CN103911617A - 一种氧化硅抛光液及其制备方法 - Google Patents

一种氧化硅抛光液及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103911617A
CN103911617A CN201410093599.8A CN201410093599A CN103911617A CN 103911617 A CN103911617 A CN 103911617A CN 201410093599 A CN201410093599 A CN 201410093599A CN 103911617 A CN103911617 A CN 103911617A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon oxide
polishing fluid
mixture
oxide polishing
stir
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410093599.8A
Other languages
English (en)
Inventor
曾名辉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SHENZHEN YUTAILONG TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
SHENZHEN YUTAILONG TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SHENZHEN YUTAILONG TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical SHENZHEN YUTAILONG TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN201410093599.8A priority Critical patent/CN103911617A/zh
Publication of CN103911617A publication Critical patent/CN103911617A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

本发明提供了一种氧化硅抛光液,包括以下质量百分含量的各组分:胶体氧化硅10-50%,氧化剂双氧水1-5%,表面活性剂0.2-1%,缓蚀剂,0.2-2%,去离子水,48.6-89.6%。所述氧化剂为双氧水;所述表面活性剂聚乙二醇,十二烷基硫酸钠,二苯胺磺酸钠中的一种或其任意组合物。该抛光液用于铝合金基片抛光,能够减少氧化硅的结晶,从而降低铝合金表面划伤和划痕。

Description

一种氧化硅抛光液及其制备方法
技术领域
本发明涉及铝合金抛光技术领域,具体地,涉及一种氧化硅抛光液及其制备方法,该氧化硅抛光液用于铝合金基片抛光。
背景技术
铝合金因其轻薄坚固、塑性好、优良的导电性、导热性和抗蚀性,广泛应用于航空、航天、汽车、机械制造、船舶等工业中。近几年,铝合金的应用范围进一步扩大,在手机外壳、电脑外壳及边框等电子产品领域大量应用。
在生产过程中,铝合金毛培一般都是先经过数字控制机床中的刀具切割成初具形状的半成品,然后再经过几步表面研磨抛光等加工工艺后达到镜面效果。经过刀具切割的铝合金表面,存在大量刀纹,即宏观划痕。要实现铝合金表面的全局平坦化和镜面效果,化学机械抛光是目前唯一可行并可工业化生产的方法。其中,铝合金基片生产中最后一步抛光普遍采用氧化硅抛光液。然而,氧化硅结晶造成其表面形状和粗糙度难以控制,从而容易划伤铝合金表面从而在其上产生划伤。
发明内容
为了克服现有技术的不足,本发明提供了一种氧化硅抛光液及其制备方法,用于铝合金基片抛光,该抛光液能够减少氧化硅的结晶,从而降低铝合金表面划伤和划痕。
本发明的技术方案如下:一种氧化硅抛光液,包括以下质量百分含量的各组分:
所述胶体氧化硅的平均粒径为12-100纳米。
所述胶体氧化硅的平均粒径为30-50纳米。
所述氧化剂为双氧水。
所述表面活性剂聚乙二醇,十二烷基硫酸钠,二苯胺磺酸钠中的一种或其任意组合物。
所述缓蚀剂为磷酸氢二钠,醋酸、草酸、苯并三氮唑、硫脲和2-甲基咪唑,2-异丙基咪唑中的一种或数种的组合。
用所述氧化硅抛光液的制备方法,包括如下步骤:
1)按配方分别称量各组分;
2)在所述氧化硅中加入所述表面活性剂,搅拌均匀,得混合物一;
3)然后在混合物一中加入缓蚀剂磷酸氢二钠,搅拌均匀,并用过滤器循环过滤一定时间,的混合物二;
4)在抛光前,在混合物二中加入氧化剂双氧水,搅拌均匀,即得到所述氧化硅抛光液。
本发明的有益效果为:
本发明所述氧化硅抛光液,能够降低其中的氧化硅的结晶,从而避免铝合金在抛光时划伤铝合金表面并产生划痕,其配方简单,原料廉价易得,值得推广应用。
具体实施方式
实施例1:一种氧化硅抛光液,包括以下质量百分含量的各组分:
所述胶体氧化硅的平均粒径为35纳米。
所述氧化剂为双氧水。
所述表面活性剂聚乙二醇。
所述缓蚀剂为磷酸氢二钠。
用所述氧化硅抛光液的制备方法,包括如下步骤:
1)按配方分别称量各组分;
2)在所述氧化硅中加入所述表面活性剂,搅拌均匀,得混合物一;
3)然后在混合物一中加入缓蚀剂磷酸氢二钠,搅拌均匀,并用过滤器循环过滤一定时间,的混合物二;
4)在抛光前,在混合物二中加入氧化剂双氧水,搅拌均匀,即得到所述氧化硅抛光液。
实施例2:一种氧化硅抛光液,包括以下质量百分含量的各组分:
所述胶体氧化硅的平均粒径为50纳米。
所述氧化剂为双氧水。
所述表面活性剂聚乙二醇和十二烷基硫酸钠的混合物。。
所述缓蚀剂为磷酸氢二钠和草酸的混合物。
用所述氧化硅抛光液的制备方法,包括如下步骤:
1)按配方分别称量各组分;
2)在所述氧化硅中加入所述表面活性剂,搅拌均匀,得混合物一;
3)然后在混合物一中加入缓蚀剂磷酸氢二钠,搅拌均匀,并用过滤器循环过滤一定时间,的混合物二;
4)在抛光前,在混合物二中加入氧化剂双氧水,搅拌均匀,即得到所述氧化硅抛光液。
实施例3:一种氧化硅抛光液,包括以下质量百分含量的各组分:
所述胶体氧化硅的平均粒径为12纳米。
所述氧化剂为双氧水。
所述表面活性剂聚乙二醇和二苯胺磺酸钠中的混合物。。
所述缓蚀剂为磷酸氢二钠和2-甲基咪唑的混合物。
用所述氧化硅抛光液的制备方法,包括如下步骤:
1)按配方分别称量各组分;
2)在所述氧化硅中加入所述表面活性剂,搅拌均匀,得混合物一;
3)然后在混合物一中加入缓蚀剂磷酸氢二钠,搅拌均匀,并用过滤器循环过滤一定时间,的混合物二;
4)在抛光前,在混合物二中加入氧化剂双氧水,搅拌均匀,即得到所述氧化硅抛光液。
实施例4:一种氧化硅抛光液,包括以下质量百分含量的各组分:
所述胶体氧化硅的平均粒径为100纳米。
所述氧化剂为双氧水。
所述表面活性剂聚乙二醇。。
所述缓蚀剂为磷酸氢二钠。
用所述氧化硅抛光液的制备方法,包括如下步骤:
1)按配方分别称量各组分;
2)在所述氧化硅中加入所述表面活性剂,搅拌均匀,得混合物一;
3)然后在混合物一中加入缓蚀剂磷酸氢二钠,搅拌均匀,并用过滤器循环过滤一定时间,的混合物二;
4)在抛光前,在混合物二中加入氧化剂双氧水,搅拌均匀,即得到所述氧化硅抛光液。
实施例5:一种氧化硅抛光液,包括以下质量百分含量的各组分:
所述胶体氧化硅的平均粒径为50纳米。
所述氧化剂为双氧水。
所述表面活性剂聚乙二醇。。
所述缓蚀剂为磷酸氢二钠。
用所述氧化硅抛光液的制备方法,包括如下步骤:
1)按配方分别称量各组分;
2)在所述氧化硅中加入所述表面活性剂,搅拌均匀,得混合物一;
3)然后在混合物一中加入缓蚀剂磷酸氢二钠,搅拌均匀,并用过滤器循环过滤一定时间,的混合物二;
4)在抛光前,在混合物二中加入氧化剂双氧水,搅拌均匀,即得到所述氧化硅抛光液。
实施例6:一种氧化硅抛光液,包括以下质量百分含量的各组分:
所述胶体氧化硅的平均粒径为100纳米。
所述氧化剂为双氧水。
所述表面活性剂聚乙二醇。。
所述缓蚀剂为磷酸氢二钠。
用所述氧化硅抛光液的制备方法,包括如下步骤:
1)按配方分别称量各组分;
2)在所述氧化硅中加入所述表面活性剂,搅拌均匀,得混合物一;
3)然后在混合物一中加入缓蚀剂磷酸氢二钠,搅拌均匀,并用过滤器循环过滤一定时间,的混合物二;
4)在抛光前,在混合物二中加入氧化剂双氧水,搅拌均匀,即得到所述氧化硅抛光液。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明,不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,其架构形式能够灵活多变,可以派生系列产品。只是做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本发明由所提交的权利要求书确定的专利保护范围。

Claims (5)

1.一种氧化硅抛光液,其特征在于,包括以下质量百分含量的各组分:
所述氧化剂为双氧水;
所述表面活性剂聚乙二醇,十二烷基硫酸钠,二苯胺磺酸钠中的一种或其任意组合物。
2.如权利要求1所述的氧化硅抛光液,其特征在于,所述胶体氧化硅的平均粒径为12-100纳米。
3.如权利要求1所述的氧化硅抛光液,其特征在于,所述胶体氧化硅的平均粒径为30-50纳米。
4.如权利要求1所述的氧化硅抛光液,其特征在于,所述缓蚀剂为磷酸氢二钠,醋酸、草酸、苯并三氮唑、硫脲和2-甲基咪唑,2-异丙基咪唑中的一种或数种的组合。
5.如权利要求1-
4任一项所述的氧化硅抛光液的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
1)按配方分别称量各组分;
2)在所述氧化硅中加入所述表面活性剂,搅拌均匀,得混合物一;
3)然后在混合物一中加入缓蚀剂磷酸氢二钠,搅拌均匀,并用过滤器循环过滤一定时间,的混合物二;
4)在抛光前,在混合物二中加入氧化剂双氧水,搅拌均匀,即得到所述氧化硅抛光液。
CN201410093599.8A 2014-03-13 2014-03-13 一种氧化硅抛光液及其制备方法 Pending CN103911617A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410093599.8A CN103911617A (zh) 2014-03-13 2014-03-13 一种氧化硅抛光液及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410093599.8A CN103911617A (zh) 2014-03-13 2014-03-13 一种氧化硅抛光液及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103911617A true CN103911617A (zh) 2014-07-09

Family

ID=51037612

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410093599.8A Pending CN103911617A (zh) 2014-03-13 2014-03-13 一种氧化硅抛光液及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103911617A (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104559797A (zh) * 2014-12-22 2015-04-29 深圳市力合材料有限公司 一种硅晶片细抛光组合物及其制备方法
CN105839111A (zh) * 2016-05-05 2016-08-10 西安热工研究院有限公司 一种制备ebsd样品的机械抛光液、制备方法及机械抛光方法
CN105970228A (zh) * 2016-05-25 2016-09-28 深圳市佳欣纳米科技有限公司 一种铝合金抛光液及其制备方法
CN106752969A (zh) * 2016-11-22 2017-05-31 启东市清清蔬果农地股份专业合作社 一种铝合金外壳的抛光液
CN113894623A (zh) * 2021-10-29 2022-01-07 广东先导微电子科技有限公司 一种锑化镓晶片的单面抛光方法及锑化镓抛光片

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050279964A1 (en) * 2004-06-17 2005-12-22 Ming-Tseh Tsay Chemical mechanical polishing slurry for polishing copper layer on a wafer
CN101368272A (zh) * 2007-08-15 2009-02-18 江苏海迅实业集团股份有限公司 铝及铝合金材料抛光液
CN101831244A (zh) * 2010-05-10 2010-09-15 上海高纳粉体技术有限公司 高精度氧化铝抛光液及其制备方法
CN102174295A (zh) * 2011-03-25 2011-09-07 江南大学 适用于精细雾化cmp的一种碱性二氧化硅抛光液
CN102585705A (zh) * 2011-12-21 2012-07-18 上海新安纳电子科技有限公司 一种用于蓝宝石衬底的化学机械抛光液及其应用
CN102757732A (zh) * 2012-06-28 2012-10-31 上海新安纳电子科技有限公司 Al衬底用化学机械抛光液

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050279964A1 (en) * 2004-06-17 2005-12-22 Ming-Tseh Tsay Chemical mechanical polishing slurry for polishing copper layer on a wafer
CN101368272A (zh) * 2007-08-15 2009-02-18 江苏海迅实业集团股份有限公司 铝及铝合金材料抛光液
CN101831244A (zh) * 2010-05-10 2010-09-15 上海高纳粉体技术有限公司 高精度氧化铝抛光液及其制备方法
CN102174295A (zh) * 2011-03-25 2011-09-07 江南大学 适用于精细雾化cmp的一种碱性二氧化硅抛光液
CN102585705A (zh) * 2011-12-21 2012-07-18 上海新安纳电子科技有限公司 一种用于蓝宝石衬底的化学机械抛光液及其应用
CN102757732A (zh) * 2012-06-28 2012-10-31 上海新安纳电子科技有限公司 Al衬底用化学机械抛光液

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
王阳元: "《绿色微纳电子学》", 31 July 2010 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104559797A (zh) * 2014-12-22 2015-04-29 深圳市力合材料有限公司 一种硅晶片细抛光组合物及其制备方法
CN105839111A (zh) * 2016-05-05 2016-08-10 西安热工研究院有限公司 一种制备ebsd样品的机械抛光液、制备方法及机械抛光方法
CN105970228A (zh) * 2016-05-25 2016-09-28 深圳市佳欣纳米科技有限公司 一种铝合金抛光液及其制备方法
CN106752969A (zh) * 2016-11-22 2017-05-31 启东市清清蔬果农地股份专业合作社 一种铝合金外壳的抛光液
CN113894623A (zh) * 2021-10-29 2022-01-07 广东先导微电子科技有限公司 一种锑化镓晶片的单面抛光方法及锑化镓抛光片
CN113894623B (zh) * 2021-10-29 2023-02-17 广东先导微电子科技有限公司 一种锑化镓晶片的单面抛光方法及锑化镓抛光片

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103937413A (zh) 用于合金抛光的氧化铝抛光液及其制备方法
CN103911617A (zh) 一种氧化硅抛光液及其制备方法
CN105505229B (zh) 一种金属抛光用复合抛光液及其制备方法
CN106011826B (zh) 一种铜铝复合盖板的表面保护方法
CN108239484B (zh) 一种蓝宝石抛光用氧化铝抛光液及其制备方法
EP2835450B1 (en) Micro-nano processing method for aluminum or aluminum alloy surface
CN104445971B (zh) 蚀刻液
CN108585530A (zh) 一种玻璃蚀刻液及其制备方法
CN103276397A (zh) 一种环保型工序间水性防锈液及其制备方法
Liu et al. A review: green chemical mechanical polishing for metals and brittle wafers
CN104073171A (zh) 一种不锈钢表面超精密加工专用纳米浆料及其制备方法
CN108441122A (zh) 一种用于手机不锈钢部件的抛光液及其制备方法
CN108529923A (zh) 一种改性水泥助磨剂及其制备方法
CN109761503A (zh) 手机镜片蚀刻液、制备及应用方法
CN102747406A (zh) 镁合金阳极氧化电解液及对镁合金表面处理的方法
CN110256968B (zh) 一种用于铜抛光的氧化铝抛光液及其制备方法
CN105568289A (zh) 一种改性金属抛光液
CN102127801B (zh) 用于铜互连层电化学机械抛光的电解液及其制备方法
CN107245761B (zh) 金刚线多晶硅片制绒辅助剂及其应用
CN105388713A (zh) 一种薄膜液晶显示器中的铝膜水系光阻剥离液
CN103509470B (zh) 用于超精密抛光的核壳结构复合料浆的制备方法
CN105199610A (zh) 一种蓝宝石抛光组合物及其制备方法
CN103952224B (zh) 用于太阳能硅片制造的水基游离磨料切割液及其制备方法
CN102634840A (zh) 锆合金的电化学抛光电解液及其电化学抛光方法
CN108018544A (zh) 镁合金稀土转化膜处理剂及其处理方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
EXSB Decision made by sipo to initiate substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20140709

RJ01 Rejection of invention patent application after publication