CN107290904A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示装置，该显示装置包括：基底基板，包括在该处显示图像的像素区域；在基底基板上的遮光图案；在遮光图案上的薄膜晶体管；栅线，连接到薄膜晶体管并在第一方向上纵长地延伸；数据线，连接到薄膜晶体管并在第二方向上纵长地延伸；以及像素电极，在像素区域中并在第二方向上与栅线间隔开。遮光图案包括：第一遮光图案，在第一方向上纵长地延伸；和第二遮光图案，与薄膜晶体管交叠。第一遮光图案交叠在第二方向上彼此间隔开的栅线和像素电极。

Description

显示装置
技术领域
本发明的示范性实施方式涉及一种液晶显示(“LCD”)装置，更具体地，涉及一种能够有效地减少在像素电极和信号线之间发生的光泄漏并且其中开口率被改善的LCD装置。
背景技术
基于显示装置的发光方案，显示装置分为液晶显示(“LCD”)装置、有机发光二极管(“OLED”)显示装置、等离子体显示面板(“PDP”)装置、电泳显示(“EPD”)装置等等。
LCD装置包括：显示基板，包括形成在其中的电极；相对基板；以及在显示基板和相对基板之间的液晶层。此外，为了限定多个像素区域，LCD装置采用其中遮光构件设置在显示基板和相对基板中的一个上的结构或者其中屏蔽电极设置在像素电极之间的结构。
发明内容
本发明的示范性实施方式针对一种显示装置，具体地，针对能够有效地减少像素电极和信号线之间的光泄漏并且其中开口率被改善的液晶显示(“LCD”)装置。
根据本发明的一示范性实施方式，一种显示装置包括：基底基板，包括显示图像的像素区域；在基底基板上的遮光图案；在遮光图案上的薄膜晶体管；栅线，连接到薄膜晶体管并限定其在第一方向上延伸的长度；数据线，连接到薄膜晶体管并限定其在与第一方向交叉的第二方向上延伸的长度；以及像素电极，在像素区域中并在第二方向上与栅线间隔开。遮光图案包括：第一遮光图案，限定其在第一方向上延伸的长度；和第二遮光图案，与薄膜晶体管交叠。第一遮光图案与在第二方向上彼此间隔开的栅线和像素电极交叠。
在一示范性实施方式中，在俯视平面图中，第一遮光图案可以设置在彼此间隔开的像素电极和栅线之间。
在一示范性实施方式中，第二遮光图案可以不与数据线交叠。
在一示范性实施方式中，液晶显示装置还可以包括设置在薄膜晶体管和数据线上并限定其在第二方向上延伸的长度的黑矩阵。
在一示范性实施方式中，像素电极可以限定其在第一方向上的大于其在第二方向上的尺寸的长度尺寸。
在一示范性实施方式中，薄膜晶体管可以包括：在基底基板上的半导体层；从栅线分支出来并设置在半导体层上的栅电极；从数据线分支出来并连接到半导体层的源电极；以及与源电极间隔开并连接到半导体层的漏电极。
在一示范性实施方式中，半导体层可以分别在遮光图案与源电极和漏电极之间。
在一示范性实施方式中，源电极和漏电极每个设置在遮光图案和半导体层之间。
在一示范性实施方式中，半导体层可以包括从锌氧化物(“ZnO”)、锌锡氧化物(“ZTO”)、锌铟氧化物(“ZIO”)、铟氧化物(“InO”)、钛氧化物(“TiO”)、铟镓锌氧化物(“IGZO”)和铟锌锡氧化物(“IZTO”)选择的至少一种。
在一示范性实施方式中，第一遮光图案和第二遮光图案可以在其间的相交区域处彼此连接。
在一示范性实施方式中，第一遮光图案和第二遮光图案可以在其间的虚拟相交区域处彼此分离。
在一示范性实施方式中，像素电极可以包括十字形主干(stem)部分和从十字形主干部分延伸的分支部分。
在一示范性实施方式中，遮光图案还可以包括设置在基底基板上并与像素电极的十字形主干部分交叠的第三遮光图案。
在一示范性实施方式中，第一至第三遮光图案可以设置在彼此相同的层中。
根据本发明的另一示范性实施方式，一种显示装置包括：基底基板，包括显示图像的像素区域；在基底基板上的遮光图案；在遮光图案上的薄膜晶体管；栅线，连接到薄膜晶体管并限定其在第一方向上延伸的长度；数据线，连接到薄膜晶体管并限定其在与第一方向交叉的第二方向上延伸的长度；以及像素电极，在像素区域中并在第一方向上与数据线间隔开。遮光图案包括：与薄膜晶体管交叠的第一遮光图案；以及限定其在第二方向上延伸的长度的第二遮光图案。第二遮光图案与在第一方向上彼此间隔开的数据线和像素电极交叠。
在一示范性实施方式中，在俯视平面图中，第二遮光图案可以设置在彼此间隔开的像素电极和数据线之间。
在一示范性实施方式中，第一遮光图案可以不与限定其在第一方向上延伸的长度的栅线交叠。
在一示范性实施方式中，液晶显示装置还可以包括设置在薄膜晶体管和栅线上并限定其在第一方向上延伸的长度的黑矩阵。
在一示范性实施方式中，像素电极可以限定其在第一方向上的比其在第二方向上的尺寸小的尺寸。
在一示范性实施方式中，薄膜晶体管包括：在基底基板上的半导体层；从栅线分支出来并设置在半导体层上的栅电极；从数据线分支出来并连接到半导体层的源电极；以及与源电极间隔开并连接到半导体层的漏电极。
以上内容仅是说明性的，而不旨在以任何方式进行限制。除了以上描述的说明性的实施方式和特征之外，通过参照附图和以下的详细描述，另外的实施方式和特征将变得明显。
附图说明
从以下结合附图的详细描述，本发明公开的以上和其它的特征将被更清楚地理解，附图中：
图1是示出作为显示装置的一示范性实施方式的液晶显示(“LCD”)装置的示意性俯视平面图；
图2是沿图1的线I-I'截取的截面图；
图3是沿图1的线II-II'截取的截面图；
图4是示出遮光图案的一示范性实施方式的俯视平面图。
图5、图6和图7是示出遮光图案的一可选示范性实施方式的平面图；
图8是示出作为显示装置的一可选示范性实施方式的液晶显示(“LCD”)装置的示意性俯视平面图；
图9是沿图8的线III-III'截取的截面图；以及
图10是示出LCD装置的一可选示范性实施方式的沿着图8的线III-III'截取的截面图。
具体实施方式
现在将在下面参照附图更全面地描述示范性实施方式。虽然本发明可以以各种方式变形并具有若干实施方式，但是示范性实施方式在附图中示出并将主要在说明书中描述。然而，本发明的范围不限于示范性实施方式，而应被解释为包括在本发明的精神和范围内包括的所有改变、等同物和替代物。
在附图中，为了清楚和其描述的容易，多个层和区域的厚度以放大的方式示出。当一层、区域或板被称为“在”另一层、区域或板“上”时，它可以直接在所述另一层、区域或板上，或者可以在其间存在居间的层、区域或板。相反，当一层、区域或板被称为“直接在”另一层、区域或板“上”时，其间可以不存在居间的层、区域或板。此外，当一层、区域或板被称为“在”另一层、区域或板“下面”时，它可以直接在所述另一层、区域或板下面，或者其间可以存在居间的层、区域或板。相反，当一层、区域或板被称为“直接在”另一层、区域或板“下面”时，其间可以没有居间的层、区域或板。
为了描述的方便，在这里可以使用空间关系术语“在……下面”、“之下”、“下”、“在……之上”、“上”等来描述一个元件或组件与另一元件或组件之间如图中所示的关系。将理解，除了图中所绘的取向之外，空间关系术语旨在还涵盖该装置在使用或操作中的其它不同取向。例如，在附图中示出的装置被翻转的情况下，位于另一装置“下面”或“之下”的该装置可以位于另一装置“之上”。因此，说明性术语“下面”可以包括下和上两个位置。装置还可以在其它方向上取向，因此，空间关系术语可以根据该取向而被不同地解释。
在整个说明书中，当一元件被称为“连接”到另一元件时，该元件“直接连接”到另一元件，或者“电连接”到另一元件，其间插置有一个或更多个居间元件。在这里使用的术语仅是为了描述特定实施方式的目的，而不意在进行限制。在这里使用时，除非内容清楚地另外指示，否则单数形式“一”、“一个”和“该”旨在包括包含“至少一个”的复数形式。“至少一个”将不被解释为限制“一”或“一个”。“或”意指“和/或”。在这里使用时，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项目的任意和所有组合。还将进一步理解，当在本说明书中使用时，术语“包含”、“包含……的”、“包括”和/或“包括……的”表明所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但是不排除一个或更多个其它的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在或添加。
将理解，尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。因此，下面讨论的“第一元件”可以被称为“第二元件”或“第三元件”，并且“第二元件”和“第三元件”可以被同样地称呼，而没有脱离这里的教导。
除非另外地限定，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属的领域内的技术人员通常理解的相同含义。还将理解，术语(诸如在通用字典中定义的那些)应当被解释为具有与在相关技术的背景中它们的含义一致的含义，将不被解释为理想化或过度形式的含义，除非在本说明书中清楚地定义。
为了具体描述本发明的实施方式，可以不提供与描述不相关的一些部分，并且在整个说明书中相同的附图标记指代相同的元件。
在遮光构件设置在相对基板上以限定显示图像的多个像素区域的情况下，LCD装置的透射率会由于在接合相对基板和显示基板的过程中发生的未对准而减小。此外，在遮光构件设置在显示基板上以限定显示图像的多个像素区域的情况下，显示基板的在其边缘部分的层相对薄，因此可能发生光泄漏。
此外，在屏蔽电极设置在像素电极之间以限定显示图像的多个像素区域的情况下，屏蔽电极和像素电极以预定距离彼此间隔开，因此LCD装置的透射率会降低。
因此，期望一种改善的显示装置，其能够减少在像素电极和其信号线之间发生的光泄漏并且其中开口率被改善。
图1是示出作为显示装置的一示范性实施方式的液晶显示(“LCD”)装置的示意性俯视平面图，图2是沿图1的线I-I'截取的截面图，图3是沿图1的线II-II'截取的截面图。LCD装置的一示范性实施方式包括提供为多个的像素。图1示出限定了其长度的两个像素PXn和PXn+1，其中其长度大于垂直于该长度获得的其宽度。参照图1，为了描述的方便，两个像素PXn和PXn+1的每个的宽度在第二方向D2上延伸，并且两个像素PXn和PXn+1在第二方向D2上彼此平行且彼此相邻地布置。在PXn和PXn+1内，限定显示图像的像素区域。PXn和PXn+1的除了像素区域之外的剩余区域可以限定不显示图像的区域。
参照图1、图2和图3，LCD装置的一示范性实施方式包括显示基板100、相对基板200以及在显示基板100和相对基板200之间的光学介质层(诸如液晶层)300。显示基板100、相对基板200和光学介质层300可以共同形成产生并显示图像的LCD装置的显示面板。显示面板内的像素PXn和PXn+1可以产生并显示LCD装置的图像。另外，LCD装置的一示范性实施方式还可以包括作为LCD装置的光源的背光单元(未示出)，该背光单元产生并提供光到显示面板诸如到显示基板100。本发明的示范性实施方式不限于LCD装置，而是可以应用于例如诸如有机发光二极管(OLED)装置的多种显示装置中的任一种。
显示基板100包括基底基板110，遮光图案120a、120b和120c，第一绝缘层130，半导体层图案140，第二绝缘层150，栅布线(包括提供为多条的栅线诸如栅线GLn-1、GLn、GLn+1以及栅电极GE)，第三绝缘层160，数据线DL，第四绝缘层170，像素电极PEn和PEn+1，黑矩阵BM等。栅线和数据线DL可以另外地被称为信号线。在上述元件当中并参照图1至3，像素可以包括基底基板110，遮光图案120a、120b和120c，第一绝缘层130，半导体层图案140，第二绝缘层150，栅线和与其连接的栅电极，第三绝缘层160，数据线DL，第四绝缘层170，像素电极和黑矩阵BM，但是本发明不限于此。像素电极可以设置在像素的像素区域部分中。
基底基板110可以是具有透光特性和柔性的绝缘基板，例如塑料基板。然而，示范性实施方式不限于此，基底基板110可以包括相对硬的且刚性的基板，诸如玻璃基板。
遮光图案120a、120b和120c设置在基底基板110上。遮光图案120a、120b和120c中的一个或更多个可以在基底基板110上设置为多个。
遮光图案120a、120b和120c可以包括可吸收并阻挡光的材料。在一示范性实施方式中，例如，遮光图案120a、120b和120c可以包括铝(Al)或其合金、银(Ag)或其合金、铜(Cu)或其合金、钼(Mo)或其合金、铬(Cr)、钽(Ta)和钛(Ti)中的至少之一，或者由它们形成，但示范性实施方式不限于此。在一可选示范性实施方式中，遮光图案120a、120b和120c可以包括光被其吸收或阻挡的任何合适的金属或导体。
遮光图案限定其长度，该长度大于垂直于该长度所获得的其宽度。遮光图案120a、120b和120c的一示范性实施方式包括在第一方向D1上纵长地延伸的第一遮光图案120a、在与第一方向D1相交的第二方向D2上纵长地延伸的第二遮光图案120b、以及在第二方向D2上纵长地延伸并在第一方向D1和第二方向D2上与第二遮光图案120b间隔开的第三遮光图案120c。在制造显示装置的方法的一示范性实施方式中，第一、第二和第三遮光图案120a、120b和120c可以在相同的工艺中诸如由相同的材料层被同时提供。第一、第二和第三遮光图案120a、120b和120c设置在显示基板100的设置于基底基板110上的其层当中的同一层中。
第一遮光图案120a沿着第一方向D1纵长地设置，以与提供为多条的栅线(诸如栅线GLn-1、GLn和GLn+1)中的每条和提供为多个的像素电极诸如PEn和PEn+1的每个交叠。因此，第一遮光图案120a能够减少或有效地防止可能在栅线GLn-1、GLn和GLn+1与像素电极PEn和PEn+1之间发生的光泄漏。
第二遮光图案120b设置为与薄膜晶体管T的至少一部分交叠，因此能够减少或有效地防止从背光单元入射到薄膜晶体管T的光。
第三遮光图案120c设置为与像素电极PEn和PEn+1的每个的主干(stem)部分交叠，因此能够减少或有效地防止可能在像素电极PEn和PEn+1的主干部分处发生的光泄漏。
遮光图案120a、120b和120c可以从外部，诸如从显示基板100和/或显示面板外部的电压源，接收接地电压或存储电压。在一可选示范性实施方式中，遮光图案120a、120b和120c可以不从外部接收电压，并且可以由于不电连接到显示面板或LCD装置的另一元件而被电浮置。
图4是示出遮光图案的一示范性实施方式的俯视平面图，图5、图6和图7是示出遮光图案的可选示范性实施方式的俯视平面图。
参照图4，遮光图案120a、120b和120c的一示范性实施方式可以包括在第一方向D1上纵长地延伸的第一遮光图案120a、在与第一方向D1相交的第二方向D2上纵长地延伸的第二遮光图案120b、以及在第二方向D2上纵长地延伸并在第一方向D1和第二方向D2上与第二遮光图案120b间隔开的第三遮光图案120c。
第一遮光图案120a和第二遮光图案120b可以在其间的相交区域处彼此连接，第一遮光图案120a和第三遮光图案120c可以在其间的虚拟相交区域处彼此分离。第一遮光图案120a和第二遮光图案120b可以形成单个一体的遮光构件。第一遮光图案120a和第二遮光图案120b中的一个可以被认为延伸以限定第一遮光图案120a和第二遮光图案120b中的另一个。
在第二方向D2上彼此相邻的像素之间，相邻的第二遮光图案120b彼此连接以形成单个一体的遮光构件。一个第二遮光图案120b可以被认为延伸以限定相邻的第二遮光图案120b。第二遮光图案120b不与数据线DL交叠。
然而，示范性实施方式不限于此，第一遮光图案120a和第二遮光图案120b可以在其间的虚拟相交区域处彼此分离，第一遮光图案120a和第三遮光图案120c可以在其间的相交区域处彼此连接(参照图5)。
此外，第一遮光图案120a、第二遮光图案120b和第三遮光图案120c可以在其间的虚拟相交区域处彼此分离(参照图6)。
此外，第三遮光图案120c可以设置为具有十字形以与在下面(参见图7)将描述的像素电极的十字形主干部分交叠。
返回参照图1、2和3，第一绝缘层130设置于在其上设置遮光图案120a、120b和120c的基底基板110上。第一绝缘层130可以包括硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)。此外，第一绝缘层130还可以包括铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物或锆氧化物。
半导体层图案140设置在第一绝缘层130上。半导体层图案140的至少一部分与第二遮光图案120b交叠。半导体层图案140可以包括氧化物半导体材料。
氧化物半导体材料是金属氧化物半导体，并可以包括基于锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)、钛(Ti)或铟(In)的金属氧化物，或包括锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)、钛(Ti)或铟(In)和其氧化物的合成物。在一示范性实施方式中，例如，氧化物半导体材料可以包括选自锌氧化物(“ZnO”)、锌锡氧化物(“ZTO”)、锌铟氧化物(“ZIO”)、铟氧化物(“InO”)、钛氧化物(“TiO”)、铟镓锌氧化物(“IGZO”)和铟锌锡氧化物(“IZTO”)的至少一种。
半导体层图案140例如通过杂质注入工艺被分成或限定源电极SE、半导体层SM和漏电极DE。在杂质注入工艺的一示范性实施方式中，半导体材料层的被栅电极GE和第二绝缘层150交叠的部分没有注入杂质。由于半导体材料层的被栅电极GE和第二绝缘层150交叠的部分没有注入杂质，所以这样的部分用作半导体层SM。注入有杂质的另一部分(例如其剩余部分)被金属化以用作源电极SE或漏电极DE。在制造LCD装置的一示范性实施方式中，杂质可以通过等离子体方案被注入到半导体层图案140。杂质可以使用氢(H2)。
第二绝缘层150设置于在其上设置有半导体层图案140的基底基板110上。第二绝缘层150可以包括硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)，并可以被称为栅绝缘层。
栅线限定其长度，该长度大于垂直于该长度获得的其宽度。参照图1，每条栅线的宽度在第二方向D2上延伸。栅布线设置在第二绝缘层150上，其中该栅布线包括在第一方向D1上纵长地延伸的栅线GLn-1、GLn和GLn+1以及分别从栅线GLn-1、GLn和GLn+1分支出来并与半导体层SM交叠的栅电极GE。
栅布线可以包括铝(Al)或其合金、银(Ag)或其合金、铜(Cu)或其合金、钼(Mo)或其合金、铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)和/或类似物，或者由其形成。
此外，栅布线可以具有包括在横截面或厚度方向上具有彼此不同的物理性质的两个或更多个导电层(未示出)的多层结构。在一示范性实施方式中，例如，该多层结构的导电层可以包括具有相对低的电阻率的金属(例如铝(Al)基金属、银(Ag)基金属和铜(Cu)基金属)或者由其形成以减少信号延迟或电压降，该多层结构的另一个导电层可以包括被发现赋予与铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)优异的接触性质的材料，例如钼基金属、铬、钛、钽等。
该多层结构的示例可以包括铬下层和铝上层、铝下层和钼上层、以及钛下层和铜上层。然而，示范性实施方式不限于此，栅布线可以包括各种类型的金属和导体。在制造显示装置的方法的一示范性实施方式中，栅布线可以在相同的工艺中诸如由相同的材料层同时形成。栅布线的部分设置在显示基板100的设置于基底基板110上的其层当中的同一层中。
第三绝缘层160设置于在其上设置栅布线的基底基板110上。第三绝缘层160也可以被称为绝缘夹层。第三绝缘层160可以包括硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)。
数据线DL限定其长度，该长度大于垂直于该长度取得的其宽度。参照图1，每条数据线DL的宽度在第一方向D1上延伸。在与第一方向D1相交的第二方向D2上纵长地延伸的数据线DL设置在第三绝缘层160上。第三绝缘层160上的数据线DL延伸以穿过第三绝缘层160从而连接到源电极SE。参照图2，开口被限定在第三绝缘层160中或由第三绝缘层160限定，并且第三绝缘层160上的数据线DL延伸到该开口中以在该开口处接触源电极SE。数据线DL可以包括与在上述栅布线中包括的材料相同的材料。
第四绝缘层170设置于在其上设置数据线DL的基底基板110上。第四绝缘层170可以在横截面或厚度方向上具有包括例如硅氧化物、硅氮化物、光敏有机材料或低介电常数绝缘材料诸如a-Si:C:O或a-Si:O:F的单层结构或多层结构。
此外，第四绝缘层170可以是滤色器。滤色器可以是从红色滤色器、绿色滤色器、蓝色滤色器、青色滤色器、品红色滤色器、黄色滤色器和白色滤色器选择的一种。红色、绿色和蓝色或者青色、品红色和黄色的三原色可以限定用于形成颜色的基本像素组。
像素电极PEn和PEn+1设置在第四绝缘层170上。第四绝缘层170上的像素电极PEn和PEn+1延伸以穿过第三绝缘层160和第四绝缘层170，以连接到漏电极DE。再次参照图2，在第三绝缘层160和第四绝缘层170中限定开口或者由第三绝缘层160和第四绝缘层170限定开口，并且第四绝缘层170上的像素电极PEn和PEn+1延伸到该开口中，以在该开口处接触漏电极DE。
像素电极PEn和PEn+1可以包括透明导电材料或者由透明导电材料形成。在一示范性实施方式中，例如，像素电极PEn和PEn+1可以包括透明导电材料，诸如铟锡氧化物(“ITO”)、铟锌氧化物(“IZO”)、铟锡锌氧化物(“ITZO”)或铝锌氧化物(“AZO”)。
像素电极PEn和PEn+1限定其长度，该长度大于垂直于该长度获得的其宽度。在图1中，像素电极PEn和PEn+1被描绘为在第一方向D1上具有比在第二方向D2上长的尺寸(例如长度)，但是示范性实施方式不限于此。在一可选示范性实施方式中，像素电极PEn和PEn+1可以在第一方向D1上具有比在第二方向D2上短的尺寸(例如宽度)。
此外，像素电极PEn和PEn+1被描绘为包括十字形主干部分和从十字形主干部分延伸的多个分支部分，但是示范性实施方式不限于此。多种像素电极形状中的任一种可以没有限制地应用于本发明的示范性实施方式。
黑矩阵BM限定其长度，该长度大于垂直于该长度获得的其宽度。黑矩阵BM设置于在其上设置像素电极PEn和PEn+1的基底基板110上。黑矩阵BM可以在第二方向D2上纵长地延伸以与薄膜晶体管T、数据线DL和第二遮光图案120b交叠。
黑矩阵BM减少或有效地防止从背光单元(未示出)提供的光向外部消散，并减少或有效地防止外部光照射到薄膜晶体管T和数据线DL。
黑矩阵BM可以包括光敏合成物或由光敏合成物形成。光敏合成物的示例可以包括：粘合剂树脂、可聚合单体、可聚合低聚物、颜料、分散剂和光引发剂。颜料可以使用黑色颜料、黑色树脂等。
下配向层(未示出)可以设置在像素电极PEn和PEn+1以及黑矩阵BM上。下配向层可以是垂直配向层或包括可光聚合的材料的光配向层。
参照图3，在俯视平面图中，第一遮光图案120a交叠像素电极PEn和栅线GLn的至少一部分。像素电极PEn和栅线GLn可以在俯视平面图中在第二方向D2上彼此分离。也就是，在俯视平面图中，第一遮光图案120a设置在像素电极PEn和栅线GLn之间。此外，在俯视平面图中，栅线GLn可以设置为交叠与像素电极PEn相邻且分离的另一像素电极PEn+1。也就是，第一遮光图案120a和栅线GLn在彼此相邻且分离的像素电极PEn和PEn+1之间共同地形成遮光构件。
因此，使用第一遮光图案120a和栅线GLn可以减少或有效地防止在相邻且分离的像素电极PEn和PEn+1之间的区域“d”中可能发生的光泄漏。设置在区域“d”中的第一遮光图案120a和栅线GLn可以交叠整个区域“d”。区域“d”被限定在彼此相邻的像素电极PEn和PEn+1的边缘之间。在设置在区域“d”中的第一遮光图案120a和栅线GLn中的一个可以占据在彼此相邻的像素电极PEn和PEn+1的边缘处的区域“d”的一部分的情况下，第一遮光图案120a和栅线GLn中的另一个占据区域“d”的剩余部分。
在LCD装置的一示范性实施方式中，可以省略常规地设置在彼此相邻且分离的常规像素电极之间的遮光构件或屏蔽电极，从而可以提高开口率。
相对基板200可以包括相对基底基板210、公共电极220等。
相对基底基板210可以是具有透光特性和柔性的绝缘基板，例如塑料基板。然而，示范性实施方式不限于此，相对基底基板210可以包括相对硬的且刚性的基板，诸如玻璃基板。
公共电极220可以是包括诸如铟锡氧化物(“ITO”)或铟锌氧化物(“IZO”)的透明导体的板电极。在一可选示范性实施方式中，除了其板部分之外，公共电极220可以具有不平坦部分和/或至少一个狭缝以在像素中限定多个域。
上配向层(未示出)可以设置在公共电极220上。上配向层(未示出)可以是垂直配向层或包括可光聚合的材料的光配向层。
图8是示出作为显示装置的一可选示范性实施方式的LCD装置的示意性俯视平面图，图9是沿图8的线III-III'截取的截面图。为了描述的方便，图8示出在第一方向D1上彼此相邻且彼此平行地布置的两个像素PXn和PXn+1。在关于可选示范性实施方式的描述中，将省略示范性实施方式的重复描述。
参照图8和图9，LCD装置的可选示范性实施方式包括显示基板100、相对基板200以及在显示基板100和相对基板200之间的光学介质层(诸如液晶层)300。显示基板100、相对基板200和光学介质层300可以共同形成LCD装置的产生并显示图像的显示面板。
显示基板100包括基底基板110，遮光图案120a和120b，第一绝缘层130，半导体层SM，包括数据线DLn、DLn+1、DLn+2、源电极SE和漏电极DE的数据布线，第二绝缘层150，包括栅线GLn-1、GLn和栅电极GE的栅布线，第三绝缘层160，像素电极PEn和PEn+1，黑矩阵BM等。
遮光图案120a和120b设置在基底基板110上。
遮光图案120a和120b可以包括可吸收并阻挡光的材料。遮光图案限定其长度，该长度大于垂直于该长度获得的其宽度。遮光图案120a和120b的一示范性实施方式可以包括与薄膜晶体管T的至少一部分交叠的第一遮光图案120a以及在第二方向D2上纵长地延伸的第二遮光图案120b。在制造显示装置的方法的一示范性实施方式中，第一遮光图案120a和第二遮光图案120b可以在相同的工艺中诸如由相同的材料层同时提供。第一遮光图案120a和第二遮光图案120b设置在显示基板100的设置在基底基板110上的其层当中的同一层中。
第一遮光图案120a设置为与薄膜晶体管T的至少一部分交叠，因此阻挡从背光单元入射到薄膜晶体管T的光。第一遮光图案120a不与栅线GL交叠。
第二遮光图案120b沿着第二方向D2纵长地设置，以与彼此相邻的数据线DLn+1和DLn+2的每条以及彼此相邻的像素电极PEn和PEn+1的每个交叠，因此能够减少或有效地防止可能在数据线DLn+1和DLn+2与像素电极PEn和PEn+1之间发生的光泄漏。
第一绝缘层130设置于在其上设置遮光图案120a和120b的基底基板110上。第一绝缘层130可以包括硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)。
半导体层SM设置在第一绝缘层130上。半导体层SM设置为与第一遮光图案120a交叠。
半导体层SM可以包括非晶硅或包括从镓(Ga)、铟(In)、锡(Sn)和锌(Zn)选择的至少一种的氧化物半导体，或者由其形成。尽管未示出，但是欧姆接触层可以设置在半导体层SM上。
沿第二方向D2纵长地延伸的数据线DLn、DLn+1和DLn+2，从数据线DLn、DLn+1和DLn+2分支出来以与半导体层SM的第一端部交叠的源电极SE，以及与源电极SE间隔开并交叠半导体层SM的与其第一端部相反的第二端部的漏电极DE设置在半导体层SM上。也就是，半导体层SM设置在源电极SE和漏电极DE下面。
第二绝缘层150设置于在其上设置数据线DLn、DLn+1和DLn+2、源电极SE和漏电极DE的基底基板110上。第二绝缘层150可以包括硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)，并也可以被称为栅绝缘层。
在第一方向D1上延伸的栅线GLn-1和GLn以及从栅线GLn-1和GLn分支出来以与半导体层SM交叠的栅电极GE设置在第二绝缘层150上。
第三绝缘层160设置于在其上设置栅线GLn-1和GLn以及栅电极GE的基底基板110上。第三绝缘层160可以是滤色器。
像素电极PEn和PEn+1设置在第三绝缘层160上。第三绝缘层160上的像素电极PEn和PEn+1延伸以穿过第三绝缘层160，从而连接到漏电极DE。参照图9，开口限定在第二绝缘层150和第三绝缘层160中或者由第二绝缘层150和第三绝缘层160限定，并且第三绝缘层160上的像素电极PEn和PEn+1延伸到该开口中以在该开口处接触漏电极DE。
像素电极PEn和PEn+1限定其长度，该长度大于垂直于该长度获得的其宽度。参照图8，像素电极PEn和PEn+1在第一方向D1上具有比在第二方向D2上短的尺寸(例如宽度)。
黑矩阵BM设置于在其上设置像素电极PEn和PEn+1的基底基板110上。黑矩阵BM限定其长度，该长度大于垂直于该长度获得的其宽度。黑矩阵BM可以在第一方向D1上纵长地延伸以与薄膜晶体管T、栅线GLn-1和GLn以及第一遮光图案120a交叠。黑矩阵BM减少或有效地防止从背光单元(未示出)提供的光消散到外部，并减少或有效地防止外部光照射到薄膜晶体管T和栅线GLn-1和GLn。
下配向层(未示出)可以设置在像素电极PEn和PEn+1以及黑矩阵BM上。下配向层可以是垂直配向层或包括可光聚合的材料的光配向层。
在俯视平面图中，第二遮光图案120b设置为与像素电极PEn和相邻的数据线DLn+1的至少一部分交叠。在俯视平面图中，像素电极PEn和数据线DLn+1可以在第一方向D1上彼此分离。也就是，在俯视平面图中，第二遮光图案120b设置在像素电极PEn和相邻的数据线DLn+1之间。此外，在俯视平面图中，数据线DLn+1可以设置为交叠与像素电极PEn相邻且分离的另一像素电极PEn+1。也就是，第二遮光图案120b和数据线DLn+1在彼此相邻且分离的像素电极PEn和PEn+1之间共同地形成遮光构件。
因此，使用第二遮光图案120b和数据线DLn+1可以减少或有效地防止可能发生在彼此相邻的像素电极PEn和PEn+1之间的区域“d”中的光泄漏。区域“d”被限定在彼此相邻的像素电极PEn和PEn+1的边缘之间。设置在彼此相邻的像素电极PEn和PEn+1的边缘处的区域“d”中的第二遮光图案120b和数据线DLn+1可以交叠整个区域“d”。
在LCD装置的一示范性实施方式中，可以省略常规地设置在彼此相邻且分离的常规像素电极之间的遮光构件或屏蔽电极，从而可以改善开口率。
相对基板200可以包括相对基底基板210、公共电极220等。上配向层(未示出)可以设置在公共电极220上。上配向层(未示出)可以是垂直配向层或包括可光聚合的材料的光配向层。
图10是示出LCD装置的一可选示范性实施方式的截面图。在关于可选示范性实施方式的描述中，将省略示范性实施方式的重复描述。
参照图10，作为显示装置的一可选示范性实施方式的LCD装置包括显示基板100、相对基板200以及在显示基板100和相对基板200之间的光学介质层(诸如液晶层)300。显示基板100、相对基板200和光学介质层300可以共同形成LCD装置的产生并显示图像的显示面板。
显示基板100包括基底基板110，遮光图案120a和120b，第一绝缘层130，数据布线DLn+1、SE和DE，半导体层SM，第二绝缘层150，包括栅线GLn-1、GLn和栅电极GE的栅布线，第三绝缘层160，像素电极PEn和PEn+1，黑矩阵BM等。
遮光图案120a和120b设置在基底基板110上。遮光图案120a和120b包括与薄膜晶体管T的至少一部分交叠的第一遮光图案120a以及在第二方向D2上纵长地延伸的第二遮光图案120b。
第一绝缘层130设置于在其上设置遮光图案120a和120b的基底基板110上。
包括数据线DLn+1、源电极SE和漏电极DE的数据布线DLn+1、SE和DE设置在第一绝缘层130上。
半导体层SM设置于在其上设置数据布线DLn+1、SE和DE的基底基板110上。半导体层SM设置为与第一遮光图案120a交叠。半导体层SM的第一端部连接到源电极SE，半导体层SM的与第一端部相反的第二端部连接到漏电极DE。也就是，半导体层SM设置在源电极SE和漏电极DE之上。
第二绝缘层150设置于在其上设置半导体层SM的基底基板110上。
栅电极GE设置在第二绝缘层150上。栅电极GE设置为与半导体层SM交叠。第三绝缘层160设置于在其上设置栅电极GE的基底基板110上。第三绝缘层160可以是滤色器。
像素电极PEn和PEn+1设置在第三绝缘层160上。
黑矩阵BM设置于在其上设置像素电极PEn和PEn+1的基底基板110上。黑矩阵BM可以设置为与第一遮光图案120a交叠。
在俯视平面图中，第二遮光图案120b交叠像素电极PEn和相邻的数据线DLn+1的至少一部分。在俯视平面图中，像素电极PEn和数据线DLn+1可以在第一方向D1上彼此分离。也就是，在俯视平面图中，第二遮光图案120b设置在像素电极PEn和相邻的数据线DLn+1之间。此外，在俯视平面图中，数据线DLn+1可以设置为交叠与像素电极PEn相邻且分离的另一像素电极PEn+1。也就是，第二遮光图案120b和数据线DLn+1在彼此相邻且分离的像素电极PEn和PEn+1之间共同形成遮光构件。
因此，使用第二遮光图案120b和数据线DLn+1可以减少或有效地防止在彼此间隔开的像素电极PEn和PEn+1之间的区域“d”中可能发生的光泄漏。设置在区域“d”中的第二遮光图案120b和数据线DLn+1可以交叠整个区域“d”。
如上所述，在诸如LCD装置的显示装置的一个或更多个示范性实施方式中，使用已被配置为阻挡光入射到薄膜晶体管区域的遮光图案可以有效地减少在像素电极和信号线之间发生的光泄漏。
在LCD装置的一个或更多个示范性实施方式中，常规地设置在彼此相邻且分离的常规像素电极之间的遮光构件或屏蔽电极不提供在像素电极之间，从而可以改善开口率。
在LCD装置的一个或更多个示范性实施方式中，常规地设置在彼此相邻且分离的常规像素电极之间的分离的遮光构件或屏蔽电极不提供在像素电极之间，因此制造工艺可以变得相对容易。
从以上将理解，为了说明的目的已经在这里描述了根据本公开的各种实施方式，并且可以进行各种变形而没有脱离本教导的范围和精神。因此，在这里公开的各种实施方式不旨在限制本教导的真实范围和精神。以上描述的各种特征和其它实施方式可以以任何方式结合和匹配，以产生符合本发明的另外的实施方式。
本申请要求于2016年4月4日提交的韩国专利申请第10-2016-0041020号的优先权以及由其引起的所有权益，其整体内容通过引用结合于此。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：
基底基板，包括显示图像的像素区域；
遮光图案，在所述基底基板上；
薄膜晶体管，在所述遮光图案上；
栅线，连接到所述薄膜晶体管，所述栅线限定其在第一方向上延伸的长度；
数据线，连接到所述薄膜晶体管，所述数据线限定其在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的长度；以及
像素电极，在所述像素区域中并在所述第二方向上与所述栅线间隔开，其中所述遮光图案包括：
第一遮光图案，限定其在所述第一方向上延伸的长度，所述第一遮光图案与在所述第二方向上彼此间隔开的所述栅线和所述像素电极交叠；和
第二遮光图案，其一部分与所述薄膜晶体管交叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中在俯视平面图中，所述第一遮光图案设置在彼此间隔开的所述像素电极和所述栅线之间。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第二遮光图案不与所述数据线交叠。
4.根据权利要求1所述的显示装置，还包括设置在所述薄膜晶体管和所述数据线上的黑矩阵，所述黑矩阵限定其在所述第二方向上延伸的长度。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述像素电极限定其在所述第一方向上的长度尺寸，该长度尺寸大于其在所述第二方向上的尺寸。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述薄膜晶体管包括：
半导体层，在所述基底基板上；
栅电极，从所述栅线分支出来并设置在所述半导体层上；
源电极，从所述数据线分支出来并连接到所述半导体层；和
漏电极，与所述源电极间隔开并连接到所述半导体层。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中所述半导体层分别设置在所述遮光图案与所述源电极和所述漏电极之间。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其中所述源电极和所述漏电极均设置在所述遮光图案和所述半导体层之间。
9.根据权利要求6所述的显示装置，其中所述半导体层包括从锌氧化物、锌锡氧化物、锌铟氧化物、铟氧化物、钛氧化物、铟镓锌氧化物和铟锌锡氧化物选择的至少一种。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一遮光图案和所述第二遮光图案在其间的相交区域处彼此连接。
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