KR20160090452A - 곡면 표시 장치 - Google Patents

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김유진
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명은 표시 영역을 포함하는 기판, 상기 기판 위에 위치하는 복수의 박막 트랜지스터, 상기 복수의 박막 트랜지스터와 각각 연결된 복수의 화소 전극, 상기 복수의 화소 전극 위에 각각 위치하며 복수의 미세 공간을 채우고 있는 액정층, 상기 화소 전극과 마주하며 상기 미세 공간을 두고 이격된 공통 전극, 및 상기 공통 전극 위에 형성된 지붕층을 포함하고, 상기 복수의 미세 공간은 상기 기판에서 복수의 행과 복수의 열을 포함하는 매트릭스 형태로 형성되고, 상기 표시 영역은 테두리부 및 중심부를 포함하며, 상기 표시 영역의 테두리부에 형성된 상기 미세 공간의 높이가 상기 표시 영역의 중심부에 형성된 상기 미세 공간의 높이보다 낮게 형성된 곡면 표시 장치를 제공한다. 본 발명에 따른 곡면 표시 장치는 패널 가장자리부에 배치된 화소 영역의 면적 변경을 통해서 테두리부 빛샘 및 얼룩 현상을 개선할 수 있는 장점이 있다.

Description

곡면 표시 장치{CURVED DISPLAY DEVICE}
본 발명은 곡면 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 한 장의 기판으로 제조되는 곡면 표시 장치에 관한 것이다.
오늘날 널리 이용되는 컴퓨터 모니터, 텔레비전, 휴대폰 등에는 표시 장치가 필요하다. 표시 장치에는 음극선관 표시 장치, 액정 표시 장치, 플라즈마 표시 장치 등이 있다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 들어 있는 액정층으로 이루어지며, 전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성하고 이를 통하여 액정층의 액정 분자들의 배향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.
액정 표시 장치를 구성하는 두 장의 표시판은 박막 트랜지스터 표시판과 대향 표시판으로 이루어질 수 있다. 박막 트랜지스터 표시판에는 게이트 신호를 전송하는 게이트선과 데이터 신호를 전송하는 데이터선이 서로 교차하여 형성되고, 게이트선 및 데이터선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극 등이 형성될 수 있다. 대향 표시판에는 차광 부재, 색필터, 공통 전극 등이 형성될 수 있다. 경우에 따라 차광 부재, 색필터, 공통 전극이 박막 트랜지스터 표시판에 형성될 수도 있다.
그러나, 종래의 액정 표시 장치에서는 두 장의 기판이 필수적으로 사용되고, 두 장의 기판 위에 각각의 구성 요소들을 형성함으로써, 표시 장치가 무겁고, 두꺼우며, 비용이 많이 들고, 공정 시간이 오래 걸릴 뿐만 아니라 곡면으로 형성할 경우 두 장의 기판이 서로 미스 얼라인(mis-align)이 발생하는 등의 문제점이 있었다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 하나의 기판을 이용하여 표시 장치를 제조함으로써, 무게, 두께, 비용 및 공정 시간을 줄일 수 있고, 셀 갭(cell gap) 조정을 통해 표시 장치의 테두리부 빛샘 현상을 개선할 수 있는 곡면 표시 장치를 제공하고자 한다.
이러한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일실시예에 따르면, 표시 영역을 포함하는 기판, 상기 기판 위에 위치하는 복수의 박막 트랜지스터, 상기 복수의 박막 트랜지스터와 각각 연결된 복수의 화소 전극, 상기 복수의 화소 전극 위에 각각 위치하며 복수의 미세 공간을 채우고 있는 액정층, 상기 화소 전극과 마주하며 상기 미세 공간을 두고 이격된 공통 전극, 및 상기 공통 전극 위에 형성된 지붕층을 포함하고, 상기 복수의 미세 공간은 상기 기판에서 복수의 행과 복수의 열을 포함하는 매트릭스 형태로 형성되고, 상기 표시 영역은 테두리부 및 중심부를 포함하며, 상기 표시 영역의 테두리부에 형성된 상기 미세 공간의 높이가 상기 표시 영역의 중심부에 형성된 상기 미세 공간의 높이보다 낮게 형성된 곡면 표시 장치를 제공한다.
상기 테두리부에 형성된 상기 미세 공간에서 상기 중심부에 형성된 상기 미세 공간 방향으로 형성된 상기 복수의 미세 공간은 높이가 점차적으로 높아지도록 형성될 수 있다.
상기 복수의 미세 공간의 높이 차이는 상기 기판의 장변 또는 단변 방향으로 형성될 수 있다.
상기 표시 영역의 테두리부에 형성된 상기 미세 공간의 높이는 2.5~2.8㎛이고,
상기 표시 영역의 중심부에 형성된 상기 미세 공간의 높이는 3~5㎛일 수 있다.
상기 지붕층은 상기 미세 공간을 노출하면서 이격되어 형성된 주입구를 더 포함할 수 있다.
상기 미세 공간의 내부 표면에 형성된 배향막을 더 포함할 수 있다.
상기 주입구를 덮으며 상기 지붕층 상부 전면에 형성된 덮개막을 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 미세 공간의 높이 차이는 상기 기판의 장변 및 단변 방향으로 형성될 수 있다.
이와 같이 본 발명에 따르면, 하나의 기판을 이용하여 표시 장치를 제조함으로써, 무게, 두께, 비용 및 공정 시간을 줄일 수 있고, 셀 갭(cell gap) 조정을 통해 표시 장치의 테두리부 빛샘 현상을 개선할 수 있는 장점이 있다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명이 일 실시예에 의한 곡면 표시 장치를 개략적으로 나타낸 사시도 및 평면도이다.
도 2는 도 1의 II-II 선을 따라 자른 단면도이다.
도 3은 도 1의 II-II 선을 따라 자른 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 곡면 표시 장치의 일 화소 영역의 평면 배치도이다.
도 5는 도 4의 V-V 선을 따라 자른 단면도이다.
도 6은 도 4의 VI-VI 선을 따라 자른 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 의한 곡면 표시 장치의 휘도를 측정한 결과를 나타낸 그래프이다.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
먼저, 도 1 내지 도 3을 참고하여 본 발명의 일 실시예에 의한 곡면 표시 장치에 대해서 개략적으로 설명한다.
여기서, 곡면 표시 장치라 함은 표시 장치가 단변 및 장변 중 선택된 어느 일 이상의 방향으로 곡률을 가지고 휘어 있는 표시 장치를 의미한다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명이 일 실시예에 의한 곡면 표시 장치를 개략적으로 나타낸 사시도 및 평면도이고, 도 2는 도 1의 II-II 선을, 도 3은 도 1의 II-II 선을 따라 자른 단면도이다.
도 1a 및 도 1b를 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 곡면 표시 장치(50)는 유리 또는 플라스틱 등과 같은 재료로 만들어진 기판(110), 기판(110) 위에 형성되어 있는 지붕층(360)을 포함한다.
기판(110)은 복수의 화소(PX)를 포함한다. 복수의 화소(PX)는 복수의 화소 행과 복수의 화소 열을 포함하는 매트릭스 형태로 배치되어 있다. 각 화소(PX)는 제1 부화소(PXa) 및 제2 부화소(PXb)를 포함할 수 있다. 제1 부화소(PXa) 및 제2 부화소(PXb)는 상하로 배치될 수 있다.
제1 부화소(PXa)와 제2 부화소(PXb) 사이에는 화소 행 방향을 따라서 제1 골짜기(V1)가 위치하고 있고, 복수의 화소 열 사이에는 제2 골짜기(V2)가 위치하고 있다.
지붕층(360)은 화소 행 방향으로 형성되어 있다. 이 때, 제1 골짜기(V1)에서는 지붕층(360)이 제거되어 지붕층(360) 아래에 위치하는 구성 요소가 외부로 노출될 수 있도록 주입구(307)가 형성되어 있다.
각 지붕층(360)은 인접한 제2 골짜기(V2) 사이에서 기판(110)으로부터 떨어져 형성됨으로써, 미세 공간(305)이 형성된다. 또한, 각 지붕층(360)은 제2 골짜기(V2)에서는 기판(110)에 부착되도록 형성됨으로써, 미세 공간(305)의 양 측면을 덮도록 한다.
즉, 지붕층(360)은 제2 골짜기(V2)에서는 기판(110)에 부착되도록 형성되어, 미세 공간(305)의 양 측벽을 형성한다.
미세 공간(305) 내부에는 액정 물질을 포함하는 액정층(도시하지 않음)이 형성되어 있고, 액정층을 포함하는 미세 공간(305)은 복수의 화소(PX)와 같이 기판(110) 상에서 복수의 행과 복수의 열을 포함하는 매트릭스 형태로 배치되어 있다.
다음으로, 도 2 및 도 3을 참고하면, 도 2는 표시 장치의 단변 방향을 잘랐을 때의 셀 갭을 도시한 개략적인 단면도이고, 도 3은 표시 장치의 장변 방향을 잘랐을 때의 셀 갭을 도시한 개략적인 단면도이다.
본 발명의 일 실시예에 의한 곡면 표시 장치의 기판(110)은 영상을 표시하는 표시 영역을 포함하며, 이하에서 설명하는 기판(110)의 테두리부와 중심부는 표시 영역에 포함되는 일 영역을 의미한다.
본 발명의 일 실시예에 의한 곡면 표시 장치의 미세 공간(305)의 높이, 즉 셀 갭(cell gap)(h1, h2)은 기판(110)의 가장 자리에 위치한 테두리부에서 기판(110)의 중심에 위치한 중심부로 갈수록 점차적으로 높아지도록 형성될 수 있다. 액정층이 형성된 미세 공간(305)의 높이는 셀 갭(cell gap)이 될 수 있고, 기판(110) 테두리부에서 중심부로 갈수록 셀 갭(cell gap)(h1, h2)이 점차적으로 커지도록 형성될 수 있다.
여기서, 기판(110)의 테두리부는 기판(110)의 가장자리 4변의 일정 부분을 의미하고, 중심부는 기판(110)을 가로지르는 두 대각선이 만나는 지점을 의미한다.
기판(110)의 장변 또는 단변 중 어느 일 방향에서 기판(110)의 테두리부에서 중심부로 갈수록 셀 갭(h1, h2)이 점차적으로 커지도록 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 기판(110)의 장변 및 단변 모든 방향에서 기판(110)의 테두리부에서 중심부로 갈수록 셀 갭(h1, h2)이 점차적으로 높아지도록 형성될 수 있다.
즉, 곡면 표시 장치가 장변 방향으로 곡률을 가질 경우에는 미세 공간(305)의 셀 갭(h1, h2)이 장변 방향에서만 점차적으로 변화되도록 형성될 수 있고, 단변 방향으로 곡률을 가질 경우에는 미세 공간(305)의 셀 갭(h1, h2)이 단변 방향에서만 점차적으로 변화되도록 형성될 수 있으며, 장변 및 단변 모든 방향으로 곡률을 가질 경우에는 미세 공간(305)의 셀 갭(h1, h2)이 단면 및 장변 모든 방향에서 점차적으로 변화되도록 형성될 수 있다.
다르게 표현하면, 장변 방향으로 곡률을 가질 경우에는 동일한 열에 위치한 미세 공간(305)의 셀 갭이 동일할 수 있고, 단변 방향으로 곡률을 가질 경우에는 동일한 행에 위치한 미세 공간(305)의 셀 갭이 동일할 수 있다.
기판(110)의 중심부에 배치된 미세 공간(305)의 셀 갭(이하, 중심 셀 갭이라 칭함)(h1)은 3㎛~5㎛일 수 있으며, 기판(110)의 테두리부에 배치된 미세 공간(305)의 셀 갭(이하, 테두리 셀 갭이라 칭함)(h2)은 2.5~2.8㎛일 수 있다.
일반적으로 평판으로 제조된 표시 장치를 곡면 표시 장치로 제조하기 위해 기판(110)을 구부릴 경우 기판(110)은 응력으로 인한 스트레스(stress)가 발생한다. 기판(110)에 발생한 스트레스로 인해 기판(110) 내부에는 위상지연(retardation, Δnd)이 발생하고 백라이트(backlight)로부터 발산되어 나오는 빛의 복굴절 현상이 발생할 수 있다.
특히, 기판(110)의 테두리부 위상지연 값이 기판(110)의 중심부의 위상지연 값보다 크게 나타나며, 이로 인해 기판(110) 테두리부에서 빛의 복굴절이 많이 발생하고, 복굴절된 빛은 곡면 표시 장치의 테두리부 빛샘 현상으로 나타날 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 곡면 표시 장치에서는 기판(110) 테두리 셀 갭(h2)을 기판(110) 중심 셀 갭(h1)보다 작게 형성하는 방법으로, 기판(110) 테두리부의 위상지연 값을 인위적으로 감소시켜 빛의 복굴절 현상을 완화시킬 수 있으며, 곡면 표시 장치의 테두리부에서 발생할 수 있는 빛샘 현상을 개선할 수 있다.
또한, 테두리부 미세 공간(305)에서부터 중심부 미세 공간(305)으로 갈수록 점차적으로 미세 공간(305)의 셀 갭이 높아지도록 형성함으로써, 이웃한 미세 공간(305)끼리의 급격한 셀 갭 차이로 인해 잠재적으로 발생 가능한 표시 품질 불량 가능성을 예방할 수 있다.
테두리 셀 갭(h2)이 2.5㎛ 미만일 경우에는 테두리부와 중심부의 휘도 차이가 크게 발생할 수 있고, 2.8㎛ 초과인 경우에는 테두리 셀 갭(h1) 및 중심 셀 갭(h2)의 차이가 거의 없기 때문에, 중심 셀 갭(h1)은 3㎛~5㎛일 수 있으며, 테두리 셀 갭(h2)은 2.5~2.8㎛ 인 것이 바람직하다.
앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 구조는 예시에 불과하며, 다양한 변형이 가능하다. 예를 들면, 화소(PX), 제1 골짜기(V1), 및 제2 골짜기(V2)의 배치 형태의 변경이 가능하고, 복수의 지붕층(360)은 제1 골짜기(V1)에서 서로 연결될 수도 있으며, 각 지붕층(360)의 일부는 제2 골짜기(V2)에서 기판(110)으로부터 떨어져 형성됨으로써 인접한 미세 공간(305)이 서로 연결될 수도 있다.
이하에서는 도 4 내지 도 6을 참고하여 본 발명의 일 실시예에 의한 곡면 표시 장치의 화소에 대해서 상세하게 설명한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 곡면 표시 장치의 일 화소 영역의 평면 배치도이고, 도 5는 도 4의 V-V 선을, 도 6은 도 4의 VI-VI 선을 따라 자른 단면도이다.
도 4 내지 도 6을 참고하면, 기판(110) 위에 복수의 게이트선(121), 복수의 감압 게이트선(123) 및 복수의 유지 전극선(131)을 포함하는 복수의 게이트 도전체가 위치한다.
게이트선(121) 및 감압 게이트선(123)은 주로 가로 방향으로 뻗어 있으며 게이트 신호를 전달한다. 게이트 도전체는 게이트선(121)으로부터 위아래로 돌출한 제1 게이트 전극(124h) 및 제2 게이트 전극(124l)을 더 포함하고, 감압 게이트선(123)으로부터 위로 돌출한 제3 게이트 전극(124c)을 더 포함한다. 제1 게이트 전극(124h) 및 제2 게이트 전극(124l)은 서로 연결되어 하나의 돌출부를 이룬다. 이때, 제1, 제2, 및 제3 게이트 전극(124h, 124l, 124c)의 돌출 형태는 변경이 가능하다.
유지 전극선(131)도 주로 가로 방향으로 뻗어 있으며 공통 전압(Vcom) 등의 정해진 전압을 전달한다. 유지 전극선(131)은 위 아래로 돌출한 유지 전극(129), 게이트선(121)과 실질적으로 수직하게 아래로 뻗은 한 쌍의 세로부(134) 및 한 쌍의 세로부(134)의 끝을 서로 연결하는 가로부(127)를 포함한다. 가로부(127)는 아래로 확장된 용량 전극(137)을 포함한다.
게이트 도전체(121, 123, 124h, 124l, 124c, 131) 위에는 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 위치한다. 게이트 절연막(140)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등과 같은 무기 절연 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 게이트 절연막(140)은 단일막 또는 다중막으로 이루어질 수 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 제1 반도체층(154h), 제2 반도체층(154l), 및 제3 반도체층(154c)가 위치한다. 제1 반도체층(154h)는 제1 게이트 전극(124h) 위에 위치할 수 있고, 제2 반도체층(154l)는 제2 게이트 전극(124l) 위에 위치할 수 있으며, 제3 반도체층(154c)는 제3 게이트 전극(124c) 위에 위치할 수 있다. 제1 반도체층(154h)와 제2 반도체층(154l)는 서로 연결될 수 있고, 제2 반도체층(154l)와 제3 반도체층(154c)도 서로 연결될 수 있다. 또한, 제1 반도체층(154h)는 데이터선(171)의 아래까지 연장되어 형성될 수도 있다. 제1 내지 제3 반도체층(154h, 154l, 154c)는 비정질 실리콘(amorphous silicon), 다결정 실리콘(polycrystalline silicon), 금속 산화물(metal oxide) 등으로 이루어질 수 있다.
제1 내지 제3 반도체층(154h, 154l, 154c) 위에는 각각 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(도시하지 않음)가 더 위치할 수 있다. 저항성 접촉 부재는 실리사이드(silicide) 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어질 수 있다.
제1 내지 제3 반도체층(154h, 154l, 154c) 위에는 데이터선(data line)(171), 제1 소스 전극(173h), 제2 소스 전극(173l), 제3 소스 전극(173c), 제1 드레인 전극(175h), 제2 드레인 전극(175l), 및 제3 드레인 전극(175c)을 포함하는 데이터 도전체가 위치한다.
데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121) 및 감압 게이트선(123)과 교차한다. 각 데이터선(171)은 제1 게이트 전극(124h) 및 제2 게이트 전극(124l)을 향하여 뻗으며 서로 연결되어 있는 제1 소스 전극(173h) 및 제2 소스 전극(173l)을 포함한다.
제1 드레인 전극(175h), 제2 드레인 전극(175l) 및 제3 드레인 전극(175c)은 넓은 한 쪽 끝 부분과 막대형인 다른 쪽 끝 부분을 포함한다. 제1 드레인 전극(175h) 및 제2 드레인 전극(175l)의 막대형 끝 부분은 제1 소스 전극(173h) 및 제2 소스 전극(173l)으로 일부 둘러싸여 있다. 제2 드레인 전극(175l)의 넓은 한 쪽 끝 부분은 다시 연장되어 'U'자 형태로 굽은 제3 소스 전극(173c)을 이룬다. 제3 드레인 전극(175c)의 넓은 끝 부분(177c)은 용량 전극(137)과 중첩하여 감압 축전기(Cstd)를 이루며, 막대형 끝 부분은 제3 소스 전극(173c)으로 일부 둘러싸여 있다.
제1 게이트 전극(124h), 제1 소스 전극(173h), 및 제1 드레인 전극(175h)은 제1 반도체층(154h)과 함께 제1 박막 트랜지스터(Qh)를 형성하고, 제2 게이트 전극(124l), 제2 소스 전극(173l), 및 제2 드레인 전극(175l)은 제2 반도체층(154l)과 함께 제2 박막 트랜지스터(Ql)를 형성하며, 제3 게이트 전극(124c), 제3 소스 전극(173c), 및 제3 드레인 전극(175c)은 제3 반도체층(154c)과 함께 제3 박막 트랜지스터(Qc)를 형성한다.
제1 반도체층(154h), 제2 반도체층(154l), 및 제3 반도체층(154c)은 서로 연결되어 선형으로 이루어질 수 있으며, 소스 전극(173h, 173l, 173c)과 드레인 전극(175h, 175l, 175c) 사이의 채널 영역을 제외하고는 데이터 도전체(171, 173h, 173l, 173c, 175h, 175l, 175c) 및 그 하부의 저항성 접촉 부재와 실질적으로 동일한 평면 모양을 가질 수 있다.
제1 반도체층(154h)에는 제1 소스 전극(173h)과 제1 드레인 전극(175h) 사이에서 제1 소스 전극(173h) 및 제1 드레인 전극(175h)에 의해 가리지 않고 노출된 부분이 있고, 제2 반도체층(154l)에는 제2 소스 전극(173l)과 제2 드레인 전극(175l) 사이에서 제2 소스 전극(173l) 및 제2 드레인 전극(175l)에 의해 가리지 않고 노출된 부분이 있으며, 제3 반도체층(154c)에는 제3 소스 전극(173c)과 제3 드레인 전극(175c) 사이에서 제3 소스 전극(173c) 및 제3 드레인 전극(175c)에 의해 가리지 않고 노출된 부분이 있다.
데이터 도전체(171, 173h, 173l, 173c, 175h, 175l, 175c) 및 각 소스 전극(173h/173l/173c)과 각 드레인 전극(175h/175l/175c) 사이로 노출되어 있는 반도체층(154h, 154l, 154c) 위에 보호층(180)이 위치한다. 보호층(180)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질로 이루어질 수 있으며, 단일막 또는 다중막으로 형성될 수 있다.
다음, 색필터(230) 및 차광 부재(220)가 보호층(180) 위에 위치한다. 각 색필터(230)는 적색, 녹색 및 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 하나를 표시할 수 있다. 색필터(230)는 적색, 녹색, 및 청색의 삼원색에 한정되지 아니하고, 청록색(cyan), 자홍색(magenta), 옐로(yellow), 화이트 계열의 색 등을 표시할 수도 있다.
박막 트랜지스터가 위치하는 영역에 차광 부재(220)가 위치한다. 차광 부재(220)는 화소 영역(PX)의 경계부와 박막 트랜지스터 위에 위치하며 빛샘을 방지할 수 있다. 색필터(230)는 각 제1 부화소 영역(PXa)과 제2 부화소 영역(PXb)에 각각 위치하고, 제1 부화소 영역(PXa)과 제2 부화소 영역(PXb) 사이에는 차광 부재(220)가 위치할 수 있다.
차광 부재(220)는 게이트선(121) 및 감압 게이트선(123)의 연장 방향에 따라 뻗으면서 위아래로 확장되어 있다. 차광 부재(220)는 제1 박막 트랜지스터(Qh), 제2 박막 트랜지스터(Ql) 및 제3 박막 트랜지스터(Qc) 등이 위치하는 영역을 덮거나 데이터선(171)을 따라 뻗어 있을 수 있다. 즉, 차광 부재(220)는 제1 골짜기(V1) 및 제2 골짜기(V2)에 위치할 수 있다. 색 필터(230)와 차광 부재(220)는 일부 영역에서 서로 중첩될 수도 있다.
보호층(180), 색필터(230) 및 차광 부재(220)에는 제1 드레인 전극(175h)의 넓은 끝 부분과 제2 드레인 전극(175l)의 넓은 끝 부분을 각각 드러내는 복수의 제1 접촉 구멍(185h) 및 복수의 제2 접촉 구멍(185l)이 형성되어 있다.
색 필터(230) 및 차광 부재(220) 위에는 제1 절연층(240)이 위치하고, 제1 절연층(240) 위에 화소 전극(191)이 위치한다. 화소 전극(191)은 인듐-주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 인듐-아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명한 금속 물질로 이루어질 수 있다.
화소 전극(191)은 게이트선(121) 및 감압 게이트선(123)을 사이에 두고 서로 분리되어, 게이트선(121) 및 감압 게이트선(123)을 중심으로 화소 영역(PX)의 위와 아래에 배치되어 데이터선 연장 방향으로 이웃하는 제1 부화소 전극(191h)과 제2 부화소 전극(191l)을 포함한다. 즉, 제1 부화소 전극(191h)과 제2 부화소 전극(191l)은 제1 골짜기(V1)를 사이에 두고 분리되어 있으며, 제1 부화소 전극(191h)은 제1 부화소 영역(PXa)에 위치하고, 제2 부화소 전극(191l)은 제2 부화소 영역(PXb)에 위치한다.
제1 부화소 전극(191h) 및 제2 부화소 전극(191l)은 제1 접촉 구멍(185h) 및 제2 접촉 구멍(185l)을 통하여 각기 제1 드레인 전극(175h) 및 제2 드레인 전극(175l)과 연결되어 있다. 따라서, 제1 박막 트랜지스터(Qh) 및 제2 박막 트랜지스터(Ql)가 온 상태일 때 제1 드레인 전극(175h) 및 제2 드레인 전극(175l)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다.
제1 부화소 전극(191h) 및 제2 부화소 전극(191l) 각각의 전체적인 모양은 사각형이며 제1 부화소 전극(191h) 및 제2 부화소 전극(191l) 각각은 가로 줄기부(193h, 193l), 가로 줄기부(193h, 193l)와 교차하는 세로 줄기부(192h, 192l)로 이루어진 십자형 줄기부를 포함한다. 또한, 제1 부화소 전극(191h) 및 제2 부화소 전극(191l)은 각각 복수의 미세 가지부(194h, 194l), 부화소 전극(191h, 191l)의 가장자리 변에서 아래 또는 위로 돌출된 돌출부(197h, 197l)를 포함한다.
화소 전극(191)은 가로 줄기부(193h, 193l)와 세로 줄기부(192h, 192l)에 의해 4개의 부영역으로 나뉘어진다. 미세 가지부(194h, 194l)는 가로 줄기부(193h, 193l) 및 세로 줄기부(192h, 192l)로부터 비스듬하게 뻗어 있으며 그 뻗는 방향은 게이트선(121) 또는 가로 줄기부(193h, 193l)와 대략 45도 또는 135도의 각을 이룰 수 있다. 또한 이웃하는 두 부영역의 미세 가지부(194h, 194l)가 뻗어 있는 방향은 서로 직교할 수 있다.
본 실시예에서 제1 부화소 전극(191h)은 외곽을 둘러싸는 외곽 줄기부를 더 포함하고, 제2 부화소 전극(191l)은 상단 및 하단에 위치하는 가로부 및 제1 부화소 전극(191h)의 좌우에 위치하는 좌우 세로부(198)를 더 포함한다. 좌우 세로부(198)는 데이터선(171)과 제1 부화소 전극(191h) 사이의 용량성 결합, 즉 커플링을 방지할 수 있다.
상기에서 설명한 화소 영역의 배치 형태, 박막 트랜지스터의 구조 및 화소 전극의 형상은 하나의 예에 불과하며, 본 발명은 이에 한정되지 아니하고 다양한 변형이 가능하다.
화소 전극(191) 위에는 제2 절연층(250)이 위치하며, 화소 전극(191)으로부터 일정한 거리를 가지고 이격되도록 공통 전극(270)이 위치한다. 화소 전극(191)과 공통 전극(270) 사이에는 미세 공간(microcavity, 305)이 형성되어 있다. 즉, 미세 공간(305)은 화소 전극(191) 및 공통 전극(270)에 의해 둘러싸여 있으며 일 화소마다 구분된다. 미세 공간(305)의 폭과 넓이는 표시 장치의 크기 및 해상도에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 곡면 표시 장치의 미세 공간(305)의 높이, 즉 셀 갭(cell gap)(h1, h2)은 기판(110)의 가장 자리에 위치한 테두리부에서 기판(110)의 중심에 위치한 중심부로 갈수록 점차적으로 높이가 높아지도록 형성될 수 있다. 액정층이 형성된 미세 공간(305)의 높이는 셀 갭(cell gap)이 될 수 있고, 기판(110) 테두리부에서 중심부로 갈수록 셀 갭(cell gap)(h1, h2)이 점차적으로 커지도록 형성될 수 있다.
여기서, 기판(110)의 테두리부는 기판(110)의 가장자리 4변의 일정 부분을 의미하고, 중심부는 기판(110)을 가로지르는 두 대각선이 만나는 지점을 의미한다.
기판(110)의 장변 또는 단변 중 어느 일 방향에서 기판(110)의 테두리 셀 갭(h1)에서 중심 셀 갭(h2) 사이에 배치된 미세 공간(305)의 셀 갭이 점차적으로 커지도록 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 기판(110)의 장변 및 단변 모든 방향에서 기판(110)의 테두리부에서 중심부로 갈수록 셀 갭(h1, h2)이 점차적으로 높아지도록 형성될 수 있다.
즉, 곡면 표시 장치가 장변 방향으로 곡률을 가질 경우에는 미세 공간(305)의 셀 갭(h1, h2)이 장변 방향에서만 점차적으로 변화되도록 형성될 수 있고, 단변 방향으로 곡률을 가질 경우에는 미세 공간(305)의 셀 갭(h1, h2)이 단변 방향에서만 점차적으로 변화되도록 형성될 수 있으며, 장변 및 단변 모든 방향으로 곡률을 가질 경우에는 미세 공간(305)의 셀 갭(h1, h2)이 단면 및 장변 모든 방향에서 점차적으로 변화되도록 형성될 수 있다.
기판(110)의 중심 셀 갭(h1)은 3㎛~5㎛일 수 있으며, 기판(110)의 셀 갭(h2)은 2.5~2.8㎛일 수 있다.
공통 전극(270)은 인듐-주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 인듐-아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명한 금속 물질로 이루어질 수 있다. 공통 전극(270)에는 일정한 전압이 인가될 수 있고, 화소 전극(191)과 공통 전극(270) 사이에 전계가 형성될 수 있다.
제2 절연층(250) 위에는 제1 배향막(11)이 형성되어 있다. 제1 배향막(11)과 마주보도록 공통 전극(270) 아래에는 제2 배향막(21)이 형성되어 있다.
제1 배향막(11)과 제2 배향막(21)은 수직 배향막으로 이루어질 수 있고, 폴리 아믹산(Polyamic acid), 폴리 실록산(Polysiloxane), 폴리 이미드(Polyimide) 등의 배향 물질로 이루어질 수 있다. 제1 및 제2 배향막(11, 21)은 화소 영역(PX)의 가장자리에서 서로 연결될 수 있다.
화소 전극(191)과 공통 전극(270) 사이에 위치한 미세 공간(305) 내에는 액정 분자(310)들로 이루어진 액정층이 형성되어 있다. 액정 분자(310)들은 음의 유전율 이방성을 가지며, 전계가 인가되지 않은 상태에서 기판(110)에 수직한 방향으로 서 있을 수 있다. 즉, 수직 배향이 이루어질 수 있다.
데이터 전압이 인가된 제1 부화소 전극(191h) 및 제2 부화소 전극(191l)은 공통 전극(270)과 함께 전기장을 생성함으로써 두 전극(191, 270) 사이의 미세 공간(305) 내에 위치한 액정 분자(310)의 방향을 결정한다. 이와 같이 결정된 액정 분자(310)의 방향에 따라 액정층을 통과하는 빛의 휘도가 달라진다.
공통 전극(270) 위에는 제3 절연층(340)이 더 위치한다. 제3 절연층(340)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화산화물(SiOxNy) 등과 같은 무기 절연 물질로 이루어질 수 있으며, 필요에 따라 생략될 수도 있다.
제3 절연층(340) 위에 지붕층(360)이 위치하며, 지붕층(360)은 유기 물질로 이루어질 수 있다. 지붕층(360)의 아래에는 미세 공간(305)이 형성되어 있고, 색 필터(230)는 경화 공정에 의해 단단해져 미세 공간(305)의 형상을 유지할 수 있다. 즉, 지붕층(360)은 화소 전극(191)과 미세 공간(305)을 사이에 두고 이격되도록 형성되어 있다.
지붕층(360)은 일 화소 영역에서 데이터선의 연장 방향을 따라 각 화소 영역(PX) 및 제2 골짜기(V2)에 형성되며, 제1 골짜기(V1)에는 형성되지 않는다. 즉, 지붕층(360)은 제1 부화소 영역(PXa)과 제2 부화소 영역(PXb) 사이에는 형성되지 않는다. 각 제1 부화소 영역(PXa)과 제2 부화소 영역(PXb)에서는 각 지붕층(360)의 아래에 미세 공간(305)이 형성되어 있다. 제2 골짜기(V2)에서는 지붕층(360)의 아래에 미세 공간(305)이 형성되지 않으며, 기판(110)에 부착되도록 형성되어 있다. 따라서, 제2 골짜기(V2)에 위치하는 지붕층(360)의 두께가 각 제1 부화소 영역(PXa) 및 제2 부화소 영역(PXb)에 위치하는 지붕층(360)의 두께보다 두껍게 형성될 수 있다. 미세 공간(305)의 상부면 및 양측면은 지붕층(360)에 의해 덮여 있는 형태로 이루어지게 된다.
공통 전극(270), 제3 절연층(340) 및 지붕층(360)에는 미세 공간(305)의 일부를 노출시키는 주입구(307)가 형성되어 있다. 주입구(307)는 제1 부화소 영역(PXa)과 제2 부화소 영역(PXb)의 가장자리에 서로 마주보도록 형성될 수 있다. 즉, 주입구(307)는 제1 부화소 영역(PXa)의 하측 변, 제2 부화소 영역(PXb)의 상측 변에 대응하여 미세 공간(305)의 측면을 노출시키도록 형성될 수 있다. 주입구(307)에 의해 미세 공간(305)이 노출되어 있으므로, 주입구(307)를 통해 미세 공간(305) 내부로 배향액 또는 액정 물질 등을 주입할 수 있다.
지붕층(360) 전면 및 주입구(307) 위에는 덮개막(390)이 위치한다. 덮개막(390)은 미세 공간(305)의 일부를 외부로 노출시키는 주입구(307)를 덮는다. 덮개막(390)은 미세 공간(305)의 내부에 위치하는 액정 분자(310)가 외부로 나오지 않도록 미세 공간(305)을 밀봉한다. 덮개막(390)은 액정 분자(310)과 접촉하게 되므로, 액정 분자(310)과 반응하지 않는 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.
도시는 생략하였으나, 표시 장치의 상하부 면에는 편광판이 더 형성될 수 있다. 편광판은 제1 편광판 및 제2 편광판으로 이루어질 수 있다. 제1 편광판은 기판(110)의 하부 면에 부착되고, 제2 편광판은 평탄막(530) 위에 부착될 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 평탄막(530)에 의해 평평한 표면을 제공할 수 있는바, 편광판이 표시 패널에 안정적으로 부착될 수 있다.
그러면, 도 7을 참고하여 본 발명의 일 실시예에 의한 곡면 표시 장치의 셀 갭(h1, h2) 별 휘도에 관한 실험 결과에 대해 설명한다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 의한 곡면 표시 장치의 휘도를 측정한 결과를 나타낸 그래프이다.
도 7의 가로축은 전압을 나타내고, 세로축은 휘도를 나타낸다.
도 7에 도시된 바와 같이, 셀 갭이 작게 형성될 경우, 셀 갭이 상대적으로 큰 경우에 비해 동일한 전압에서의 휘도가 낮게 측정되는 것을 확인할 수 있었다.
곡면 표시 장치를 형성할 경우, 기판(110)에서 테두리 셀 갭(h2)이 작게 형성되어 테두리 부분의 낮은 휘도는, 기판(110)의 테두리부에 복굴절되어 새어나오는 빛이 보상해주어 결론적으로 중심부와 휘도는 유사하게 형성될 수 있다. 또한, 테두리 셀 갭(h2)을 작게 형성하여 테두리부 휘도를 낮춰줌으로써 테두리부의 빛샘 현상도 개선할 수 있다.
이상과 같이 본 발명의 일실시예에 따르면, 하나의 기판을 이용하여 표시 장치를 제조함으로써, 무게, 두께, 비용 및 공정 시간을 줄일 수 있고, 셀 갭(cell gap) 조정을 통해 표시 장치의 테두리부 빛샘 현상을 개선할 수 있는 장점이 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
11: 제1 배향막 21: 제2 배향막
110: 기판 121: 게이트선
124h: 제1 게이트 전극 124l: 제2 게이트 전극
124c: 제3 게이트 전극 131: 유지 전극선
140: 게이트 절연막 171: 데이터선
191: 화소 전극 191h: 제1 부화소 전극
191l: 제2 부화소 전극 220: 차광 부재
230: 색필터 240: 제1 절연층
270: 공통 전극 300: 희생층
305: 공간 307: 주입구
310: 액정 분자 350: 제2 절연층
370: 제3 절연층 390: 덮개막

Claims (12)

  1. 표시 영역을 포함하는 기판,
    상기 기판 위에 위치하는 복수의 박막 트랜지스터,
    상기 복수의 박막 트랜지스터와 각각 연결된 복수의 화소 전극,
    상기 복수의 화소 전극 위에 각각 위치하며 복수의 미세 공간을 채우고 있는 액정층,
    상기 화소 전극과 마주하며 상기 미세 공간을 두고 이격된 공통 전극, 및
    상기 공통 전극 위에 형성된 지붕층을 포함하고,
    상기 복수의 미세 공간은 상기 기판에서 복수의 행과 복수의 열을 포함하는 매트릭스 형태로 형성되고,
    상기 표시 영역은 테두리부 및 중심부를 포함하며,
    상기 표시 영역의 테두리부에 형성된 상기 미세 공간의 높이가 상기 표시 영역의 중심부에 형성된 상기 미세 공간의 높이보다 낮게 형성된 곡면 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 테두리부에 형성된 상기 미세 공간에서 상기 중심부에 형성된 상기 미세 공간 방향으로 형성된 상기 복수의 미세 공간은 높이가 점차적으로 높아지도록 형성된 곡면 표시 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 복수의 미세 공간의 높이 차이는 상기 기판의 장변 또는 단변 방향으로 형성된 곡면 표시 장치.
  4. 제3항에서,
    상기 표시 영역의 테두리부에 형성된 상기 미세 공간의 높이는 2.5~2.8㎛이고,
    상기 표시 영역의 중심부에 형성된 상기 미세 공간의 높이는 3~5㎛인 곡면 표시 장치.
  5. 제3항에서,
    상기 지붕층은 상기 미세 공간을 노출하면서 이격되어 형성된 주입구를 더 포함하는 곡면 표시 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 미세 공간의 내부 표면에 형성된 배향막을 더 포함하는 곡면 표시 장치.
  7. 제6항에서,
    상기 주입구를 덮으며 상기 지붕층 상부 전면에 형성된 덮개막을 더 포함하는 곡면 표시 장치.
  8. 제2항에서,
    상기 복수의 미세 공간의 높이 차이는 상기 기판의 장변 및 단변 방향으로 형성된 곡면 표시 장치.
  9. 제8항에서,
    상기 표시 영역의 테두리부에 형성된 상기 미세 공간의 높이는 2.5~2.8㎛이고,
    상기 표시 영역의 중심부에 형성된 상기 미세 공간의 높이는 3~5㎛인 곡면 표시 장치.
  10. 제8항에서,
    상기 지붕층은 상기 미세 공간을 노출하면서 이격되어 형성된 주입구를 더 포함하는 곡면 표시 장치.
  11. 제10항에서,
    상기 미세 공간의 내부 표면에 형성된 배향막을 더 포함하는 곡면 표시 장치.
  12. 제11항에서,
    상기 주입구를 덮으며 상기 지붕층 상부 전면에 형성된 덮개막을 더 포함하는 곡면 표시 장치.
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KR20150076880A (ko) * 2013-12-27 2015-07-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그것의 제조 방법
KR20150082943A (ko) * 2014-01-08 2015-07-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조방법
KR20150090637A (ko) * 2014-01-29 2015-08-06 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
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