CN103926771A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了显示装置。该显示装置包括彼此邻近的第一对像素行和第二对像素行的多个像素行。LCD还包括位于第一对像素行和第二对像素行之间的第一栅极线和第二栅极线，包括多个液晶注入孔的微腔层，以及位于所述微腔层上的共用电极。LCD还包括位于共用电极上的支承件以及位于支承件上的覆盖层以覆盖液晶注入孔。多个液晶注入孔可位于第一对像素行和第二对像素行之间。

Description

显示装置

技术领域

本发明的示例性实施方式涉及显示装置。

背景技术

液晶显示器（LCD）是一种包括两个显示面板并被广泛使用的平板显示设备。所述显示面板具有场产生电极，例如像素电极和共用电极，并且液晶层夹在所述场产生电极之间。

液晶显示器可在电压施加于场产生电极时在液晶层中产生电场，导致在液晶层中的液晶分子重取向以及入射光的偏振，从而使得图像被显示。

已开发出通过在每个像素单元形成腔以及在所述腔中填充液晶而实现图像的显示的技术。该技术通过在有机材料上形成牺牲层，在其上形成支承件，移去所述牺牲层，以及通过液晶注入孔注入液晶到由移去牺牲层而形成的空的空间里而实现。

当用于注入液晶到各像素区域的液晶注入孔彼此分开并且彼此没有连接时，应当控制注入到各像素区域的液晶量并且液晶应当滴入到每个像素区域的液晶注入孔中。然而，难以准确控制液晶量。此外，通过液晶注入孔注入的液晶材料可能会在最外边的像素附近流出。

此外，为了经移去牺牲层形成的液晶注入孔和空的空间注入液晶，牺牲层的移去部分应当具有大于预定值的宽度。

当所述牺牲层的移去部分的宽度非常狭窄时，难以将所述液晶滴入液晶注入孔附近，因此，被移去牺牲层的空间不能被液晶层填满。

当牺牲层的移去部分的宽度非常宽时，便于将液晶材料滴入液晶注入孔附近，因此液晶层很容易被填充，然而，填充有液晶层的显示区域将会减少。

同时，已开发出用于实现液晶显示器的二维（2D）图像以及三维（3D）图像的各种技术。

在上述各种技术中，在使用偏光式（Patterned Retarder）的三维显示器中，对于显示装置的像素行左侧图像和右侧图像交替地显示。左侧图像可以称为用户左眼识别的图像，以及右侧图像可以称为用户右眼识别的图像。在左侧图像和右侧图像根据像素行交替地显示的三维显示情况下，左侧图像和右侧图像会根据用户的位置而彼此影响。

为解决该问题，形成在显示左侧图像的像素行和显示右侧图像的像素行之间的行方向上延伸并具有较宽宽度的黑色矩阵（black matrix）以减少图像的干扰。

然而，当在像素列之间形成具有较宽宽度的黑色矩阵时，所述显示装置的整体孔径比减小，并且显示装置的分辨率也减小。

上文背景技术部分中公开的信息仅用于提高对本发明的背景技术的理解，因此上述信息可能包含不构成本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本发明的示例性实施方式提供不用减少液晶显示器的孔径比就能将液晶材料准确滴入液晶注入孔的显示装置。

本发明的示例性实施方式还提供当填充液晶层时很容易控制液晶材料量并且防止经液晶注入孔注入之后剩余液晶材料流过最外面像素的显示装置。

本发明的示例性实施方式还提供在防止根据黑色矩阵的孔径比劣化的同时实现使用偏光式的三维显示器的显示装置。

本发明的另外的特征将在随后的描述中阐明，并且部分将根据说明书变得显而易见，或者可通过实践本发明而获悉。

本发明的示例性实施方式公开了显示装置，该显示装置包括：基板以及在所述基板上布置的多个像素行和多个像素列。所述多个像素行包括第一对像素行及与第一对像素行相邻的第二对像素行。所述LCD还包括布置在所述基板上并且布置在第一对像素行和第二对像素行之间的第一栅极线及第二栅极线；布置在所述多个像素列之中的两个相邻像素列之间的数据线；多个像素电极；以及布置在所述多个像素电极上的微腔层。所述微腔层包括多个液晶注入孔。所述LCD还包括布置在所述微腔层上的共用电极；布置在所述共用电极上的支承件；以及布置在所述支承件上的覆盖层。所述覆盖层覆盖所述多个液晶注入孔。所述多个液晶注入孔布置在第一对像素行和第二对像素行之间。

本发明示例性实施方式还公开了包括基板以及坝的显示装置。所述基板包括外围区域以及外围区域附近的像素区域。所述像素区域包括多个像素行以及多个像素列。所述坝布置在所述基板上并且在所述外围区域中。所述像素区域包括具有液晶注入孔的微腔层，布置在所述微腔层上的共用电极，布置在所述共用电极上的支承件，以及布置在所述支承件上并且覆盖所述液晶注入孔的覆盖层。支承件的多个部分通过沟槽分开。所述液晶注入孔的至少一个边界通过所述沟槽限定。所述沟槽延伸至所述多个像素行的左端以及所述多个像素行的右端。

应当理解，前述的总体描述和下面的细节描述是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步说明。

附图说明

所包括的用于提供对本发明的进一步理解且被并入本说明书中并且构成本说明书的一部分的附图示出了本发明的示例性实施方式，并且与说明书一起用来阐述本发明的原理。

图1为根据本发明的示例性实施方式的显示装置的信号线以及像素的配置的布局图；

图2为根据本发明的示例性实施方式的显示装置的部分像素的布局图；

图3是沿图2的显示装置的III-III’线的截面图；

图4是沿着图2的显示装置的IV-IV’线的截面图；

图5是沿着图2的显示装置的V-V’线的示意截面图；

图6为根据本发明的示例性实施方式的显示装置的布局图；

图7、8、9、10、11、12、13、14、15和16为根据本发明的示例性实施方式的显示装置的制造方法中的显示装置的一部分的截面图；

图17为根据本发明的示例性实施方式的显示装置的布局图。

具体实施方式

在下文中将参照附图更充分地描述本发明示例性实施方式。然而，本发明可体现为许多不同的形式并不应当被解释为限于本文所述的示例性实施方式。相反，提供示例性实施方式以使本公开将详尽并完整，并将完全本发明的范围传达至本领域技术人员。在附图中，为清楚起见，层和区域的尺寸和相对尺寸可能被放大。附图中相似的参考标号表示相似的元件。

应理解的是，当提到元件或层在另一元件或层“上”、或者“连接至”另一元件或层时，该元件或层可直接位于另一元件或层上、或者直接连接至另一元件或层，或者存在中间的元件或层。相反，当提到元件或层“直接位于…上”或“直接连接至”另一元件或层时，则不存在中间的元件或层。同样应当理解的是，对于本公开，“X、Y和Z中的至少一个”可被解释为只有X、只有Y、只有Z或者X、Y和Z中的两项或更多的任意组合（例如，XYZ、XYY、YZ、ZZ）。

应当理解的是，尽管在此使用第一、第二、第三等术语来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，然而这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或者部分与另一区域、层或者部分进行区分。因此，在不偏离本发明的教导情况下，下面讨论的第一元件、部件、区域、层或者部分可被称为第二元件、部件、区域、层或者部分。

为了便于描述，在此使用的诸如“在...之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”等空间相关术语可用于描述如附图中示出的一个元件或者特征与另一元件或者特征的关系。应当理解的是，除了附图中描述的取向之外，空间相关术语旨在包含使用或者操作中的装置的不同取向。例如，如果图中的装置被翻转，那么被描述为在其他元件或特征“下面”或“在...之下”的元件将位于其他元件或特征“上面”。因此，示例性术语“下方”可包括上方和下方的方位。该装置可以其他方式取向（旋转90度或者处于其他取向）并相应地解释在此使用的空间相关描述符。

在此使用的术语仅出于描述示例性实施方式的目的而并非旨在限制本发明。如在本文中使用的，除非上下文另外明确指明，单数形式“a”、“an”和“该（the）”也旨在包括复数形式。此外应当理解的是，术语“包括（comprises）”和/或“包含（comprising）”在用于本说明书中时指明所述特征、整数、操作、元件和/或部件的存在，但是并不排除一个或者多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组群的存在或者添加。

在本文中将参照本发明的理想实施方式（以及中间结构）的示意性图示的截面图示来描述本发明的示例性实施方式。如此，预计存在由于例如制造技术和/或公差而从图示的形状的变化。因此，本发明的实施方式应当不被解释为限于在此示出的区域的特定形状，而是包括例如由于制造产生的形状上的偏差。例如，示出为长方形的植入区域（implanted region）将通常具有圆滑或者曲线的特征和/或在从植入到非植入区域的边缘存在植入浓度梯度而并不是二元变化的。同样地，通过植入形成的隐埋区可能导致在隐埋区及经其进行植入的表面之间的区域中导致部分植入。因此，在图中示出的区域实际上是示意性的以及它们的形状不是旨在示出装置区域的实际形状以及不是旨在限制本发明的范围。

在下文中，将参照附图详细描述本发明的示例性实施方式。将参考图1描述根据本发明的示例性实施方式的显示装置。图1是根据本发明的示例性实施方式的显示装置中的信号线和像素的配置的布局图。

参照图1，显示装置包括在第一方向上延伸的多个栅极线Gn-1a、Gn-1b、Gna、Gnb、···、Gma、以及Gmb，在第二方向上延伸的多个数据线D1、D2、D3、D4、D5、···、以及Dk（在此k、n以及m是大于1的任何合适的整数），以及连接至所述栅极线和所述数据线的多个像素PX。

多个栅极线Gn-1a、Gn-1b、Gna、Gnb、···、Gma、以及Gmb包括第一配对栅极线Gn-1a和Gn-1b，第二配对栅极线Gna和Gnb，以及第三配对栅极线Gn+1a和Gn+1b。每两个像素行地定位各对栅极线Gn-1a和Gn-1b，Gna和Gnb，以及Gn+1a和Gn+1b。例如，各对栅极线Gn-1a和Gn-1b，Gna和Gnb，以及Gn+1a和Gn+1b位于一对两个相邻的像素行之间。

沟槽GRV可与各对栅极线Gn-1a和Gn-1b，Gna和Gnb，以及Gn+1a和Gn+1b重叠。如同将在下文中进一步详细描述的那样，沟槽GRV可以是注入材料例如液晶层的液晶注入孔。

沟槽GRV可在栅极线Gn-1a、Gn-1b、Gna、Gnb、···、Gma以及Gmb延伸的方向上延伸。与沟槽GRV仅仅与单个栅极线重叠时不同，当沟槽与各对栅极线Gn-1a和Gn-1b，Gna和Gnb，以及Gn+1a和Gn+1b重叠时，沟槽GRV可具有较宽宽度，而不会劣化显示装置的孔径比。

接下来，将参考图2、3、4以及5描述液晶显示器的详细结构。图2为根据本发明的示例性实施方式的显示装置的布局图。图3是沿着图2的显示装置的III-III’线的截面图。图4是沿着图2的显示装置的IV-IV’线的截面图。图5是沿着图2的显示装置的V-V’线的示意性截面图。

参照图2、3、4以及5，第一栅极线121a、第二栅极线121b以及存储电极线131在由透明玻璃或者塑料制成的基板110上形成。第一栅极线121a以及第二栅极线121b在两对像素PX1和PX2与PX3和PX4之间成对布置。

第一栅极线121a和第二栅极线121b可发送门信号并且基本上在水平（例如，纬度）方向上延伸。第一栅极线121a可包括第一栅电极124a，第二栅极线121b可包括第二栅电极124b。

存储电极线131可发送预定电压，例如共用电压Vcom，以及可包括基本垂直于第一栅极线121a和第二栅极线121b延伸的纵向部分131b，以及连接至纵向部分131b的端部的横向部分131a。

氮化硅形成的栅极绝缘层140位于栅极线121a和121b以及存储电极线131上。由非结晶或晶体硅或者氧化物半导体制成的半导体层151、154a、154b在栅极绝缘层140上形成。半导体层151、154a以及154b包括多个主要在纵向方向上延伸的半导体条（semiconductor stripe）151，以及从各个半导体条151向栅极124a和124b延伸的第一沟道部分154a和第二沟道部分154b。

数据线171、连接至数据线171的源电极173a和173b、以及与源电极173a和173b分开的漏电极175a和175b在半导体层151、154a和154b以及栅极绝缘层140上形成。欧姆接触(未示出)可在半导体层的第一沟道部分154a和第二沟道部分154b与源电极173a和173b之间分别形成，以及在第一个沟道部分154a和第二沟道部分154b与漏电极175a和175b之间分别形成。欧姆接可由硅化物或诸如其中以高浓度掺杂的n型杂质的n+氢化非晶硅硅的材料形成。

数据线171可发送数据信号，以及可在纵向方向上延伸并且与栅极线121a和121b交叉。数据线171被连接至向第一栅电极124a延伸的第一源电极173a以及向第二栅电极124b延伸的第二源电极173b。第一漏电极175a以及第二漏电极175b与数据线171分开。第一漏电极175a面向第一源电极173a，以及第二漏电极175b面向第二源电极173b。

第一漏电极175a和第二漏电极175b包括在平行于数据线171的方向上延伸的棒状部分（bar part）。漏电极175a和175b可具有从漏电极175a和175b的棒状部分的端部拓宽的宽度的扩张部分。尽管示出为具有棒状形状，但是漏电极175a和175b可具有任何合适的形状。

栅极124a和124b、源电极173a和173b、漏电极175a和175b、以及第一沟道部分154a和第二沟道部分154b分别形成薄膜晶体管。

包括连接至第一栅极线121a的第一栅电极124a、第一源电极173a、第一漏电极175a和第一沟道部分154a的第一薄膜晶体管可连接至第二像素PX2的像素电极191。包括连接至第二栅极线121b的第二栅电极124b、第二源电极173b、第二漏电极175b和第二沟道部分154b的第二薄膜晶体管可连接至第三像素PX3的像素电极191。

除了源电极173a与漏电极175a之间以及源电极173b与漏电极175b之间的沟道区之外，半导体层151、154a和154b具有与数据导体171、173a、173b、175a和175b以及在下部的欧姆接触基本相同的平面形状。包括数据线171、源电极173a和173b、以及漏电极175a和175b的数据配线具有通过一个掩模形成在下部的欧姆接触(未示出)以及半导体层151、154a和154b所获得的结构。

第一沟道部分154a和第二沟道部分154b可包括暴露并且未被源电极173a和173b以及漏电极175a和175b覆盖的部分。

钝化层180形成在数据配线171、173a、173b、175a和175b以及暴露的第一沟道部分154a和第二沟道部分154b上。在一些情况下，钝化层180由无机绝缘体制成，例如氮化硅和氧化硅。在一些情况下，钝化层180可由有机绝缘体制成并可具有平整的表面。在一些情况下，钝化层180可由有机绝缘体和无机绝缘体的组合物制成。

有机层230布置在除第一和第二薄膜晶体管形成的位置之外的钝化层180上。有机层230可根据像素电极191的列方向延伸。有机层230可以是根据原色之一（例如红色、绿色和蓝色）过滤辐射（例如光）的滤色器。然而，滤色器不限于三原色，可以根据青色、品红、黄色和白色类颜色中的一种过滤辐射（例如光）。

邻接有机层230可根据水平方向D（“D”在图2中示出）以及与其交叉的垂直方向而分开。

参照图3，纵向遮光件220b布置在于水平方向D上分开的有机层230之间。纵向遮光件220b可与邻接有机层230的各个边缘重叠。在一些情况下，与有机层230的两个边缘重叠的纵向遮光件220b的宽度可基本上相同。

参照图4，横向遮光件220a布置在有机层230之间。横向遮光件220a可与邻接有机层230的各个边缘重叠。在一些情况下，与有机层230的两个边缘重叠的横向遮光件220a的宽度可基本上相同。

横向遮光件220a和纵向遮光件220b可被称作黑色矩阵，并且可防止漏光。平坦化层182形成在横向遮光件220a、纵向遮光件220b、和有机层230上。平坦化层182可由有机材料制成以及可在下方层上提供平坦表面。

像素电极191布置在平坦化层182上。像素电极191通过接触孔185与第一和第二薄膜晶体管的漏电极175a和175b电连接。例如，第二像素PX2的像素电极191可连接至第一漏电极175a，以及第三像素PX的像素电极191可连接至第二漏电极175b。

每个像素电极191可形成为细狭缝电极，并且细狭缝电极的形状可是四边形。像素电极191可包括十字型茎部（stem），其包括横向茎部191a和与横向茎部191a交叉的纵向茎部191b。此外，像素电极191可包括四个由横向茎部191a和纵向茎部191b分割的子区域，并且各个子区域可包括多个精细分枝部分191c。

细狭缝电极的一个精细分枝部分191c可从横向茎部191a或者纵向茎部191b倾斜地延伸至左上方向，以及另一个精细分枝部分191c可从横向茎部191a或者纵向茎部191b倾斜地延伸至右上方向。另一个精细分枝部分191c可从横向茎部191a或者纵向茎部191b倾斜地延伸至左下方向，以及另一个精细分枝部分191c可从横向茎部191a或者纵向茎部191b倾斜地延伸至右下方向。两个相邻子区域的精细分枝部分191c可与彼此相互垂直。尽管没有示出，在一些情况下，精细分枝部分191c的宽度可逐渐变宽。

漏电极175a和175b的棒状部分可根据像素电极191的纵向茎部181b而延长。

接触孔185可在钝化层180、有机层230和平坦化层182中形成。漏电极175a和175b以及像素电极191通过接触孔185彼此连接。接触孔185可在像素电极191中的横向茎部191a和纵向茎部191b的交叉位置形成。如图2中所示，漏电极175a和175b的宽端部可与横向茎部191a和纵向茎部191b的交叉位置重叠，以及接触孔185在此重叠位置形成。

在彼此邻接的子区域中，液晶分子310倾斜的方向可以彼此不同。横向茎部191a和纵向茎部191b与邻接的子区域的边界区域对应。该边界区域对应于液晶分子310的倾斜方向不确定的非传输部分。因此，尽管漏电极175a和175b以及接触孔185位于像素区域PX内的，但是孔径比的减少可被最小化。

微腔层400可布置在像素电极191上。用包括液晶分子310的液晶材料注入微腔层400，以及微腔层400具有液晶注入孔A。微腔层400可根据像素电极191的列方向（例如，垂直方向）形成。液晶注入孔A可包括使被连接至第一栅极线121a的第二像素PX2的微腔层400暴露的第一液晶注入孔A1以及使被连接至第二栅极线121b的第三像素PX3的微腔层400暴露的第二液晶注入孔A2中的至少一个。

下取向层11可在像素电极191上形成，以及上取向层21可在微腔层400上形成。

形成取向层11和21的取向材料以及包括液晶分子310的液晶材料可在微腔层400通过使用任何合适的方法（例如毛细管力）注入。

共用电极270和保护膜（overcoat）250布置在微腔层400上。共用电极270可接收共用电压，并且可与施加有数据电压的像素电极191一起产生电场以确定位于微腔层400中的液晶分子310的倾斜方向。共用电极270可与像素电极191一起形成电容器，使得在薄膜晶体管断开后维持所施加电压。保护膜250可以由氮化硅（SiN_x）或者氧化硅（SiO₂）形成。

支承件260在保护膜250上形成。支承件260可包括硅碳氧化物（SiOC）、光致蚀刻剂、或者其它有机材料。当支承件260包括碳氧化硅（SiOC）时，支承件260可由化学气相沉积方法形成。当包括光致蚀刻剂时，支承件260可由涂敷法形成。因为碳氧化硅（SiOC）具有高透射比和低层压力，由碳氧化硅（SiOC）制成的支承件260还可具有高光传输特性和高稳定性。

沟槽GRV可在微腔层400、上取向层21、共用电极270、保护膜250和支承件260的各部分之间形成，以及可在横向遮光件220a和平坦化层182上形成。例如，沟槽GRV可使微腔层400、上取向层21、共用电极270、保护膜250和支承件260的各部分分开。

参照图1、2、3、4和5，微腔层400可被在重叠栅极线121a和121b的部分形成的多个沟槽GRV分割，以及多个微腔层400可在栅极线121a的延伸方向D上形成。多个微腔层400可与在列方向上相邻的两对像素区域（例如，PX1和PX2，以及PX3和PX4）对应。微腔层400之间形成的沟槽GRV可与连接至不同像素行的两个栅极线121a和121b重叠，以及可根据两个栅极线121a和121b延伸的方向D而定位。

微腔层400的液晶注入孔A1和A2形成与沟槽GRV和微腔层400之间的边界部分对应的区域。液晶注入孔A1和A2可根据沟槽GRV的延伸方向而形成。如图3所示，在纵向遮光件220b上方并且在栅极线121a和121b延伸的方向D上相邻的微腔层400之间形成的开口部分OPN可以被支承件260覆盖。

包括在微腔层400中的液晶注入孔A1和A2可在上取向层21和平坦化层182之间形成，并且在一些部分中，在上取向层21和下取向层11之间形成。

由沟槽GRV限定的液晶注入孔A1和A2之中，第一液晶注入孔A1可使与被连接至第一栅极线121a的第二像素PX2对应的微腔层400暴露，以及第二液晶注入孔A2使与被连接至第二栅极线121b的第三像素PX3对应的微腔层400暴露。在一些情况下，第一液晶注入孔A1和第二液晶注入孔A2的其中一个可被省略。

保护层240可布置在支承件260上。保护层240可由氮化硅（SiNx）或者氧化硅（SiO₂）制成。覆盖层280可布置在保护层240上。覆盖层（capping layer）280可与支承件260的上表面和侧壁接触，以及覆盖层280可覆盖通过沟槽GRV暴露的微腔层400的液晶注入孔A1和A2。覆盖层280可以由热固性树脂、碳氧化硅（SiOC）、或者石墨烯（graphene）形成。

由于石墨烯对包括氦等的气体具有较强的不渗透性，所以当用于形成覆盖层280时石墨烯可有效地阻止液晶注入孔A1和A2。石墨烯是一种由碳键形成的材料，所以即使当接触到覆盖层400时也能够防止液晶材料被污染。此外，石墨烯可以保护液晶材料不被外部氧和水分侵蚀。

液晶材料可通过微腔层400上的液晶注入孔A1和A2注入，因此不用形成分离的上基板就能形成液晶显示器。

无机膜或者有机膜形成的保护膜（未示出）形成可布置在覆盖层280上。保护膜可保护被注入到微腔层400中的液晶分子310免于外部冲击以及使薄膜平整。

接下来，将参考图6描述根据本发明的示例性实施方式的显示装置。图6为根据本发明的示例性实施方式的显示装置的布局图。

参照图6，显示装置包括含有多个像素PX的像素区域和在像素区域附近形成的坝DAM。形成在注入有液晶材料的微腔层400之间的开口部分OPN在邻接列的像素PX之间形成。如图3中所示，开口部分OPN可通过支承件260覆盖。

显示装置的沟槽GRV可延伸以连接像素PX列的左端E1和右端E2。因此，在沟槽GRV提供的液晶材料可通过沟槽GRV分散。因此，当液晶材料通过多个液晶注入孔A注入时，均匀量的液晶材料可被提供至多个液晶注入孔A。此外，当在沟槽GRV提供的液晶材料注入至多个液晶注入孔A时，液晶材料可通过沟槽GRV分散。坝DAM可防止液晶材料泄漏到外围区域。

如参考在图1、2、3、4和5中描述的显示装置那样，显示装置的沟槽GRV可在两对彼此邻近的像素PX行之间形成。限定显示装置的液晶注入孔A的沟槽GRV可与两个栅极线121a和121b重叠，使得沟槽GRV的宽度可被拓宽，而不会劣化显示装置的孔径比。因此，在显示装置的制造过程中的滴入液晶材料过程中，液晶材料可被正确地滴入沟槽GRV。

坝DAM可通过使用有机层230、横向遮光件220a、纵向遮光件220b和支承件260中的至少一个形成。

接下来，将参考图7、8、9、10、11、12、13、14、15和16描述根据本发明的示例性实施方式的显示装置的制造方法。

图7和图9是根据显示装置的制造方法沿着图2的III-III’线的截面图。图8、10、11和12是根据显示装置的制造方法沿着图2的IV-IV’线的截面图。图13、14、15和16是根据显示设备的制造方法的像素PX区域和坝DAM区域的一部分的截面图。

首先，参照图7和图8，栅极124a和124b以及存储电极线131在基板110上形成。栅极绝缘层140在栅极124a和124b以及存储电极线131上形成。半导体151、154a和154b在栅极绝缘层140上形成。数据导体171、173a、173b、175a和175b在半导体151、154a和154b上形成。钝化层180、有机层230、遮光件220a和220b以及平坦化层182在数据导体171、173a、173b、175a和175b上形成。

像素电极191在平坦化层182上形成。牺牲层300，包括碳氧化硅（SiOC）或者光致蚀刻剂，在像素电极191上形成。牺牲层300可由有机材料而不是上述的硅碳氧化物（SiOC）或者光致蚀刻剂形成。

如图7中所示，在两个相邻像素PX列之间的开口部分OPN移除牺牲层300。

接下来，如图9和图10中所示，共用电极270、保护膜250和支承件260在牺牲层300上顺序地形成。共用电极270可由透明导体（例如ITO或者IZO）形成，以及保护膜250可由氮化硅（SiNx）或者氧化硅（SiO₂）形成。如图10中所示，支承件260被图案化以形成使与遮光件220a对应的保护膜250暴露的沟槽GRV。支承件260可由与先前形成的牺牲层300不同的材料形成。保护层240在支承件260上形成。保护层240可由氮化硅（SiNx）或者氧化硅（SiO₂）形成。

接下来，参照图11，位于与沟槽GRV对应的部分的保护层240、保护膜250以及共用电极270被顺序地图案化以使牺牲层300暴露。与沟槽GRV相应的牺牲层300可被部分移去。

参照图12，通过氧（O₂）灰化处理或者湿蚀刻经沟槽GRV移去牺牲层300，从而形成具有液晶注入孔A1和A2的微腔层400。液晶注入孔A1和A2可在平行于栅极线121a和121b的方向上形成。

坝DAM可根据各种配置在像素PX区域附近形成。例如，参照图13，有机坝层230D、遮光坝构件220D和坝支承件260D在像素PX区域附近沉积以形成坝DAM。在一些情况下，参照图14，遮光坝构件220D和坝支承件260D在像素PX区域附近沉积以形成坝DAM。在一些情况下，参照图15，有机坝层230D和遮光坝构件220D在像素PX区域附近沉积以形成坝DAM。在一些情况下，参照图16，坝支承件260D在像素PX区域附近沉积以形成坝DAM。

有机坝层230D可与有机层230在同一时间沉积，并且可以使用同样材料形成。遮光坝构件220D可与横向遮光件220a和纵向遮光件220b在同一时间沉积，并且可以使用同样材料形成。坝支承件260D可与支承件260在同一时间沉积，并且可以使用同样材料形成。因此，在一些情况下，坝DAM可通过有机层230、横向遮光件220a和纵向遮光件220b、以及支承件260中的至少一个形成。

接下来，取向材料经沟槽GRV和液晶注入孔A注入以在像素电极191和共用电极270上形成取向层11和21。通过液晶注入孔A注入包括固体和溶剂的取向材料后执行烘焙处理。

接下来，包括液晶分子310的液晶材料通过喷墨法经沟槽GRV和液晶注入孔A注入微腔层400。由于形成了取向层11和21，液晶注入孔A可以小于最初形成的液晶注入孔。

在一些情况下，显示装置的沟槽GRV可连接至像素PX列的左端E1和右端E2，以及在制造过程中在沟槽GRV滴入的液晶材料可通过沟槽GRV移动。因此，当液晶材料通过多个液晶注入孔A注入时，液晶材料可在多个液晶注入孔A中均匀分散。此外，当在沟槽GRV提供的液晶材料注入到多个液晶注入孔A时，在沟槽GRV中的液晶材料可以移动，但是坝DAM可防止剩余的液晶材料泄漏到外周区域中。

此外，显示装置的沟槽GRV在两个像素PX行与和其相邻的两个像素PX行之间形成，即，两对像素PX行彼此邻近。此外，限定显示装置的液晶注入孔A的沟槽GRV可与两个栅极线121a和121b重叠。因此，可以拓宽沟槽GRV的宽度，而不会劣化显示装置的孔径比。此外，在显示装置的制造过程中提供液晶材料过程中，液晶材料可被均匀布置在沟槽GRV中。

接下来，如图3至图5所示，形成覆盖支承件260的上表面和侧壁的覆盖层280。覆盖层280可覆盖通过沟槽GRV暴露的微腔层400的第一和第二液晶注入孔A1和A2。

接下来，将参考图17描述显示装置。图17为根据本发明的示例性实施方式的显示装置的布局图。

如图17中所示，显示设备可包括包含第一像素PX1和第二像素PX2的第一对像素行，以及包含第三像素PX3和第四像素PX4的第二对像素行。像素PX2和PX3通过沟槽GRV分开。沟槽GRV可与横向遮光件220a的遮光件BM重叠。

尽管未示出，遮光件BM可与栅极线和数据线、连接至栅极线和数据线的薄膜晶体管、连接至薄膜晶体管和像素电极的接触孔重叠。薄膜晶体管可驱动第一对像素行的第二像素PX2以及第二对像素行的第三像素PX3。

在一些情况下，显示装置可实现三维图像显示。当实现上述三维图像显示时，三维图像从信号控制器（未示出）输入。包括左侧图像和右侧图像的三维图像可在像素行方向上交替输出。

在第一对像素行中，前面的像素行（例如，包括第一像素PX1的像素行）可显示第n行的左侧图像Ln，以及在第二对像素行中，另一个前面的像素行（例如，包括第三像素PX3的像素行）可显示第n行的右侧图像Rn。此外，在第一对像素行中，下一像素行（例如，包括第二像素PX2的像素行）可显示第(n+1)行的左侧图像L(n+1)，以及在第二对像素行中，另一个下一像素行（例如，包括第四像素PX4的像素行）可显示第(n+1)行的右侧图像R(n+1)。

因此，在空间分割类型的显示装置的像素行左侧图像和右侧图像被交替显示的三维图像显示方法中，左侧图像可以是由用户左眼识别的图像，以及右侧图像可以是由用户右眼识别的图像。遮光件可在显示左侧图像的像素行与显示右侧图像的像素行之间形成，使得左侧图像以及右侧图像不会相互影响。

如果左侧图像和右侧图像根据各个像素行交替显示，遮光件可相应的在像素行之间形成，由此显示装置的整个的孔径比减小并且显示装置的分辨率也减小。

然而，在根据本发明的示例性实施方式的显示装置的情况下，与遮光件BM重叠的沟槽GRV位于两对像素行之间。两对像素行中的一对像素行顺序地显示左侧图像，而另一对像素行顺序地显示右侧图像，使得可在防止由于黑色矩阵导致的孔径比劣化的同时实现使用偏光式的三维显示器。

如上所述，在根据本发明示例性实施方式的显示装置中，在成对地定位的两对栅极线之间形成的一个沟槽，使得可以拓宽沟槽的宽度而不会劣化显示装置的孔径比，结果，当提供液晶材料到液晶注入孔时，可增加准确度。

此外，在根据本发明的示例性实施方式的显示装置中，限定液晶注入孔的沟槽在一条线上形成，从而通过多个液晶注入孔注入的液晶材料可通过沟槽均匀地分散，结果，很容易控制液晶材料量。此外，沟槽连接至最外面的像素以及坝在显示区域附近形成，使得可以防止经液晶注入孔注入的液晶材料越过最外面的像素流出。

此外，根据本发明的示例性实施方式的显示装置中，遮光件可与在两对像素行之间、位于成对定位的两对栅极线之间的沟槽重叠。一对像素行可显示左侧图像，而另一对像素行可显示右侧图像，使得可在防止由于黑色矩阵导致的孔径比劣化的同时实现使用偏光式的三维显示器。

对本领域中的技术人员显而易见的是，在不背离本发明的精神或范围的前提下，可以对本发明做出各种修改和变形。因此，只要对本发明的修改和变形在权利要求及其等同物的范围内，则本发明包括这些修改和变形。

Claims (27)

1.一种显示装置，包括：

基板；

多个像素行和多个像素列，布置在所述基板上，所述多个像素行包括第一对像素行以及与所述第一对像素行相邻的第二对像素行；

第一栅极线和第二栅极线，布置在所述基板上并且布置在所述第一对像素行和所述第二对像素行之间；

数据线，布置在所述多个像素列中的两个相邻像素列之间；

多个像素电极，位于所述多个像素行和所述多个像素列中；

微腔层，布置在所述多个像素电极上，所述微腔层包括多个材料注入孔；

共用电极，布置在所述微腔层上；

支承件，布置在所述共用电极上；以及

覆盖层，布置在所述支承件上，所述覆盖层覆盖所述多个材料注入孔，

其中，所述多个材料注入孔被布置在所述第一对像素行和所述第二对像素行之间。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中：

所述支承件的多个部分被沟槽分开，以及所述材料注入孔的至少一个边界通过所述支承件的所述沟槽限定；以及

所述沟槽与所述第一栅极线和所述第二栅极线重叠。

3.根据权利要求2所述的显示装置，进一步包括：

遮光件，布置在所述基板上，所述遮光件与所述沟槽重叠。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中：

所述沟槽延伸至所述多个像素行的左端以及所述多个像素行的右端。

5.根据权利要求4所述的显示装置，进一步包括：

坝，布置在所述基板上，所述坝围绕所述多个像素行以及所述多个像素列。

6.根据权利要求5所述的显示装置，进一步包括：

滤色器，布置在所述微腔层下方，

其中，所述坝被布置在与所述支承件、滤色器和所述遮光件中的至少一个相同的层中。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中：

所述微腔层包括与所述第一对像素行重叠的第一微腔层以及与所述第一微腔层分开的第二微腔层，所述第二微腔层与所述第二对像素行重叠。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中：

与所述第一对像素行重叠的所述第一微腔层的多个部分相对于所述数据线分开；并且

与所述第二对像素行重叠的所述第二微腔层的多个部分相对于所述数据线分开。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其中：

所述支承件的多个部分被沟槽分开，以及所述材料注入孔的至少一个边界通过所述支承件的所述沟槽限定；以及

所述沟槽延伸至所述多个像素行的左端以及所述多个像素行的右端。

10.根据权利要求9所述的显示装置，进一步包括：

坝，布置在所述基板上，所述坝围绕所述多个像素行以及所述多个像素列。

11.根据权利要求10所述的显示装置，进一步包括：

滤色器和遮光件，布置在所述微腔层下方，以及

其中，所述坝被布置在与所述支承件、所述滤色器和所述遮光件中的至少一个相同的层中。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其中：

所述微腔层包括与所述第一对像素行重叠的第一微腔层以及与所述第一微腔层分开的第二微腔层，所述第二微腔层与所述第二对像素行重叠。

13.根据权利要求12所述的显示装置，其中：

与所述第一对像素行重叠的所述第一微腔层的多个部分相对于所述数据线分开；以及

与所述第二对像素行重叠的所述第二微腔层的多个部分相对于所述数据线分开。

14.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：

遮光件，布置在所述基板上并且位于所述第一对像素行和所述第二对像素行之间，

其中，所述第一对像素行包括第一像素行和第二像素行，

其中，所述第二对像素行包括第三像素行和第四像素行，以及

其中，所述第一像素行和所述第二像素行被配置为接收与左侧图像对应的信号，并且所述第三像素行和所述第四像素行被配置为接收与右侧图像对应的信号。

15.根据权利要求14所述的显示装置，其中：

所述微腔层包括与所述第一对像素行重叠的第一微腔层以及与所述第一微腔层分开的第二微腔层，所述第二微腔层与所述第二对像素行重叠。

16.根据权利要求15所述的显示装置，其中：

与所述第一对像素行重叠的所述第一微腔层的多个部分相对于所述数据线分开；以及

与所述第二对像素行重叠的所述第二微腔层的多个部分相对于所述数据线分开。

17.根据权利要求1所述的显示装置，其中：

所述微腔层包括与所述第一对像素行重叠的第一微腔层以及与所述第一微腔层分开的第二微腔层，所述第二微腔层与所述第二对像素行重叠。

18.根据权利要求17所述的显示装置，其中：

与所述第一对像素行重叠的所述第一微腔层的多个部分相对于所述数据线分开；以及

与所述第二对像素行重叠的所述第二微腔层的多个部分相对于所述数据线分开。

19.一种显示装置，包括：

基板，包括外围区域和所述外围区域附近的像素区域，所述像素区域包括多个像素行和多个像素列；以及

坝，布置在所述基板上并且在所述外围区域中，

其中，所述像素区域包括：

微腔层，包括多个液晶注入孔；

共用电极，布置在所述微腔层上；

支承件，布置在所述公共电极上；以及

覆盖层，布置在所述支承件上并且覆盖所述液晶注入孔，

其中，所述支承件的多个部分通过沟槽分开，

其中，所述液晶注入孔的至少一个边界通过所述沟槽限定，以及

其中，所述沟槽延伸至所述多个像素行的左端以及所述多个像素行的右端。

20.根据权利要求19所述的显示装置，进一步包括：

滤色器和遮光件布置在所述微腔层下方，并且

其中，所述坝被布置在与所述支承件、所述滤色器和所述遮光件中的至少一个相同的层中。

21.根据权利要求20所述的显示装置，其中：

所述遮光件与所述沟槽重叠。

22.根据权利要求21所述的显示装置，其中：

所述多个像素行包括第一对像素行以及与所述第一对像素行相邻的第二对像素行，以及

所述多个液晶注入孔被布置在所述第一对像素行和所述第二对像素行之间。

23.根据权利要求22所述的显示装置，其中：

所述微腔层包括与所述第一对像素行重叠的第一微腔层以及与所述第一微腔层分开的第二微腔层，所述第二微腔层与所述第二对像素行重叠。

24.根据权利要求23所述的显示装置，其中：

与所述第一对像素行重叠的所述第一微腔层的多个部分相对于所述数据线分开；以及

与所述第二对像素行重叠的所述第二微腔层的多个部分相对于所述数据线分开。

25.根据权利要求19所述的显示装置，其中：

所述多个像素行包括第一对像素行以及与所述第一对像素行相邻的第二对像素行，以及

所述多个液晶注入孔被布置在所述第一对像素行和所述第二对像素行之间。

26.根据权利要求25所述的显示装置，其中：

所述微腔层包括与所述第一对像素行重叠的第一微腔层以及与所述第一微腔层分开的第二微腔层，所述第二微腔层与所述第二对像素行重叠。

27.根据权利要求26所述的显示装置，其中：

与所述第一对像素行重叠的所述第一微腔层的多个部分相对于所述数据线分开；以及

与所述第二对像素行重叠的所述第二微腔层的多个部分相对于所述数据线分开。