CN105572934A - 液晶显示器及其制造方法 - Google Patents

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金相日
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Abstract

本发明涉及液晶显示器及其制造方法。提出一种弯曲的液晶显示器及其制造方法。该显示器包括：基板，具有中心部；薄膜晶体管，设置在基板上；像素电极，连接至薄膜晶体管；和顶层，设置为面向像素电极；和液晶层，设置在像素电极与顶层之间并且通过多个微腔形成，其中，微腔保持液晶材料，其中，微腔中的每一个中的最大单元间隙与最小单元间隙之间的差随着与基板的中心部的距离增加而增加。

Description

液晶显示器及其制造方法
技术领域
本发明涉及液晶显示器及其制造方法。
背景技术
液晶显示器是现今广泛使用的平板显示设备。通常，液晶显示器包括具有诸如像素电极和公共电极的场生成电极的两个显示面板以及插入两个显示面板间的液晶层。
液晶显示器通过将电压施加到场生成电极来在液晶层中生成电场以控制液晶层中的液晶分子的取向，从而并以希望的方式偏振入射光来显示图像。
已经开发了在像素中形成腔并且利用液晶填充腔以实现显示器的技术。与使用两片基板的传统的液晶显示器不同，该腔技术在一个基板上形成组成元件，从而减小设备的重量、厚度等。
该腔类型显示设备可以应用于具有曲率的弯曲的面板。当该面板被弯曲成具有预定曲率，在中心部和外围部产生光可视度差异。
在该背景技术部分中所公开的上述信息仅用于增强对本发明的背景技术的理解，从而其可能包括未构成在该国为本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本发明构思被做出以致力于提供具有从面板的中心部至外围部逐渐改变的单元间隙的优点的液晶显示器，及其制造方法。
示例性实施方式提供了一种液晶显示器，包括：基板，具有中心部；薄膜晶体管，设置在基板上；像素电极，连接至薄膜晶体管；以及顶层，设置为面向像素电极；以及液晶层，设置在像素电极与顶层之间并且通过多个微腔形成，其中，微腔保持液晶材料，其中，微腔中的每一个中的最大单元间隙与最小单元间隙之间的差随着与基板的中心部的距离增加而增加。
设置在一个微腔的上部的液晶材料的预倾角可以不同于设置在同一个微腔的下部的液晶材料的预倾角。
设置在微腔的上部与下部的液晶材料之间的预倾角差可以从中心部向外围部而增加。
顶层可以具有与微腔接合的弯曲的底面和平行于基板的平坦的顶面。
当基板弯曲时，顶层的底面可以平行于基板并且顶面可以具有曲率。
在外围部的微腔处，邻近基板的液晶材料可以大体上与基板垂直地排列并且邻近于顶层的液晶材料可以具有倾斜角。
当基板弯曲时，在设置在外围部处的微腔中，邻近顶层的液晶材料可以大体上垂直地排列并且邻近基板的液晶材料可以具有倾斜角度。
顶层的最大厚度与最小厚度之间的差随着与基板的中心部的距离增加而增加。
当基板弯曲时，顶层的厚度可以在整个基板上是不变的。
从中心部至外围部的前向可以大体上平行于基板的长边。
设置在基板的中心部中的微腔的单元间隙可以大体上是不变的。
在微腔处的邻近顶层的液晶材料的倾斜角可以随着与基板的中心部的距离增加而增加。
本发明的示例性实施方式提供液晶显示器的制造方法，包括：在基板上形成薄膜晶体管；形成连接至薄膜晶体管的像素电极；在像素电极上形成牺牲层图案；在牺牲层图案上形成顶层；通过去除牺牲层图案形成多个微腔；通过将液晶材料注入微腔形成液晶层；以及在顶层上形成覆盖层，其中，在牺牲层图案的形成中，多个牺牲层图案中的每一个的最大高度与最小高度之间的差随着与基板的中心部的距离增加而增加。
缝隙掩模可以用于形成牺牲层图案。
顶层可以具有与微腔接合的弯曲的底面和平行于基板的平坦的顶面。
制造方法可以进一步包括使基板弯曲，使得顶层的底面可以平行于基板同时顶面可以具有曲率。
顶层的最大厚度与最小厚度之间的差随着与基板的中心部的距离增加而增加。
制造方法可以进一步包括使基板弯曲使得顶层的厚度是不变的。
从中心部至外围部的前向可以平行于基板的长边。
基于基板的长边设置在基板的中心部处的微腔的单元间隙可以大体上是不变的。
根据本发明的示例性实施方式，通过在像素单元中设计不均匀的单元间隙使得不均匀的单元间隙的差逐渐改变，可以使根据面板的位置变化的延迟度降到最小，从而改善可视度。
附图说明
图1是示出根据本公开的示例性实施方式的液晶显示器的俯视平面图；
图2是沿着图1的线II-II截取的截面图；
图3是示意性地示出其中单元间隙被不变地形成在面板中的液晶显示器的截面图；
图4是示意性地示出了图3的液晶显示器是如何弯曲的截面图；
图5是示意性地示出了根据本公开的示例性实施方式的液晶显示器中的整个面板的液晶布置的截面图；
图6是示意性地示出了图5的液晶显示器是如何弯曲的截面图；
图7是示出根据本公开的示例性实施方式的液晶显示器的俯视平面图；
图8是沿着图7的线VIII-VIII截取的截面图；
图9是从面板的中心部沿着图7的线IX-IX截取的截面图；
图10是从面板的外围部沿着图7的线IX-IX截取的截面图；
图11、图12、图13、图14、图15、图16、图17、图18、图19、图20、图21、图22、图23、图24、图25、和图26是示出根据本公开的示例性实施方式的液晶显示器的制造方法的截面图；并且
图27是沿着图1的线II-II截取的截面图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细描述本发明构思的示例性实施方式。如本领域技术人员将认识到的，在完全不背离本发明构思的精神或范围的情况下，可以各种方式修改所描述的实施方式。提供在本文中介绍的示例性实施方式以使公开的内容全面并且完整，并且充分地向本领域技术人员传达本发明构思的精神。
在附图中，为了清晰起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。应该理解，当提及层在另一层或基板“上”时，其可以直接位于另一个层或基板上，或者也可以存在中间元件。纵观本说明书，相同的参考编号指定相同的元件。基板可以具有“中心部”，该“中心部”是接近其中心的区域。其中，基板将被弯曲以具有沿着第一方向的曲率，“中心部”包括在垂直于第一方向延伸的中心线处或在该中心线附近的区域(参见图1)。“外围部”旨在包括包含基板的边缘附近的区域的中心部外部的区域。
图1是示出根据本发明的示例性实施方式的液晶显示器的俯视平面图。图2是沿着图1的线II-II截取的截面图。
根据本示例性实施方式的液晶显示器包括显示区域DA和放置为包围显示区域DA的外围区域PA。
显示区域DA是输出实际图像的区域。外围区域PA具有栅极驱动器或者数据驱动器，或者包括栅极垫、数据垫的栅极垫部(未示出)、数据垫部(未示出)等(其为连接至外部电路的部分)。栅极垫是放置在栅极线的端部处的宽部，以及数据垫是放置在数据线的端部处的宽部。
多个微腔305形成在根据本示例性实施方式的液晶显示器的显示区域DA中。微腔305用作接收液晶材料的空间，从而形成液晶层。微腔305可以设置在薄膜晶体管阵列面板100上以对应于液晶层。微腔305被顶层360覆盖。薄膜晶体管阵列面板100包括用于驱动液晶显示器的薄膜晶体管、导线等。
如在图2中示出的，根据本示例性实施方式，设置在面板或者薄膜晶体管阵列面板100的外围部处的微腔305的最大单元间隙与最小单元间隙之间的差大于设置在其中心部的微腔305的最大单元间隙与最小单元间隙的差。具体地，设置在薄膜晶体管阵列面板100的中心部的两个相反的端部处的微腔305的单元间隙d1大体上是不变的。另一方面，设置在薄膜晶体管阵列面板100的外围部处的微腔305各自具有彼此不同的单元间隙d1和d2。微腔305的单元间隙的最大值与最小值之间的差从薄膜晶体管阵列面板100的中心部至外围部逐渐增加，使得存在在中心部与外围部之间的单元间隙的梯度Δd。因为设置在中心部处的微腔305的单元间隙的最大值和最小值大体上相同，所以单元间隙的最大值和最小值之间的差可以在0至第一单元间隙d1与第二单元间隙d2之间的差的范围内。
在本示例性实施方式中，薄膜晶体管阵列面板100的水平长度可以大于其垂直长度。从薄膜晶体管阵列面板100的中心部至外围部的前向可以定义为与其水平长边平行的第一方向D1，或者与第一方向D1相反的第二方向D2。在长边的方向上，设置在薄膜晶体管阵列面板100的中心部处的微腔305的单元间隙可以大体上相同。
图2的示例性实施方式可以修改为如在图27中示出的。
参考图27，微腔305的右单元间隙/左单元间隙的平均值从薄膜晶体管阵列面板100的中心部至外围部大体上是不变的，使得就亮度而言其是更有利的。在本示例性实施方式中，设置在薄膜晶体管阵列面板100的中心部处的微腔305的右单元间隙/左单元间隙的平均值大体上与设置在其外围部处的微腔305的右单元间隙/左单元间隙的平均值相同。
在下文中，将参考图3至图6通过使其与常规的情形进行比较来描述根据本发明的示例性实施方式的液晶显示器中的液晶材料的布置。
图3是示意性地示出了其中单元间隙是不变地形成在面板中的液晶显示器的截面图。图4是示意性地示出了图3的液晶显示器是如何弯曲的截面图。图5是示意性地示出了根据示例性实施方式的液晶显示器中的整个面板的液晶布置的截面图。图6是示意性地示出了图5的液晶显示器是如何弯曲的截面图。
为便于描述，与图2中的不同，图3至图6的截面图示出一个单独的微腔305而不是对应于液晶显示器的整个显示区的被隔开的微腔305。
参考图3，当设置在薄膜晶体管阵列面板100的中心部和外围部处的微腔305的单元间隙是不变的时，液晶材料310大体上垂直排列。
参考图4，当在图3中示出的液晶显示器被弯曲为具有预定曲率半径(例如，600R)时，观看者的视角(视点)与液晶材料的光轴在薄膜晶体管阵列面板100的中心部处彼此成直线，同时通过薄膜晶体管阵列面板100的外围部处的曲率在观看者的视角与液晶材料的光轴之间产生夹角。在图4中，视角与外围部处的液晶材料的光轴之间产生大约8度的夹角。在该情况下，虽然假设单元间隙未改变，但是在薄膜晶体管阵列面板100的中心部与外围部之间会产生光可视度差异。例如，当在没有施加电场的黑状态中施加曲率时，由于薄膜晶体管阵列面板100的外围部处的延迟效应，会产生漏光现象，尽管这种泄漏在中心部中不明显。
即使处于施加电场时的白状态中，该光可视度差异也会引起发光变化度的降低，从而与薄膜晶体管阵列面板100的中心部相比较，恶化了外围部的透射率。
然而，参考图2和图5，微腔305内的单元间隙的最大值与最小值之间的差Δd随着微腔305的位置从液晶显示器的中心部向外围部移动而逐渐增加。在本示例性实施方式中，覆盖微腔305的顶层360具有从薄膜晶体管阵列面板100的中心部至外围部逐渐增加的厚度。顶层360具有放置为面对微腔305的底面和放置为对应底面的顶面。在本示例性实施方式中，顶层360的底面可以具有曲率，并且顶层360的顶面可以与薄膜晶体管阵列面板100平行。因此，设置在微腔305的上部和其下部的液晶材料310的预倾角可以彼此不同。设置在微腔305的上部和其下部的液晶材料310之间的预倾角差可以从薄膜晶体管阵列面板100的中心部向外围部逐渐增加。在此，在设置在外围部的微腔305中，放置为邻近薄膜晶体管阵列面板100的液晶材料310可以是大体上垂直排列的，并且放置为邻近顶层360的液晶材料310可以具有倾斜角。
参考图6，当在图3中示出的液晶显示器被弯曲为具有预定曲率半径(例如，在本示例性实施方式中的600R)时，放置为邻近顶层360的液晶材料310可以是大体上垂直排列的，而放置为邻近薄膜晶体管阵列面板100的液晶材料310在设置为邻近薄膜晶体管阵列面板100的外围部的微腔305中可以具有倾斜角。
根据液晶连续理论，液晶材料310可以通过微腔305的上部和下部之间的倾斜角差来排列为具有从设置在外围部的微腔305的上部至下部逐渐增加的倾斜角。因此，因为设置在根据本示例性实施方式的液晶显示器的外围部的上部的液晶材料310垂直排列为大体上平行于视角，所以可以使薄膜晶体管阵列面板100的中心部与外围部之间的延迟变化的程度降到最小，从而改善可视度。
图7是示出根据本公开的示例性实施方式的液晶显示器的俯视平面图。图8是沿着图7的线VIII-VIII截取的截面图。图9是从面板的中心部沿着图7的线IX-IX截取的截面图。图10是从面板的外围部沿着图7的线IX-IX截取的截面图。图7示出分别设置为对应微腔305的多个像素的2×2像素部A，并且该像素可以重复地布置在根据本公开的示例性实施方式的液晶显示器中的上/下和右/左。
参考图7至图9，栅极线121和存储电极线131形成在由透明玻璃或塑料制成的基板110上。栅极线121包括栅电极124。存储电极线131主要在水平方向上延伸，并且传送诸如公共电压Vcom的预定电压。存储电极线131包括大体上垂直于栅极线121延伸的一对垂直存储电极部135a以及将一对垂直存储电极部135a的端部彼此连接的水平存储电极部135b。垂直存储电极部135a和水平存储电极部135b具有围绕像素电极191的结构。
栅极绝缘层140形成在栅极线121和存储电极线131上。设置在数据线171下方的半导体层151以及放置在源/漏电极下方并且对应于薄膜晶体管Q的沟道区域的半导体层154形成在栅极绝缘层140上。
多个欧姆接触可形成在半导体层151和数据线171之间、以及在源/漏电极下方并且对应于沟道区域的半导体层154与源/漏电极之间，并且在附图中省略。
包括源电极173、连接至源电极173的数据线171、以及漏电极175的数据导体171、173和175形成在半导体层151和154以及栅极绝缘层140上。
栅电极124、源电极173、以及漏电极175与半导体层154一起形成薄膜晶体管Q，并且薄膜晶体管Q的沟道形成在源电极173与漏电极175之间的半导体层的暴露部分中。
第一层间绝缘层180a形成在数据导体171、173和175以及暴露的半导体层154上。第一层间绝缘层180a可包括诸如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的无机绝缘体或者有机绝缘体。
滤色器230以及遮光构件220a和220b形成在第一层间绝缘层180a上。
首先，遮光构件220a和220b具有带有对应于用于显示图像的区域的开口的格子结构，并且由光不能穿过的材料形成。滤色器230形成在遮光构件220a和220b的各个开口处。遮光构件220a和220b包括沿平行于栅极线121的方向形成的水平遮光构件220a以及沿平行于数据线171的方向形成的垂直遮光构件220b。
滤色器230可以显示诸如红色、绿色以及蓝色的三原色中的一种。然而，并不限于诸如红色、绿色和蓝色的三原色，并且可显示青色、紫红色、黄色和白底色中的一种。滤色器230可由用于各个相邻像素显示不同颜色的材料形成。
覆盖滤色器230以及遮光构件220a和220b的第二层间绝缘层180b形成在滤色器230以及遮光构件220a和220b上。第二层间绝缘层180b可包括诸如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料、或有机绝缘材料。
在由于滤色器230和遮光构件220a和220b之间的厚度差产生台阶的情况下，第二层间绝缘层180b包括有机绝缘材料，使得可以降低或去除台阶。
滤色器230、遮光构件220a和220b、以及层间绝缘层180a和180b具有暴露漏电极175的接触孔185。
像素电极191设置在第二层间绝缘层180b上。像素电极191可由诸如ITO或IZO的透明导电材料形成。
像素电极191的整体形状为四边形，并且像素电极191包括由水平主干191a和与水平主干191a交叉的垂直主干191b配置的十字形主干。此外，像素电极191被水平主干191a和垂直主干191b分成四个子区域，并且每个子区域包括多个微分支191c。在本示例性实施方式中，像素电极191可进一步包括在像素电极191的右边缘和左边缘处连接微分支191c的外主干191d。在本示例性实施方式中，外主干191d放置在像素电极191的右边缘和左边缘，然而，其可被放置为延伸至像素电极191的上部或下部。
像素电极191的微分支191c与栅极线121或水平主干191a形成约40°至45°的角。此外，两个相邻子区域的微分支可彼此垂直。另外，每个微分支的宽度可逐渐地增加，或者微分支191c之间的距离可改变。
像素电极191包括延伸部197，该延伸部197连接至垂直主干191b的下端并且具有比垂直主干191b大的区域，并且通过在延伸部197处的接触孔185与漏电极175物理和电气连接，从而接收来自漏电极175的数据电压。
上述薄膜晶体管Q和像素电极191仅为示例，并且为了提高侧面可视度可修改薄膜晶体管的结构和像素电极的设计。
下取向层11形成在像素电极191上，并且可以是垂直取向层。作为由诸如聚酰胺酸、聚硅氧烷、聚酰亚胺等的材料制成的液晶取向层，下取向层11可包括至少一种通常使用的材料。
在面向下取向层11的部分处设置上取向层21，并且在下取向层11与上取向层21之间形成微腔305。包括液晶分子的液晶材料310被注入微腔305，并且微腔305具有入口区域307。微腔305可沿着像素电极191的列方向(即，垂直方向)形成。在本示例性实施方式中，形成取向层11和21的取向材料以及包括液晶分子的液晶材料310可使用毛细力注入到微腔305。在本示例性实施方式中，下取向层11和上取向层21仅根据位置区别，并且可以彼此连接，如在图4中示出的。下取向层11和上取向层21可以同时形成。
微腔305在垂直方向上被放置在与栅极线121重叠的部分上的多个液晶注入部307FP划分，从而形成多个微腔305，并且多个微腔305可以沿着像素电极191的列方向(即，垂直方向)形成。此外，微腔305在水平方向上被随后将描述的隔板PWP划分，从而形成多个微腔305，并且微腔305可以沿着像素电极191的行方向(即，栅极线121延伸的水平方向)形成。微腔305可分别对应于一个或多个像素区，并且像素区可对应于显示图像的区域。
公共电极270和下绝缘层350被放置在上取向层21上。公共电极270接收公共电压，并且与被施加数据电压的像素电极191一起产生电场，以确定放置在两个电极之间的微腔305处的液晶分子的液晶材料310倾斜的方向。公共电极270与像素电极191形成电容器以维持所接收的电压，甚至在薄膜晶体管断开后。下绝缘层350可以由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)形成。
在本示例性实施方式中，描述了公共电极270形成在微腔305上，但是在另一个示例性实施方式中，公共电极270形成在微腔305下方，使得根据共面电极(CE)模式的液晶驱动是可行的。
顶层360设置在下绝缘层350上。顶层360用作支撑以便形成作为像素电极191与公共电极270之间的空间的微腔305。顶层360可包括碳氧化硅(SiOC)、光致抗蚀剂、或者其它有机材料。在本示例性实施方式中，中心部的顶层360可以形成为在水平方向上具有基本上相同的厚度。
上绝缘层370设置在顶层360上。上绝缘层370可以接触顶层360的上表面。上绝缘层370可由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)形成。如图8中所示，上绝缘层370可以设置为覆盖顶层360的侧表面。
在本示例性实施方式中，覆盖层390还设置在液晶注入部307FP和通过液晶注入部307FP暴露的微腔305的入口区域307处。覆盖层390包括有机材料或无机材料。
如图9所示，在本示例性实施方式中，隔板PWP形成在水平相邻的微腔305之间。隔板PWP可沿着数据线171延伸，并且可由覆盖层390覆盖。下绝缘层350、公共电极270、上绝缘层370和顶层360被填充在隔板PWP中，并且该结构形成隔板墙来分隔或限定微腔305。在本示例性实施方式中，诸如隔板PWP的隔板结构设置在微腔305之间。因此，即使基板110是弯曲的，会产生较小的应力并且单元间隙变形的程度可以减小。
在图10中示出的外围部的结构与在图9中示出的中心部的结构大致相似，但是设置在外围部的微腔305的单元间隙d1和d2是不同的。在图10中示出的截面的左侧放置为与基板110的中心部更远。在与中心部距离越远的位置处，被设置为与设置在外围部的微腔305对应的顶层360的厚度增加。在该情况下，第一单元间隙d1可以与中心部的单元间隙d1相同，并且在具有第一单元间隙d1的最大值和第二单元间隙d2的最小值的微腔305的右侧相邻的微腔的单元间隙的最小值d3可以大于第二单元间隙d2。
接下来，将参考图11至图26描述上述液晶显示器的制造方法的示例性实施方式。作为制造方法的示例性实施方式，以下要描述的示例性实施方式可改变。
图11至图26是示出根据本发明的示例性实施方式的液晶显示器的制造方法的截面图。图11、图14、图17、图20、图21、和图24顺序地示出沿着图7的线VIII-VIII截取的截面图。图12、图15、图18、图22、和图25顺序地示出从面板的中心部沿着图7的线IX-IX截取的截面图。图13、图16、图19、图23、和图26顺序地示出从面板的外围部沿着图7的线IX-IX截取的截面图。
参考图7、图11和图12，为了在基板110上形成公知的开关元件，形成沿水平方向延伸的栅极线121和在栅极线121上的栅极绝缘层140，在栅极绝缘层140上形成半导体层151和154，并且形成源电极173和漏电极175。在该情况下，连接至源电极173的数据线171可形成为在垂直方向上延伸同时与栅极线121交叉。
在包括源电极173、漏电极175和数据线171的数据导体171、173和175以及半导体层154的暴露部分上形成第一层间绝缘层180a。
在第一层间绝缘层180a上的与像素区对应的位置处形成滤色器230，并且在滤色器230之间形成遮光构件220a和220b。当形成遮光构件220a和220b时，还可以形成与它们一起的设置在外围部的遮光层221。
形成第二层间绝缘层180b以覆盖滤色器230和遮光构件220a和220b，并且第二层间绝缘层180b形成为具有物理地以及电气地连接像素电极191和漏电极175的接触孔185。
此后，在第二层间绝缘层180b上形成像素电极191，并且在像素电极191上形成牺牲层300。如在图12中所示，开口部OPN沿平行于数据线171的方向形成在牺牲层300中。在随后的处理中，公共电极270、下绝缘层350、顶层360、和上绝缘层370被填充在开口部OPN中以形成隔板PWP。
参考图13，在设置在外围部的第一牺牲层图案300-1中，第一牺牲层图案300-1的两个端部的最大值d1与最小值d2之间的高度差在离面板的中心部更远的位置处增加。在图13中示出的截面的左侧与基板110的中心部比图13的右侧更远。牺牲层图案300(其共同指代300-1、300-2等)可以指示对应于每个微腔305的牺牲层图案300-1、300-2等。设置在外围部处的第一牺牲层图案300-1的厚度在远离中心部的位置处可减小。在图13的实施方式中，第一厚度d1可以与设置在中心部处的牺牲层图案300的厚度相同。在与具有第一厚度d1的最大值和第二厚度d2的最小值的第一牺牲层图案300-1向右侧相邻的牺牲层图案300-2的第三厚度d3的最小值可以大于第二厚度d2。可以采用缝隙掩模来形成牺牲层图案300。该缝隙掩模可以具有逐渐改变对应于与面板的中心部更远的每个微腔的部分处的光学透射比的结构。
参考图14和图16，在牺牲层300上顺序地形成公共电极270、下绝缘层350和顶层360。在图14和图16中，面板的中心部在描述的部分的右边。可在对应于水平遮光构件220a的区域中通过曝光和显影处理去除顶层360，该水平遮光构件220a设置在垂直方向上相邻的像素区之间。顶层360在对应于水平遮光构件220a的区域中暴露下绝缘层350。在该情况下，公共电极270、下绝缘层350和顶层360，如在图15和图16中所示，填充垂直遮光构件220b的开口部OPN，从而形成隔板PWP。如图16中所示，顶层360对应于设置在面板的外围部处的牺牲层图案300的部分的厚度可以随牺牲层图案300与面板的中心部的距离而增加。
参考图17至图19，上绝缘层370以覆盖顶层360和暴露的下绝缘层350的上部的方式形成。
参考图20，通过蚀刻上绝缘层370、下绝缘层350和公共电极270以部分地去除上绝缘层370、下绝缘层350以及公共电极270，并形成液晶注入部307FP。在该情况下，上绝缘层370具有覆盖顶层360的侧表面的结构；然而，这不是对本公开的限制，并且可以去除覆盖顶层360的侧表面的上绝缘层370以将滤色器230的侧表面暴露到外面。
参考图21至图23，通过氧气(O2)灰化处理或湿法蚀刻方法经由液晶注入部307FP去除牺牲层图案300。在该情况下，形成具有入口区域307的微腔305。微腔305是当牺牲层300被去除时形成的空的空间。
参考图24至图26，通过入口区域307注入取向材料以在像素电极191和公共电极270上形成取向层11和21。具体地，在通过入口区域307注入包括固体物和溶剂的取向材料后执行烘烤处理。
接着，使用喷墨方法等经由入口区域307将包括液晶分子的液晶材料310的液晶材料注入微腔305。
此后，在上绝缘层370上形成覆盖层390以覆盖入口区域307和液晶注入部307FP，以形成在图7至图10中示出的液晶显示器。
尽管已经结合目前被视为实际的示例性实施方式描述了本发明，然而，应当理解的是，本发明并不局限于所公开的实施方式，而是，相反，本发明旨在覆盖所附权利要求的精神和范围内包括的各种变形和等同布置。
<符号说明>
300牺牲层305微腔
307入口区域307FP液晶注入部
350下绝缘层360顶层
370上绝缘层390覆盖层

Claims (20)

1.一种液晶显示器，包括：
基板，具有中心部；
薄膜晶体管，设置在所述基板上；
像素电极，连接至所述薄膜晶体管；
顶层，设置成面向所述像素电极；以及
液晶层，设置在所述像素电极与所述顶层之间并且通过多个微腔形成，
其中，所述微腔保持液晶材料，
其中，所述微腔中的每一个中的最大单元间隙与最小单元间隙之间的差随着与所述基板的所述中心部的距离增加而增加。
2.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，设置在一个所述微腔中的上部的所述液晶材料的预倾角不同于设置在相同的一个微腔的下部的液晶材料的预倾角。
3.根据权利要求2所述的液晶显示器，其中，设置在所述微腔的所述上部与所述下部的所述液晶材料之间的预倾角差从所述中心部至外围部增加。
4.根据权利要求3所述的液晶显示器，其中，所述顶层具有与所述微腔接合的弯曲的底面和平行于所述基板的平坦的顶面。
5.根据权利要求4所述的液晶显示器，其中，当所述基板弯曲时，所述顶层的所述底面平行于所述基板并且所述顶面具有曲率。
6.根据权利要求4所述的液晶显示器，其中，在所述外围部中的一个所述微腔处，邻近于所述基板的所述液晶材料与所述基板垂直排列并且邻近于所述顶层的所述液晶材料具有倾斜角。
7.根据权利要求6所述的液晶显示器，其中，当所述基板弯曲时，在设置在所述外围部的所述微腔中，邻近于所述顶层的所述液晶材料垂直排列并且邻近于所述基板的所述液晶材料具有倾斜角。
8.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述顶层的最大厚度与最小厚度之间的差随着与所述基板的所述中心部的距离增加而增加。
9.根据权利要求8所述的液晶显示器，其中，当所述基板弯曲时，所述顶层的厚度在整个所述基板上是不变的。
10.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，从所述中心部至外围部的前向平行于所述基板的长边。
11.根据权利要求10所述的液晶显示器，其中，设置在所述基板的所述中心部中的所述微腔的单元间隙是不变的。
12.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，在所述微腔处的邻近于所述顶层的所述液晶材料的倾斜角随着与所述基板的所述中心部的距离增加而增加。
13.一种液晶显示器的制造方法，所述方法包括：
在基板上形成薄膜晶体管；
形成要连接至所述薄膜晶体管的像素电极；
在所述像素电极上形成牺牲层图案；
在所述牺牲层图案上形成顶层；
通过去除所述牺牲层图案形成多个微腔；
通过将液晶材料注入所述微腔形成液晶层；并且
在所述顶层上形成覆盖层，
其中，在所述牺牲层图案的所述形成中，多个牺牲层图案中的每一个的最大高度与最小高度之间的差随着与所述基板的中心部的距离增加而增加。
14.根据权利要求13所述的制造方法，进一步包括使用缝隙掩模形成所述牺牲层图案。
15.根据权利要求14所述的制造方法，其中，所述顶层具有与所述微腔接合的弯曲的底面和平行于所述基板的平坦的顶面。
16.根据权利要求15所述的制造方法，进一步包括弯曲所述基板使得
所述顶层的所述底面平行于所述基板并且所述顶面具有曲率。
17.根据权利要求13所述的制造方法，其中，所述顶层的最大厚度与最小厚度之间的差随着与所述基板的所述中心部的距离增加而增加。
18.根据权利要求17所述的制造方法，进一步包括
弯曲所述基板使得所述顶层的厚度是不变的。
19.根据权利要求13所述的制造方法，其中，从所述中心部至外围部的前向平行于所述基板的长边。
20.根据权利要求19所述的制造方法，其中，设置在所述基板的所述中心部处的所述微腔的单元间隙是不变的。
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