包括有机发光层。
可替选地，布置在透射区域TA中的有机二极管层EL可以是包括有机发光层的OLED。此时，有机二极管层EL可以包括电荷生成层和多个有机发光层的沉积结构。由于像素电极未布置在透射区域TA中，因此电流未被施加至透射区域TA的有机二极管层EL，由此透射区域TA的有机二极管层EL不发光。
有机二极管层EL还在光发射区域EA以及透射区域TA中，并且包括电荷生成层和多个有机发光层的沉积结构。光发射区域EA的有机二极管层EL发射白光。
布置在光发射区域EA中的多个子像素SP中的一个子像素发射红光、绿光、蓝光和白光中的至少之一。光发射区域EA可以包括方块形式的四个子像素SP。一个子像素SP包括布置在基板111上的驱动晶体管D-TR、第一子发射部SEA1和第二子发射部SEA2。第一子发射部SEA1和第二子发射部SEA2发射相同颜色的光。此时，即使有机二极管层EL发射白光，子像素SP通过将在稍后描述的滤色器也发射红光、绿光、蓝光和白光中的至少之一。
显示装置还包括：数据线，该数据线被布置成从第一子像素电极SPE1至第二子像素电极SPE2与子像素的至少一部分交叠；扫描线SL，该扫描线SL沿与数据线DL不同的方向布置在相邻子像素SP之间；以及修复线RL，该修复线RL布置在子像素的至少一部分与一个透射区域TA的至少一部分之间。
修复线RL的第一端可以与至少一个子像素SP的第一子像素电极SPE1的至少一部分交叠，并且修复线RL的第二端可以延伸至其相邻的子像素SP并且与相邻的子像素SP的第一子像素电极SPE1的至少一部分交叠，由此，修复线RL可以与相邻的子像素SP的第一子像素电极SPE1电浮置。
修复线RL的第一端可以与至少一个子像素SP的第一子像素电极SPE1的至少一部分交叠，并且修复线RL的第二端可以延伸至其相邻的子像素SP并且与相邻的子像素SP的第一子像素电极SPE1的至少一部分电连接。
修复线RL的第一端可以与至少一个子像素SP的第一子像素电极SPE1的至少一部分交叠，并且修复线RL的第二端可以延伸至其相邻的子像素SP，并且因此修复线RL的第二端与相邻的子像素SP的第一子像素电极SPE1的至少一部分交叠并电连接。
驱动晶体管D-TR可以被布置成对应于多个子像素SP中的每一个。驱动晶体管D-TR可以布置在基板111的缓冲层220上并且可以包括有源层22、栅电极28、源电极24和漏电极26。
驱动晶体管D-TR的有源层22可以布置在缓冲层220上，并且可以与栅电极28、源电极24和漏电极26交叠。有源层22可以直接与源电极24和漏电极26接触并且通过插置栅极绝缘膜230面对栅电极28。有源层22可以是基于氧化物的导电半导体。
可以在驱动晶体管D-TR的下方布置遮光层11。此时，缓冲层220布置在遮光层11与有源层22之间。为了使构成驱动晶体管D-TR的有源层22与栅电极28绝缘，将栅极绝缘膜230插置在有源层22与栅电极28之间。为了使栅电极28与源电极和漏电极24和26绝缘，将第一绝缘层240插置在栅电极28与源电极和漏电极24和26之间。
可以在驱动晶体管D-TR的一侧布置电容器C1和电容器C2，并且电容器C1的第一电极可以随着驱动晶体管D-TR的源电极24延伸而形成。此时，遮光层11延伸至电容器C1和电容器C2被布置在驱动晶体管D-TR下方的位置，由此遮光层11被布置在电容器C1的第一电极的下方。
电容器C1和电容器C2在电容器C2的电极与遮光层11之间形成电容，并且在电容器C2的电极与电容器C1的电极之间形成电容，由此可以增加总电容。
在第二绝缘膜250上布置上涂层260，以补偿包括驱动晶体管D-TR和用于保护驱动晶体管D-TR的源电极24和漏电极26的第二绝缘膜250的若干个沉积层的阶梯差。
第一绝缘膜240和第二绝缘膜250中的至少一个绝缘膜可以包括硅氮化物膜(SiNx)、硅氧化物膜(SiOx)和SiON中的任何一个，或者可以包括SiNx、SiOx和SiON的沉积结构。第一绝缘膜240和第二绝缘膜250可以由相同的材料制成。
在光发射区域EA的上涂层260上布置像素电极。上涂层260布置在光发射区域EA中，而不布置在透射区域TA中。即使在将连接电极结构CES布置在透射区域TA与光发射区域EA之间的区域中，也可以不设置上涂层260。上涂层260可以包括树脂，诸如光丙烯酸和聚酰亚胺。
一个子像素SP包括第一子像素发射部SEA1和第二子像素发射部SEA2，并且光发射区域EA的像素电极被布置成对应于第一子发射部SEA1和第二子发射部SEA2。子发射部的数目可以被限定为构成像素电极的子像素电极的数目。构成一个子像素SP的第一子发射部SEA1和第二子发射部SEA2发射相同颜色的光。
在光发射区域EA中，像素电极通过第二绝缘膜250和上涂层260的接触孔与驱动晶体管D-TR的源电极24接触。第一子像素电极SPE1和第二子像素电极SPE2被堤280包围，以限定第一子发射部SEA1和第二子发射部SEA2。
使构成一个子像素SP的第一子像素电极SPE1和第二子像素电极SPE2彼此电连接的连接电极结构CES被布置在透射区域TA与光发射区域EA之间。连接电极结构CES可以被布置成从子像素SP向透射区域TA突出。透射区域TA可以是与布置成突出的连接电极结构CES对应的斜线(diagonal)形状。
连接电极结构CES包括第一连接电极至第四连接电极CE1、CE2、CE3和CE4，第一连接电极至第三连接电极CE1、CE2和CE3布置在第二绝缘膜250上，而第四连接电极CE4布置在缓冲层220上。此时，第一连接电极至第三连接电极CE1，CE2和CE3通过第二绝缘膜250的接触孔和第一绝缘膜240的接触孔与第四连接电极CE4接触。
像素电极以及构成连接电极结构CES的第一连接电极至第三连接电极CE1、CE2和CE3可以由相同的材料制成，并且可以包括ITO、MoTi、Al、Ag、Mo、Ti和Cu中的至少之一，或者可以设置有ITO、MoTi、Al、Ag、Mo、Ti和Cu中的至少之一的沉积结构。像素电极以及第一连接电极至第三连接电极CE1、CE2和CE3可以包括ITO/MoTi/Cu/ITO的沉积结构。由于第一连接电极至第三连接电极CE1、CE2和CE3通过与像素电极的工艺相同的工艺形成，因此可以省略单独的附加工艺，由此提高生产率。
如果像素电极包括MoTi或Mo，则这些电极可以用作反射面板，由此可以增强OLED的腔效应。根据本公开内容的显示装置对应于顶部发射模式，并且像素电极包括MoTi、Al、Ag、Mo、Ti和Cu中的至少一个导体，该导体用作反射面板，其中，用作反射面板的导体提高了光发射效率。
像素电极以及第一连接电极至第三连接电极CE1、CE2和CE3中的至少之一可以具有
Figure BDA0002767936830000161
至
Figure BDA0002767936830000162
的厚度。
第四连接电极CE4由与驱动晶体管D-TR的有源层的材料相同的材料的氧化物半导体制成，并且布置在与驱动晶体管D-TR的有源层22相同的层中。第四连接电极CE4可以具有
Figure BDA0002767936830000163
或更小的厚度。
如果第四连接电极CE4由与其他电极CE1、CE2和CE3的材料相同的材料制成或者由金属制成，则在执行激光切割时会增加能量，并且激光被金属反射以降低吸收率，由此增加了切割所消耗的功率，并且因此可能增加对装置的损坏。然而，如果经受激光切割的第四连接电极CE4由氧化物半导体层制成，则即使在低的波长范围吸收率也高，以使得能够容易地切割第四连接电极CE4。此外，用于切割由氧化物半导体层制成的第四连接电极CE4的波长带不与相邻的金属反应，由此仅可以切割第四连接电极CE4，并且不会引起对构成诸如驱动晶体管D-TR的OLED装置或TFT装置的有机二极管层EL的损坏。如果第四连接电极CE4与第一连接电极至第三连接电极CE1、CE2和CE3一样具有
Figure BDA0002767936830000164
至
Figure BDA0002767936830000165
的厚度，则在执行激光切割时能量增加，由此可能损坏相邻的层。然而，由于第四连接电极CE4具有
Figure BDA0002767936830000166
Figure BDA0002767936830000167
或更小的厚度，因此在激光切割期间能量消耗较少，由此可以使相邻的层可能受到的损坏最小化。特别地，由于第四连接电极CE4通过与驱动晶体管D-TR的有源层的工艺相同的工艺来布置，因此不需要附加工艺，由此可以防止生产率降低。
布置在与一个子像素SP相邻的子像素SP的光发射区域EA与透射区域TA之间的连接电极结构CES的第四连接电极CE4被切割并被布置成断开。即使第四连接电极CE4被布置成部分地断开，与相邻子像素SP的第一子发射部SEA1对应的第一子像素电极SPE1和与第二子发射部SEA2对应的第二子像素电极SPE2中的至少一个子像素电极也被电连接至驱动晶体管D-TR，由此可以驱动相邻的子像素SP。
因此，由于在一个子像素SP中设置有两个子发射部SEA1和SEA2，因此即使在一个子像素SP中出现暗点或亮点，光也通过另一个子发射部发射，由此可以正常地驱动一个子像素SP。
由于根据本公开内容的显示装置包括连接电极结构CES，即使出现亮点或暗点，显示装置也可以驱动子像素SP而不受这些亮点或暗点的出现的限制。
堤280未布置在透射区域TA中，而是布置在光发射区域EA中，以提高透射区域TA的透射率，并且堤280布置在像素电极的边缘处，使得像素电极露出。堤280被布置在其中将连接电极结构CES布置在透射区域TA与光发射区域EA之间的区域中。堤280可以覆盖第四连接电极CE4的整个表面，并且可以部分地覆盖第一连接电极CE1、第二连接电极CE2和第三连接电极CE3。此时，堤280被布置成覆盖下述区域：第一连接电极CE1与第四连接电极CE4接触的区域；第二连接电极CE2与第四连接电极CE4接触的区域；以及第三连接电极CE3与第四连接电极CE4接触的区域。
有机二极管层EL布置在堤280上，堤280用于限定一个子像素SP以及相邻子像素SP的像素电极，所述一个子像素SP包括光发射区域EA的第一子像素电极SPE1和第二子像素电极SPE2。
有机二极管层EL可以布置在透射区域TA和光发射区域EA两者中。有机二极管层EL包括空穴注入层、空穴传输层、电荷生成层、电子传输层、电子注入层和多个有机发光层的沉积结构，并且通过由像素电极SPE1和像素电极SPE2实现的阳极电极270和阴极电极290发射白光。由于有机二极管层EL的白光通过有机二极管层EL上的滤色器320转换为红光、绿光、蓝光和白光，因此一个子像素SP发射红光、绿光、蓝光和白光中的至少之一。
在另一实施方式中，虽然诸如空穴注入层、空穴传输层、电荷生成层、电子传输层和电子注入层的有机公共层可以布置在透射区域TA和光发射区域EA两者中，但是有机发光层可以仅布置在光发射区域EA中。
由于阴极电极290完全布置在有机二极管层EL上，因此阴极电极290被布置在透射区域TA和光发射区域EA两者中。阴极电极290可以由透明导体或半透明导体制成。阴极电极290可以由诸如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)的透明导电氧化物(TCO)形成。阴极电极290可以包括为一般金属电极的Mg和Ag，并且此时，可以通过控制Mg和Ag的比率来提高透射率，由此可以实现透明导体。
封装层310可以覆盖透射区域和光发射区域EA两者。根据一个示例，封装层310可以完全设置在阴极电极290上。封装层310可以用于防止外部水渗透至有机二极管层EL中，从而防止有机二极管层EL劣化。封装层310可以通过至少一个无机膜和至少一个有机膜的组合来设置。
根据本公开内容的显示装置还可以包括封装层310上的滤色器310。滤色器320被布置成对应于光发射区域EA，并且不布置在透射区域TA中。滤色器320布置在封装层310上，以与至少一个子像素SP交叠。滤色器320包括R滤色器、G滤色器和B滤色器320，以对应于应由子像素SP发射的预定颜色的光。
滤色器320可以防止光被布置在基板111上的金属材料反射，并且可以通过防止发生光发射区域EA的光泄漏来提高光发射区域EA的发射效率。虽然未示出，但是还可以在滤色器320之间布置黑矩阵。黑矩阵可以防止该黑矩阵下方的线的反射或者防止发生光泄漏。此外，还可以在封装层310与滤色器320之间布置上涂层。
根据本公开内容的一个实施方式的显示装置包括：像素电极，该像素电极包括第一子像素电极和第二子像素电极，所述第一子像素电极和第二子像素电极被布置成在基板上的多个子像素中的至少一个子像素内彼此间隔开；驱动晶体管，该驱动晶体管驱动至少一个子像素；以及连接电极结构，该连接电极结构将像素电极的第一子像素电极和第二子像素电极中的至少一个子像素电极与驱动晶体管电连接。
根据本公开内容的另一实施方式的显示装置包括：透射区域，该透射区域透射基板的外部光；第一子像素电极，该第一子像素电极布置在与透射区域相邻布置的多个子像素中的至少一个子像素中；第二子像素电极，该第二子像素电极被布置成在至少一个子像素内与第一子像素电极间隔开；驱动晶体管，该驱动晶体管驱动至少一个子像素；以及连接电极结构，该连接电极结构将第一子像素电极和第二子像素电极中的至少一个子像素电极与驱动晶体管电连接。
连接电极结构可以包括：第一连接电极，该第一连接电极从第一子像素电极的第一端向第一方向延伸，其中，第一方向是与从第一子像素电极至第二子像素电极的方向垂直的方向；第二连接电极，该第二连接电极从第二子像素电极的第一端向第一方向延伸；第三连接电极，该第三连接电极电连接至驱动晶体管并且向第一方向延伸；以及第四连接电极，该第四连接电极具有与第一连接电极接触的第一端和与第二连接电极接触的第二端，该第四连接电极与第三连接电极在第一端与第二端之间接触，并且布置在与第一连接电极至第三连接电极中的至少一个连接电极不同的层中并与该层接触。
连接电极结构可以包括：第一连接电极，该第一连接电极从第一子像素电极的第一端向第一方向延伸，其中，第一方向是与从第一子像素电极至第二子像素电极的方向垂直的方向；第二连接电极，该第二连接电极从第二子像素电极的第一端向第一方向延伸；第三连接电极，该第三连接布置在第一连接电极与第二连接电极之间并且向第一方向延伸；以及第四连接电极，该第四连接电极的第一端或第二端与第一子像素电极和第二子像素电极中的至少一个子像素电极电连接。第一连接电极由与第一子像素电极的材料相同的材料制成或者布置在与第一子像素电极相同的层上，第二连接电极由与第二子像素电极的材料相同的材料制成或者布置在与第二子像素电极相同的层上，以及第四连接电极由与第一连接电极和第二连接电极的材料不同的材料制成或者布置在与第一连接电极和第二连接电极不同的层上，或者第四连接电极包括与构成驱动晶体管的有源层的材料相同的材料或者布置在与有源层相同的层上。
第一子像素电极和第二子像素电极中的至少一个子像素电极可以部分地布置在驱动晶体管上，并且第四连接电极可以布置在与构成驱动晶体管的有源层相同的层上。
第四连接电极可以沿与第一方向不同或正交的第二方向布置，并且第四连接电极可以通过桥接器将第一连接电极与第三连接电极连接，或者通过桥接器将第二连接电极与第三连接电极连接。
显示装置还可以包括：在基板上的缓冲层、在缓冲层上的有源层或第四连接电极上的第一绝缘膜、以及在第一绝缘膜上的第二绝缘膜，其中，第二连接电极和第三连接电极中的至少一个连接电极通过第一绝缘膜和第二绝缘膜的接触孔与第四连接电极连接。
第三连接电极的第一端可以与从驱动晶体管的源电极或漏电极延伸的、构成至少一个子像素中的电容器的一个电极的导电层接触。
与驱动晶体管连接的第三连接电极可以布置在第一子像素电极与第二子像素电极之间。
第三连接电极可以由与构成第一子像素电极、第二子像素电极、第一连接电极和第二连接电极中的至少之一的材料相同的材料制成，或者第三连接电极可以布置在与第一子像素电极、第二子像素电极、第一连接电极和第二连接电极中的至少之一相同的层上。
第四连接电极可以将第一连接电极、第二连接电极和第三连接电极彼此电连接。
至少一个子像素还可以包括：数据线，该数据线被布置成沿从第一子像素电极至第二子像素电极的方向与至少一个子像素的至少一部分交叠；以及修复线，该修复线沿与数据线并行的方向布置在至少一个子像素的一侧，其中，修复线的至少一部分被布置成与连接电极结构交叠或交叉，并且该修复线可以沿与沿数据线方向的子像素相邻的相邻子像素的方向延伸。
第一子像素电极、第二子像素电极、第一连接电极、第二连接电极和第三连接电极中的至少之一可以包括ITO、MoTi、Al、Ag、Mo、Ti和Cu中的至少之一，或者可以设置有ITO、MoTi、Al、Ag、Mo、Ti和Cu中的至少之一的沉积结构。
第一子像素电极、第二子像素电极、第一连接电极、第二连接电极和第三连接电极中的至少之一可以包括ITO/MoTi/Cu/ITO的四层结构。
第一子像素电极、第二子像素电极、第一连接电极、第二连接电极和第三连接电极中的至少之一可以具有
Figure BDA0002767936830000201
至
Figure BDA0002767936830000202
的厚度。
第四连接电极可以是氧化物半导体层，并且第四连接电极可以包括与驱动晶体管的有源层的材料相同的材料，并且第四连接电极的厚度可以为
Figure BDA0002767936830000203
Figure BDA0002767936830000204
或更小。
第四连接电极可以包括与构成驱动晶体管的氧化物半导体层的材料相同的材料。
第四连接电极与第三连接电极在第一连接电极的第一端与第二连接电极的第一端之间连接，并且第三连接电极与布置在至少一个子像素中的电容器的第一电极连接。
第四连接电极可以在第一连接电极与第三连接电极之间或在第二连接电极与第三连接电极之间断开，或者可以与第一连接电极、第二连接电极和第三连接电极电连接。
显示装置还可以包括：数据线，该数据线被布置成沿从第一子像素电极至第二子像素电极的方向与至少一个子像素的至少一部分交叠；扫描线，该扫描线沿与数据线不同的方向布置在至少一个子像素与该至少一个子像素的相邻子像素之间；以及修复线，该修复线布置在至少一个子像素的至少一部与透射区域的至少一部分之间。
修复线的第一端可以与至少一个子像素的第一子像素电极的至少一部分交叠，并且修复线的第二端可以延伸至相邻子像素并且在与相邻子像素的第一子像素电极的至少一部分交叠的同时与相邻子像素的第一子像素电极电浮置，或者修复线的第一端可以与至少一个子像素的第一子像素电极的至少一部分交叠，并且修复线的第二端可以延伸至相邻子像素并且与相邻子像素的第一子像素电极的至少一部分电连接，或者修复线的第一端可以与至少一个子像素的第一子像素电极的至少一部分交叠，并且修复线的第二端可以延伸至相邻子像素并且与相邻子像素的第一子像素电极的至少一部分交叠并电连接。
显示装置还可以包括：有机二极管层，该有机二极管层布置在第一子像素电极和第二子像素电极上；阴极电极，该阴极电极布置在有机二极管层上；以及封装层，该封装层布置在阴极电极上，其中多个子像素可以设置有以方块布置的四个子像素，并且至少一个子像素发射红光、绿光、蓝光和白光中的至少之一，并且所发射的光从阴极电极向封装层行进。
显示装置还可包括布置在封装层上以与至少一个子像素交叠的滤色器。
根据本公开内容的另一实施方式的显示装置还可以包括：第一子发射部，该第一子发射部与第一子像素电极对应；以及第二子发射部，该第二子发射部被布置成与第一子发射部间隔开，该第二子发射部与第二子像素电极对应，其中，第一连接电极布置在第一子发射部与透射区域之间，第二连接电极布置在第二子发射部与透射区域之间，并且第四连接电极布置在第一子发射部和第二子发射部与透射区域之间。
第一子发射部和第二子发射部发射相同的光。
根据本公开内容的另一实施方式的一种显示装置包括：像素电极，该像素电极包括第一子像素电极和第二子像素电极，第一子像素电极和第二子像素电极被布置成在基板上的多个子像素中的至少一个子像素内彼此间隔开；驱动晶体管，该驱动晶体管驱动至少一个子像素；以及连接电极结构，该连接电极结构将第一子像素电极和第二子像素电极中的至少一个子像素电极与驱动晶体管电连接，其中，在多个子像素中的相邻的子像素之间沿穿过所述至少一个子像素的方向布置修复线，修复线与像素电极部分地交叠。
对于本领域技术人员来说将明显的是，上面描述的本公开内容不受上述实施方式和附图的限制，并且在不脱离本公开内容的精神或范围的情况下，可以在本公开内容中进行各种替换、修改和变型。因此，本公开内容的范围由所附权利要求书限定，并且旨在根据权利要求书的含义、范围和等同构思获得的所有变型或修改落入本公开内容的范围内。
可以对上面描述的各种实施方式进行组合以提供另外的实施方式。本说明书中引用的和/或在申请数据表中列出的所有美国专利、美国专利申请公开、美国专利申请、外国专利、外国专利申请和非专利公开的全部内容通过引用并入本文。如果有必要采用各种专利、申请和公开中的构思以提供其他的实施方式，则可以修改本实施方式的各方面。
可以根据以上详细描述对本实施方式进行这些和其他改变。通常，在以下权利要求书中，所使用的术语不应被解释为将权利要求书限于说明书和权利要求书中公开的特定实施方式，而应被解释为包括所有可能的实施方式以及这样的权利要求书的等同内容的全部范围。因此，权利要求书不受公开内容的限制。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
像素电极，所述像素电极包括第一子像素电极和第二子像素电极，所述第一子像素电极和所述第二子像素电极被布置成在基板上的多个子像素中的至少一个子像素内彼此间隔开；
驱动晶体管，所述驱动晶体管驱动所述至少一个子像素；以及
连接电极结构，所述连接电极结构将所述像素电极的所述第一子像素电极和所述第二子像素电极中的至少一个子像素电极与所述驱动晶体管电连接。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述连接电极结构包括：
第一连接电极，所述第一连接电极从所述第一子像素电极的第一端向第一方向延伸，其中，所述第一方向是与从所述第一子像素电极至所述第二子像素电极的方向垂直的方向；
第二连接电极，所述第二连接电极从所述第二子像素电极的第一端向所述第一方向延伸；
第三连接电极，所述第三连接电极电连接至所述驱动晶体管并且向所述第一方向延伸；以及
第四连接电极，所述第四连接电极具有与所述第一连接电极接触的第一端和与所述第二连接电极接触的第二端，所述第四连接电极与所述第三连接电极在所述第一端与所述第二端之间接触，并且布置在与所述第一连接电极、所述第二连接电极和所述第三连接电极中的至少一个连接电极不同的层中并与所述层接触。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一子像素电极和所述第二子像素电极中的至少一个子像素电极部分地布置在所述驱动晶体管上，并且所述第四连接电极布置在与构成所述驱动晶体管的有源层相同的层上，
其中，所述第四连接电极沿与所述第一方向不同或正交的第二方向布置，并且所述第四连接电极通过桥接器将所述第一连接电极与所述第三连接电极连接，或者通过桥接器将所述第二连接电极与所述第三连接电极连接。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第四连接电极为氧化物半导体层，或者所述第四连接电极包括与所述驱动晶体管的有源层的材料相同的材料并且所述第四连接电极的厚度为
Figure FDA0002767936820000021
或更小。
5.根据权利要求3或4所述的显示装置，还包括：
在所述基板上的缓冲层；
在所述有源层或者所述第四连接电极上的第一绝缘膜，其中，所述有源层或所述第四连接电极在所述缓冲层上；以及
在所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜，
其中，所述第二连接电极和所述第三连接电极中的至少一个连接电极通过所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的接触孔与所述第四连接电极连接，
其中，所述第三连接电极的第一端与从所述驱动晶体管的源电极或漏电极延伸的、构成所述至少一个子像素中的电容器的一个电极的导电层接触，
其中，与所述驱动晶体管连接的所述第三连接电极布置在所述第一子像素电极与所述第二子像素电极之间。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第三连接电极由与构成所述第一子像素电极、所述第二子像素电极、所述第一连接电极和所述第二连接电极中的至少之一的材料相同的材料制成，或者所述第三连接电极布置在与所述第一子像素电极、所述第二子像素电极、所述第一连接电极和所述第二连接电极中的至少之一相同的层上。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述至少一个子像素还包括：
数据线，所述数据线被布置成沿从所述第一子像素电极至所述第二子像素电极的方向与所述至少一个子像素的至少一部分交叠；以及
修复线，所述修复线沿与所述数据线并行的方向布置在所述至少一个子像素的一侧，
所述修复线的至少一部分被布置成与所述连接电极结构的至少一部分交叠或者与所述连接电极结构交叉，
其中，所述修复线沿与在所述数据线的方向上的所述至少一个子像素相邻的相邻子像素的方向延伸。
8.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一子像素电极、所述第二子像素电极、所述第一连接电极、所述第二连接电极和所述第三连接电极中的至少之一包括ITO、MoTi、Al、Ag、Mo、Ti和Cu中的至少之一或者设置有ITO、MoTi、Al、Ag、Mo、Ti和Cu中的所述至少之一的沉积结构，或者所述第一子像素电极、所述第二子像素电极、所述第一连接电极、所述第二连接电极和所述第三连接电极中的至少之一包括ITO/MoTi/Cu/ITO的四层结构。
9.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一子像素电极、所述第二子像素电极、所述第一连接电极、所述第二连接电极和所述第三连接电极中的至少之一具有
Figure FDA0002767936820000031
至
Figure FDA0002767936820000032
的厚度。
10.一种显示装置，包括：
透射区域，所述透射区域透射基板的外部光；
第一子像素电极，所述第一子像素电极布置在与所述透射区域相邻布置的多个子像素中的至少一个子像素中；
第二子像素电极，所述第二子像素电极被布置成在所述至少一个子像素内与所述第一子像素电极间隔开；
驱动晶体管，所述驱动晶体管驱动所述至少一个子像素；以及
连接电极结构，所述连接电极结构将所述第一子像素电极和所述第二子像素电极中的至少一个子像素电极与所述驱动晶体管电连接。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述连接电极结构包括：
第一连接电极，所述第一连接电极从所述第一子像素电极的第一端向第一方向延伸，其中，所述第一方向是与从所述第一子像素电极至所述第二子像素电极的方向垂直的方向；
第二连接电极，所述第二连接电极从所述第二子像素电极的第一端向所述第一方向延伸；
第三连接电极，所述第三连接电极布置在所述第一连接电极与所述第二连接电极之间并且向所述第一方向延伸；以及
第四连接电极，所述第四连接电极的第一端或第二端与所述第一子像素电极和所述第二子像素电极中的至少一个子像素电极电连接，
其中，所述第一连接电极由与所述第一子像素电极的材料相同的材料制成或者布置在与所述第一子像素电极相同的层上，所述第二连接电极由与所述第二子像素电极的材料相同的材料制成或者布置在与所述第二子像素电极相同的层上，以及所述第四连接电极由与所述第一连接电极和所述第二连接电极的材料不同的材料制成或者布置在与所述第一连接电极和所述第二连接电极不同的层上，或者所述第四连接电极包括与构成所述驱动晶体管的有源层的材料相同的材料或者布置在与所述有源层相同的层上。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第四连接电极包括与构成所述驱动晶体管的氧化物半导体层的材料相同的材料，或者所述第四连接电极布置在与所述氧化物半导体层相同的层上并且所述第四连接电极的厚度为
Figure FDA0002767936820000041
或更小。
13.根据权利要求11或12所述的显示装置，其中，所述第一子像素电极、所述第二子像素电极、所述第一连接电极、所述第二连接电极和所述第三连接电极中的至少之一包括ITO、MoTi、Al、Ag、Mo、Ti和Cu中的至少之一或者设置有ITO、MoTi、Al、Ag、Mo、Ti和Cu中的所述至少之一的沉积结构，或者所述第一子像素电极、所述第二子像素电极、所述第一连接电极、所述第二连接电极和所述第三连接电极中的至少之一包括ITO/MoTi/Cu/ITO的四层结构。
14.根据权利要求11或12所述的显示装置，其中，所述第一子像素电极、所述第二子像素电极、所述第一连接电极、所述第二连接电极和所述第三连接电极中的至少之一具有
Figure FDA0002767936820000042
至
Figure FDA0002767936820000043
的厚度。
15.根据权利要求11或12所述的显示装置，其中，所述第四连接电极与所述第三连接电极在所述第一连接电极的第一端与所述第二连接电极的第一端之间连接，并且所述第三连接电极与布置在所述至少一个子像素中的电容器的第一电极连接。
16.根据权利要求11或12所述的显示装置，其中，所述第四连接电极在所述第一连接电极与所述第三连接电极之间或在所述第二连接电极与所述第三连接电极之间断开，或者所述第四连接电极与所述第一连接电极、所述第二连接电极和所述第三连接电极电连接。
17.根据权利要求10所述的显示装置，还包括：
数据线，所述数据线被布置成沿从所述第一子像素电极至所述第二子像素电极的方向与所述至少一个子像素的至少一部分交叠；
扫描线，所述扫描线沿与所述数据线不同的方向布置在所述至少一个子像素和所述至少一个子像素的相邻子像素之间；以及
修复线，所述修复线布置在所述至少一个子像素的至少一部分与所述透射区域的至少一部分之间，
其中，所述修复线的第一端与所述至少一个子像素的所述第一子像素电极的至少一部分交叠，并且所述修复线的第二端延伸至所述相邻子像素并且在与所述相邻子像素的所述第一子像素电极的至少一部分交叠的同时与所述相邻子像素的所述第一子像素电极电浮置，或者
所述修复线的所述第一端与所述至少一个子像素的所述第一子像素电极的至少一部分交叠，并且所述修复线的所述第二端延伸至所述相邻子像素并且与所述相邻子像素的所述第一子像素电极的至少一部分电连接，或者
所述修复线的所述第一端与所述至少一个子像素的所述第一子像素电极的至少一部分交叠，并且所述修复线的所述第二端延伸至所述相邻子像素并且与所述相邻子像素的所述第一子像素电极的至少一部分交叠并电连接。
18.根据权利要求10所述的显示装置，还包括：
有机二极管层，所述有机二极管层布置在所述第一子像素电极和所述第二子像素电极上；
阴极电极，所述阴极电极布置在所述有机二极管层上；
封装层，所述封装层布置在所述阴极电极上；以及
滤色器，所述滤色器布置在所述封装层上以与所述至少一个子像素交叠，
其中，所述多个子像素设置有以方块布置的四个子像素，并且所述至少一个子像素发射红光、绿光、蓝光和白光中的至少之一，其中所发射的光从所述阴极电极向所述封装层行进。
19.根据权利要求10所述的显示装置，还包括：
第一子发射部，所述第一子发射部与所述第一子像素电极对应；以及
第二子发射部，所述第二子发射部被布置成与所述第一子发射部间隔开，所述第二子发射部与所述第二子像素电极对应，
其中，所述第一连接电极布置在所述第一子发射部与所述透射区域之间，所述第二连接电极布置在所述第二子发射部与所述透射区域之间，并且所述第四连接电极布置在所述第一子发射部和第二子发射部与所述透射区域之间，以及
其中，所述第一子发射部和所述第二子发射部发射相同颜色的光。
20.一种显示装置，包括：
像素电极，所述像素电极包括第一子像素电极和第二子像素电极，所述第一子像素电极和所述第二子像素电极被布置成在基板上的多个子像素中的至少一个子像素内彼此间隔开；
驱动晶体管，所述驱动晶体管驱动所述至少一个子像素；以及
连接电极结构，所述连接电极结构将所述第一子像素电极和所述第二子像素电极中的至少一个子像素电极与所述驱动晶体管电连接，
其中，在所述多个子像素中的相邻的子像素之间沿穿过所述至少一个子像素的方向布置修复线，所述修复线与所述像素电极部分地交叠。
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