CN103966658A - 一种双水路冷却区熔感应线圈 - Google Patents

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刘剑
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Abstract

本发明涉及一种双水路冷却区熔感应线圈，包括单匝线圈平板，所述单匝线圈平板由线圈聚流环与线圈内外冷却水管组成，其中的内外冷却水管环绕焊接于聚流环外围；所述聚流环上表面设有三级台阶并且从外侧第一级台阶至里侧第三级台阶的所在圆的直径逐级递减，同时，位于聚流环内圆下边沿与单匝线圈平板的下表面连接所形成的斜面与水平面形成一定的倾斜角度。本发明有益效果为：有利于大直径的区熔硅单晶的生长，可提高硅内热场的均匀分布程度并且提高硅单晶的成晶稳定性。

Description

一种双水路冷却区熔感应线圈
技术领域
本发明涉及一种感应线圈，尤其涉及一种双水路冷却区熔感应线圈。
背景技术
近年来，各种晶体材料，特别是以单晶硅为代表的高科技附加值材料及其相关高技术产业的发展，成为当代信息技术产业的支柱，并使信息产业成为全球经济发展中增长最快的先导产业。单晶硅作为一种极具潜能，具有基本完整的点阵结构的晶体，不同的方向具有不同的性质。熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，单晶硅具有金刚石晶格，晶体硬而脆，具有金属光泽，能导电，但导电率不及金属，且随着温度升高而增加，具有半导体性质，是重要的半导体材料。现有产品缺乏有效针对用于硅单晶双水路冷却区熔感应线圈，这使得硅内热场的分布不够均匀，硅单晶的成晶存在着很多不稳定性特别是线圈上表面的结构不合理。因此，针对以上方面，需要对现有技术进行有效创新。
发明内容
针对以上缺陷，本发明提供一种可提高硅内热场的均匀分布、能有效确保硅单晶成晶的稳定性、便于生产加工的双水路冷却区熔感应线圈，以解决现有技术的诸多不足。
为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种双水路冷却区熔感应线圈，包括单匝线圈平板，所述单匝线圈平板由线圈聚流环与线圈内外冷却水管组成，其中的内外冷却水管环绕焊接于聚流环外围；所述聚流环上表面设有三级台阶并且从外侧第一级台阶至里侧第三级台阶的所在圆的直径逐级递减，同时，位于聚流环内圆下边沿与单匝线圈平板的下表面连接所形成的斜面与水平面形成一定的倾斜角度，其中的三级台阶均为椭圆形结构。所述内外冷却水管的管口延伸至单匝线圈平板末端的连接法兰位置处，所述单匝线圈平板边沿部位设置接地孔。
本发明所述的双水路冷却区熔感应线圈的有益效果为：通过设置线圈为平板单匝结构，在线圈聚流环上表面设有三级台阶并且从外部第一级台阶至内部第三级台阶的所在圆的直径逐级减小，同时，线圈聚流环内圆下边沿与线圈下表面连接形成的斜面与水平面呈倾斜角度，这有利于大直径的区熔硅单晶的生长，可提高硅内热场的均匀分布程度并且提高硅单晶的成晶稳定性。
附图说明
下面根据附图对本发明作进一步详细说明。
图1是本发明实施例所述双水路冷却区熔感应线圈的结构示意图；
图2是本发明实施例所述双水路冷却区熔感应线圈的上表面示意图。
图中：
1、单匝线圈平板；2、内外冷却水管；3、接地孔；4、聚流环；5、连接法兰；6、内圆孔。
具体实施方式
如图1-2所示，本发明实施例所述的双水路冷却区熔感应线圈，包括单匝线圈平板1，所述单匝线圈平板1由线圈聚流环4与线圈内外冷却水管2组成并且为平板单匝结构，其中的内外冷却水管2双层环绕焊接设置于聚流环4外围并且管口延伸至单匝线圈平板1末端的连接法兰5位置处；所述单匝线圈平板1边沿部位设置接地孔3，位于聚流环4中心位置处设置内圆孔6，其中的聚流环4上表面设有三级台阶并且从外侧第一级台阶至里侧第三级台阶的所在圆的直径逐级递减，同时，线圈聚流环4内圆下边沿与单匝线圈平板1的下表面连接所形成的斜面与水平面呈一定倾斜角度，其中的三级台阶均为椭圆形结构。
以上实施例是本发明较优选具体实施方式的一种，本领域技术人员在本技术方案范围内进行的通常变化和替换应包含在本发明的保护范围内。

Claims (3)

1.一种双水路冷却区熔感应线圈，包括单匝线圈平板(1)，其特征在于：所述单匝线圈平板(1)由线圈聚流环(4)与线圈内外冷却水管(2)组成，其中的内外冷却水管(2)环绕焊接于聚流环(4)外围；所述聚流环(4)上表面设有三级台阶并且从外侧第一级台阶至里侧第三级台阶的所在圆的直径逐级递减，同时，位于聚流环(4)内圆下边沿与单匝线圈平板(1)的下表面连接所形成的斜面与水平面形成一定的倾斜角度，其中的三级台阶均为椭圆形结构。
2.根据权利要求1所述的双水路冷却区熔感应线圈，其特征在于：所述内外冷却水管(2)的管口延伸至单匝线圈平板(1)端部的连接法兰(5)位置处。
3.根据权利要求1所述的双水路冷却区熔感应线圈，其特征在于：所述单匝线圈平板(1)边沿部位设置接地孔(3)。
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