CN104043594A - 晶粒选取方法以及用于实施该方法的晶粒选取设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种晶粒选取方法以及用于实施该方法的晶粒选取设备,该设备包含有一用于黏设多个晶粒的软性薄膜、一与该软性薄膜相对并能透光的黏性薄膜、一能隔着该黏性薄膜拍摄各晶粒的影像擷取装置,以及一能隔着该软性薄膜顶推各该晶粒的顶推装置;该方法先利用该影像擷取装置对各晶粒进行定位,再利用该顶推装置隔着该软性薄膜顶推一待转黏至该黏性薄膜的晶粒,以使该受顶推的晶粒接触该黏性薄膜,再利用该影像擷取装置检测前述受顶推的晶粒是否黏附于该黏性薄膜。由此,该晶粒选取设备及方法可实时检测到晶粒转黏失误的情况,以便实时再度进行转黏动作。
Description
技术领域
本发明与晶粒选取制程有关,特别是指一种用于挑检不良晶粒或者按晶粒分类等级挑选晶粒的晶粒选取方法及用于实施前述方法的晶粒选取设备。
背景技术
在晶粒的坏晶(bad die)选取或分类选取制程中,晶圆(wafer)先黏贴于俗称蓝膜(blue tape)的软性薄膜上,再被切割成多数晶粒(die)。然后,就坏晶选取作业而言,可利用影像擷取装置(例如CCD camera)检测晶粒外观进行晶粒良莠判断及位置确认,再将不良品自软性薄膜上挑除,最后,可将剩余的晶粒同时自软性薄膜取下,以便进一步进行诸如封装之类的后续制程。其次,就晶粒分类选取作业而言,可利用影像擷取装置对已经分类的晶粒进行位置确认,并利用选取置放装置(pick-and-place arm)将这些晶粒依据其规格或等级分别取下并分类放置。
请参阅中国台湾第M386595号新型专利案,该专利提供一种半导体晶粒检测脱离结构,用于进行如前述的晶粒检测及挑除不良品的程序。详而言之,该结构在利用影像擷取装置检测晶粒之后,利用一顶针单元由下而上地隔着软性薄膜将晶粒不良品顶高,并利用一设置于晶粒上方的黏性薄膜黏取被顶高的晶粒,同时也可利用一辅助顶针隔着该黏性薄膜顶抵晶粒,以使晶粒更确实地转黏至黏性薄膜。
然而,前述结构在进行顶高并转黏晶粒之后,晶粒可能仍黏附在该软性薄膜而非该黏性薄膜,但该结构却无法实时检知转黏失误的情况,而需等到该软性薄膜上所有待转黏至该黏性薄膜的晶粒均已进行转黏之后,才能将该软性薄膜移至另一影像擷取装置下方,以检测该软性薄膜上是否有未成功转黏至该黏性薄膜的晶粒,若检测出有未转黏成功的晶粒,则必须再次对该晶粒进行转黏动作,此举相当繁复且耗时。
发明内容
针对上述问题,本发明的主要目的在于提供一种晶粒选取方法,可对晶粒是否转黏成功进行实时检测。
为达成上述目的,本发明所提供的一种晶粒选取方法,其特征在于包含有下列步骤:a)提供一黏设有多个晶粒的软性薄膜、一与所述软性薄膜相对并能透光的黏性薄膜、一能隔着所述黏性薄膜拍摄各所述晶粒的影像擷取装置,以及一能隔着所述软性薄膜顶推各所述晶粒的顶推装置;b)利用所述影像擷取装置对各所述晶粒进行定位;c)利用所述顶推装置的一顶推件隔着所述软性薄膜顶推一待转黏至所述黏性薄膜的所述晶粒,以使所述受顶推的晶粒接触所述黏性薄膜;d)利用所述影像擷取装置检测在步骤c)中受顶推的晶粒是否黏附于所述黏性薄膜。
上述本发明的晶粒选取方法中,所述步骤d)之后,若黏附于所述软性薄膜的晶粒中仍有待转黏至所述黏性薄膜的晶粒,则使所述软性薄膜与各所述晶粒同步地相对所述顶推装置位移,以使一所述待转黏至所述黏性薄膜的晶粒位于对应于所述顶推件的位置,并使所述黏性薄膜也相对所述顶推装置位移,以使所述顶推件对应于所述黏性薄膜未受晶粒黏附的区块,然后再重复一次步骤c)及步骤d)。
所述步骤a)还提供一支撑装置,所述支撑装置具有一能摆动的摆臂,以及一设置于所述摆臂的支撑件;所述支撑件在所述步骤c)进行时被摆动至对应于所述顶推件的位置,且所述受顶推的晶粒隔着所述黏性薄膜抵靠于所述支撑件;所述支撑件在所述步骤b)及所述步骤d)进行时被摆动至非位于所述影像擷取装置与各所述晶粒之间的位置,以避免阻碍所述影像擷取装置拍摄各所述晶粒。
所述步骤a)还提供一能透光的支撑座,所述黏性薄膜固定于所述支撑座,所述影像擷取装置隔着所述支撑座拍摄各所述晶粒;在所述步骤c)进行时,所述受顶推的晶粒隔着所述黏性薄膜抵靠于所述支撑座。
所述黏性薄膜通过真空吸引方式固定于所述支撑座。
各所述晶粒被分类地转黏至所述黏性薄膜。
所述步骤d)之后,还包含有使一转贴薄膜与所述黏性薄膜相互靠近,进而将黏附于所述黏性薄膜的晶粒转贴至所述转贴薄膜的步骤。
本发明的另一目的在于提供一种用于实施上述晶粒选取方法的晶粒选取设备。
本发明所提供的一种用于实施上述晶粒选取方法的晶粒选取设备,其特征在于包含有:一软性薄膜,具有朝向相反方向的一第一表面及一第二表面,所述第一表面用于黏设多个晶粒;一黏性薄膜,能透光并具有一黏贴面,所述黏贴面面对所述软性薄膜的第一表面;一影像擷取装置,设置于能隔着所述黏性薄膜而拍摄各所述晶粒的位置;一顶推装置,具有一与所述软性薄膜的第二表面相对的顶推件,用于通过所述顶推件隔着所述软性薄膜顶推一所述晶粒,进而使所述受顶推的晶粒黏附于所述黏性薄膜的黏贴面。
上述晶粒选取设备中,所述软性薄膜与所述黏性薄膜为以相对固定不动的方式彼此间隔设置。
还包含有一支撑装置,所述支撑装置具有一能摆动的摆臂,以及一设置于所述摆臂并能被所述摆臂带动至一作用位置的支撑件,所述支撑件位于所述作用位置时,所述支撑件与所述黏性薄膜的一与所述黏贴面朝向相反方向的抵靠面相对且对应于所述顶推件,以供受所述顶推件顶推的晶粒隔着所述黏性薄膜抵靠于所述支撑件。
所述支撑件具有一软性部,所述软性部的材质为硅胶或橡胶。
所述软性薄膜与所述黏性薄膜以能相对移动的方式彼此间隔设置。
还包含有一能透光的支撑座,所述黏性薄膜具有一与所述黏贴面朝向相反方向的抵靠面,所述抵靠面固定于所述支撑座,以供受所述顶推件顶推的晶粒隔着所述黏性薄膜抵靠于所述支撑座。
所述支撑座包含有一座体,以及一设于所述座体与所述黏性薄膜之间的软垫,其中所述支撑座的座体的材质为透明压克力或石英玻璃,所述支撑座的软垫的材质为硅胶或橡胶。
还包含有一与所述软性薄膜的第二表面相对的照明装置,且所述软性薄膜能透光。
所述支撑件具有一真空通道,所述真空通道连接至一真空压力源。
采用上述技术方案,由于黏性薄膜能透光,使得影像擷取装置可隔着黏性薄膜来拍摄各晶粒,因此,不需要等到所有待转黏的晶粒都完成转黏动作才检测该软性薄膜是否留有转黏失误的晶粒。换言之,本发明所提供的晶粒选取设备及方法可对晶粒是否转黏成功进行实时检测,以便在黏性薄膜仍与软性薄膜相对时对转黏失误的晶粒再度进行转黏动作。
附图说明
图1是本发明一第一较佳实施例所提供的晶粒选取设备及多个晶粒的示意图,显示该晶粒选取设备待选取晶粒的形态;
图2类同于图1,显示本发明第一较佳实施例所提供的晶粒选取设备在转黏晶粒的形态;
图3类同于图1,显示本发明第一较佳实施例所提供的晶粒选取设备在进行定位的形态;
图4类同于图3,显示本发明第一较佳实施例所提供的晶粒选取设备在进行实时检测的形态;
图5是本发明一第二较佳实施例所提供的晶粒选取设备及多个晶粒的示意图,显示该晶粒选取设备待选取晶粒的形态;
图6类同于图5,显示本发明第二较佳实施例所提供的晶粒选取设备在转黏晶粒的形态;
图7类同于图6,显示本发明第二较佳实施例所提供的晶粒选取设备在进行实时检测的形态;
图8至图10为本发明第二较佳实施例所提供的晶粒选取设备在将其一黏性薄膜黏附的晶粒转贴至一转贴薄膜的过程的示意图。
具体实施方式
现举以下实施例并结合附图对本发明的结构及功效进行详细说明。
申请人首先在此说明,在以下将要介绍的实施例以及图式中,相同的参考号码,表示相同或类似的元件或其结构特征,且X、Y、Z轴均相互垂直。
请参阅图1到图4,图1为本发明一第一较佳实施例所提供的晶粒选取设备及多个晶粒的示意图,显示该晶粒选取设备待选取晶粒的形态;图2类同于图1,显示本发明第一较佳实施例所提供的晶粒选取设备在转黏晶粒的形态;图3类同于图1,显示本发明第一较佳实施例所提供的晶粒选取设备在进行定位的形态;图4类同于图3,显示本发明第一较佳实施例所提供的晶粒选取设备在进行实时检测的形态。
如图1所示,本发明一第一较佳实施例所提供的晶粒选取设备10主要包含有一软性薄膜14、一黏性薄膜16、一顶推装置18、一影像擷取装置20,以及一支撑装置22。
软性薄膜14及黏性薄膜16可为习用的蓝膜(blue tape),软性薄膜14具有朝向相反方向的一第一表面141及一第二表面142,第一表面141用于黏设多个晶粒30;黏性薄膜16具有朝向相反方向的一黏贴面161及一抵靠面162,黏贴面161间隔固定的距离面对软性薄膜14的第一表面141。
事实上,软性薄膜14受一可产生双轴向(X、Y轴)往复位移动作的位移装置(图中未示)带动,进而同时带动各晶粒30位移,黏性薄膜16能与软性薄膜14相对固定而同步位移,也可受一卷动机构(图中未示)卷动。然而,前述位移装置及卷动机构属于习知技术且并非本发明的技术特征所在,因此容申请人在此不赘述其详细结构并将其于图式中隐藏。
顶推装置18包含有一驱动单元182(例如气压缸或液压缸)以及一与软性薄膜14的第二表面142相对的顶推件184(例如顶针),顶推件184能受驱动单元182驱动而沿Z轴移动,以隔着软性薄膜14顶推一晶粒30,进而使该受顶推的晶粒30黏附于黏性薄膜16的黏贴面161(如图2所示)。值得一提的是,顶推件184也可固定不动,而由二薄膜14、16同步地沿Z轴移动,以达成前述的顶推并转黏晶粒30的动作。
影像擷取装置20可为习用的电荷耦合元件摄影机(CCD camera),或者其他种类的摄影机。在本实施例中,影像擷取装置20设置于与顶推件184相对应的位置,并朝顶推件184的方向拍摄,且二薄膜14、16位于影像擷取装置20与顶推件184之间。然而,影像擷取装置20的设置位置并不以此为限,只要设置于能隔着黏性薄膜16拍摄各晶粒30的位置即可,例如,影像擷取装置20可设置于支撑装置22对面并通过分光镜转折其拍摄方向而间接地朝顶推装置18的方向拍摄。
值得一提的是,软性薄膜14及黏性薄膜16均不以蓝膜为限,软性薄膜14只要能供各晶粒30黏附且能受顶推而弹性变形即可,而黏性薄膜16只要其黏贴面161具有黏性且可透光以使影像擷取装置20能拍摄到晶粒30即可。
支撑装置22包含有一能沿Z轴移动的座体222、一设置于座体222并能绕Z轴摆动的摆臂224,以及一设置于摆臂224并能被摆臂224带动至一作用位置P1的支撑件226。事实上,座体222由一可产生单轴向(Z轴)线性往复位移动作的位移装置(图中未示)所带动,摆臂224则由一设置于座体222的马达(图中未示)所带动,然而,前述位移装置及马达常见于一般自动化机械中且并非本发明的技术特征所在,因此容申请人在此不赘述其详细结构并将其于图式中隐藏。
如图1所示,支撑件226位于作用位置P1时与黏性薄膜16的抵靠面162相对且对应于顶推件184,此时,座体222能带动摆臂224及支撑件226朝黏性薄膜16移动,直到支撑件226接触到抵靠面162(如图2所示),使得受顶推件184顶推的晶粒30能隔着黏性薄膜16抵靠于支撑件226,进而使晶粒30更确实地黏附于黏性薄膜16的黏贴面161。支撑件226具有一软性部226a,其主要为硅胶或橡胶制成,受顶推件184顶推的晶粒30隔着黏性薄膜16抵靠于软性部226a,以避免支撑件226伤害晶粒30表面,软性部226a的较佳硬度为萧氏硬度A50~A70,但不以此为限。
此外,支撑件226可以加设连接至一真空压力源的一真空通道,且真空通道延伸至软性部226a,以在软性部226a接触到抵靠面162时,通过真空吸引方式来固定黏性薄膜16。
以下将以晶粒选取设备10为例说明本发明所提供的晶粒选取方法,同时进一步说明晶粒选取设备的动作方式。本发明的晶粒选取方法包含有下列步骤:
a)提供黏设有多个晶粒30的软性薄膜14、与软性薄膜14相对且可透光的黏性薄膜16、能隔着黏性薄膜16拍摄各晶粒30的影像擷取装置20,以及能隔着软性薄膜14顶推各晶粒30的顶推装置18。在本实施例中,此步骤更提供支撑装置22,但支撑装置22是用于辅助转黏晶粒30,而非本发明的必要技术特征。
b)利用影像擷取装置20对各晶粒30进行定位。由于黏性薄膜16可透光,因此影像擷取装置20可通过隔着黏性薄膜16拍摄各晶粒30,进而对各晶粒30进行定位。在本实施例中,支撑件226在此步骤进行时是被摆臂224摆动至一非位于影像擷取装置20与各晶粒30之间的非作用位置P2(例如图3所示的位置),以避免阻碍影像擷取装置20拍摄各晶粒30。
c)利用顶推装置18隔着软性薄膜14顶推一待转黏至黏性薄膜16的晶粒30,以使受顶推的晶粒30接触黏性薄膜16(如图2所示)。在本实施例中,支撑件226在此步骤进行时是被摆臂224摆动至作用位置P1,以使受顶推的晶粒30因隔着黏性薄膜16抵靠于支撑件226而更确实地黏附于黏性薄膜16。
在此需说明的是,本发明所提供的晶粒选取设备及方法主要用于将软性薄膜14上被检测出为不良品的晶粒30挑除,在此状况下,前述的待转黏至黏性薄膜16的晶粒30即为被判定为不良品的晶粒30。然而,本发明所提供的晶粒选取设备及方法也可用于将通过检测的晶粒30依据其规格或等级而分类,在此状况下,各通过检测的晶粒30均为待转黏至黏性薄膜16的晶粒30,且各晶粒30的类别会决定其进行转黏的顺序及其转黏到黏性薄膜16的位置。换言之,在步骤a)中黏设于软性薄膜14的晶粒30可能全都为待转黏至黏性薄膜16的晶粒,也可能仅有其中之一或少数晶粒30为待转黏至黏性薄膜16。
d)利用影像擷取装置20检测在步骤c)中受顶推的晶粒30是否黏附于黏性薄膜16。由于黏性薄膜16可透光,因此影像擷取装置20可隔着黏性薄膜16而对受顶推的晶粒30进行检测。如图4所示,在本实施例中,支撑件226在此步骤进行时再度被摆臂224摆动至非作用位置P2,以避免阻碍影像擷取装置20拍摄晶粒30。
值得一提的是,影像擷取装置20可通过晶粒30的影像色差判断晶粒30为黏附于软性薄膜14或黏性薄膜16。晶粒选取设备10也可再设有一与软性薄膜14的第二表面142相对的照明装置24,使得晶粒30在步骤d)进行时更容易被辨识,在此状况下,软性薄膜14必须可透光。
步骤d)之后,若黏附于软性薄膜14的晶粒30中仍有待转黏至黏性薄膜16的晶粒,则使软性薄膜14与各晶粒30同步地相对顶推装置18位移,以使一待转黏至黏性薄膜16的晶粒30位于对应于顶推件184的位置,并使黏性薄膜16也相对顶推装置18位移,以使顶推件184对应于黏性薄膜16未受晶粒30黏附的区块,然后再重复一次步骤c)及步骤d)。
换言之,在对一晶粒30进行如步骤c)的转黏程序后,便马上进行如步骤d)的检测程序,然后才对另一晶粒30进行转黏及检测;如此一来,当检测出有转黏失误的情况发生,即可在未转黏成功的晶粒30仍对应于顶推件184时再一次进行转黏动作,此举相较于习用的晶粒选取设备及方法,相当简便及省时。
请参阅图5到图10,图5为本发明一第二较佳实施例所提供的晶粒选取设备及多个晶粒的示意图,显示晶粒选取设备待选取晶粒的形态;图6类同于图5,显示本发明第二较佳实施例所提供的晶粒选取设备在转黏晶粒的形态;图7类同于图6,显示本发明第二较佳实施例所提供的晶粒选取设备在进行实时检测的形态;图8至图10为本发明第二较佳实施例所提供的晶粒选取设备在将其一黏性薄膜黏附的晶粒转贴至一转贴薄膜的过程的示意图。
如图5所示,本发明一第二较佳实施例所提供的晶粒选取设备40与前述晶粒选取设备10的差异在于,晶粒选取设备40的黏性薄膜16的抵靠面162固定于一支撑座42,且如图6所示,受顶推装置18隔着软性薄膜14顶推的晶粒30,为隔着黏性薄膜16而抵靠于支撑座42,以更确实地黏附于黏性薄膜16的黏贴面161。
详而言之,支撑座42包含有一座体422,以及一设于座体422与黏性薄膜16之间的软垫424。黏性薄膜16可通过真空吸引方式、电磁铁或其他适合方式固定于座体422,以使黏性薄膜16设置得相当平整,进而使转黏晶粒30的效果更好。座体422可由透明压克力、石英玻璃,或者其他可透光且硬度较大的材料制成,软垫424可由硅胶、橡胶,或者其他可透光且具有弹性的材料制成,其较佳硬度为萧氏硬度A50~A70,但不以此为限。由此,支撑座42不但可供受顶推的晶粒30抵靠,更可提供缓冲效果,以避免晶粒30损坏。然而,若本实施例的晶粒选取设备40用来选取不良晶粒,则支撑座42也可不设置前述软垫424。其次,更重要的是,座体422及软垫424可透光,使影像擷取装置20能隔着支撑座42及黏性薄膜16来拍摄各晶粒30,以检测晶粒30是否成功转黏至黏性薄膜(如图7所示)。
此外,当前述晶粒选取设备40用于将通过检测的晶粒30进行分类时,更有助于晶粒30分类之后的检测程序。详而言之,各晶粒30在通过上述的晶粒选取方法进行分类之后,需再进行电性检测,但晶粒30的检测面是被黏贴于黏性薄膜16,因此,在晶粒选取方法的步骤d)之后,若黏附于软性薄膜14的晶粒30中已无待转黏至黏性薄膜16的晶粒,则可使一转贴薄膜44与黏性薄膜16相互靠近,进而将黏附于黏性薄膜16的晶粒30转贴至转贴薄膜44(如图8至图10所示),以将各晶粒30原本黏贴于黏性薄膜16的表面显露出来,以进行后续的检测程序。
晶粒选取设备40的黏性薄膜16能直接连同支撑座42一起位移至对应于转贴薄膜44的位置,以便通过支撑座42的支撑及缓冲效果将各晶粒30安全且确实地转贴至转贴薄膜44。而且,支撑座42及黏性薄膜16此时可位于转贴薄膜44与另一影像擷取装置46之间,如此一来,影像擷取装置46可隔着支撑座42及黏性薄膜16来检测各晶粒30是否全都黏附于转贴薄膜44。再者,黏性薄膜16及支撑座42可重复使用,以转黏另一软性薄膜14上的晶粒30。
最后,必须再次说明,本发明在前述实施例中所揭示的构成元件,仅为举例说明,并非用来限制本案的专利保护范围,其他等效元件的替代或变化,也应被本案的专利保护范围所涵盖。
Claims (16)
1.一种晶粒选取方法,其特征在于包含有下列步骤:
a)提供一黏设有多个晶粒的软性薄膜、一与所述软性薄膜相对并能透光的黏性薄膜、一能隔着所述黏性薄膜拍摄各所述晶粒的影像擷取装置,以及一能隔着所述软性薄膜顶推各所述晶粒的顶推装置;
b)利用所述影像擷取装置对各所述晶粒进行定位;
c)利用所述顶推装置的一顶推件隔着所述软性薄膜顶推一待转黏至所述黏性薄膜的所述晶粒,以使所述受顶推的晶粒接触所述黏性薄膜;
d)利用所述影像擷取装置检测在步骤c)中受顶推的晶粒是否黏附于所述黏性薄膜。
2.如权利要求1所述的晶粒选取方法,其特征在于:所述步骤d)之后,若黏附于所述软性薄膜的晶粒中仍有待转黏至所述黏性薄膜的晶粒,则使所述软性薄膜与各所述晶粒同步地相对所述顶推装置位移,以使一所述待转黏至所述黏性薄膜的晶粒位于对应于所述顶推件的位置,并使所述黏性薄膜也相对所述顶推装置位移,以使所述顶推件对应于所述黏性薄膜未受晶粒黏附的区块,然后再重复一次步骤c)及步骤d)。
3.如权利要求1所述的晶粒选取方法,其特征在于:所述步骤a)还提供一支撑装置,所述支撑装置具有一能摆动的摆臂,以及一设置于所述摆臂的支撑件;所述支撑件在所述步骤c)进行时被摆动至对应于所述顶推件的位置,且所述受顶推的晶粒隔着所述黏性薄膜抵靠于所述支撑件;所述支撑件在所述步骤b)及所述步骤d)进行时被摆动至非位于所述影像擷取装置与各所述晶粒之间的位置,以避免阻碍所述影像擷取装置拍摄各所述晶粒。
4.如权利要求1所述的晶粒选取方法,其特征在于:所述步骤a)还提供一能透光的支撑座,所述黏性薄膜固定于所述支撑座,所述影像擷取装置隔着所述支撑座拍摄各所述晶粒;在所述步骤c)进行时,所述受顶推的晶粒隔着所述黏性薄膜抵靠于所述支撑座。
5.如权利要求4所述的晶粒选取方法,其特征在于:所述黏性薄膜通过真空吸引方式固定于所述支撑座。
6.如权利要求1所述的晶粒选取方法,其特征在于:各所述晶粒被分类地转黏至所述黏性薄膜。
7.如权利要求1所述的晶粒选取方法,其特征在于:所述步骤d)之后,还包含有使一转贴薄膜与所述黏性薄膜相互靠近,进而将黏附于所述黏性薄膜的晶粒转贴至所述转贴薄膜的步骤。
8.一种用于实施权利要求1所述的晶粒选取方法的晶粒选取设备,特征在于包含有:
一软性薄膜,具有朝向相反方向的一第一表面及一第二表面,所述第一表面用于黏设多个晶粒;
一黏性薄膜,能透光并具有一黏贴面,所述黏贴面面对所述软性薄膜的第一表面;
一影像擷取装置,设置于能隔着所述黏性薄膜而拍摄各所述晶粒的位置;
一顶推装置,具有一与所述软性薄膜的第二表面相对的顶推件,用于通过所述顶推件隔着所述软性薄膜顶推一所述晶粒,进而使所述受顶推的晶粒黏附于所述黏性薄膜的黏贴面。
9.如权利要求8所述的晶粒选取设备,其特征在于:所述软性薄膜与所述黏性薄膜以相对固定不动的方式彼此间隔设置。
10.如权利要求9所述的晶粒选取设备,其特征在于:还包含有一支撑装置,所述支撑装置具有一能摆动的摆臂,以及一设置于所述摆臂并能被所述摆臂带动至一作用位置的支撑件,所述支撑件位于所述作用位置时,所述支撑件与所述黏性薄膜的一与所述黏贴面朝向相反方向的抵靠面相对且对应于所述顶推件,以供受所述顶推件顶推的晶粒隔着所述黏性薄膜抵靠于所述支撑件。
11.如权利要求10所述的晶粒选取设备,其特征在于:所述支撑件具有一软性部,所述软性部的材质为硅胶或橡胶。
12.如权利要求8所述的晶粒选取设备,其特征在于:所述软性薄膜与所述黏性薄膜以能相对移动的方式彼此间隔设置。
13.如权利要求8或12所述的晶粒选取设备,其特征在于:还包含有一能透光的支撑座,所述黏性薄膜具有一与所述黏贴面朝向相反方向的抵靠面,所述抵靠面固定于所述支撑座,以供受所述顶推件顶推的晶粒隔着所述黏性薄膜抵靠于所述支撑座。
14.如权利要求13所述的晶粒选取设备,其特征在于:所述支撑座包含有一座体,以及一设于所述座体与所述黏性薄膜之间的软垫,其中所述支撑座的座体的材质为透明压克力或石英玻璃,所述支撑座的软垫的材质为硅胶或橡胶。
15.如权利要求8所述的晶粒选取设备,其特征在于:还包含有一与所述软性薄膜的第二表面相对的照明装置,且所述软性薄膜能透光。
16.如权利要求10所述的晶粒选取设备,其特征在于:所述支撑件具有一真空通道,所述真空通道连接至一真空压力源。
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