CN201620202U - 一种用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈,所述线圈为平板单匝结构,包括线圈骨架和线圈冷却水管,所述线圈冷却水管焊接嵌入所述线圈骨架内,在所述线圈骨架的上表面设有三级台阶,从第一级台阶至第三级台阶的所在圆的直径逐级减小,第三级台阶的底部一端和所述线圈骨架内圆上边沿连接成的斜面与水平面呈第一倾斜角度,所述线圈骨架内圆下边沿和线圈下表面连接成的斜面与水平面呈第二倾斜角度。对于直径在2英寸附近的48~53mm范围内的真空区熔硅单晶的生长,本实用新型电磁场能量对称性的提高和硅内热场的均匀分布能有效使硅单晶稳定性的成晶。
Description
技术领域
本实用新型涉及真空区熔技术领域,特别是涉及一种用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈。
背景技术
区熔是指根据液体混合物在冷凝结晶过程中组分重新分布(称为偏析)的原理,通过多次熔融和凝固,制备高纯度的金属、半导体材料和有机化合物的一种提纯方法。区熔技术可应用于半导体材料的提纯和单晶生长,悬浮区熔技法适用于硅材料的提纯或单晶生长,此时熔区悬浮于加热线圈上方的多晶硅和加热线圈下方生长出的单晶之间。悬浮区熔时,熔区呈悬浮状态,不与任何物质相接触,因而不会被沾污。此外,由于硅中杂质的分凝效果和蒸发效果,可获得高纯硅单晶。区熔可在保护气氛氩气中进行,也可在真空中进行,用区熔法制备的硅单晶特别适用于制备高阻硅单晶和探测器级高纯硅单晶。
在氩气气氛中制备区熔硅单晶相对比较容易,目前硅单晶的直径已经可以达到6英寸。在真空环境下,由于散热机制的变化,生长区熔硅单晶要比在氩气气氛中生长区熔硅单晶要困难许多,硅单晶在生长过程中极易断棱,直径也很难做大。而真空区熔硅单晶可以最大限度地保持材料的纯度,是研制一些特种探测器的主要材料,增大真空区熔硅单晶生长直径的技术一直在处在不断研究之中。
与在气氛中生长区熔硅单晶相比,在真空环境中,硅单晶生长缺少了保护气氛的附加压力,重力与晶体旋转离心力作用的效果增大,同时也缺少了向保护气氛中散热的效果,使硅单晶内温度梯度减小,硅单晶的生长驱动力减弱,晶体成晶的不稳定因素增加,最终导致生长真空区熔硅单晶的成晶率降低。
区熔硅单晶在生长过程中的稳定性尤为重要,在制备期间如出现多晶硅边缘长刺、熔区凝固、熔区出现腰带、塌炉等情况都将中断整个制备过程。因此,一个稳定的用于生长大直径真空区熔硅单晶的热场是十分重要的,特别是在真空中这样特殊的散热环境下热场的分布更先得尤为重要,热场的核心部分是加热线圈。随着多晶硅原料和所生长硅单晶直径的加大,线圈上方多晶硅熔化界面熔硅流动性变差,多晶熔化边缘因过冷易产生毛刺,同时熔区中径向温度梯度同时也有所加大,硅单晶选装过程中生长界面所处的热场强弱变化也较明显,已造成局部过冷产生断棱,造成了一定的不稳定因素,加大了区熔硅单晶生长的难度。
实用新型内容
本实用新型要解决的问题是提供一种用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈,以克服现有技术中硅单晶成晶稳定性低、区熔硅单晶生长难度大的缺陷。
为达到上述目的,本实用新型的技术方案提供一种用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈,所述线圈为平板单匝结构,包括线圈骨架和线圈冷却水管,所述线圈冷却水管焊接嵌入所述线圈骨架内,在所述线圈骨架的上表面设有三级台阶,从第一级台阶至第三级台阶的所在圆的直径逐级减小,第三级台阶的底部一端和所述线圈骨架内圆上边沿连接成的斜面与水平面呈第一倾斜角度,所述线圈骨架内圆下边沿和线圈下表面连接成的斜面与水平面呈第二倾斜角度。
进一步,所述线圈还包括电极上法兰和电极下法兰,所述电极上法兰和电极下法兰上有电极连接孔和冷却水管孔,所述线圈冷却水管穿过所述冷却水管孔并分别与所述电极上法和电极下法兰相焊接,循环冷却水由所述线圈冷却水管进出线圈骨架,在所述线圈骨架上靠近电极上法兰和电极下法兰的一侧开设有一个切口。
进一步,所述线圈骨架内圆为正圆心结构,内圆的直径为27mm,厚度为1.5mm。
进一步,在所述线圈内圆处有四个对称的切缝,切缝宽度为3mm,切缝长度为7~8mm,其中一条切缝与线圈电极切口重合。
进一步,所述线圈电极切口为一个切面互相平行的垂直切口,切口的宽度为2mm。
进一步,所述第一级台阶所在圆的直径为55~56mm,第二级台阶所在圆的直径为50~51mm,第三级台阶所在圆的直径为45~46mm,所述第一级台阶、第二级台阶和第三级台阶的高度均为0.9mm。
进一步,所述第一倾斜角度为7~8度。
进一步,所述第二倾斜角度为7~9度。
进一步,所述单匝结构的外圆直径为73~75mm,厚度为7~10mm。
进一步,所述线圈骨架和线圈冷却水管均采用紫铜材料制成。
与现有技术相比,本实用新型有益效果如下:
本实用新型的线圈骨架内圆心的正圆心式结构可使线圈中心处电磁场的能量由内向外均匀的分布,加强真空硅单晶温度梯度的均匀分布。线圈骨架上表面的三级台阶结构将加热线圈上方多晶硅的外径边缘处的电磁场增强,改善了多晶硅外径边缘处的熔化界面,有效消除多晶硅外颈边缘在真空区熔生长过程中出现的毛刺。对于直径在2英寸附近的48~53mm范围内的真空区熔硅单晶的生长,本实用新型电磁场能量对称性的提高和硅内热场的均匀分布能有效使硅单晶稳定性的成晶。
附图说明
图1是本实用新型实施例的一种用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈的结构示意图;
图2是图1的A-A面剖视图;
图3是图1的B向视图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型,但不用来限制本实用新型的范围。
本实用新型实施例的一种用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈的结构如图1、图2和图3所示,所述该加热线圈包括线圈骨架101、线圈冷却水管102、电极上法兰103和电极下法兰104。线圈骨架101采用平板单匝线圈的基本结构,所述线圈的外圆直径为73~78mm,厚度为7~10mm。线圈冷却水管102采用内径为6mm的铜管,焊接并嵌入线圈骨架101内,线圈冷却水管102的两端穿过如图3所示电极法兰上的两个冷却水管孔302并分别与电极上法兰103和电极下法兰104相焊接,循环冷却水由冷却水管孔302进出线圈并最终对其进行冷却。电极上法兰103和电极下法兰104上有四个用于固定线圈的电极连接孔301,在电极连接孔上通过安装螺钉的方式使线圈电极和区熔炉电极之间固定并使线圈冷却水孔和区熔炉冷却水孔相连接。在线圈骨架101上靠近电极上法兰103和电极下法兰104的一侧开设一个切面互相平行的垂直切口303,切口的宽度为2mm。线圈骨架的前方设有一个地线的接口206。线圈骨架101、线圈冷却水管102、电极上法兰103和电极下法兰104均采用紫铜T2级。
线圈骨架101的内圆为正圆心结构,内圆的直径为27mm,厚度为1.5mm。正圆心结构的内圆可使线圈中心处电磁场的能量由内向外均匀的分布,加强真空硅单晶温度梯度的均匀分布。在线圈骨架101的内圆处设有四个对称的切缝105,切缝宽度为3mm,切缝长度为7~8mm,其中一条切缝与线圈电极切口重合。四个对称的切缝的加入使线圈周围的电磁场能量分布进一步均匀化,随着生长真空硅单晶过程中上下轴的逆向旋转,线圈下方的硅单晶均匀地吸收能量,真空硅单晶的成晶稳定性加强。
线圈骨架101的上表面采用三级台阶结构,包括第一级台阶201、第二级台阶202和第三级台阶203,第一级台阶201所在圆的直径为55~56mm,第二级台阶202所在圆的直径为50~51mm,第三级台阶203所在圆的直径为45~46mm,三级台阶的高度均为0.9mm。三级台阶的结构将加热线圈上方多晶硅的外径边缘处的电磁场增强,改善了多晶硅外径边缘处的熔化界面,能有效消除多晶硅外颈边缘在真空区熔生长过程中出现的毛刺。第三级台阶203底部一端和线圈内圆上边沿连接成的斜面204与水平面呈第一倾斜角度,第一倾斜角度为7~8度。第一倾斜角度加强了线圈上方外径处的电磁场能量,使多晶硅熔化界面平坦且由外向内倾斜,熔化界面熔硅趋于流向熔区中心,增加了熔硅的流动性。
线圈骨架101的下表面和线圈内圆下边沿连接成的斜面205与水平面呈第二倾斜角度,第二倾斜角度为7~9度。第二倾斜角度可以加大线圈下方的能量辐射面积,降低硅单晶凝固界面温度梯度,有利于硅单晶真空生长过程中的应力释放,提高单晶生长的稳定性。
本实用新型的用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈适合直径在2英寸附近的48~53mm范围内的硅单晶的真空生长。随着真空硅单晶直径的增大,硅单晶内部的温度分布是影响单晶成晶的主要因素。线圈骨架内圆心的正圆心式结构设计可使线圈中心处电磁场的能量由内向外均匀的分布,加强真空硅单晶温度梯度的均匀分布。线圈骨架内圆处四个对称的切缝的加入使线圈周围的电磁场能量分布进一步均匀化,随着生长真空硅单晶过程中上下轴的逆向旋转,线圈下方的硅单晶均匀地吸收能量,真空硅单晶的成晶稳定性加强。线圈骨架上表面三级台阶结构的加入将加热线圈上方多晶硅的外径边缘处的电磁场增强,改善了多晶硅外径边缘处的熔化界面,能有效消除多晶硅外颈边缘在真空区熔生长过程中出现的毛刺。线圈上表面的第一倾斜角度加强了线圈上方外径处的电磁场能量,使多晶硅熔化界面平坦且由外向内倾斜,熔化界面熔硅趋于流向熔区中心,增加了熔硅的流动性。第二倾斜角度可以加大线圈下方的能量辐射面积,降低硅单晶凝固界面温度梯度,有利于硅单晶真空生长过程中的应力释放,提高单晶生长的稳定性。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型技术原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (10)
1.一种用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈,其特征在于,所述线圈为平板单匝结构,包括线圈骨架和线圈冷却水管,所述线圈冷却水管焊接嵌入所述线圈骨架内,在所述线圈骨架的上表面设有三级台阶,从第一级台阶至第三级台阶的所在圆的直径逐级减小,第三级台阶的底部一端和所述线圈骨架内圆上边沿连接成的斜面与水平面呈第一倾斜角度,所述线圈骨架内圆下边沿和线圈下表面连接成的斜面与水平面呈第二倾斜角度。
2.如权利要求1所述的用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈,其特征在于,所述线圈还包括电极上法兰和电极下法兰,所述电极上法兰和电极下法兰上有电极连接孔和冷却水管孔,所述线圈冷却水管穿过所述冷却水管孔并分别与所述电极上法和电极下法兰相焊接,循环冷却水由所述线圈冷却水管进出线圈骨架,在所述线圈骨架上靠近电极上法兰和电极下法兰的一侧开设有一个切口。
3.如权利要求1所述的用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈,其特征在于,所述线圈骨架内圆为正圆心结构,内圆的直径为27mm,厚度为1.5mm。
4.如权利要求3所述的用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈,其特征在于,在所述线圈内圆处有四个对称的切缝,切缝宽度为3mm,切缝长度为7~8mm,其中一条切缝与线圈电极切口重合。
5.如权利要求4所述的用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈,其特征在于,所述线圈电极切口为一个切面互相平行的垂直切口,切口的宽度为2mm。
6.如权利要求1至5任一项所述的用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈,其特征在于,所述第一级台阶所在圆的直径为55~56mm,第二级台阶所在圆的直径为50~51mm,第三级台阶所在圆的直径为45~46mm,所述第一级台阶、第二级台阶和第三级台阶的高度均为0.9mm。
7.如权利要求1至5任一项所述的用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈,其特征在于,所述第一倾斜角度为7~8度。
8.如权利要求1至5任一项所述的用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈,其特征在于,所述第二倾斜角度为7~9度。
9.如权利要求1至5任一项所述的用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈,其特征在于,所述单匝结构的外圆直径为73~75mm,厚度为7~10mm。
10.如权利要求1至5任一项所述的用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈,其特征在于,所述线圈骨架和线圈冷却水管均采用紫铜材料制成。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102358951A (zh) * | 2011-10-11 | 2012-02-22 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种生产φ6英寸区熔气掺硅单晶的热系统及工艺 |
CN102808216A (zh) * | 2012-08-22 | 2012-12-05 | 北京京运通科技股份有限公司 | 一种区熔单晶硅生产工艺方法及区熔热场 |
CN105154966A (zh) * | 2015-10-19 | 2015-12-16 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种用于改善区熔硅单晶成晶的新型保温筒 |
CN105177700A (zh) * | 2015-10-19 | 2015-12-23 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种改善区熔硅单晶硅生长的热场 |
CN106702474A (zh) * | 2015-07-20 | 2017-05-24 | 有研半导体材料有限公司 | 一种区熔硅单晶生长中消除多晶刺的工艺 |
CN108179462A (zh) * | 2016-12-08 | 2018-06-19 | 有研半导体材料有限公司 | 一种用于制备区熔大直径单晶的加热线圈 |
CN112359411A (zh) * | 2020-12-09 | 2021-02-12 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 用于区熔法制备单晶硅的加热线圈 |
CN115369474A (zh) * | 2021-05-18 | 2022-11-22 | 胜高股份有限公司 | 感应加热绕组及使用其的单晶制造装置及单晶的制造方法 |
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- 2009-12-29 CN CN2009203512650U patent/CN201620202U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102358951A (zh) * | 2011-10-11 | 2012-02-22 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种生产φ6英寸区熔气掺硅单晶的热系统及工艺 |
CN102358951B (zh) * | 2011-10-11 | 2014-04-16 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种生产φ6英寸区熔气掺硅单晶的热系统及工艺 |
CN102808216A (zh) * | 2012-08-22 | 2012-12-05 | 北京京运通科技股份有限公司 | 一种区熔单晶硅生产工艺方法及区熔热场 |
CN106702474A (zh) * | 2015-07-20 | 2017-05-24 | 有研半导体材料有限公司 | 一种区熔硅单晶生长中消除多晶刺的工艺 |
CN106702474B (zh) * | 2015-07-20 | 2019-04-12 | 有研半导体材料有限公司 | 一种区熔硅单晶生长中消除多晶刺的工艺 |
CN105154966A (zh) * | 2015-10-19 | 2015-12-16 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种用于改善区熔硅单晶成晶的新型保温筒 |
CN105177700A (zh) * | 2015-10-19 | 2015-12-23 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种改善区熔硅单晶硅生长的热场 |
CN108179462A (zh) * | 2016-12-08 | 2018-06-19 | 有研半导体材料有限公司 | 一种用于制备区熔大直径单晶的加热线圈 |
CN112359411A (zh) * | 2020-12-09 | 2021-02-12 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 用于区熔法制备单晶硅的加热线圈 |
CN115369474A (zh) * | 2021-05-18 | 2022-11-22 | 胜高股份有限公司 | 感应加热绕组及使用其的单晶制造装置及单晶的制造方法 |
EP4092167A1 (en) * | 2021-05-18 | 2022-11-23 | Sumco Corporation | Induction heating coil and single crystal manufacturing apparatus and method using the induction heating coil |
CN115369474B (zh) * | 2021-05-18 | 2024-02-13 | 胜高股份有限公司 | 感应加热绕组及使用其的单晶制造装置及单晶的制造方法 |
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