CN103941544A - 一种光刻胶及其制作方法、使用方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供了一种光刻胶及其制作方法、使用方法，涉及光刻胶领域，可以降低生产成本，广泛应用于实际生产中。所述制作方法包括：按照质量配比，将1～90份的含羟基或羧基的成膜树脂，1～99份的含硅乙烯基醚化合物，溶解在能够溶解上述物质的有机溶剂中。

Description

一种光刻胶及其制作方法、使用方法
技术领域
本发明涉及光刻胶领域，尤其涉一种光刻胶及其制作方法、使用方法。 
背景技术
光刻胶是大规模集成电路工业中进行光刻过程的关键功能材料。光刻胶经紫外光照射后，发生一系列化学反应，使得曝光前后光刻胶在显影液中的溶解速率产生变化，再经过显影、坚膜、蚀刻和去膜等过程就能够将特定的高精度图形转移到待加工的基板表面。 
随着大规模集成电路工业的飞速发展，集成电路产品及品种的多样化，光刻工艺的不断改进，对光刻工艺过程中使用的关键材料，特别是光刻胶的要求更高，种类及性能更多样化、专业化。 
现有的技术，在光刻胶的制作过程中，需要先将含硅丙烯酸酯类单体与不含硅单体聚合形成含硅聚合物作为成膜树脂，该聚合反应困难，产率有限，故此类含硅成膜树脂成本较高，大大限制其实际使用。 
发明内容
本发明的实施例提供一种光刻胶及其制作方法、使用方法，可以降低生产成本，广泛应用于实际生产中。 
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案： 
一种光刻胶的制作方法，包括： 
按照质量配比，将1～90份的含羟基或含羧基的成膜树脂，1～99份的含硅乙烯基醚化合物，溶解在能够溶解上述物质的有机溶剂中。 
可选的，所述含羟基的成膜树脂包括：含酚羟基的成膜树脂。 
可选的，所述方法还包括：按照所述质量配比，加入光产酸剂以及染料共0.1～10份。 
可选的，按照所述质量配比，所述有机溶剂为200-400份。 
可选的，所述方法包括：按照质量配比，将1～5份的含酚羟基或含羧基的成膜树脂，5～9份的含硅乙烯基醚化合物，光产酸剂以及染料共0.5～0.8份，溶解在300～340份的有机溶剂中。 
可选的，所述方法还包括：按照所述质量配比，加入0.1～15份 的交联剂。 
可选的，所述交联剂的结构简式包括： 
其中，所述交联剂的结构简式中的R1为C1-C8的烷基，R2为H或CH3。 
可选的，所述含羧基的成膜树脂包括：侧链上含有羧基的线性酚醛类树脂、含有羧基的聚丙烯酸酯类树脂和聚乙烯醇缩醛羧酸酐酯化树脂中的至少一种。 
可选的，所述侧链上含有羧基的线性酚醛类树脂的结构通式为： 
所述侧链上含有羧基的线性酚醛类树脂的结构通式中x为0-2，n为2-15，p为0-13，R1为H或C1-C9的烷基。 
可选的，所述含硅乙烯基醚化合物的结构通式为： 
所述含硅乙烯基醚化合物的结构通式中n为2-10，m为1-600，R1为C1-C9的烷基。 
可选的，所述的光产酸剂包括鎓盐类、芳茂铁类、硫酸肟盐类或三嗪类光产酸剂中的至少一种。 
一种光刻胶，按照质量配比，所述光刻胶包括：1～90份的含羟基或含羧基的成膜树脂，1～99份的含硅乙烯基醚单体，以及能够溶解上述物质的有机溶剂。 
可选的，按照所述质量配比，所述有机溶剂为200-400份。 
可选的，按照质量配比，所述光刻胶中还包括：光产酸剂以及染料共0.1～10份。 
可选的，按照质量配比，所述光刻胶中还包括：0.1～15份的交联剂。 
一种光刻胶的使用方法，包括： 
将上述的光刻胶形成在待处理的基板上； 
使所述光刻胶中含羟基或含羧基的成膜树脂，与含硅乙烯基醚化合物反应，生成含硅醚化物光刻胶薄膜； 
进行曝光，在光产酸剂的作用下，释放出碱溶性羧基或者使含硅醚化物中的Si-OR基团优先与交联剂发生交联反应； 
在显影液中显影，得到显影图案。 
本发明实施例提供的光刻胶及其制作方法、使用方法，使用含羟基或羧基的成膜树脂与含硅乙烯基醚化合物进行物理配制，形成光刻胶，这样将该光刻胶涂敷在基板上，在对光刻胶进行前烘时的高温下，含酚羟基或羧基的成膜树脂与含硅乙烯基醚化合物可以自行反应结合而成新型含硅的成膜树脂，从而免去了现有技术中的单独合成含硅聚合物成膜树脂的步骤，节约了成本，且容易实现，可以被广泛应用于实际生产中。 
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种正性光刻胶的制作方法流程示意图； 
图2为本发明实施例提供的一种光刻胶的使用方法流程示意图； 
图3为本发明实施例提供的一种光产酸剂P-1的光分解机理示意图； 
图4为本发明实施例提供的一种曝光反应机理示意图。 
具体实施方式
下面结合附图对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。 
本发明实施例提供了一种光刻胶的制作方法，所述制作方法包括： 按照质量配比，将1～90份的含羟基或含羧基的成膜树脂，1～99份的含硅乙烯基醚化合物，溶解在能够溶解上述物质的有机溶剂中。 
可选的，所述含羟基的成膜树脂包括：含酚羟基的成膜树脂。 
在这里，所述有机溶剂只要能够完全溶解上述物质即可，其质量的多少只与最终获得的光刻胶的稠度有关，在这里并不做严格的限制。当然在实际应用中为了获得稠度适当的光刻胶，优选的，按照所述质量配比，所述有机溶剂为200-400份。 
优选的，所述含酚羟基或含羧基的成膜树脂与所述含硅乙烯基醚化合物的质量比为：1:9-1:1。 
通常，光刻胶中还会有一些引发剂和添加剂，所述引发剂主要用于在曝光条件或其他反应条件下引发光刻胶进行反应，使反应后的光刻胶可以在显影液中容易去除或者很难去除。可选的，所述引发剂可以是光产酸剂，所述添加剂可以是染料，则所述方法还可以包括：按照所述质量配比，加入光产酸剂以及染料共0.1～10份。 
可选的，按照质量配比，在所述光刻胶中成膜树脂和含硅乙烯基醚化合物共有10份的情况下，光产酸剂可以是0.1-0.4份，染料可以是0.3或0.4份，优选的，所述光产酸剂与所述染料之间的比例可以是1:1-1:4。 
优选的，所述光刻胶的制作方法包括：按照质量配比，将1～5份的含酚羟基或含羧基的成膜树脂，5～9份的含硅乙烯基醚化合物，光产酸剂以及添加剂共0.5～0.8份，溶解在300～340份的有机溶剂中。 
应用上述方法制作出来的光刻胶为正性光刻胶，可选的，还可以在正性光刻胶中加入交联剂，来制作负性光刻胶，这样所述方法还包括：按照质量配比，加入0.1～15份的交联剂。 
示例的，以制作正性光刻胶为例，按照上述的质量配比，如图1所示，所述制作方法包括以下步骤： 
101、将染料和光产酸剂溶解在有机溶剂。 
102、加入含羟基或含羧基的成膜树脂和含硅乙烯基醚化合物，溶解。 
103、待彻底溶解后，过滤掉其中的杂质获得光刻胶溶液。 
在实际的制作过程中，由于加入到有机溶剂中的物质如成膜树脂 中可能会含有一些杂质，故需要过滤出去这些杂质，获得光刻胶溶液。 
在这里需要说明的是，各物质在有机溶剂中的加入没有先后顺序，可以按照步骤101-102进行添加，也可以按照其他任意的顺序进行添加，在此不作限制。 
可选的，还可以在上述的光刻胶溶液中加入流平剂，消泡剂，分散剂。所述流平剂、消泡剂和分散剂可以统称为助剂，所述流平剂用于使所述光刻胶溶液在固化成膜的过程中形成平整、光滑、均匀的膜层；所述消泡剂用于避免所述光刻胶溶液在成膜过程中产生气泡和针孔；所述分散剂用于促使物料颗粒均匀分散于光刻胶溶液中；这些助剂可以酌情添加，使形成的光刻胶溶液更优质。当然，还可以在光刻胶中添加其他的助剂使形成的光刻胶的物理性质更加优质，在此并不作限制。 
本发明实施例提供的光刻胶的制作方法，使用含羟基或羧基的成膜树脂与含硅乙烯基醚化合物进行物理配制，形成光刻胶，这样将该光刻胶涂敷在基板上，在对光刻胶进行前烘时的高温下，含酚羟基或羧基的成膜树脂与含硅乙烯基醚化合物可以自行反应结合而成新型含硅的成膜树脂，从而免去了现有技术中的单独合成含硅聚合物成膜树脂的步骤，节约了成本，且容易实现，可以被广泛应用于实际生产中。 
以下对本发明实施例提供的所述光刻胶中含有的各种物质进行说明： 
所述交联剂的结构简式包括： 
其中，所述结构简式中的R1为C1-C8的烷基，R2为H或CH3。 
示例的，所述交联剂可以是商品TMMGU（四甲氧甲基甘脲），结构式如下： 
所述交联剂-四甲氧甲基甘脲，CAS号:17464-88-9，可以在百灵威科技有限公司购买。 
本发明实施例中所述的含羧基的成膜树脂包括：侧链上含有羧基的线性酚醛类树脂、含有羧基的聚丙烯酸酯类树脂和聚乙烯醇缩醛羧酸酐酯化树脂中的至少一种，优选含有羧基的线性酚醛类树脂。 
所述的含有羧基的线性酚醛类树脂，具有如下结构通式： 
通式1 
该结构通式中x为0-2，n为2-15，p为0-13。 
优选的，x为1时，所述n为2-15，所述p为3-13；x为2时，所述，n为4-15，所述p为3-13。 
其中，所述R1为H或R1为碳原子数在1-9个的取代或未取代的烷基。优选的是，所述R1的主链碳原子数在1-9个。所述R1的取代烷基可为直链或支链的烷基，优选所述R1为低级烷基，例如C1-C9烷基，更优选的，所述烷基为甲基或正丁基。 
本发明实施例中所述的烷基是指饱和烃（即烷烃）失去一个氢原子所形成的基团。 
上述的成膜数值可以通过合成的方法获得，示例的如含羧基的成膜树脂—羧基酚醛树脂，可以将苯酚类化合物加入甲醛水溶液，升温至60-95度，完全溶解后加入催化剂，反应2-10h，升温蒸馏水分，直 到树脂呈液态，倒出反应瓶，即可得到羧基酚醛树脂。 
所述的含硅乙烯基醚化合物为具有如下通式： 
该结构通式中n为2-10，m为1-600。优选的，n为2时，m为1、2或4，n为3时，m为3。 
R1为碳原子数在1-9个的取代或未取代的烷基。优选的是，所述R1的主链碳原子数在1-9个。所述R1的取代烷基可为直链或支链的烷基，优选所述R1为低级烷基，例如C1-C9烷基，更优选的，所述烷基为甲基或苯基。 
含硅乙烯基醚化合物可以自己合成，如二乙烯基醚硅氧烷C：1,7-二-(乙烯氧基乙氧基)-八甲基四硅氧烷的合成路线如下所示： 
所述的光产酸剂包括鎓盐类、芳茂铁类、硫酸肟盐类或三嗪类产酸剂中的至少一种。 
所述的鎓盐类的通式为：(ArnY)+X-，其中，Ar为芳香基团；Y为S或I；X为SbF6、AsF6、PF6、BF4或CF3SO3；n为2或3。 
可选的，所述光产酸剂可以是下述编号为A1-1～A1-14的鎓盐类光产酸剂中的一种或几种： 
所述的芳茂铁类的通式为: 
其中，为芳香基团，R为甲基、异丙基或者苄基；X为SbF6、AsF6、PF6、BF4或CF3SO3。 
可选的，所述光产酸剂可以是以下编号为A2-1～A2-10的芳茂铁类的光产酸剂结构中的一种或几种： 
所述的硫酸肟盐类的通式为： 
其中：R1为 或其中，Rn为2～6个碳的烷基；Ar为苯基；R'2为芳香基团；R3为芳香基团或1～10个碳的烷基。 
本发明实施例中所用的术语芳香基团可以是指取代或未取代的、单环或多环芳基，可选的，所述芳香基团为具有6～24个环碳原子的芳基，可选的，所述芳基为苯基、苄基、苯氧基、对苯酚基或对苯甲基等；优选的，所述芳基的取代基可为直链或支链的烷基，优选为低级烷基，例如C1～C4烷基。 
可选的，所述光产酸剂可以是以下编号为A3-1～A3-26的硫酸肟盐类的光产酸剂结构中的一种或几种： 
所述的三嗪类产酸剂的通式为： 
其中R4、R5独立的为1～10个碳的烷基或斥电子共轭基团，所述的斥电子共轭基团如苄基、对甲苯氧基或对苯甲基等。 
可选的，所述光产酸剂可以是以下编号为A4-1～A4-7的三嗪类光产酸剂结构中的一种或几种： 
上述的光产酸剂可以在荆门市昱奎化工有限责任公司,邯郸开发区立业化工有限公司购买得到。 
所述染料包括以下至少一种：碱性艳蓝、结晶紫、维多利亚纯蓝、靛蓝、甲基紫、孔雀石绿、油溶蓝。这些染料可以在上海研拓生物科技有限公司,武强县泰丰化工有限公司,绍兴经济开发区白天鹅物资有限公司等公司购买。 
所述有机溶剂包括乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、丙二醇单乙醚、甲乙酮、醋酸丁酯、二氧六环、N-甲基吡咯烷酮、甲醇、四氢呋喃中的至少一种。这些有机溶剂可以在河北东光恒达化工有限责任公司购买。 
可选的，可以应用以下5个实施例提供的方法来制作正性光刻胶： 
实施例1： 
含硅化合物正性光刻胶的配制：将0.4g维多利亚纯蓝溶解于300g乙二醇单乙醚中，再加入结构如通式1的含有羧基的线性酚醛树脂5g，其中x为l，n为2-5，p为6-9，R1为正丁基，加入结构如通式2的含硅乙烯基醚5g，其中n为2，m为1，R1为甲基，最后加入0.1g硫酸肟盐A3-19，待彻底溶解后，用滤纸进行过滤，制得含硅化合物正性光刻胶。 
实施例2： 
含硅化合物正性光刻胶的配制：将0.3g结晶紫溶解于250g乙二 醇甲醚和90g甲乙酮中，再加入结构如通式1的含有羧基的线性酚醛树脂4g，其中x为2，n为4-8，p为9-13，R1为H，加入结构如通式2的含硅乙烯基醚6g，其中n为2，m为2，R1为苯基，最后加入0.2g硫酸肟盐A3-20，待彻底溶解后，用滤纸进行过滤，制得含硅化合物正性光刻胶。 
实施例3： 
含硅化合物正性光刻胶的配制：将0.3g碱性艳兰溶解于250g乙二醇甲醚和80g甲乙酮中，再加入结构如通式1的含有羧基的线性酚醛树脂3g，其中x为2，n为7-10，p为3-6，R1为甲基，加入结构如通式2的含硅乙烯基醚7g，其中n为3，m为3，R1为甲基，最后加入0.2g鎓盐A1-1，待彻底溶解后，用滤纸进行过滤，制得含硅化合物正性光刻胶。 
实施例4： 
含硅化合物正性光刻胶的配制：将0.4g靛蓝溶解于310g乙二醇乙醚中，再加入结构如通式1的含有羧基的线性酚醛树脂2g，其中x为2，n为10-15，p为10-13，R1为H，加入结构如通式2的含硅乙烯基醚8g，其中n为2，m为4，R1为甲基，最后加入0.3g芳茂铁A2-3，待彻底溶解后，用滤纸进行过滤，制得含硅化合物正性光刻胶。 
实施例5： 
含硅化合物正性光刻胶的配制：将0.4g碱性艳蓝溶解于300g乙二醇甲醚中，再加入结构如通式1的含有羧基的线性酚醛树脂1g，其中x为1，n为10-15，p为10-13，R1为甲基，加入结构如通式2的含硅乙烯基醚9g，其中n为2，m为4，R1为甲基，最后加入0.4g硫酸肟盐A3-18，待彻底溶解后，用滤纸进行过滤，制得含硅化合物正性光刻胶。 
或者，也可以应用以下5个实施例提供的方法来制作负性光刻胶： 
实施例6： 
含硅化合物负性光刻胶的配制：将0.4g维多利亚纯蓝溶解于300g乙二醇单乙醚中，再加入结构如通式1的含有羧基的线性酚醛树脂5g，其中x为l，n为2-5，p为6-9，R1为正丁基，加入结构如通式2的含硅乙烯基醚5g，其中n为2，m为1，R1为甲基，再加入0.2gTMMGU （交联剂），最后加入0.1g硫酸肟盐A3-19，待彻底溶解后，用滤纸进行过滤，制得含硅化合物负性光刻胶。 
实施例7： 
含硅化合物负性光刻胶的配制：将0.3g结晶紫溶解于250g乙二醇甲醚和90g甲乙酮中，再加入结构如通式1的含有羧基的线性酚醛树脂4g，其中x为2，n为4-8，p为9-13，R1为H，加入结构如通式2的含硅乙烯基醚6g，其中n为2，m为2，R1为苯基，再加入0.4gTMMGU，最后加入0.2g硫酸肟盐A3-20，待彻底溶解后，用滤纸进行过滤，制得含硅化合物负性光刻胶。 
实施例8： 
含硅化合物负性光刻胶的配制：将0.3g碱性艳兰溶解于250g乙二醇甲醚和80g甲乙酮中，再加入结构如通式1的含有羧基的线性酚醛树脂3g，其中x为2，n为7-10，p为3-6，R1为甲基，加入结构如通式2的含硅乙烯基醚7g，其中n为3，m为3，R1为甲基，再加入0.3gTMMGU，最后加入0.2g鎓盐A1-1，待彻底溶解后，用滤纸进行过滤，制得含硅化合物负性光刻胶。 
实施例9： 
含硅化合物负性光刻胶的配制：将0.4g靛蓝溶解于310g乙二醇乙醚中，再加入结构如通式1的含有羧基的线性酚醛树脂2g，其中x为2，n为10-15，p为10-13，R1为H，加入结构如通式2的含硅乙烯基醚8g，其中n为2，m为4，R1为甲基，再加入0.3gTMMGU，最后加入0.3g芳茂铁A2-3，待彻底溶解后，用滤纸进行过滤，制得含硅化合物负性光刻胶。 
实施例10： 
含硅化合物负性光刻胶的配制：将0.4g碱性艳蓝溶解于300g乙二醇甲醚中，再加入结构如通式1的含有羧基的线性酚醛树脂1g，其中x为1，n为10-15，p为10-13，R1为甲基，加入结构如通式2的含硅乙烯基醚9g，其中n为2，m为4，R1为甲基，再加入0.5gTMMGU，最后加入0.4g硫酸肟盐A3-18，待彻底溶解后，用滤纸进行过滤，制得含硅化合物负性光刻胶。 
本发明实施例还提供的一种光刻胶，按照质量配比，所述光刻胶包括：1～90份的含羟基或含羧基的成膜树脂，1～99份的含硅乙烯基 醚单体，以及能够溶解上述物质的有机溶剂。 
可选的，所述含羟基的成膜树脂包括：含酚羟基的成膜树脂。 
在这里，所述有机溶剂只要能够完全溶解上述物质即可，其质量的多少只与最终获得的光刻胶的稠度有关，在这里并不做严格的限制。当然在实际应用中为了获得稠度适当的光刻胶，优选的，按照所述质量配比，所述有机溶剂为200-400份。 
优选的，所述含酚羟基或含羧基的成膜树脂与所述含硅乙烯基醚化合物的质量比为：1:9-1:1。 
可选的，按照质量配比，所述光刻胶中还包括：光产酸剂以及添加剂共0.1～10份。 
优选的，所述光刻胶可以包括：1～5份的含酚羟基或含羧基的成膜树脂，5～9份的含硅乙烯基醚化合物，光产酸剂以及添加剂共0.5～0.8份，以及溶解上述物质的有机溶剂300～340份。 
若所述光刻胶为负性光刻胶，则按照质量配比，所述光刻胶中包括：1～90份的含酚羟基或含羧基的成膜树脂，1～99份的含硅乙烯基醚单体，0.1～15份的交联剂以及200～400份的有机溶剂。 
本发明实施例中提供的光刻胶可以应用于阵列基板和彩膜基板的制作，以及其他的将特定的高精度图形转移到待加工的基板表面的制作。 
本发明实施例还提供而来一种光刻胶的使用方法，如图2所示，所述方法包括以下步骤： 
201、将光刻胶形成在待处理的基板上。 
202、使所述光刻胶中的含羟基或含羧基的成膜树脂的成膜树脂，与含硅乙烯基醚化合物反应，生成含硅醚化物光刻胶薄膜。 
示例性的，所述光刻胶中的成膜树脂为含酚羟基或含羧基的成膜树脂，该成膜树脂与含硅乙烯基醚化合物可以在50-200℃的温度下烘干2-10分钟，进行反应生成含硅醚化物光刻胶薄膜。当然，所述含酚羟基或含羧基的成膜树脂，与含硅乙烯基醚化合物也可以在其他条件下进行反应，只要能够反应生成含硅醚化物光刻胶薄膜即可，反应条件在这里并不做限制。 
优选的，可以将涂有光刻胶的基板在50%-90%湿度、50-200℃温度的鼓风干燥箱中烘干2-10分钟，使基板上的光刻胶生成含硅醚化物光 刻胶薄膜。 
在相应的反应条件下，所述光刻胶中的含硅乙烯基醚与含羧基或酚羟基的成膜树脂可以发生加成反应，以下列两种物质为例： 
从上述的反应式中可以看出，在加热条件下，成膜树脂中的羧基和酚羟基都可以与所述含硅乙烯基醚加成反应，生成含硅醚化物。 
将含硅乙烯基醚化合物和羧基化合物按1:9-1:1的比例配制成正性光刻胶后，涂布在基板上后，加热固化就可以形成含硅醚化物膜。 
203、进行曝光，在光产酸剂的作用下，释放出碱溶性羧基或者使含硅醚化物中的Si-OR基团优先与交联剂发生交联反应。 
在进行曝光，示例的在紫外光辐射下时，曝光区域的光刻胶中的光产酸剂可以产生大量的质子酸，以硫酸肟盐类的产酸剂为例，其通式为： 
其中，一种光产酸剂P-1的结构如下： 
光产酸剂P-1的光分解机理具体如图3中所示。 
由图3中的光分解机理可知，光产酸剂P-1遇光后首先分解为磺酸自由基和亚胺自由基，同时磺酸自由基在环境中抽取氢产生磺酸。 
当所述光刻胶为正性光刻胶时，由于含硅乙烯基醚与羧基化合物可以加成反应生成含硅醚化物光刻胶薄膜。在紫外光辐射的曝光区域，所述含硅醚化物膜在光产酸剂产生的磺酸作用下发生化学变化而分解，释放出碱溶性羧基，而未曝光区的羧基仍然被保护。 
其曝光反应机理如图4中所示。 
在曝光时，所述含硅醚化物，与PAG（Photoacid generator，光产酸剂）在曝光条件下产生的磺酸，进行反应，所述含硅醚化物会分解释放出碱溶性羧基。 
当所述光刻胶为包含有交联剂的负性光刻胶时，在曝光区域的产酸剂产生的磺酸作用下，含硅乙烯基醚与羧基化合物加成反应的醚化物中的Si-OR基团优先与交联剂（如TMMGU）发生交联反应，而不优先发生分解反应，这样一来将大大减少曝光区光刻胶膜在显影液中的溶 解度。 
204、在碱性显影液中显影，得到显影图像。 
在经过步骤203后，曝光区与非曝光区在碱性显影液中的溶解性会产生很大差异。若该光刻胶为正性光刻胶，则在碱性显影液中曝光区溶解的快，而非曝光区域几乎不溶解，这样在碱性显影液中显影后就可以得到阳图图像。若该光刻胶为负性光刻胶，则在碱性显影液中曝光区溶解的慢，而非曝光区域溶解很快，这样在碱性显影液中显影后就可以得到阴图图像。 
在获得所述正性光刻胶的阳图图像或者负性光刻胶的阴图图像后就可以进行刻蚀和去膜等光刻工艺，最终获得带有相应图案的基板。 
示例的，可以应用该使用方法，将上述10个实施例制作出来的含硅化合物的光刻胶以2000-6000转/min的转速涂布到6-8英寸硅片上，50-200℃烘干2-10分钟形成含硅化合物光刻胶薄膜，然后用曝光机进行曝光，曝光强度为60-180mJ/cm2，用2%-5%的TMAH（Tetra methyl ammonium Hydroxide，四甲基氢氧化铵）来显影20秒，然后烘干，烘干后用电子显微镜检查光刻结果，结果证明光刻胶分辨率可达2-3μm，并且具有良好的光刻工艺操作允许范围，具体结果如表1所示： 
编号 曝光结果 物理性能
实施例1 良好 良好
实施例2 良好 良好
实施例3 良好 良好
实施例4 良好 良好
实施例5 良好 良好
实施例6 良好 良好
实施例7 良好 良好
实施例8 良好 良好
实施例9 良好 良好
实施例10 良好 良好
表1 
现有技术在光刻胶的制作过程中，需要先将含硅丙烯酸酯类单体与不含硅单体聚合形成含硅聚合物作为成膜树脂，该聚合反应困难，产率有限，而本发明使用含羟基或羧基的成膜树脂与含硅乙烯基醚化合物进行物理配制，形成光刻胶，这样将该光刻胶涂敷在基板上，在对光刻胶进行前烘时的高温下，含酚羟基或羧基的成膜树脂与含硅乙烯基醚化合物可以自行反应结合而成新型含硅的成膜树脂，从而免去了现有技术中的单独合成含硅聚合物成膜树脂的步骤，且本发明中涉及的各种材料都很容易实现，且通过上述10个实施例的实验结果表明本发明实施例提供的光刻胶分辨率可达2-3μm，具有良好的光刻工艺操作允许范围，可以被广泛应用于实际生产中。 
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。 

Claims (16)

1.一种光刻胶的制作方法，其特征在于，包括：
按照质量配比，将1～90份的含羟基或含羧基的成膜树脂，1～99份的含硅乙烯基醚化合物，溶解在能够溶解上述物质的有机溶剂中。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述含羟基的成膜树脂包括：含酚羟基的成膜树脂。
3.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：按照所述质量配比，加入光产酸剂以及染料共0.1～10份。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，按照所述质量配比，所述有机溶剂为200-400份。
5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述方法包括：按照质量配比，将1～5份的含酚羟基或含羧基的成膜树脂，5～9份的含硅乙烯基醚化合物，光产酸剂以及染料共0.5～0.8份，溶解在300～340份的有机溶剂中。
6.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：按照所述质量配比，加入0.1～15份的交联剂。
7.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述交联剂的结构简式包括：
其中，所述交联剂的结构简式中的R1为C1-C8的烷基，R2为H或CH3。
8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述含羧基的成膜树脂包括：侧链上含有羧基的线性酚醛类树脂、含有羧基的聚丙烯酸酯类树脂和聚乙烯醇缩醛羧酸酐酯化树脂中的至少一种。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述侧链上含有羧基的线性酚醛类树脂的结构通式为：
所述侧链上含有羧基的线性酚醛类树脂的结构通式中x为0-2，n为2-15，p为0-13，R1为H或C1-C9的烷基。
10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述含硅乙烯基醚化合物的结构通式为：
所述含硅乙烯基醚化合物的结构通式中n为2-10，m为1-600，R1为C1-C9的烷基。
11.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述的光产酸剂包括鎓盐类、芳茂铁类、硫酸肟盐类或三嗪类光产酸剂中的至少一种。
12.一种光刻胶，其特征在于，按照质量配比，所述光刻胶包括：1～90份的含羟基或含羧基的成膜树脂，1～99份的含硅乙烯基醚单体，以及能够溶解上述物质的有机溶剂。
13.根据权利要求12所述的光刻胶，其特征在于，按照所述质量配比，所述有机溶剂为200-400份。
14.根据权利要求10所述的光刻胶，其特征在于，按照所述质量配比，所述光刻胶中还包括：光产酸剂以及染料共0.1～10份。
15.根据权利要求10所述的光刻胶，其特征在于，按照所述质量配比，所述光刻胶中还包括：0.1～15份的交联剂。
16.一种光刻胶的使用方法，其特征在于，包括：
将权利要求12-15任一项所述的光刻胶形成在待处理的基板上；
使所述光刻胶中含羟基或含羧基的成膜树脂，与含硅乙烯基醚化合物反应，生成含硅醚化物光刻胶薄膜；
进行曝光，在光产酸剂的作用下，释放出碱溶性羧基或者使含硅醚化物中的Si-OR基团优先与交联剂发生交联反应；
在显影液中显影，得到显影图案。
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