CN103838021A - 显示面板及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
提供了一种显示面板及其制造方法。显示面板具有微腔,每个微腔具有横截面积不对称的端部。示例性显示面板具有:基底;电极,设置在基底上;支撑构件,设置在电极上。支撑构件被成形为形成位于支撑构件和电极之间的腔。腔具有在支撑构件的一端处的第一开口和在支撑构件的相对端处的第二开口,第一开口位于电极上方。第一开口的横截面面积小于第二开口的横截面面积。
Description
技术领域
本发明的实施例总体上涉及平板显示器及它们的制造方法。更具体地讲,本发明的实施例涉及具有改进的微腔结构的显示器及它们的制造。
背景技术
液晶显示器是一种已被广泛承认的平板显示装置,并且一般包括形成有诸如像素电极和共电极的场产生电极的两个显示面板,其中,液晶层设置在两个显示面板之间。液晶显示器通过将电压施加到场产生电极在液晶层中产生电场,由此引起液晶层的液晶分子的特定方向,并且由此控制入射光的偏振,从而显示图像。
具有NCD(纳米晶显示器)结构的液晶显示器使用由有机材料形成的牺牲层。在牺牲层上涂覆支撑构件,然后除去牺牲层,并且在通过除去牺牲层形成的空的空间中填充液晶。
制造具有NCD结构的液晶显示器的方法还包括在注入液晶之前注入取向剂并干燥取向剂的工艺,以排列液晶分子并使液晶分子取向。在干燥取向剂的工艺中,取向剂的蒸发会导致取向剂固体的沉积,从而会产生光泄漏或透射率劣化。
在该背景技术部分公开的以上信息仅用于加强对本发明的背景的理解,因此,其可以包含未形成对本领域普通技术人员来讲在本国内已知的现有技术的信息。
发明内容
本发明提供了一种将固体的团聚最小化的液晶显示器及其制造方法。根据本发明的示例性实施例,通过控制微腔层的与液晶注入孔对应的高度,不会看出在干燥取向剂时产生的固体的团聚。
根据本发明构思的实施例,提供了一种显示面板。该显示面板包括:基底;电极,设置在基底上;支撑构件,设置在电极上,支撑构件被成形为形成位于支撑构件和电极之间的腔,其中,腔具有在支撑构件的一端处的第一开口和在支撑构件的相对端处的第二开口,第一开口位于电极上方,其中,第一开口的横截面积小于第二开口的横截面积。
根据本发明构思的另一实施例,提供了一种显示面板。该显示面板包括:基底;电极,设置在基底上;支撑构件,设置在电极上,支撑构件被成形为形成位于支撑构件和电极之间的腔,其中,支撑构件具有紧邻腔的一端的第一部分和位于腔的中心部分处的第二部分,其中,第一部分位于距电极的第一距离处,第二部分位于距电极的第二距离处,第二距离大于第一距离。
根据本发明构思的另一实施例,提供了一种制造显示面板的方法。该制造显示面板的方法包括:在基底上形成电极;在电极上形成牺牲层;在牺牲层中图案化凹进;在牺牲层和凹进上形成支撑构件;除去支撑构件的位于凹进上的部分,以形成暴露牺牲层的凹槽;通过凹槽除去牺牲层以形成位于支撑构件和电极之间的腔,腔被构造为将液体容纳在其中。
根据本发明构思的另一实施例,提供了一种显示面板。该显示面板包括:基底;第一电极,设置在基底上;黑色矩阵,形成在基底上;支撑构件,在基底上设置在第一电极和黑色矩阵上方,支撑构件被成形为形成位于第一电极和支撑构件之间的腔,腔具有位于黑色矩阵上方的窄的部分,窄的部分的横截面积小于腔的剩余部分的横截面积。
附图说明
图1是根据本发明示例性实施例的液晶显示器的俯视图。
图2是沿图1中的线II-II截取的剖视图。
图3和图4是沿图1中的线III-III截取的剖视图。
图5是根据图1至图4的示例性实施例的微腔层的透视图。
图6至图12是根据本发明的另一示例性实施例的液晶显示器的制造方法的剖视图。
图13是从图3的位置P至位置Q观看的根据本发明示例性实施例的液晶显示器的用以解释的俯视图。
图14和图15是示意性地解释根据本发明的示例性实施例的液晶显示器的俯视图。
图16和图17是为了解释根据本发明示例性实施例的液晶显示器而沿图1中的线III-III截取的剖视图。
图18至图25是根据本发明的另一示例性实施例的液晶显示器的制造方法的剖视图。
图26是为了解释根据本发明示例性实施例的液晶显示器而沿图1中的线III-III截取的剖视图。
图27是从图16中的位置P至位置Q观看的根据本发明示例性实施例的液晶显示器的用以解释的俯视图。
图28和图29是示意性地解释根据本发明示例性实施例的液晶显示器的俯视图。
图30是微腔层形状的透视图以解释根据示例性实施例的液晶显示器。
图31是根据本发明示例性实施例的液晶显示器的剖视图。
图32是根据本发明示例性实施例的液晶显示器的剖视图。
具体实施方式
在下文中将参照附图更充分地描述本发明,在附图中示出了本发明的示例性实施例。然而,本发明不限于这里描述的示例性实施例并且可以以其他形式实施。相反,提供这里所描述的示例性实施例以彻底且完全地解释所公开的内容,并且将本发明的构思充分地传达给本领域普通技术人员。在附图中,为了清楚起见,夸大了层和区域的厚度以及其他尺寸。将注意的是,当层被称作“在”另一层或基底“上”时,该层可以直接地形成在所述另一层或基底上,或者可以利用设置在它们之间的第三层而形成在所述另一层或基底上。在整个说明书中,同样的组成元件由同样的标号表示。
本发明的实施例涉及诸如液晶显示器的显示器,其中,显示面板具有单个基底,该单个基底容纳像素电极和共电极二者以及注入其间的液晶层。液晶容纳在多个微腔中,每个微腔具有用于注入液晶的开口。每个微腔的开口是不对称的,其中,一个开口的横截面积大于另一开口的横截面积。开口尺寸的这种不对称性在制造显示面板的工艺过程中带来益处。具体地讲,在注入液晶之前,通过开口将取向剂注入微腔中,然后进行干燥。干燥工艺使来自取向剂的固体留在微腔中,并且当微腔的开口的尺寸不同时,固体趋向于聚集在一个开口处,而不是聚集在它们可能阻挡光的腔的中心。通过将取向剂固体聚集在可以通过黑色矩阵以任何方式覆盖的开口处,防止了不期望的光阻挡沉积,使得图像显示质量得到改善。预期了这种不对称微腔开口的多种不同的构造,它们中的任何构造可以以任何结合方式或多种结合方式使用。
图1是根据本发明示例性实施例的液晶显示器的俯视图。图2是沿图1中的线II-II截取的剖视图。图3和图4是沿图1中的线III-III截取的剖视图。图5是根据图1至图4的示例性实施例的微腔层的透视图。
参照图1至图3,薄膜晶体管Qa、Qb和Qc形成在由透明玻璃或塑料制成的基底110上。有机层230位于薄膜晶体管Qa、Qb和Qc上,光阻挡构件220可以形成在相邻的有机层230之间。这里,每个有机层230可以是滤色器。
像素电极191位于有机层230上,像素电极191通过接触孔185a和185b电连接到薄膜晶体管Qa和Qb的一个端子。图2和图3分别是沿图1中的线II-II和III-III截取的剖视图,在图2和图3中省略了图1中示出的基底110与有机层230之间的构造,并且仅示出了位于有机层230上的构造。实际上,在图2和图3中在基底110与有机层230之间包括了薄膜晶体管Qa、Qb和Qc的部分构造。有机层230可以沿像素电极191的列方向延伸。有机层230可以是滤色器层,每个滤色器230可以显示诸如红、绿和蓝三原色的原色中的一种原色。然而,该构造不限于诸如红、绿和蓝的三原色,而是可以显示诸如蓝绿色、品红色、黄色和白色类的颜色的任何其他颜色。
在图1中,相邻的有机层230可以沿水平方向D和与水平方向D交叉(垂直或其他方式)的竖直方向彼此分开。图2示出了沿水平方向D彼此分开的有机层230,图3示出了沿竖直方向彼此分开的有机层230。参照图2,纵向光阻挡构件220b位于沿水平方向D分隔开的有机层230之间。纵向光阻挡构件220b分别与相邻于它们的有机层230的每个边缘叠置,纵向光阻挡构件220b与有机层230的两个边缘叠置的宽度基本上相同。
参照图3,横向光阻挡构件220a形成在沿相对于图1的竖直方向分隔开的有机层230之间。
每个横向光阻挡构件220a分别与相邻于其的有机层230叠置,横向光阻挡构件220a与相邻于其的有机层230的两个边缘叠置的宽度以及横向光阻挡构件220a在该叠置部分上延伸的高度是不对称的。即,这些宽度和高度在光阻挡构件220a的不同侧是不同的。例如,在图3的视图中,当将与右侧有机层230的边缘叠置的部分称作横向光阻挡构件220a的第一部分,并将与左侧有机层230的边缘叠置的部分称作横向光阻挡构件220a的第二部分时,第一部分的高度比第二部分的高度高。即,构件220a的第二部分延伸至从基底110开始的比第一部分的高度低的高度。
图4是沿图1中的线III-III的延伸线截取的剖视图。在图1中仅示出了一个像素PX,然而参照图4,在液晶显示器中,像素PX沿上/下/左/右方向重复,从而包括多个像素。图4示出了作为多个像素的一部分的沿相对于图1的纵向方向相邻的两个像素PX1和PX2。
在本示例性实施例中,在一个像素PX中,形成了分别位于微腔层400的端部附近的两个叠置部分。形成在一个像素PX中的横向光阻挡构件220a的叠置部分包括不对称的宽度和高度。具体地讲,参照图4和图5,一个微腔层400贯穿地位于彼此相邻的第一像素PX1的右侧部分和第二像素PX2的左侧部分。该布置是由于薄膜晶体管和像素电极结构,然而,该布置不受限制,作为另一示例性实施例,一个像素和一个微腔层可以彼此对应。在下文中,可以将一个微腔层400称作单位微腔层。
下取向层11形成在像素电极191上,并且可以是竖直取向层。提供由诸如聚酰胺酸、聚硅氧烷或聚酰亚胺的材料制成的液晶取向层的下取向层11可以包括通常使用的材料中的至少一种。
微腔层400形成在下取向层11上。即,微腔400是能够将诸如液晶的液体容纳在其中的腔体。微腔层400注入有包括液晶分子310的液晶材料,微腔层400具有液晶注入孔A1和A2。微腔层400可以形成为沿像素电极191的列方向延伸,换句话说,沿纵向方向延伸(即,其主轴沿纵向方向)。
在本示例性实施例中,可以通过使用毛细力将形成取向层11和21的取向材料以及包括液晶分子310的液晶材料注入微腔层400中。如上所述,随着横向光阻挡构件220a的与有机层230的一个边缘叠置的宽度增大,台阶的高度增大,使得横向光阻挡构件220a的厚度变厚,液晶注入孔A1和A2的尺寸减小。
当在一个微腔层400中将具有小的尺寸的液晶注入孔称作第一液晶注入孔,并将具有较大的尺寸的液晶注入孔称作第二液晶注入孔时,第一液晶注入孔的高度h1低于微腔层400的内部的高度,或者低于第二液晶注入孔的高度h2。即,腔400包括具有孔A1和A2的端部,孔A1和A2的横截面积小于腔400的剩余部分(即,中间部分或中心部分)的横截面积。腔400可以被认为在其端部具有凹进或窄的部分,这减小了其截面。
通常,毛细力在结构上窄的空间处作用更强,从而在图4中毛细力在第一液晶注入孔处比在第二液晶注入孔处作用更强。在以前的构造中,在一个像素PX中,相应的液晶注入孔的尺寸相同或几乎相同。
在传统技术中,在一个微腔层400中,相应的液晶注入孔的尺寸几乎相同。
在根据本示例性实施例的液晶显示器的制造工艺中,通过液晶注入孔A1和A2不仅注入液晶材料,在液晶注入之前还可以注入混合有固体和溶剂的取向材料。即,取向材料和液晶材料依次注入到孔A1和A2中。
在注入取向材料之后执行干燥工艺。此时,在取向材料的溶剂挥发时留下的固体可以团聚在微腔层400内。在A1和A2的尺寸相等的构造中,当在微腔层400的两侧的两个注入孔处同时开始干燥并且干燥进行到微腔层400的中心部分时,固体聚集在微腔层400的中心部分处,从而产生拥挤(huddle)缺陷。以这种方式,如果固体聚集在微腔层400内,则产生诸如光泄漏或透射率劣化的显示缺陷。换句话说,当干燥取向材料时,并且当A1和A2的尺寸大致相等时,取向材料的固体可能聚集在像素PX的中心,产生不期望的视觉效果。
在根据本示例性实施例的液晶显示器中,毛细力在一个像素PX中的一侧作用更强,使得在形成有光阻挡构件220a的台阶的部分处导致固体的团聚,从而解决了上述问题。即,当A1和A2的尺寸不相等时,取向材料固体优先聚集在孔A1和A2中的一个处(即,在光阻挡构件220a的“隆起”或抬升部分的一个上)。以这种方式,固体聚集在光阻挡构件220a上,从而它们的聚集对观看者来讲不可见。以这种方式,使A1和A2的尺寸不相等用于将取向材料固体的聚集有效地移至孔A1或A2。当这些孔A1和A2在光阻挡构件220a上方时,由于光阻挡构件220a已经将光阻挡,所以聚集的固体对观看者来讲不可见。因此,避免了由取向材料固体的聚集产生的不期望的视觉效果。
如上所述,通过使高度h1和h2不同将孔A1和A2制成具有不同的横截面积。高度h1和h2可以相差任何量。然而,在一个实施例中,h1和h2可以相差大约0.8μm。即,h2可以比h1大大约0.8μm。可选择地,h1和h2可以相差更大的量,例如,大约1.3μm或更大。
然后,通过同样的孔A1和A2将液晶310注入到层400中。
在本示例性实施例中,位于微腔层400的两端的液晶注入孔的高度不同,以使毛细力在一个微腔层400中强有力地作用于一侧。然而,该结构仅是本发明的示例性实施例中的一个,液晶注入孔的宽度可以不同,以使毛细力在一个微腔层400中强有力地作用于一侧。换句话说,在本发明的示例性实施例中,微腔层400的第一液晶注入孔A1所位于处的横截面积可以小于微腔层400的第二液晶注入孔A2所位于处的横截面积。后面将参照图30对此进行描述。
在图4中描述的示例性实施例中,在一个像素PX1和PX2中,具有不同高度的液晶注入孔相对于凹槽GRV彼此面对地形成在微腔层400的每个边缘中,然而,作为另一示例性实施例,彼此面对的液晶注入孔的高度可以彼此相等。然而,在这种情况下,两侧的边缘的液晶注入孔的高度在一个微腔层400中必须是不同的。
在本示例性实施例中,在一个微腔层400的两个边缘处相应地形成一个液晶注入孔,然而,在另一示例性实施例中,可以在一个微腔层400的一个边缘处形成一个液晶注入孔。在这种情况下,优选的是,形成在微腔层400的一个边缘处的液晶注入孔的高度低于形成在微腔层400的另一边缘处的液晶注入孔的高度。
上取向层21位于微腔层400上,共电极270和保护层250形成在上取向层21上。在操作中,共电极270接收共电压,像素电极191接收数据电压,以共同产生电场。该电场确定位于这两个电极之间的微小的空间层400中的液晶分子310的倾斜方向。共电极270和像素电极191形成电容器(在下文中称作“液晶电容器”),以在薄膜晶体管截止后维持施加的电压。
保护层250可以由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)形成。支撑构件260位于保护层250上。支撑构件260可以包括碳氧化硅(SiOC)、光致抗蚀剂或有机材料。当支撑构件260包括碳氧化硅(SiOC)时,可以使用化学气相沉积方法,当支撑构件260包括光致抗蚀剂时,可以应用涂覆方法。在可以通过使用化学气相沉积形成的层中,碳氧化硅(SiOC)具有相对高的透射率和相对低的层应力,从而相对稳定。因此,在本示例性实施例中,支撑构件260由碳氧化硅(SiOC)形成,使得光很好地透射并且层是稳定的。
凹槽GRV可以形成为穿过微腔层400、上取向层21、共电极270、保护层250和支撑构件260上,并形成在横向光阻挡构件220a上。横向光阻挡构件220a可以同时与支撑构件260的端部和相邻的有机层230的边缘叠置。
接下来,将参照图2至图5描述微腔层400。
参照图2至图5,微腔层400由位于栅极线121a上方的多个凹槽GRV划分,多个微腔层400沿着栅极线121a延伸所沿的方向D形成。这里,像素区域可以对应于显示图像的区域。
每个微腔层400可以各自对应于一个像素区域,多个微腔层400的多个组可以沿列方向形成。如所示出的,在微腔层400之间形成的凹槽GRV可以沿着栅极线121a延伸所沿的方向D设置,微腔层400的液晶注入孔A1和A2形成与凹槽GRV和微腔层400的边界对应的区域。液晶注入孔A1和A2根据凹槽GRV延伸所沿的方向形成。此外,形成在沿着栅极线121a延伸所沿的方向D相邻的微腔层400之间的开口部分OPN可以由支撑构件260覆盖,如图2中所示。
包括在微腔层400中的液晶注入孔A1和A2较宽地可以具有支撑构件260和像素电极191之间的高度,然而较窄地可以具有上取向层21和下取向层11之间的高度。在本示例性实施例中,凹槽GRV沿着栅极线121a延伸所沿的方向D形成,然而作为另一示例性实施例,多个凹槽GRV可以沿着数据线171延伸所沿的方向形成,多个微腔层400的多组可以沿行方向形成。液晶注入孔A1和A2可以根据凹槽GRV的延伸方向形成。即,孔A1和A2可以沿各个凹槽GRV形成。
钝化层240位于支撑构件260上。钝化层240可以包括氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)。盖层280位于钝化层240上。盖层280接触支撑构件260的上表面和侧表面,盖层280覆盖微腔层400的通过凹槽GRV暴露的液晶注入孔A1和A2。盖层280可以包括热硬化树脂、碳氧化硅(SiOC)或石墨烯。当盖层280包括石墨烯时,石墨烯对包括氦的气体具有传输阻力,从而用作用于覆盖液晶注入孔A的盖层。包括石墨烯的盖层280具有其中碳彼此结合的结构,使得即使液晶材料接触盖层280,液晶材料也不被污染。此外,石墨烯保护液晶材料免受来自外部的氧或湿气的影响。
在本示例性实施例中,液晶材料通过微小的空间层400的液晶注入孔A注入,从而在无需另外形成上基底的情况下形成液晶显示器。即,微腔层400由于像素电极191和共电极270在同一基底110上容纳液晶层,因此防止对第二个基底的需求。这具有显著的优点,包括允许比使用两个基底的传统显示器更薄的显示器以及制造更便宜且更容易制造的显示器。
由有机层或无机层制成的保护层(未示出)可以位于盖层280上。盖层280保护注入到微腔层400中的液晶分子310免受外部冲击而可以使用它们平坦。
接下来,将再参照图1至图4描述根据本示例性实施例的液晶显示器。参照图1至图4,包括多条栅极线121a、多条降压栅极线121b和多条存储电极线131的多个栅极导体形成在由透明玻璃或塑料制成的基底110上。栅极线121a和降压栅极线121b大体上沿横向方向延伸并传输栅极信号。栅极线121a包括在图1的视图中分别向上和向下突出的第一栅电极124a和第二栅电极124b,降压栅极线121b包括在图1的视图中向上突出的第三栅电极124c。第一栅电极124a和第二栅电极124b彼此连接以形成单个突起。
存储电极线131大体上沿横向方向(即,沿图1中的方向D)延伸并传输诸如共电压的预定电压。每条存储电极线131包括在图1的视图中从存储电极线131向上和向下突出的存储电极129、基本上垂直于栅极线121a和121b且向下延伸的成对的纵向部分134以及将成对的纵向部分134的端部连接的横向部分127。横向部分127包括向下延伸的电容性电极137。栅极绝缘层形成在栅极导体121a、121b和131上。
可以由非晶硅或结晶硅制成的多个半导体条(部分示出)形成在栅极绝缘层上。半导体条大体上沿纵向方向延伸,并且包括向第一栅电极124a和第二栅电极124b突出且彼此连接的第一半导体154a和第二半导体154b以及设置在第三栅电极124c上的第三半导体154c。
多对欧姆接触(未示出)形成在半导体154a、154b和154c上。欧姆接触可以由硅化物制成或者由以高浓度掺杂有n型杂质的n+氢化非晶硅制成。
包括多条数据线171、多个第一漏电极175a、多个第二漏电极175b和多个第三漏电极175c的数据导体形成在欧姆接触上。数据线171传输数据信号并沿纵向方向延伸,从而与栅极线121a和降压栅极线121B相交但绝缘。每条数据线171包括分别向第一栅电极124a和第二栅电极124b延伸并彼此连接的第一源电极173a和第二源电极173b。
第一漏电极175a、第二漏电极175b和第三漏电极175c均包括具有宽的区域的一端和具有棒型形状的另一端。第一漏电极175a和第二漏电极175b的棒状端被第一源电极173a和第二源电极173b部分地包围。第一漏电极175a的宽端还具有延伸到半导体154c的部分,从而形成弯曲成具有“U”形状的第三漏电极175c。第三源电极173c的宽端177c与电容性电极137叠置,从而形成降压电容器Cstd,棒状端被第三漏电极175c部分地包围。
第一栅电极124a、第一源电极173a和第一漏电极175a与第一半导体154a一起形成第一薄膜晶体管Qa;第二栅电极124b、第二源电极173b和第二漏电极175b与第二半导体154b一起形成第二薄膜晶体管Qb;第三栅电极124c、第三源电极173c和第三漏电极175c与第三半导体154c一起形成第三薄膜晶体管Qc。包括第一半导体154a、第二半导体154b和第三半导体154c的除源电极173a、173b和173c与漏电极175a、175b和175c之间的沟道区域之外的半导体条具有与数据导体171a、171b、173a、173b、173c、175a、175b和175c以及下面的欧姆接触基本上相同的平面形状(即,在图1的平面图中的相同形状)。第一半导体154a包括未被第一源电极173a和第一漏电极175a覆盖以在第一源电极173a和第一漏电极175a之间暴露的部分,第二半导体154b包括未被第二源电极173b和第二漏电极175b覆盖以在第二源电极173b和第二漏电极175b之间暴露的部分,第三半导体154c包括未被第三源电极173c和第三漏电极175c覆盖以在第三源电极173c和第三漏电极175c之间暴露的部分。
由诸如氮化硅或氧化硅的无机绝缘体制成的下钝化层(未示出)形成在数据导体171a、171b、173a、173b、173c、175a、175b和175c以及暴露的第一半导体154a、第二半导体154b和第三半导体154c上。有机层230可以位于下钝化层上。有机层230存在于显示区域的除设置有第一薄膜晶体管Qa、第二薄膜晶体管Qb和第三薄膜晶体管Qc的位置之外的多数区域。然而,其可以在纵向方向上沿相邻的数据线171之间的空间延伸。在本示例性实施例中,有机层230可以是滤色器,滤色器230可以形成在像素电极191下面,然而,可选择地,其可以形成在共电极270上。
光阻挡构件220位于不存在有机层230的区域上以及有机层230的一部分上。即,光阻挡构件220位于相邻的有机层230之间并稍微与相邻的有机层230叠置。光阻挡构件220包括横向光阻挡构件220a以及纵向光阻挡构件220b,横向光阻挡构件220a沿栅极线121a和降压栅极线121b延伸,并且覆盖设置有第一薄膜晶体管Qa、第二薄膜晶体管Qb和第三薄膜晶体管Qc的区域,纵向光阻挡构件220b沿数据线171延伸。光阻挡构件220被称作黑色矩阵并防止光泄漏。下钝化层和光阻挡构件220具有分别暴露第一漏电极175a和第二漏电极175b的多个接触孔185a和185b。
此外,包括第一子像素电极191a和第二子像素电极191b的像素电极191形成在有机层230和光阻挡构件220上。第一子像素电极191a和第二子像素电极191b位于栅极线121a和降压栅极线121b的相对侧上,并且向上和向下设置,使得它们沿列方向彼此相邻。第二子像素电极191b的高度大于第一子像素电极191a的高度,并且可以在第一子像素电极191a的高度的大约1至3倍的范围内。第一子像素电极191a和第二子像素电极191b中的每个的整体形状是四边形,并且第一子像素电极191a和第二子像素电极191b分别包括具有横向主干193a和193b以及与横向主干193a和193b交叉的纵向主干192a和192b的十字主干。此外,第一子像素电极191a包括多个微分支194a和下突起197a,第二子像素电极191b包括多个微分支194b和上突起197b。像素电极191通过横向主干193a和193b以及纵向主干192a和192b分成四个子区域。微分支194a和194b从横向主干193a和193b以及纵向主干192a和192b倾斜地延伸,并且它们的延伸方向与栅极线121a和121b或者横向主干193a和193b形成大约45度或135度的角度。此外,两个相邻的子区域的微分支194a和194b可以交叉。在本示例性实施例中,第一子像素电极191a还包括围绕外部的外主干,第二子像素电极191b还包括设置在第二子像素电极191b的上部和下部上的横向部分以及设置在第二子像素电极191b的右侧和左侧上的右侧和左侧纵向部分198。右侧和左侧纵向部分198可以防止数据线171和第一子像素电极191a之间的电容性结合。下取向层11、微腔层400、上取向层21、共电极270、保护层250和盖层280形成在像素电极191上,这里不重复对这些构成元件的描述。
与上述的液晶显示器有关的描述是改善侧面可视性的可视性结构的一个示例,薄膜晶体管的结构和像素电极的设计不限于本示例性实施例中描述的结构,根据本发明的示例性实施例可以对该描述进行变型。
图6至图12是根据本发明的另一示例性实施例的液晶显示器的制造方法的剖视图。图6至图12顺序地示出了沿图1中的线III-III截取的液晶显示器的剖视图。参照图6,在由透明玻璃或塑料制成的基底110上形成薄膜晶体管Qa、Qb和Qc(在图1中示出)。在薄膜晶体管Qa、Qb和Qc之间和之上形成与像素区域对应的有机层230,在相邻的有机层230之间以及薄膜晶体管Qa、Qb和Qc上方形成光阻挡构件220。光阻挡构件220a与相邻的有机层230的边缘叠置。
在本示例性实施例中,可以将光阻挡构件220a的与有机层230的一个边缘叠置的宽度d1形成为大于光阻挡构件220a的与有机层230的另一边缘叠置的宽度d2。随着叠置的量增加,光阻挡构件220a的台阶增大。
在图6中,光阻挡构件220a同时与相邻于其的两个有机层230叠置,并且如图4中所示,图6的结构可以沿竖直方向重复。因此,光阻挡构件220a的与有机层230的两个边缘叠置的宽度在微腔层400的两端会有所不同。这里,有机层230可以是滤色器。
参照图7,在有机层230上形成像素电极材料,并将像素电极材料图案化为位于与像素区域对应的部分处的像素电极191。此时,像素电极191通过接触孔185a和185b电连接到薄膜晶体管Qa和Qb的一个端子(在图1中示出)。在像素电极191上形成包括碳氧化硅(SiOC)或光致抗蚀剂的牺牲层300。牺牲层300可以由有机材料以及碳氧化硅(SiOC)或光致抗蚀剂形成。
参照图8,在牺牲层300上顺序地形成共电极270、保护层250和支撑构件260。共电极270可以由诸如ITO或IZO的透明导体制成,保护层250可以由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)制成。根据本示例性实施例的支撑构件260可以由与牺牲层300不同的材料制成。通过图案化支撑构件260,形成暴露保护层250的与光阻挡构件220a对应的部分的凹槽GRV。
参照图9,形成覆盖暴露的保护层250和支撑构件260的钝化层240。钝化层240可以由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)制成。
参照图10,顺序地图案化与凹槽GRV对应的形成有凹槽GRV的钝化层240、保护层250和共电极270。此时,可以将牺牲层300的与凹槽GRV对应的部分除去。
参照图11,利用O2灰化工艺或湿蚀刻方法通过凹槽GRV除去牺牲层300。这形成了具有第一液晶注入孔A1和第二液晶注入孔A2的微腔层400。微腔层400是牺牲层300被除去的空的空间。液晶注入孔A1和A2可以沿与连接到薄膜晶体管的一个端子的信号线基本上平行的方向形成。
参照图12,通过凹槽GRV以及液晶注入孔A1和A2注入取向材料以在像素电极191和共电极270上形成取向层11和21。在通过液晶注入孔A1和A2注入取向材料之后执行烘烤工艺。取向材料包括固体和溶剂二者。因此,在该步骤过程中,在取向材料的溶剂挥发的同时形成取向层,留下的固体聚集在光阻挡构件220a中的较大的“隆起”上方,即,在两个孔A1和A2中的较小的孔上方。
接下来,使用喷墨方法通过凹槽GRV以及液晶注入孔A1和A2将液晶分子310注入微腔层400中。这里,取向层11和21在某种程度上减小了液晶注入孔A1和A2的尺寸。
接下来,形成覆盖支撑构件260的上表面和侧表面的盖层280(在图3中示出)。此时,盖层280覆盖微腔层400的通过凹槽GRV暴露的液晶注入孔A1和A2。图13是从图3中的位置P至位置Q观看的根据本发明示例性实施例的液晶显示器的用以解释的俯视图。图14和图15是示意性地解释根据本发明示例性实施例的液晶显示器的俯视图。
参照图13,光阻挡构件220与有机层230的相邻部分之间的分隔空间对应地形成在光阻挡区域LB处。如上所述,横向光阻挡构件220a和有机层230的叠置区域的面积在光阻挡区域LB的上端和下端处是不对称的。如图13中所示,形成了与上端相比在光阻挡区域LB的下端中横向光阻挡构件220a与有机层230进一步较大地叠置的第一部分。横向光阻挡构件220a的第一部分220p基本上对应于像素PX的整个横向边缘或单位微腔层400的一整个边缘。
然而,如果横向光阻挡构件220a的第一部分220p形成为在像素PX的横向边缘的整个区域处与有机层230的边缘叠置,则在干燥取向材料时留下的固体会封闭液晶注入孔。为了防止该问题,将参照图14描述优选示例性实施例。参照图14,在本示例性实施例中的横向光阻挡构件220a包括向有机层230突出并与有机层230叠置的突起光阻挡构件220p。在突起光阻挡构件220p中,突起因构件220p与有机层230的叠置而形成,使得在干燥取向材料之后留下的固体集中在突起光阻挡构件220p上方。因此,减小了液晶注入孔可能被部分阻挡的可能性。换句话说,在图14的实施例中,在光阻挡构件220a中形成的“隆起”仅在开口A1或A2的一部分处延伸。以该方式,来自取向材料的固体仅聚集在隆起上方,而不是聚集在整个开口A1/A2上方。这减小了聚集的固体将阻挡开口A1/A2的可能性。此外,每个光阻挡构件220p可以占据开口A1、A2(光阻挡构件220p位于其下)的任何量的宽度。作为一个示例,光阻挡构件220p可以占据小于或等于其开口A1/A2的大约80%的宽度。任何百分比是预期的,只要构件220p不阻挡其开口A1/A2至液体不能被容易地注入腔400中的程度,并且只要来自取向材料的固体聚集在构件220p上方。
将参照图15描述对图14的示例性实施例的变型。
参照图15,横向光阻挡构件220a包括沿像素PX的横向边缘与有机层230叠置的第一突起光阻挡构件220p1和第二突起光阻挡构件220p2。此时,第二突起光阻挡构件220p2与有机层230的叠置面积小于第一突起光阻挡构件220p1与有机层230的叠置面积。因此,第一突起光阻挡构件220p1的厚度大于第二突起光阻挡构件220p2的厚度。描述的示例性实施例不限于此,突起光阻挡构件220p可以采用除示出的形状之外的各种形状。光阻挡构件220p1、220p2可以具有任何合适的高度,只要液体仍可以注入开口A1/A2中并且取向材料仍聚集在构件220p1、220p2中的一个或多个上方。作为一个示例,构件220p1在高度上可以比构件220p2大大约0.5μm,或者反之亦然。作为另一示例,第一突起光阻挡构件220p1的高度,即,构件220p1的距有机层230的上表面的距离,可以为大约1.3μm,第二突起光阻挡构件220p2的高度,即,构件220p2的距有机层230的上表面的距离,可以为大约0.8μm。
图16和图17是为了解释根据本发明示例性实施例的液晶显示器而沿图1中的线III-III截取的剖视图。图16和图17中示出的示例性实施例在结构上不同于图1至图5中示出的示例性实施例。然而,很大程度地省略了二者之间的相似点,而主要描述与图1至图5的示例性实施例的不同之处。
参照图16和图17,形成在有机层230上的光阻挡构件220a与有机层230的两个边缘叠置成相同的程度。即,在光阻挡构件220a的每侧的叠置量具有相同的宽度。然而,下取向层11和上取向层21之间的微腔层400相对于光阻挡构件220a不对称。在一个像素PX中,微腔层400的一端具有向下凹进的上表面。具体地讲,凹槽GRV和微腔层400相遇处的液晶注入孔的高度h1和h2彼此不同。
向下突出的突起支撑构件PSM在与微腔层400的具有凹进的上表面的一端对应的位置处形成在支撑构件260的端部。当将支撑构件260的形成有突起支撑构件PSM的部分称作第一支撑部分并将支撑构件260的不具有突起支撑构件PSM的部分称作第二支撑部分时,第一支撑部分的厚度比第二支撑部分的厚度厚。
图16集中于位于相邻的像素PX之间的光阻挡构件220a。然而,如图17中所示,图16的结构可以沿参照图1的竖直方向重复。
在本示例性实施例中,微腔层400的与液晶注入孔A1和A2对应的两端的形状在一个微腔层400中是不对称的,使得毛细力在液晶注入孔A1处作用更强。因此,固体在像素PX的内部没有凝聚在一个微腔层400内部,而代替的是,凝聚在形成有光阻挡构件220a的附近,从而防止光泄漏。
接下来,将参照图18至图25描述制造以上液晶显示器的示例性方法。图18至图25顺序地示出了沿图1中的线III-III截取的剖视图。图18至图25是根据本发明的另一示例性实施例的液晶显示器的制造方法的剖视图。参照图18,在由透明玻璃或塑料制成的基底110上形成薄膜晶体管Qa、Qb和Qc(在图1中示出)。在薄膜晶体管Qa、Qb和Qc上形成与像素区域对应的有机层230,在相邻的有机层230之间形成光阻挡构件220a。光阻挡构件220a与相邻于其的有机层230的边缘叠置。在本示例性实施例中,光阻挡构件220a的与有机层230的两个边缘叠置的宽度基本上相同。即,有机层230与光阻挡构件220a的每侧之间的叠置的量基本上相同。这里,有机层230可以是滤色器。在有机层230和光阻挡构件220a上形成像素电极191。
参照图19,在像素电极191上形成牺牲层300。牺牲层300可以由有机材料形成。通过使用半色调掩模或缝隙掩模图案化牺牲层。此时,凹进RP形成在与光阻挡构件220a对应的部分处。凹进RP相对于光阻挡构件220a是不对称的。
参照图20,在牺牲层300上顺序地形成共电极270和保护层250。共电极270可以由诸如ITO或IZO的透明导体制成,保护层250可以由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)制成。参照图21,在保护层250上形成支撑构件260并进行图案化以形成暴露保护层250的与光阻挡构件220a对应的部分的凹槽GRV。凹槽GRV可以相对于光阻挡构件220a对称地放置,从而凹进RP(相对于光阻挡构件220a不对称地形成)和凹槽GRV偏移。因此,形成从支撑构件260的端部向下突出的突起支撑部分PSM。
参照图22,形成覆盖暴露的保护层250和支撑构件260的钝化层240。钝化层240可以由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)制成。参照图23,顺序地图案化形成有凹槽GRV的钝化层240、保护层250和共电极270以暴露牺牲层300。此时,可以将牺牲层300的与凹槽GRV对应的部分除去。此时,突起支撑部分PSM受到钝化层240的保护,从而其形状得以维持。这使得支撑构件260的形状相对于光阻挡构件220a不对称。
参照图24,利用例如O2灰化工艺或湿蚀刻方法通过凹槽GRV除去牺牲层300。从而形成了具有液晶注入孔A1和A2的微腔层400。微腔层400是牺牲层300被除去的空的空间。液晶注入孔A1和A2可以沿与连接到薄膜晶体管的一个端子的信号线平行的方向形成。
参照图25,通过凹槽GRV以及液晶注入孔A1和A2注入取向材料以在像素电极191和共电极270上形成取向层11和21。在通过液晶注入孔A1和A2注入取向材料之后执行烘烤工艺。此时,取向层在取向材料的溶剂挥发的同时形成,留下的固体聚集在较小的开口处,即,在PSM下面且在光阻挡构件220a上方。
接下来,使用喷墨或其他合适的方法通过凹槽GRV以及液晶注入孔A1和A2将液晶分子310注入微腔层400中。这里,取向层11和21形成,使得液晶注入孔A1和A2的尺寸与最初形成的液晶注入孔相比会有所减小。
接下来,形成覆盖支撑构件260的上表面和侧表面的盖层280(在图16中示出)。此时,盖层280覆盖微腔层400的通过凹槽GRV暴露的液晶注入孔A1和A2。
图26是为了解释根据本发明示例性实施例的液晶显示器沿图1中的线III-III截取的剖视图。图26中示出的示例性实施例在结构上与图17中示出的示例性实施例相似。然而,在一个像素PX中,彼此面对的微腔层400的结构相对于光阻挡构件220a对称。如图26中所示,第一结构X是对称的,第二结构Y是对称的。然而,在本示例性实施例中,按照竖直方向重复地布置第一结构X和第二结构Y,一个微腔层400具有与第一结构X的右侧部分和第二结构Y的左侧部分对应的液晶注入孔A1和A2,从而其开口对于一个微腔层400来讲是不对称的。因此,在本示例性实施例的情况下,在一个微腔层400中,微腔层400的与液晶注入孔A1和A2对应的两端的形状是不对称的,从而毛细力优先作用于一侧的孔A1。
图27是从图16中的位置P至位置Q观看的根据本发明示例性实施例的液晶显示器的用以解释的俯视图。图28和图29是示意性地解释根据本发明示例性实施例的液晶显示器的俯视图。
参照图27,光阻挡构件220与有机层230的分隔空间对应地形成在光阻挡区域LB处。在本示例性实施例中,第一区域H1和第二区域H2分别位于相对于光阻挡区域LB的上端和下端处。第一区域H1表示第一液晶注入孔A1所位于的部分,第二区域H2表示第二液晶注入孔A2所位于的部分,如图16中所示。
这里,第一区域H1基本上对应于像素PX的一整个横向边缘或单位微腔层400的一整个边缘。然而,如果第一区域H1形成在像素PX的横向边缘的大部分区域中,则在干燥取向材料时留下的固体可能阻挡液晶注入孔。
为防止该问题,将参照图28描述优选示例性实施例。
参照图28,在本示例性实施例中,与第一区域H1对应的部分可以仅部分地形成在像素PX的横向边缘处或单位微腔层400的一个边缘处。
此外,微腔层400的一端具有高度h2的第二区域H2形成在与第一区域H1相邻的部分处。在干燥取向材料之后留下的固体集中到像素PX的横向边缘之中的第一区域H1。
因此,减小了液晶注入孔可能被部分阻挡的可能性。
将参照图29描述图28的示例性实施例的变型示例性实施例。
参照图29,与第一区域H1对应的部分根据像素PX的横向边缘形成在像素PX的横向边缘或单位微腔层400的一个边缘的部分处,微腔层400的一端的高度高于高度h1且小于高度h2的第三区域H3形成在与第一区域H1相邻的部分处。
图30是微腔层形状的透视图以解释根据示例性实施例的液晶显示器。
图30表示图5中的单位微腔层400,一侧的液晶注入孔A1的宽度w1小于另一侧的液晶注入孔A2的宽度w2。
因此,宽度小的液晶注入孔A1的横截面比宽度大的液晶注入孔A2的横截面小。
因此,在干燥取向材料的工艺中,毛细力可以强有力地作用于微腔层400中的一侧的液晶注入孔A1。
图1至图5中描述的示例性实施例是这样一个示例性实施例,即,在微腔层400中,微腔层的液晶注入孔所位于的横截面比微腔层的位于液晶注入孔附近的横截面小,图30中描述的示例性实施例也是这样的示例性实施例,即,微腔层的液晶注入孔所位于的横截面比微腔层的位于液晶注入孔附近的横截面小。
因此,在本示例性实施例中,为了使毛细力强有力地作用于一侧处,为了设计这样的结构,即,微腔层的液晶注入孔位于一侧的横截面比微腔层的位于液晶注入孔附近的横截面或在另一侧的液晶注入孔的横截面小,一侧的液晶注入孔的宽度可以是小的,或者液晶注入孔的高度可以是低的。
然而,减小液晶注入孔的宽度或高度的方法不限于所描述的方法,而是可以设计各种变型。
图31是根据本发明示例性实施例的液晶显示器的剖视图。
图31是沿图1中的线III-III截取的剖视图,然而与图4不同的是,横向光阻挡构件220a与相邻于其的有机层230的每个边缘叠置的宽度基本上相同。
在本示例性实施例中,与图1至图4中描述的示例性实施例相似,微腔层的第一液晶注入孔A1所位于的横截面比微腔层400的第二液晶注入孔A2所位于的横截面小。
根据本示例性实施例的液晶显示器还包括位于有机层230和光阻挡构件220上的平坦化层180。为了形成两侧的液晶注入孔的不同的横截面,在本示例性实施例中,可以控制位于液晶注入孔下面的平坦化层180的厚度。
具体地讲,参照图31,平坦化层180的位于第一液晶注入孔A1下面的第一部分的厚度比平坦化层180的位于第二液晶注入孔A2下面的第二部分的厚度厚。
在平坦化层180的第一部分中,突起180p沿第一液晶注入孔A1所在的方向形成。
当形成平坦化层180时,通过使用微缝隙暴露法来形成突起180p,从而没有增加单独的工艺。
图32是根据本发明示例性实施例的液晶显示器的剖视图。
图32与图31中描述的示例性实施例的多数构造相同,然而,凹入部分180d代替突起180p形成在平坦化层180中。
参照图32,平坦化层180的位于第一液晶注入孔A1下面的第一部分的厚度比平坦化层180的位于第二液晶注入孔A2下面的第二部分的厚度薄。
在平坦化层180的第一部分中,凹进180d沿与第一液晶注入孔A1所在的方向相反的方向形成。
虽然已结合当前被认为是实际的示例性实施例描述了本发明,但将理解的是,本发明不限于公开的实施例,而是相反,意图覆盖包括在权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。
<对标号的描述>
220光阻挡构件 230有机层
191像素电极 300牺牲层
250保护层 260支撑构件
270共电极 400微腔层
Claims (35)
1.一种显示面板,包括:
基底;
电极,设置在基底上;以及
支撑构件,设置在电极上,
支撑构件被成形为形成位于支撑构件和电极之间的腔,其中,腔具有在支撑构件的一端处的第一开口和在支撑构件的相对端处的第二开口,第一开口位于电极上方,
其中,第一开口的横截面积小于第二开口的横截面积。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其中,支撑构件具有在第一开口处的从电极开始的第一高度以及在第二开口处的从电极开始的第二高度,
其中,第一高度大于第二高度。
3.根据权利要求1所述的显示面板,所述显示面板还包括设置在基底上的黑色矩阵,其中,黑色矩阵是位于基底上和第一开口下面的第一黑色矩阵,第一黑色矩阵具有面对第一开口的上表面,
其中,显示面板还包括位于基底上和第二开口下面的第二黑色矩阵,第二黑色矩阵具有面对第二开口的上表面,
其中,第一黑色矩阵的上表面在第一开口处具有第一高度,第二黑色矩阵的上表面在第二开口处具有第二高度,第一高度大于第二高度。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其中,第一高度比第二高度大至少大约0.8μm。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其中,第一高度比第二高度大大约1.3μm。
6.根据权利要求3所述的显示面板,其中,第一黑色矩阵和第二黑色矩阵中的至少一个仅在其相应开口的一部分下面延伸。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其中,第一黑色矩阵和第二黑色矩阵中的至少一个具有小于或等于其相应开口的宽度的大约80%的宽度。
8.根据权利要求3所述的显示面板,其中,第一黑色矩阵的上表面和第二黑色矩阵的上表面中的至少一个具有多个高度。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其中,两个高度之间的差为大约0.5μm。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其中,所述两个高度中的一个为距离与第一黑色矩阵和第二黑色矩阵相邻的有机层的上表面大约0.8μm,所述两个高度中的另一个为距离有机层的上表面大约1.3μm。
11.根据权利要求8所述的显示面板,其中,所述多个高度包括第一高度和第二高度,
其中,第一高度大于第二高度,
其中,第一黑色矩阵的上表面和第二黑色矩阵的上表面中的至少一个的具有第一高度的部分的宽度小于第一黑色矩阵的上表面和第二黑色矩阵的上表面中的所述至少一个的具有第二抬升的部分的宽度的大约80%。
12.一种显示面板,包括:
基底;
电极,设置在基底上;以及
支撑构件,设置在电极上,支撑构件被成形为形成位于支撑构件和电极之间的腔,
其中,支撑构件具有紧邻腔的一端的第一部分和位于腔的中心部分处的第二部分,
其中,第一部分位于距电极的第一距离处,第二部分位于距电极的第二距离处,第二距离大于第一距离。
13.根据权利要求12所述的显示面板,所述显示面板还包括第一光阻挡构件和第二光阻挡构件,第一光阻挡构件位于支撑构件的第一部分下面并紧邻腔的所述一端,第二光阻挡构件位于腔的另一端下面并紧邻支撑构件的第二部分,
其中,第一部分位于距第一光阻挡构件的面对第一部分的表面的第一高度处,第二部分位于距第二光阻挡构件的面对第二部分的表面的第二高度处,第二高度大于第一高度。
14.根据权利要求13所述的显示面板,其中,第一光阻挡构件的所述表面与第一部分之间的最小距离小于第二光阻挡构件的所述表面与第二部分之间的最小距离。
15.根据权利要求13所述的显示面板,其中,第一光阻挡构件和第二光阻挡构件中的至少一个仅在与其相应的腔的端部的一部分下面延伸。
16.根据权利要求15所述的显示面板,其中,第一光阻挡构件和第二光阻挡构件中的至少一个的宽度小于或等于与其相应的腔的端部的宽度的大约80%。
17.根据权利要求13所述的显示面板,其中,第一光阻挡构件的所述表面和第二光阻挡构件的所述表面中的至少一个表面具有多个抬升。
18.根据权利要求17所述的显示面板,其中,两个抬升之间的差为大约0.5μm。
19.根据权利要求18所述的显示面板,其中,所述两个抬升中的一个具有距离与第一光阻挡构件和第二光阻挡构件相邻的有机层的上表面大约0.8μm的高度,所述两个抬升中的另一个具有距离有机层的上表面大约1.3μm的高度。
20.根据权利要求17所述的显示面板,其中,所述多个抬升包括第一抬升和第二抬升,
其中,第一抬升大于第二抬升,
其中,第一光阻挡构件的所述表面和第二光阻挡构件的所述表面中的至少一个表面的具有第一抬升的部分的宽度小于第一光阻挡构件的所述表面和第二光阻挡构件的所述表面中的所述至少一个表面的具有第二抬升的部分的宽度的大约80%。
21.根据权利要求12所述的显示面板,所述显示面板还包括位于支撑构件的第一部分下面的第一光阻挡构件,其中,第一部分具有形成在其中的凹进,凹进位于第一光阻挡构件上方。
22.一种制造显示面板的方法,包括:
在基底上形成电极;
在电极上形成牺牲层;
在牺牲层中图案化凹进;
在牺牲层和凹进上形成支撑构件;
除去支撑构件的位于凹进上的部分,以形成暴露牺牲层的凹槽;以及
通过凹槽除去牺牲层以形成位于支撑构件和电极之间的腔,腔被构造为将液体容纳在其中。
23.根据权利要求22所述的方法,其中,图案化凹进还包括使用半色调掩模或缝隙掩模图案化凹进。
24.根据权利要求22所述的方法,所述方法还包括在基底上形成相邻的第一有机层和第二有机层以及光阻挡构件,光阻挡构件位于相邻的有机层之间以与第一有机层和第二有机层二者的端部叠置。
25.根据权利要求24所述的方法,
其中,图案化还包括在光阻挡构件上方图案化凹进,使得支撑构件具有位于凹进中的第一部分和位于凹进外部的第二部分,
其中,除去支撑构件的部分还包括除去支撑构件的第一部分的部分以使支撑构件的剩余部分留在凹进中,
其中,支撑构件的剩余部分位于距电极的第一距离处,支撑构件的第二部分位于距电极的第二距离处,第二距离大于第一距离。
26.根据权利要求25所述的方法,其中,除去牺牲层还包括:除去牺牲层,以便形成具有至少部分地由支撑构件的剩余部分限定的开口的第一腔,以及以便形成具有至少部分地由支撑构件的第二部分限定的开口的第二腔,第一腔的开口和第二腔的开口均位于光阻挡构件上方。
27.根据权利要求24所述的方法,其中,在所述端部的至少一个端部处,光阻挡构件仅与相应的有机层的端部的一部分叠置。
28.根据权利要求27所述的方法,其中,在所述端部的至少一个端部处,与相应的有机层的端部的一部分叠置的光阻挡构件的宽度小于或等于腔的相应端部的宽度的大约80%。
29.根据权利要求24所述的方法,其中,在腔的相应端部处,光阻挡构件具有多个抬升。
30.根据权利要求29所述的方法,其中,两个抬升之间的差为大约0.5μm。
31.根据权利要求30所述的方法,其中,所述两个抬升中的一个具有距离与光阻挡构件相邻的有机层的上表面大约0.8μm的高度,所述两个抬升中的另一个具有距离有机层的上表面大约1.3μm的高度。
32.根据权利要求29所述的方法,其中,所述多个抬升包括第一抬升和第二抬升,
其中,第一抬升大于第二抬升,
其中,光阻挡构件的具有第一抬升的部分的宽度小于光阻挡构件的具有第二抬升的部分的宽度的大约80%。
33.一种显示面板,包括:
基底;
第一电极,设置在基底上;
黑色矩阵,形成在基底上;以及
支撑构件,在基底上设置在第一电极和黑色矩阵上方,支撑构件被成形为形成位于第一电极和支撑构件之间的腔,腔具有位于黑色矩阵上方的窄的部分,窄的部分的横截面积小于腔的剩余部分的横截面积。
34.根据权利要求33所述的显示面板,其中,支撑构件具有在腔的窄的部分处距离第一电极的第一高度和在腔的剩余部分处距离第一电极的第二高度,
其中,第一高度小于第二高度。
35.根据权利要求33所述的显示面板,其中,黑色矩阵是位于基底上和腔的一端下的第一黑色矩阵,第一黑色矩阵具有面对腔的上表面,
其中,显示面板还包括位于基底上和腔的另一端下的第二黑色矩阵,第二黑色矩阵具有面对腔的上表面,
其中,第一黑色矩阵的上表面在腔的所述一端具有第一高度,第二黑色矩阵的上表面在腔的所述另一端具有第二高度,第一高度大于第二高度。
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