CN203049091U - 一种用于多晶硅区熔的加热线圈 - Google Patents
一种用于多晶硅区熔的加热线圈 Download PDFInfo
- Publication number
- CN203049091U CN203049091U CN 201220642788 CN201220642788U CN203049091U CN 203049091 U CN203049091 U CN 203049091U CN 201220642788 CN201220642788 CN 201220642788 CN 201220642788 U CN201220642788 U CN 201220642788U CN 203049091 U CN203049091 U CN 203049091U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cutting
- coil
- joint
- seam
- coil rack
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本实用新型提供一种用于多晶硅区熔的加热线圈，包括线圈骨架和线圈冷却水管，所述线圈冷却水管焊接嵌入所述线圈骨架内，其特征在于：所述线圈骨架上设有两级台阶，所述线圈骨架内圆处开有贯通上下表面的十字切缝，分别为第一切缝、第二切缝、第三切缝和第四切缝，在所述线圈骨架外圆沿第一切缝方向的一侧设有连接电极的法兰，所述法兰与第一切缝间开有一条主缝，在所述线圈骨架上沿第二切缝、第三切缝和第四切缝的方向还分别开有第一副缝、第二副缝和第三副缝。本实用新型的有益效果是提供一种热场均匀、熔硅下行顺畅、成晶率高的用于多晶硅区熔的加热线圈。
Description
技术领域
本实用新型属于区熔技术领域，尤其是涉及一种用于多晶硅区熔的加热线圈。
背景技术
区熔硅单晶在生长过程中的稳定性非常重要，在制备期间如出现多晶硅边缘长刺、熔区凝固、熔区出现腰带、塌炉等情况都将中断整个制备过程。因此，一个稳定的、均匀的用于区熔硅单晶的热场是十分重要的。热场的核心部分是加热线圈，常规台阶线圈在使用大直径多晶料时易出现熔硅下行不畅如出嘟噜、出腰带现象，影响成晶率。
另外，常规单匝线圈有一个主缝，常规单匝线圈有一个主缝，为了达到相对平衡的热场条件需要与主缝相对的开一条副缝，但是随着单晶直径的变大，热场的不均匀程度明显，化料成晶困难。
发明内容
本实用新型要解决的问题是提供一种热场均匀、熔硅下行顺畅、成晶率高的用于多晶硅区熔的加热线圈。
为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：一种用于多晶硅区熔的加热线圈，包括线圈骨架和线圈冷却水管，所述线圈冷却水管焊接嵌入所述线圈骨架内，所述线圈为平板单匝结构，所述线圈骨架的上表面设有向线圈内部凹陷的第一台阶，所述第一台阶底部一端与所述线圈骨架内圆上边沿连接成斜面，与水平面呈第一倾斜角，所述第一台阶外沿设有一圈向外突起的第二台阶，所述第二台阶的截面呈一直角梯形，所述直角梯形的直角侧边与所述第一台阶的顶部相接；所述骨架内圆下边沿和线圈下表面连接成斜面，与水平面呈第二倾斜角；
所述线圈骨架内圆处开有贯通上下表面的十字切缝，分别为第一切缝、第二切缝、第三切缝和第四切缝，在所述线圈骨架外圆沿第一切缝方向的一侧设有连接电极的法兰，所述法兰与第一切缝间开有一条主缝，在所述线圈骨架上沿第二切缝、第三切缝和第四切缝的方向还分别开有第一副缝、第二副缝和第三副缝，所述主缝和副缝的宽度均小于所述十字切缝的宽度。
所述第一副缝、第二副缝和第三副缝的长度均为10-300mm。
本实用新型具有的优点和积极效果是：由于采用上述技术方案，副缝的设计，有效的均衡了热场的不对称性，台阶斜面线圈的设计，可改善化料，解决腰上包裹不熔化硅的问题，能够有效地提高成晶率和合格率。，
附图说明
图1是本实用新型的俯视结构示意图
图2是图1的的A-A剖面示意图
图中：
1、线圈骨架 2.1、切缝 2.2、切缝
2.3、切缝 2.4、切缝 3、法兰
4、主缝 5.1、副缝 5.2、副缝
5.3、副缝 6、台阶 7、斜面
8、台阶 9、斜面 10、冷却水管
具体实施方式
本实用新型包括线圈骨架1和线圈冷却水管10，线圈冷却水管10焊接嵌入线圈骨架1内。这种结构可以提高水冷却的效果，同时易于线圈表面的加工。
线圈为平板单匝结构，线圈骨架1的上表面设有两级台阶结构，包括向线圈内部凹陷的第一级台阶6，台阶6底部一端与线圈骨架1内圆上边沿连接成斜面7，与水平面呈第一倾斜角，台阶6外沿设有一圈向外突起的第二级台阶8，台阶8的截面呈一直角梯形，直角梯形的直角侧边与台阶6的顶部相接；骨架1内圆下边沿和线圈下表面连接成斜面9，与水平面呈第二倾斜角。两级台阶6、8的直径均略大于多晶硅的直径，该结构使所述用于区熔法制备硅单晶的加热线圈局部产生的电磁场增强，避免较大直径尺寸的多晶硅外沿出现毛刺；斜面7可以使电磁场的能量由内向外不至逐渐降低，是多晶熔化界面平坦且由外向内倾斜，熔化界面熔硅趋于流向熔区中心，增加了熔硅的流动性；斜面9可以加大能量辐射面积，降低多晶凝固界面温度梯度，有利于多晶结晶过程中应力的释放，减少多晶硅内部出现断裂的危险。
线圈骨架1内圆处开有贯通上下表面的十字切缝，分别为切缝2.1、切缝2.2、切缝2.3和切缝2.4，在线圈骨架1外圆沿切缝2.1方向的一侧设有连接电极的法兰3，法兰3与切缝2.1间开有一条主缝4，为了达到相对平衡的热场条件，线圈骨架1上沿切缝2.2、切缝2.3和切缝2.4的方向还分别开有副缝5.1、副缝5.2和副缝5.3，能够平衡线圈主缝4与副缝的温度梯度；其中，主缝4和副缝5.1、5.2、5.3的宽度均小于十字切缝的宽度，副缝5.1、5.2、5.3的长度均为10-300mm。
以上对本实用新型的一个实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本实用新型的较佳实施例，不能被认为用于限定本实用新型的实施范围。凡依本实用新型申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本实用新型的专利涵盖范围之内。
Claims (2)
1.一种用于多晶硅区熔的加热线圈，包括线圈骨架和线圈冷却水管，所述线圈冷却水管焊接嵌入所述线圈骨架内，其特征在于：所述线圈为平板单匝结构，所述线圈骨架的上表面设有向线圈内部凹陷的第一台阶，所述第一台阶底部一端与所述线圈骨架内圆上边沿连接成斜面，与水平面呈第一倾斜角，所述第一台阶外沿设有一圈向外突起的第二台阶，所述第二台阶的截面呈一直角梯形，所述直角梯形的直角侧边与所述第一台阶的顶部相接；所述骨架内圆下边沿和线圈下表面连接成斜面，与水平面呈第二倾斜角；
所述线圈骨架内圆处开有贯通上下表面的十字切缝，分别为第一切缝、第二切缝、第三切缝和第四切缝，在所述线圈骨架外圆沿第一切缝方向的一侧设有连接电极的法兰，所述法兰与第一切缝间开有一条主缝，在所述线圈骨架上沿第二切缝、第三切缝和第四切缝的方向还分别开有第一副缝、第二副缝和第三副缝，所述主缝和副缝的宽度均小于所述十字切缝的宽度。
2.根据权利要求1所述的加热线圈，其特征在于：所述第一副缝、第二副缝和第三副缝的长度均为10-300mm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201220642788 CN203049091U (zh) | 2012-11-28 | 2012-11-28 | 一种用于多晶硅区熔的加热线圈 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201220642788 CN203049091U (zh) | 2012-11-28 | 2012-11-28 | 一种用于多晶硅区熔的加热线圈 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN203049091U true CN203049091U (zh) | 2013-07-10 |
Family
ID=48732067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201220642788 Expired - Lifetime CN203049091U (zh) | 2012-11-28 | 2012-11-28 | 一种用于多晶硅区熔的加热线圈 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN203049091U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108179462A (zh) * | 2016-12-08 | 2018-06-19 | 有研半导体材料有限公司 | 一种用于制备区熔大直径单晶的加热线圈 |
-
2012
- 2012-11-28 CN CN 201220642788 patent/CN203049091U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108179462A (zh) * | 2016-12-08 | 2018-06-19 | 有研半导体材料有限公司 | 一种用于制备区熔大直径单晶的加热线圈 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN202558970U (zh) | 一种类单晶硅铸锭炉 | |
| CN102051674B (zh) | 单晶锭制造装置 | |
| CN103924293B (zh) | 一种底部增强冷却装置及其冷却方法 | |
| CN201620202U (zh) | 一种用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈 | |
| CN201267022Y (zh) | 一种用于多晶硅真空区熔提纯的加热线圈 | |
| CN203049080U (zh) | 一种用于区熔法制备硅单晶的加热线圈 | |
| CN205474106U (zh) | 一种保护籽晶型坩埚 | |
| CN203049091U (zh) | 一种用于多晶硅区熔的加热线圈 | |
| CN103628127A (zh) | 一种定向凝固法准单晶硅生长炉及准单晶硅的生长方法 | |
| CN207646330U (zh) | 晶体铸锭加热器及铸锭设备 | |
| CN203049079U (zh) | 一种多晶硅真空区熔线圈 | |
| CN207294942U (zh) | 一种带石墨和水冷复合热屏的高效单晶生长炉 | |
| CN201400710Y (zh) | 用于高速钢生产的电渣重熔结晶器 | |
| CN203049078U (zh) | 一种用于硅单晶制备的区熔线圈 | |
| CN105154967A (zh) | 一种制备区熔单晶的凸台线圈 | |
| CN104294358B (zh) | 一种多晶硅锭的制备方法及多晶硅锭 | |
| CN203065635U (zh) | 一种底部增强冷却装置 | |
| CN203602749U (zh) | 一种用于拉制六英寸区熔硅单晶的加热线圈 | |
| CN202530199U (zh) | 一种组装式耐高温坩埚 | |
| CN204281893U (zh) | 一种定向固化保温热场 | |
| CN201908152U (zh) | 一种改进的直拉单晶炉 | |
| CN207982263U (zh) | 一种大规格黄铜铸锭的结晶系统 | |
| CN112359411A (zh) | 用于区熔法制备单晶硅的加热线圈 | |
| CN202658263U (zh) | 一种用于拉制6寸区熔单晶硅加热线圈 | |
| CN201695105U (zh) | 一种次单晶硅铸锭炉的双腔体隔热笼 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20181101 Address after: 300384 Tianjin Binhai New Area high tech Zone Huayuan Industrial Area (outside the ring) Hai Tai Road 12 Patentee after: TIANJIN ZHONGHUAN ADVANCED MATERIAL TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 300384 Tianjin Binhai New Area high tech Zone Huayuan Industrial Park (outside the ring) Hai Tai Road 12 Patentee before: TIANJIN HUANOU SEMICONDUCTOR MATERIAL TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20191231 Address after: 214200 Dongfen Avenue, Yixing Economic and Technological Development Zone, Wuxi City, Jiangsu Province Co-patentee after: TIANJIN ZHONGHUAN ADVANCED MATERIAL TECHNOLOGY Co.,Ltd. Patentee after: Zhonghuan leading semiconductor materials Co.,Ltd. Address before: 300384 in Tianjin Binhai high tech Zone Huayuan Industrial Zone (outer ring) Haitai Road No. 12 Patentee before: TIANJIN ZHONGHUAN ADVANCED MATERIAL TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20130710 |
|
| CX01 | Expiry of patent term |