CN103972360A - Led晶片封装方法 - Google Patents
Led晶片封装方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103972360A CN103972360A CN201410038667.0A CN201410038667A CN103972360A CN 103972360 A CN103972360 A CN 103972360A CN 201410038667 A CN201410038667 A CN 201410038667A CN 103972360 A CN103972360 A CN 103972360A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- fluorescent glue
- packing
- crystal chip
- led
- array
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title abstract description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 63
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 41
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 25
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 18
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 10
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 8
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 8
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract description 6
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 241000218202 Coptis Species 0.000 description 6
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 description 6
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明适用于LED产品领域,提供了一种LED晶片的封装方法,包括:将覆晶晶片焊接于金属平板上;向金属平板上涂覆荧光胶;将相邻覆晶晶片之间的荧光胶部分去除;向荧光胶表面涂覆透明封装胶,使透明封装胶填充相邻覆晶晶片间的空缺区域,在荧光胶上形成透明封装层,获得阵列式LED胶片;将金属平板祛除得阵列式LED胶片;将阵列式LED胶片分割成多个LED封装单体。本发明在金属板上对覆晶晶片进行封装,整个封装体仅由覆晶晶片、荧光胶、透明封装胶组成,可靠性高、节省物料、成本低、产能高;无支架形状限制,利于大规模集成封装;可减少光子在荧光粉间的内部散射等损耗,利于提升产品亮度;晶片正负极无需镀金锡合金层,节约成本。
Description
技术领域
本发明涉及LED产品制造技术领域,尤其涉及一种LED晶片封装方法。
背景技术
传统白光LED产品的封装方式是将LED晶片通过固晶胶粘接或共晶焊接的方式固定在支架上的碗杯中,采用金线将晶片的正极连接于支架的正极,将晶片的负极连接于支架的负极,再向碗杯中填充符合目标色区的荧光胶。由于支架、荧光胶、用于粘接晶片的胶体的热膨胀系数不同,容易在支架、荧光胶、金线、胶体等方面出现可靠性问题;且LED支架种类繁多,粘接晶片和支架正负极的材质多为PPA,PCT及EMC材质,其耐高温性,气密性均有较大缺陷,进而影响LED产品的可靠性。虽然陶瓷支架具有较好的耐高温性和较好的气密性,但支架成本接近晶片成本,且陶瓷支架封装LED制费昂贵,设备投入大,导致陶瓷支架的LED产品产能小,价格高。因此,支架封装结构的LED产品在可靠性,使用寿命,制造成本及价格方面的缺陷均是LED产品替代传统照明产品的较大阻碍。
发明内容
本发明的目的在于提供一种LED晶片的封装方法,旨在提高LED产品的可靠性,保证其较长的使用寿命,同时降低成本,提高产能。
本发明是这样实现的,LED晶片的封装方法,包括下述步骤:
将覆晶晶片焊接于金属平板上,并按阵列式排布;
向所述金属平板上涂覆荧光胶,将所述覆晶晶片覆盖;
将相邻覆晶晶片之间的荧光胶部分祛除,保留预定厚度的荧光胶;
向所述荧光胶表面涂覆透明封装胶,使所述透明封装胶填充相邻覆晶晶片间的空缺区域,并在所述荧光胶之上形成透明封装层,获得阵列式LED胶片;
将金属平板蚀刻祛除,得到所述阵列式LED胶片;
将所述阵列式LED胶片分割成多个LED封装单体。
本发明与传统采用支架封装的方法相比,具有如下优点:
第一、直接在金属平板上对覆晶晶片进行封装,整个封装体仅由覆晶晶片、荧光胶、透明封装胶组成,省去支架、金线等物料,且覆晶晶片、荧光胶和透明封装胶性能均极稳定,可靠性远高于支架和金线的封装模式,进而避免由于支架和胶体的热膨胀系数不同而导致的产品可靠性问题,保证其超长的使用寿命,并可节约大量成本,提高产能;
第二、采用金属平板固定覆晶晶片,易操作,金属平板可重复利用;
第三、荧光胶和透明封装胶的涂覆过程在金属平板上进行,与采用点胶机向碗杯内一一点胶的方法相比,物料利用率高,降低了封装成本;
第四、仅对覆晶晶片进行荧光胶和透明封装胶的涂覆,无支架形状的限制,封装过程更加简单,利于LED产品的大规模集成封装,利于封装器件的成本降低;
第五、荧光胶直接涂覆于覆晶晶片表面,不同于支架碗杯承载荧光胶的方式,大量减少光子在荧光粉间的内部散射等损耗,利于提升产品的亮度;
第六、由于不采用支架承载晶片,覆晶晶片底部正负极无需昂贵的一定厚度(3μm左右)的金锡合金层(传统方法需要在晶片底部设置金锡合金层焊接于支架上),仅需蒸镀较薄的金层或银层即可与应用端锡膏等焊料焊接,大幅节约了成本。
附图说明
图1是本发明第一实施例提供的LED晶片的封装方法流程图;
图2a是与LED晶片的封装方法相对应的封装结构示意图(一);
图2b是与LED晶片的封装方法相对应的封装结构示意图(二);
图2c是与LED晶片的封装方法相对应的封装结构示意图(三);
图2d是与LED晶片的封装方法相对应的封装结构示意图(四);
图2e是图2d中A区域的放大图;
图2f是与LED晶片的封装方法相对应的封装结构示意图(五);
图2f’是与LED晶片的封装方法相对应的封装结构示意图(六);
图2g是与LED晶片的封装方法相对应的封装结构示意图(七);
图2h是与LED晶片的封装方法相对应的封装结构示意图(八);
图2i是与LED晶片的封装方法相对应的封装结构示意图(九);
图2i’是与LED晶片的封装方法相对应的封装结构示意图(十);
图2j是由LED晶片的封装方法获得的LED封装单体的结构示意图(一);
图2j’是由LED晶片的封装方法获得的LED封装单体的结构示意图(二)。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
图1示出了本发明实施例提供的LED晶片的封装方法的流程图,图2a~2i’示出了与该方法对应的产品封装结构图,为了便于说明,仅示出了与本实施例相关的部分。
结合图1,本发明实施例提供的LED晶片的封装方法包括下述步骤:
步骤S101,将覆晶晶片1焊接于金属平板2上,并按阵列式排布;如图2a和2b;
步骤S102,向金属平板2上涂覆荧光胶3,将覆晶晶片1覆盖;如图2c;
在本实施例中,涂覆的荧光胶3形成具有一定厚度的层状结构,覆晶晶片正上方的荧光胶的厚度可以为30~500μm。荧光胶3将覆晶晶片1完全包裹在内,不需单独对每个覆晶晶片1涂覆荧光胶。
步骤S103,将相邻覆晶晶片1之间的荧光胶部分祛除,保留预定厚度的荧光胶31;如图2d和图2e;
在本实施例中,可以采用物理或化学方法去除相邻覆晶晶片1之间的荧光胶,保留一定厚度(10~100μm,优选20μm)的荧光胶31,用于保护金属平板2,防止金属平板被损伤;另外,若要先将涂覆好荧光胶3的整体完全分割,为了避免损伤金属平板,通常将封装产品取下,在金属平板外将晶片间的荧光胶全部去除,然后再放到金属平板2上进行透明封装胶4的涂覆工作,这样需要将大量单个的LED封装件一一放置于金属平板并按照预设间距放置,是极其复杂的过程;若在金属平板上进行完全分割,金属平板就会被损伤,需要采用其他物料将其修复,必然造成金属平板2表面凸凹不平,影响后续操作。因此,将相邻覆晶晶片间的荧光胶保留一定厚度,就可以避免上述问题,且不会增加成本或增加工艺难度,易操作,效果好。
步骤S104,向荧光胶3表面涂覆透明封装胶4,使透明封装胶4填充相邻覆晶晶片1间的空缺区域,并在荧光胶3之上形成透明封装层,获得阵列式LED胶片;如图2f和图2f’;
在本实施例中,透明封装层可以是平面结构,如图2f,也可以是透镜阵列结构,如图2f’,透镜阵列结构的每个透镜41与覆晶晶片1一一对应。
步骤S105,将金属平板蚀刻祛除,得到阵列式LED胶片;如图2g;
步骤S106,对覆晶晶片1的底部电极11进行蒸镀金属扩展电极操作;如图2h;
在本实施例中,蒸镀扩展电极的材料可选择金或银等高导电材料,厚度可以做的很薄(约0.05~3μm即可),由于不采用支架封装,不必镀较厚的且昂贵的金锡合金。
步骤S107,将阵列式LED胶片分割成多个LED封装单体;如图2i和图2i’。
经过步骤S101~S107,可获得分离的LED封装单体,每个LED封装单体包括一个覆晶晶片1,于该覆晶晶片1的外围包覆有荧光胶3,荧光胶的正面与侧面以不小于90°的夹角相交。于荧光胶3之外设有透明封装胶4,覆晶晶片1的底部电极11或扩展电极12外露,用于与应用端的电极焊接。
在本实施例中,步骤S106为可选择步骤,该方法可以包括或不包括步骤S106,可以不对晶片底部电极进行蒸镀扩展电极操作而直接切割LED胶片,获得图2j所示的LED封装单体。也可以先进行蒸镀扩展电极操作后再切割LED胶片,获得图2j’所示的LED封装单体,其扩展电极12扩展至底部的边缘处,更易进行后续贴片操作。
进一步地,还可以在覆晶晶片1底部的正负电极之间及扩展电极之间填充防焊胶,以防止电极短路。
本发明与传统采用支架封装的方法相比,具有如下优点:
第一、直接在金属平板上对覆晶晶片进行封装,整个封装体仅由覆晶晶片、荧光胶、透明封装胶组成,省去支架、金线等物料,且覆晶晶片、荧光胶和透明封装胶性能均极稳定,可靠性远高于支架和金线的封装模式,进而避免由于支架和胶体的热膨胀系数不同而导致的产品可靠性问题,保证其超长的使用寿命,并可节约大量成本,提高产能;
第二、采用金属平板固定覆晶晶片,易操作,金属平板可重复利用;
第三、荧光胶和透明封装胶的涂覆过程在金属平板上进行,与采用点胶机向碗杯内一一点胶的方法相比,物料利用率高,降低了封装成本;
第四、仅对覆晶晶片进行荧光胶和透明封装胶的涂覆,无支架形状的限制,封装过程更加简单,利于LED产品的大规模集成封装,利于封装器件的成本降低;
第五、荧光胶直接涂覆于覆晶晶片表面,不同于支架碗杯承载荧光胶的方式,大量减少光子在荧光粉间的内部散射等损耗,利于提升产品的亮度;
第六、由于不采用支架承载晶片,覆晶晶片底部正负极无需昂贵的一定厚度(3μm左右)的金锡合金层(传统方法需要在晶片底部设置金锡合金层焊接于支架上),仅需蒸镀较薄的金层或银层即可与应用端锡膏等焊料焊接,大幅节约了成本。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.LED晶片的封装方法,其特征在于,包括下述步骤:
将覆晶晶片焊接于金属平板上,并按阵列式排布;
向所述金属平板上涂覆荧光胶,将所述覆晶晶片覆盖;
将相邻覆晶晶片之间的荧光胶部分祛除,保留预定厚度的荧光胶;
向所述荧光胶表面涂覆透明封装胶,使所述透明封装胶填充相邻覆晶晶片间的空缺区域,并在所述荧光胶之上形成透明封装层,获得阵列式LED胶片;
将金属平板蚀刻祛除,得到所述阵列式LED胶片;
将所述阵列式LED胶片分割成多个LED封装单体。
2.如权利要求1所述的封装方法,其特征在于,在将所述阵列式LED胶片从金属平板上取下和将所述阵列式LED胶片分割成多个LED封装单体的步骤之间还包括下述步骤:
对覆晶晶片的底部电极进行蒸镀金属扩展电极操作。
3.如权利要求2所述的封装方法,其特征在于,通过蒸镀金属扩展电极形成的扩展电极的厚度为0.05~3μm。
4.如权利要求1所述的封装方法,其特征在于,于相邻覆晶晶片之间祛除预定宽度的荧光胶后,所保留的荧光胶的厚度为10~100μm。
5.如权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述覆晶晶片正上方的荧光胶的厚度为30~500μm。
6.如权利要求1至5任一项所述的封装方法,其特征在于,所述透明封装层为平面结构。
7.如权利要求1至5任一项所述的封装方法,其特征在于,所述透明封装层为透镜阵列结构,所述透镜阵列结构的每个透镜与所述覆晶晶片一一对应。
8.如权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述荧光胶的正面与侧面以不小于90°的夹角相交。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410038667.0A CN103972360A (zh) | 2014-01-26 | 2014-01-26 | Led晶片封装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410038667.0A CN103972360A (zh) | 2014-01-26 | 2014-01-26 | Led晶片封装方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103972360A true CN103972360A (zh) | 2014-08-06 |
Family
ID=51241641
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410038667.0A Pending CN103972360A (zh) | 2014-01-26 | 2014-01-26 | Led晶片封装方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103972360A (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105161598A (zh) * | 2015-07-27 | 2015-12-16 | 广州市鸿利光电股份有限公司 | 一种基于注塑件的csp封装结构及制造工艺 |
CN105720174A (zh) * | 2016-04-20 | 2016-06-29 | 漳州立达信光电子科技有限公司 | Led面光源及其制备方法 |
WO2021169999A1 (zh) * | 2020-02-28 | 2021-09-02 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | Led 芯片组件、 led 器件及其制作方法 |
CN113345812A (zh) * | 2021-06-03 | 2021-09-03 | 广东新锐流铭光电有限公司 | 一种led晶圆级无芯片衬底的封装工艺 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011204838A (ja) * | 2010-03-25 | 2011-10-13 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
JP2012094578A (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-17 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
CN103165799A (zh) * | 2011-12-16 | 2013-06-19 | 新世纪光电股份有限公司 | 半导体封装结构 |
CN103354266A (zh) * | 2013-07-11 | 2013-10-16 | 江阴长电先进封装有限公司 | 一种薄型圆片级led的封装结构及其封装方法 |
-
2014
- 2014-01-26 CN CN201410038667.0A patent/CN103972360A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011204838A (ja) * | 2010-03-25 | 2011-10-13 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
JP2012094578A (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-17 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
CN103165799A (zh) * | 2011-12-16 | 2013-06-19 | 新世纪光电股份有限公司 | 半导体封装结构 |
CN103354266A (zh) * | 2013-07-11 | 2013-10-16 | 江阴长电先进封装有限公司 | 一种薄型圆片级led的封装结构及其封装方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105161598A (zh) * | 2015-07-27 | 2015-12-16 | 广州市鸿利光电股份有限公司 | 一种基于注塑件的csp封装结构及制造工艺 |
CN105720174A (zh) * | 2016-04-20 | 2016-06-29 | 漳州立达信光电子科技有限公司 | Led面光源及其制备方法 |
WO2021169999A1 (zh) * | 2020-02-28 | 2021-09-02 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | Led 芯片组件、 led 器件及其制作方法 |
CN113345812A (zh) * | 2021-06-03 | 2021-09-03 | 广东新锐流铭光电有限公司 | 一种led晶圆级无芯片衬底的封装工艺 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103855259B (zh) | Led封装方法 | |
KR102100253B1 (ko) | 다수의 광전자 반도체 소자의 제조 방법 | |
US20160155915A1 (en) | Method of manufacturing light emitting diode package structure | |
CN103972360A (zh) | Led晶片封装方法 | |
CN101533783B (zh) | 薄型四侧扁平无引脚封装方法 | |
CN105161431A (zh) | 晶圆级芯片封装方法 | |
CN102544340A (zh) | 用于led的带凹腔的引线框架封装 | |
CN105185717A (zh) | 晶圆级芯片封装方法 | |
CN106935694A (zh) | 一种csp led封装方法 | |
CN103872212B (zh) | 一种led封装方法 | |
CN203746898U (zh) | 一种led封装体及照明装置 | |
CN103855278A (zh) | 一种led封装结构及照明设备 | |
CN103855279A (zh) | 一种led封装方法 | |
CN106373896A (zh) | 芯片封装制程及芯片封装体 | |
CN105990491A (zh) | 改良的发光二极管封装结构与方法 | |
US9847316B2 (en) | Production of optoelectronic components | |
CN203746899U (zh) | 一种led封装结构及照明设备 | |
CN105140138A (zh) | 一种电磁屏蔽封装方法及其封装结构 | |
CN103855283B (zh) | 一种led封装体及照明装置 | |
US8227271B1 (en) | Packaging method of wafer level chips | |
CN103855284A (zh) | 一种led晶片封装方法 | |
CN104465596A (zh) | 引线框架、半导体封装体及其制造方法 | |
CN109979832A (zh) | 封装结构及其制造方法 | |
CN102263039B (zh) | 晶粒总成的制造方法 | |
CN104347558A (zh) | 半导体封装件及其制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20140806 |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |