CN1039073C - 半导体开关堆 - Google Patents
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Abstract
半导体开关堆包括基底部件和设置在基底部件上的半导体组件。半导体组件包括开关元件和一叠层导体组,开关元件安装在基底部件的表面上,有第一、二和三端,开关元件的第一、二和三端引到同一平面,叠层导体组设置在开关元件的第一、二和三端上,由第一、二、三导体和使相邻两导体间绝缘的绝缘体层叠组成。半导体组件还包括分别连接第一、二、三导体和开关元件的第一、二、三端的第一、二和三连接装置。
Description
本发明涉及一种半导体开关堆,特别涉及一种由正开关器件和负开关器件组成的半导体开关堆,其中的正边和负边两端引到同一表面。
通常,使用高速开关器件的高频脉宽调制(PWM)控制方法被广泛地用于功率逆变器中。当功率逆变器的容量要做得更大时,要将大容量高速开关器件并联使用。在高频PWM控制方法中,为了通过减少高速开关器件之间的电抗来扼制在开关期间所产生的浪涌电压,就要将高速开关器件相互紧密安装,并缩短它们与电容器的距离。
下面将参照图10和11讨论公知的半导体开关堆。
图10示出半导体开关堆7的一种电路结构,它在三相或单相电桥电路中由已知AC相的正边和负边的二桥臂组成。在此电路中,6个并联的半导体开关器件1a,1b,1c,1d,1e,1f,和6个并联的半导体开关器件2a,2b,2c,2d,2e,2f(每一个均由晶体三极管构成)串联连接在DC端9和10之间。在此电路中,还将两个电容连接在DC端9和10之间。器件1a-1c并联连接在一DC导体3H和一AC导体5H之间。器件1d-1f并联连接在一DC导体3R和一AC导体5R之间。器件2a-2c并联连接在一AC导体5H和一DC导体4H之间。器件2d-2f并联连接在一AC导体5R和一DC导体4R之间。一AC端11由AC导体5H、5R导入。电容器15和DC端9、10之间的连接分别通过导体3a和4a来实现。
图11示出图10所示的公知的半导体开关堆7的封装。在图11中,(a)是平面图,(b)是右视图。
在图11中,器件1a-1f和2a-2f排列在带内装热管的散热装置6的热吸收单元6d的两面上,每面6个。器件1a和2a、1b和2b、1c和2c自热辐射单元6b侧起依次排列在散热装置6的热接收单元6a的前表面上。器件1a、1b和1c的正端C连接到从散热装置6的热辐射单元6b附近延伸的DC导体3 H上。DC导体3H通过DC端9与DC导体3a连接。器件1a、1b、1c的负端E和器件2a、2b、2c的正端C均连接到从热辐射单元6b附近延伸的AC导体5H上。AC导体5H的终端形成AC端11。器件2a、2b和2c的负端E均连接到从热辐射单元6b附近延伸的DC导体4H上。DC导体4H通过DC端10连接到DC导体4a。DC导体3a和DC导体4a的另一终端分别连接到电容器15的正端和负端。
而且,器件1d和2d、器件1e和2e、器件1f和2f自热辐射单元6b侧起,依次按与前表面同样的方式排列在散热装置6的热接收器6a的后表面上。这些器件的正端C和负端E按与前表面同样方式连接到两个DC导体3R、4R中的一个和AC导体5R上。如图11(a)所示,AC端11安排在与DC端9和10靠近且距离相等的位置。导体3H、3R、4H、4R、5H和5R做成带状,如图11所示。
在图11(b)中,仅示出DC导体4H、4R和DC导体4a。一DC导体由DC导体3H和3R组成,一DC导体由DC导体4H和4R组成,而一AC导体由AC导体5H和5R组成。
如图11(b)所示,设置在热接收单元6a前、后面上的DC导体3H、4H、3R、4R和AC导体5H、5R中的每一个在热接收单元6a前都分别弯向热接收单元6a的端面。DC端9、10和AC端11分别位于DC导体3H、3R、DC导体4H、4R和AC导体5H、5R的中间位置。
然而在这种结构形式中是通过使AC导体和DC导体成形为带状并使之分隔开而按三维排列,所以在每个器件开关工作时间有一个使电路引线电抗更小和扼制浪涌电压的极限。
也存在因每个器件到DC或AC端距离不同面使流过并联连接的每个器件的电流之间不平衡。
因此,本发明的一个目的是提供一种在每个器件开关动作期间能使电路电抗更小并能进一步扼制浪涌电压的半导体开关堆。
本发明的另一目的是提供一种能改善流过并联连接的每个器件的电流平衡的半导体开关堆。
本发明的这些和其它目的能通过提供包括基底部件和位于基底部件上的半导体组件的半导体开关堆来达到。此半导体组件包括开关元件和叠层导体组,所说的开关元件安装在基底部件的表面上并有第一、第二和第三端并将这第一、第二和第三端引到同一平面,所说的叠层导体组设置在开关元件的第一、第二和第三端,它是由第一、第二、第三导体和用以使相邻两导体间绝缘的绝缘体层叠组成。此半导体组件还包括用以分别连接第一、第二、第三导体和开关元件的第一、第二、第三端的第一、第二和第三连接装置。第一、第二和第三连接装置以这样状态插进叠层导体组,即使第一、第二和第三连接装置与第一、第二和第三导体电连接,并分别与第二和第三导体,第一和第三导体、第一和第二导体绝缘。
按照本发明的一种情况,提供一种半导体开关堆,它包括基底部件、位于基底部件第一表面上的第一半导体组件和位于基底部件第二表面上的第二半导体组件。第一和第二半导体组件的每一个都包括一开关元件和一叠层导体组,所说的开关元件安装在基底部件的第一和第二表面的一个表面上并有第一、第二和第三端,它们都引到同一平面,所说的叠层导体组设置在开关元件的第一、第二和第三端上,它由第一、第二、第三导体和用以使相邻两导体间绝缘的绝缘体层叠组成。叠层导体组包括分别与第一、第二和第三导体电连接的第一、第二和第三连接部分。第一和第二半导体组件的每一个还包括用以分别连接第一、第二、第三导体和开关元件的第一、第二、第三端的第一、第二和第三连接装置。第一、第二和第三连接装置以这样状态插进叠层导体组件,即使第一、第二和第三连接装置与第一、第二和第三导体电连接,并分别与第二和第三导体、第一和第三导体、第一和第二导体绝缘。第一和第二半导体组件的每一个还包括用以分别连接第一和第二半导体组件的第一、第二和第三连接部分的第一、第二和第三导体连接装置。
参考下面结合附图的更详细的说明,将很容易得到对本发明的更全面的评价及它的其它许多优点,并使其变得更容易理解。
图1是表示本发明一实施例的半导体开关堆的视图;
图2是表示在图1所示实施例的前表面上叠层导体组的一部分的部件分解轴视图;
图3是表示在图1所示实施例的前表面上叠层导体组另一部分的部件分解轴视图;
图4是表示在图1所示实施例的后表面上叠层导体组的一部分的部件分解轴视图;
图5是表示在图1所示实施例的后表面上叠层导体组的另一部分的部件分解轴视图;
图6是表示前表面叠层导体组的视图;
图7是表示从各种截面看图6所示的叠层导体组的截面图;
图8是表示后表面叠层导体组的视图;
图9是表示从各种截面看图8所示的叠层导体组的截面图;
图10是半导体开关堆中所包括的开关器件和电容器的电路图;和
图11是表示已有技术半导体开关堆的视图。
下面将参照附图讨论本发明的实施例,其中同样的标号在所有视图中代表相同的或相应的部件。
下文将参照图1~9说明本发明的一个实施例。图1(a)是表示半导体开关堆前表面的已封装状态的平面图,图1(b)是其右视图。此已封装的电路除连接导体外与图10所示的电路相同。
如图1所示,器件1a-1c和2a-2c以图11所示的同样方式排列在半导体开关堆7A前边的散热装置6的热接收单元6a上。一叠层导体组8排放在器件1a-1c和2a-2c的接线端C和E上并盖住每一接线端。同样,器件1d-1f和2d-2f排列在半导体开关堆7a后边的散热装置6的热接收单元6a上。一叠层导体组16排放在器件1d-1f和2d-2f的接线端C和E上并盖住每一接线端。叠层导体组16中的每个导体都在热接收单元6a前弯向热接收单元6a的前面,并在其前面与叠层导体组8的每个相应的导体相连,这将在后面详细说明。
图2和图3分别是叠层导体组8的部件分解轴视图,这两幅图一起构成叠层导体组8。图2和图3中所示叠层导体组8放置在如上所述的热接收单元6a的前边,并由DC导体3b、DC导体4b和位于其间的AC导体5b及4张绝缘板20b、21b、22b和23b层叠而构成,导体3b、4b和5b分别夹于每两张绝缘板之间。它们是以这样顺序层叠的,即从与器件1a-1c和2a-2c的每个接线端E和C接触的那侧起,顺序是绝缘板23b、DC导体4b,绝缘板22b、AC导体5b、绝缘板21b、DC导体3b、绝缘板20b。
图4和5分别是叠层导体组16的部件分解轴视图,这两幅图一起构成叠层导体组16。
图4和5中所示的叠层导体组16放置在热接收单元6a的后边,并由DC导体3c、DC导体4c和位于其间的AC导体5c及4张绝缘板20c、21c、22c和23c层叠而构成,导体3c、4c和5c分别夹在每两张绝缘板之间。它们是以这样顺序层叠的,即从与器件1d-1f和2d-2f的每个接线端C和E接触的那侧起,顺次是绝缘板23c、DC导体4c、绝缘板22c、AC导体5c、绝缘板21c、DC导体3c、绝缘板20c。
在叠层导体组8和16中,DC导体3b、4b、3c、4c和AC导体5b、5c均由铜板(镀了锡的,厚度2mm)制成,绝缘板20b、21b、22b、23b、20c、21c、22c和23c均由厚2mm的聚苯撑硫(PPS)板制成。
如图2-5所示,与电容器15连接的L形电容器连接器3bc、3cb、4bc和4cb分别附设于DC导体3b、3c、4b、4c的前端。放置在后侧的电容器连接器3cb和4cb向热接收单元6a的前表面弯曲到热接收单元6a前边,从而使其能与电容器连接器3bc、4bc和位于热接收单元6a前边的电容器15的正、负端连接。向热接收单元6a前面弯到热接收单元6a前边的U形连接器设置在位于后侧的AC导体5C的前端,从而使其能与AC导体5b连接。通过使每个电容器连接器3bc、3cb、4bc和4cb成L形,在每个DC导体3b、3c、4b、4c和它们的每个电容器连接器3bc、3cb、4bc、4cb之间形成一间隙。因此,AC导体5c的连接器能从后面延伸到前面。结果,通过AC导体5的U形连接器使AC导体5b和AC导体5c建立连接是可能的。
图6(a)是从前面即从图1(b)的左边看的叠层导体组8的平面图。图6(b)是其右视图。图7(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、(f)表示在图6(a)的A-A′、B-B′、C-C′、D-D′、E-E′和F-F′处叠层导体组8的截面图。
图8(a)是从前面即从图1(b)的右边看的叠层导体组16的平面图。图8(b)是其侧视图。图9(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、(f)表示在图8(a)的A-A′、B-B′、C-C′、D-D′、E-E′和F-F′处叠层导体组16的截面图。
下面说明叠层导体组8。如图2和3所示,在绝缘板上开出如下的孔:在绝缘板2ab上开孔I1~I12、在绝缘板21b上开孔I13~I24、在绝缘板22b上开孔I25~I36、在绝缘板23b上开孔I37~I48。这些孔I1~I48用以套进导体凸圈(后面说明),这些凸圈使器件1a-1c和2a-2c的接线端C和E与DC导体3b、4b和AC导体5b连接。在绝缘板上还开有如下其它的孔:在绝缘板20b上开孔IA-Id、在绝缘板21b上开孔IE-IH、在绝缘板22b上开孔II-IL、在绝缘板23b上开关孔IM-IP。这些孔IA-IP为绝缘固定销14而设,所说的固定销14使叠层导体组8整体固定(见图6(a)和图7(b))。
在图2中,导体凸圈PB1-PB6安装在DC导体3b上。导体凸圈PB1和PB4、PB2和PB5、PB3和PB6各组结合成一体。它们每个的中央都有中空的空间以便通过终端连接销13(未示出)。导体凸圈(后文说明)好有中空的空间用以通过终端连接销13。如图7(c)所示,器件1c的正端C通过插进导体凸圈PB1和PB4的终端连接销13(未示出)与DC导体3b电连接。同样,器件1b的正端C通过插进导体凸圈PB2和PB5的终端连接销(未示出)与DC导体3b电连接。器件1a的正端C通过插进导体凸圈PB3和PB6的终端连接销13(未示出)与DC导体3b电连接。孔P5-P7、孔P25-P27和孔P28-P30开在DC导体3b上。这些孔分别用以穿过导体凸圈ACB1-ACB3、导体凸圈ACB7-ACB4和导体凸圈NB1-NB3(后之说明)。这些孔要有这样的尺寸,即使每个导体凸圈和DC导体3b互不接触,从而使这些导体凸圈与DC导体3b绝缘。此外用于绝缘固定销14的孔P1-P4开在DC导体3b上。导体凸圈PB13,PB14用的孔P8和P9开在DC导体3b的电容器连接器3bc上,所说的导体凸圈PB13和PB14(后文说明)使DC导体3b、DC导体3c和电容器15的正端连接。
在图3中,导体凸圈NB1-NB4安装在DC导体4b上。导体凸圈NB1和NB4、NB2和NB5、NB3和NB6、各自结合成一体。如图7f所示,器件2c的负端E通过插进导体凸圈NB1和NB4的终端连接销13(未示出)电连接到DC导体4b。同样,器件2b的负端E通过插进导体凸圈NB2和NB5的终端连接销13(未示出)电连接到DC导体4b。器件2a的负端E通过插进导体凸圈NB3和NB6的终端连接销13(未示出)电连接到DC导体4b。孔N5-N7、孔N25-N27和孔N28-N30也开在DC导体46上。这些孔分别为插进导体凸圈ACB10-ACB12、导体凸圈ACB4-ACB4和导体凸圈PB4-PB6(如上所述)而设。这些孔的尺寸是这样设置的,即,使每个导体凸圈和DC导体4b互不接触,从而使这些导体凸圈与DC导体4b绝缘。此外,用于绝缘固定销14的孔N1-N4开在DC导体4b上。导体凸圈NB13-NB14(后文说明)用的孔N8和N9开在DC导体4b的电容器连接器4bc上,所说的导体凸圈NB13-NB14使DC导体4b、DC导体4c和电容器15的负端连接。
在图2中,导体凸圈ACB1-ACB6和ACB7-ACB12安装在AC导体5b上。导体凸圈ACB1和ACB4、ACB2相ACB5、ACB3和ACB6、ACB7和ACB10、ACB8和ACB11、ACB9和ACB12各自结合成一体。如图7(d)和(e)所示,器件1c的负端E通过插入导体凸圈ACB1和ACB4的终端连接销13(未示出)电连接到AC导体5b。同样,器件1b的负端E通过插入导体凸圈ACB2和ACB5的终端连接销13(未示出)连接到AC导体5b。器件1a的负端E通过插入导体凸圈ACB3和ACB6的终端连接销13(未示出)连接到AC导体5b上。同样,器件2c的正端C、器件2b的正端C和器件2a的正端C通过分别插入导体凸圈ACB7和ACB10、导体凸圈ACB8和ACB11、导体凸圈ACB9和ACB12的终端连接销13(未示出)连接到AC导体5b。孔AC19-AC21和AC22-AC24也开在AC导体5b上。这些孔也分别为插入导体凸圈NB1-NB3和导体凸圈PB4-PB6而设。这些孔的尺寸这样来设置,使每个导体凸圈和DC导体5b互不接触,从而使这些导体凸圈与AC导体5b绝缘。此外,用于绝缘固定销14的孔AC1-AC4开在AC导体5b上,用于连接销17(见图1)的孔AC5和AC6开在AC导体5b上,所说的连接销17使AC导体5b连接到AC导体5c。
下面说明叠层导体组16。如图4和5所示,这些孔开在如下绝缘板上:绝缘板20c上开孔I49-I60、绝缘板21c上开孔I61-I72、绝缘板22c上开孔I23-I84、绝缘板23c上开孔I85-I96。这些孔I49-I96为插进导体凸圈(后文说明)而设,所说的导体凸圈使器件Id-If和2d-2f的正负端C和E与DC导体3c、4c和AC导体5c连接。更多的孔开在如下的绝缘板上:绝缘板20c开孔IQ-IT、绝缘板21c开孔IU-IX、绝缘板22c开孔IY-I2、IAA、IAB、绝缘板23c开孔IAc-IAF。这些孔IQ-IAF是为将叠层导体组16固定成整体的绝缘固定销14(见图8(a)和图9(b)而设。
在图4中,导体凸圈PB7-PB12安装在DC导体3c上。导体凸圈PB7和PB10、PB8和PB11、PB9和PB12各自结合成一体。如图9(c)所示,器件1f的正端C通过插进导体凸圈PB7和PB10的终端连接销13(未示出)电连接到DC导体3c。同样,器件1e的正端C通过插进导体凸圈PB8和PB11的终端连接销13(未示出)电连接到DC导体3c。器件1d的正端C通过插进导体凸圈PB9和PB12的终端连接销13(未示出)电连接到DC导体3c。孔P14-P18、孔P19-P21和孔P22-P24也开在DC导体3c上。这些孔分别为插进导体凸圈ACB13-ACB15、导体凸圈ACB19-ACB21和导体凸圈NB7-NB9(后文说明)而设。这些孔的尺寸是这样确定的,即,使每个导体凸圈和DC导体3c互不接触,从而使这些导体凸圈与DC导体3c绝缘。此外,用于绝缘固定销14的孔P10-P13开在DC导体3c上。导体凸圈PB13和PB14的孔P17和P18开在DC导体3c的电容器连接器3cb上,所说的导体凸圈PB13和PB14使DC导体3b、DC导体3c和电容器15的正端连接。
在图5中,导体凸圈NB7-NB12安装在DC导体4c上。导体凸圈NB7和NB10、NB8和NB11、NB9和NB12各自结合成一体。如图9(f)所示,器件2f的负端E通过插进导体凸圈NB7和NB10的终端连接销13(未示出)电连接到DC导体4c上。同样,器件2e的负端E通过插进导体凸圈NB9和NB11的终端连接销13(未示出)电连接到DC导体4c上。器件2d的负端E通过插进导体凸圈NB9和NB12的终端连接销13(未示出)电连接到DC导体4c上。孔N14-N16、孔N19-N21和孔N22-N24也开在DC导体4c上。这些孔分别为插进导体凸圈ACB19-ACB21、导体凸圈ACB13-ACB15(后文说明)和导体凸圈PB10-PB12(上文已说明)而设。这些孔的尺寸是这样确定的,即,使这些导体凸圈和DC导体4c互不接触,从而使这些导体凸圈与DC导体4c绝缘。此外,用于绝缘固定销14的孔N10-N13开在DC导体4b上。导体凸圈NB13和NB14用的孔N17和N18开在DC导体4c的电容器连接器4cb上,所说的导体凸圈NB13和NB14使DC导体4b、DC导体4c以及电容器15的负端连接。
在图4中,导体凸圈ACB19-ACB24和ACB13-ACB18安装在AC导体5c上。导体凸圈ACB19和ACB22、ACB20和ACB23、ACB21和ACB24、ACB13和 ACB16、ACB14和ACB17、ACB15和ACB18各自结合成一体。如图9(d)和(e)所示器件1f的负端E通过插进导体凸圈ACB13和ACB16的终端连接销13(未示出)电连接到AC导体5c上。同样,器件1e的负端E通过插进导体凸圈ACB14和ACB17的终端连接销13(未示出)电连接到AC导体5c上。器件1d的负端E通过插进导体凸圈ACB15和ACB18的终端连接销13(未示出)电连接到AC导体5c上。同样,器件2f的正端C、器件2e的正端C和器件2d的正端C通过分别插进导体凸圈ACB19和ACB22、导体凸圈ACB20和ACB23和导体凸圈ACB21和ACB24的终端连接销13(未示出)电连接到AC导体5c上。孔AC11-AC13和孔AC14-AC16也开在AC导体5c上。这些孔分别为插进导体凸圈NB7-NB9和导体凸圈PB10-PB12(上文已说明)而设。这些孔的尺寸这样确定,即,使每个导体凸圈和DC导体5c互不接触,从而使这些导体凸圈与AC导体5c绝缘。此外,绝缘固定销14用的孔AC1-AC4开在AC导体5c上,连接销17用的孔AC17和AC18开在AC导体5c上,所说的连接销17使AC导体5c连接到AC导体5b上。
以这种方式将DC导体、AC导体和绝缘体结合成叠层导体组并放在开关器件上。通过这种方法,在不将器件和电容器的接线端之间的连线分成二个的情况下能缩短导体之间的连接距离。因此,能使引线电抗更小,约为图11所示的开关堆7的一半,也能抑制开关工作期间的浪涌电压。因为使DC和AC导体加工成板形,以致使每个器件和DC或AC端之间的等效电阻变得近似相等,这就改善了流过每个并联连接器件的电流的平衡。而且,由于将导体结合成一体叠层导体组,连接导体的工作时间能缩短。
在该实施例中,叠层导体组通过将DC导体3b和3c、DC导体4b和4c、AC导体5b和5c和多个绝缘体层叠组成。而且,层叠成的结构也可以使用在每个导体表面上涂敷绝缘介质而不使用独立的绝缘板。此外,在该实施例中,每个有正端和负端的开关器件在前面和后面上成对地使用。总共4个接线端都引到外边的结构已讨论过。然而与本实施例的结构有类似的结构的叠层导体组可用作二合一型开关器件,每个这种二合一型开关器件除正端和负端外都有一公共连接端,也就是说总共三个接线端引出。
当使用本发明时,所完成的半导体开关堆能使电路引线电感更小,还能在每个器件的开关动作期间扼制浪涌电压。而且所完成的半导体开关堆能改善器件所流过的电流的平衡。
显然,按照上述教导能对本发明做许多改良和变化。因此应理解到本发明的保护范围不限于上文特定实施例,而由所附的权利要求的范围来确定。
Claims (10)
1.一种半导体开关堆由基底部件和设置在所说的基底部件上的半导体组件组成,所说的半导体组件包括:
一开关元件,它安装在所说基底部件的表面上并有第一端、第二端和第三端,而所说的开关元件的所说的第一、第二和第三端引到同一平面;其特征在于,
一叠层导体组设置在所说开关元件的所说的第一、第二和第三端上,此叠层导体组由第一导体、第二导体、第三导体和用以使相邻两个所说的导体间绝缘的绝缘体层叠组成;
第一连接装置,它连接所说的第一导体和所说的开关元件的所说的第一端,所说的第一连接装置以这样状态插进所说的叠层导体组,即,使所说的第一连接装置与所说的第一导体电连接,而与所说的第二和第三导体绝缘;
第二连接装置,它连接所说的第二导体和所说的开关元件的所说的第二端,所说的第二连接装置以这样状态插进所说的叠层导体组,即使所说的第二连接装置与所说的第二导体电连接,而与所说的第一和第三导体绝缘;
第三连接装置,它连接所说的第三导体和所说的开关元件的所说的第三端,所说的第三连接装置以这样状态插进所说的叠层导体组,即,使所说的第三连接装置与所说的第三导体电连接,而与所说的第一和第二导体绝缘。
2.一种半导体开关堆,它由如下部分组成:
-基底部件;
-第一半导体组件,它设置在所说基底部件的第一表面上;
-第二半导体组件,它设置在所说基底部件的第二表面上;
所说的第一和第二半导体组件的每一个都包括:
-开关元件,它安装在所说基底部件的所说第一和第二表面中的一个表面上,并有第一端、第二端和第三端,而所说开关元件的所说第一、第二和第三端引到同一平面,其特征在于,
-叠层导体组,它设置在所说开关元件的所说第一、第二和第三端上,该叠层导体组由第一导体、第二导体、第三导体和用以使相邻的两个所说导体间绝缘的绝缘体层叠组成,
所说的叠层导体组包括与所说的第一导体电连接的第一连接部分,与所说的第二导体电连接的第二连接部分和与所说的第三导体电连接的第三连接部分,
第一连接装置,用以连接所说的第一导体和所说的开关元件的所说的第一端,所说的第一连接装置以这样状态插进所说的叠层导体组,即使所说的第一连接装置与所说的第一导体电连接,而与所说的第二和第三导体绝缘,
第二连接装置,用以连接所说的第二导体和所说的开关元件的所说的第二端,所说的第二连接装置以这样状态插进所说的叠层导体组,即使所说的第二连接装置电连接到所说的第二导体,而与所说的第一和第三导体绝缘,和
第三连接装置,用以连接所说的第三导体和所说的开关元件的所说的第三端,所说的第三连接装置以这样状态插进所说的叠层导体组,即使所说的第三连接装置电连接所说的第三导体,而与所说的第一和第二导体绝缘;
第一导体连接装置,用以连接所说的第一半导体组件的所说的第一连接部分和所说的第二半导体组件的第一连接部分;
第二导体连接装置,用以连接所说的第一半导体组件的所说的第二连接部分和所说的第二半导体组件的所说的第二连接部分;和
第三导体连接装置,用以连接所说第一半导体组件的所说的第三连接部分和所说的第二半导体组件的所说的第三连接部分。
3.按照权利要求2所说的半导体开关堆,其特征在于还包括一电容器,其中
所说的第一导体连接装置包括与所说的电容器的第一端连接的第一电容器连接部分;和
所说的第三导体连接装置包括与所说的电容器的第二端连接的第二电容器连接部分。
4.按照权利要求2所说的半导体开关堆,其特征在于所说的基底部件由散热装置的热接收单元组成,所说的散热装置用以辐射所说的开关元件所产生的热。
5.按照权利要求2所说的半导体开关堆,其特征在于,在所说的叠层导体组中;
所说的第一、第二和第三导体中的每一个都加工成板形;和
每个所说的绝缘体都加工成板形。
6.按照权利要求2所说的半导体开关堆,其特征在于,在所说的叠层导体组中:
所说的第一、第二和第三导体中的每一个都加工成板形并涂敷上绝缘介质;和
所说的每一个绝缘体都至少由在所说的第一、第二和第三导体中的一个导体的表面上形成的一个绝缘涂层组成。
7.按照权利要求2所说的半导体开关堆,其特征在于:
所说的开关元件由串联连接的正开关器件和负开关器件组成;
所说的开关元件的所说的第一端包括所说的正开关器件的正端;
所说的开关元件的所说的第二端包括所说的正开关器件的负端和所说的负开关器件的正端;和
所说的开关元件的所说的第三端包括所说的负开关器件的负端。
8.按照权利要求2所说的半导体开关堆,其特征在于:
所说的开关元件由多个串联连接的正开关器件和负开关器件的并联电路组成;
所说的开关元件的所说的第一端包括多个所说的正开关器件的正端;
所说的开关元件的所说的第二端包括多个所说的正开关器件的负端和多个所说的负开关器件的正端;和
所说的开关元件的所说的第三端包括多个所说的负开关器件的负端。
9.按照权利要求2所说的半导体开关堆,其特征在于:
所说的开关元件由二合一型开关器件组成;
所说的二合一型开关器件由串联连接的正开关器件和负开关器件组成,它有与所说的正开关器件的正端连接的正端,与所说的正开关器件的负端和所说的负开关器件的正端共同连接的公共端,和与所说的负开关器件的负端连接的负端;
所说的开关元件的所说的第一端包括所说二合一型开关器件的所说的正端;
所说的开关元件的所说的第二端包括所说的二合一型开关器件的所说的公共端;
所说的开关元件的所说的第三端包括所说的二合一型开关器件的所说的负端。
10.按照权利要求2所说的半导体开关堆,其特征在于:
所说的开关元件由多个并联连接的二合一型开关器件组成;
所说的二合一型开关器件由串联连接的正开关器件和负开关器件组成,它有与所说的正开关器件的正端连接的正端,与所说的正开关器件的负端和所说的负开关器件的正端共同连接的公共端,和与所说的负开关器件的负端连接的负端;
所说的开关元件的所说的第一端包括多个所说的二合一型开关器件的所说的正端;
所说的开关元件的所说的第二端包括多个所说的二合一型开关器件的所说的公共端;
所说的开关元件的所说的第三端包括多个所说的二合一型开关器件的所说的负端。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5276894A JP2531928B2 (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 半導体スタック |
JP276894/93 | 1993-11-05 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1108825A CN1108825A (zh) | 1995-09-20 |
CN1039073C true CN1039073C (zh) | 1998-07-08 |
Family
ID=17575881
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN94120101A Expired - Lifetime CN1039073C (zh) | 1993-11-05 | 1994-11-05 | 半导体开关堆 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5637918A (zh) |
EP (1) | EP0652630B1 (zh) |
JP (1) | JP2531928B2 (zh) |
KR (1) | KR0149064B1 (zh) |
CN (1) | CN1039073C (zh) |
CA (1) | CA2135027C (zh) |
DE (1) | DE69427629T2 (zh) |
FI (1) | FI945204A (zh) |
TW (1) | TW332898B (zh) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3424532B2 (ja) * | 1997-11-25 | 2003-07-07 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置 |
DK1330866T3 (en) * | 2000-11-03 | 2016-02-29 | Smc Electrical Products Inc | Inverter for use in an AC drives |
SE525572C2 (sv) * | 2002-12-23 | 2005-03-15 | Danaher Motion Stockholm Ab | Motordrivenhet av växelriktartyp |
TWI442520B (zh) * | 2005-03-31 | 2014-06-21 | Stats Chippac Ltd | 具有晶片尺寸型封裝及第二基底及在上側與下側包含暴露基底表面之半導體組件 |
US7364945B2 (en) | 2005-03-31 | 2008-04-29 | Stats Chippac Ltd. | Method of mounting an integrated circuit package in an encapsulant cavity |
US7354800B2 (en) | 2005-04-29 | 2008-04-08 | Stats Chippac Ltd. | Method of fabricating a stacked integrated circuit package system |
US7394148B2 (en) | 2005-06-20 | 2008-07-01 | Stats Chippac Ltd. | Module having stacked chip scale semiconductor packages |
US7768125B2 (en) | 2006-01-04 | 2010-08-03 | Stats Chippac Ltd. | Multi-chip package system |
US7456088B2 (en) | 2006-01-04 | 2008-11-25 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system including stacked die |
US7750482B2 (en) | 2006-02-09 | 2010-07-06 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system including zero fillet resin |
FI120068B (fi) | 2006-04-20 | 2009-06-15 | Abb Oy | Sähköinen liitos ja sähkökomponentti |
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- 1993-11-05 JP JP5276894A patent/JP2531928B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-11-02 EP EP94308087A patent/EP0652630B1/en not_active Revoked
- 1994-11-02 DE DE69427629T patent/DE69427629T2/de not_active Revoked
- 1994-11-02 TW TW083110100A patent/TW332898B/zh not_active IP Right Cessation
- 1994-11-03 CA CA002135027A patent/CA2135027C/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-11-04 US US08/334,119 patent/US5637918A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-11-04 FI FI945204A patent/FI945204A/fi not_active Application Discontinuation
- 1994-11-05 CN CN94120101A patent/CN1039073C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1994-11-05 KR KR1019940029000A patent/KR0149064B1/ko not_active IP Right Cessation
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0652630A3 (en) | 1997-01-22 |
EP0652630A2 (en) | 1995-05-10 |
TW332898B (en) | 1998-06-01 |
FI945204A (fi) | 1995-05-06 |
EP0652630B1 (en) | 2001-07-04 |
JPH07131981A (ja) | 1995-05-19 |
CN1108825A (zh) | 1995-09-20 |
CA2135027C (en) | 1998-09-22 |
CA2135027A1 (en) | 1995-05-06 |
DE69427629T2 (de) | 2001-10-18 |
FI945204A0 (fi) | 1994-11-04 |
JP2531928B2 (ja) | 1996-09-04 |
DE69427629D1 (de) | 2001-08-09 |
KR0149064B1 (ko) | 1998-12-01 |
US5637918A (en) | 1997-06-10 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CX01 | Expiry of patent term |
Expiration termination date: 20141105 Granted publication date: 19980708 |