CN103891134A - 单差分变压器核 - Google Patents

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Abstract

公开了一种集成电路。该集成电路包括初级线圈。该集成电路还包括第一次级线圈，该第一次级线圈与该初级线圈一起充当第一变压器。该集成电路还包括第二次级线圈，该第二次级线圈与该初级线圈一起充当第二变压器。初级线圈、第一次级线圈和第二次级线圈在该集成电路上可以具有使第一次级线圈和第二次级线圈之间的耦合最小化的布局。

Description

单差分变压器核
根据35U.S.C.§119的优先权要求
本申请是要求于2011年10月28日提交的名称为“SINGLE DIFFERENTIALTRANSFORMER CORE(单差分变压器核)”的临时申请序列号61/553,049的优先权的非临时申请，该临时申请已转让给本申请的受让人并由此通过援引明确纳入于此。
技术领域
本公开一般涉及电子通信。更具体地，本公开涉及用于单差分变压器核的系统和方法。
背景
无线通信系统被广泛部署以提供诸如语音、视频、数据等各种类型的通信内容。这些系统可以是能够支持多个无线通信设备与一个或多个基站的同时通信的多址系统。
为了在无线通信网络上正确地接收和传送无线信号，无线通信设备可使用一个或多个压控振荡器(VCO)来生成具有期望频率的信号。无线通信设备和/或无线通信系统规范可能要求所生成的信号的振幅满足某些要求而同时信号还保持高可靠性水平。另外，无线通信设备可使用电池来工作。因此，使用较少电流的压控振荡器是有利的。各好处可以通过提供对压控振荡器(VCO)的改进以及与压控振荡器(VCO)内的电路系统有关的改进来实现。
概述
描述了一种集成电路。该集成电路包括初级线圈、与初级线圈形成第一变压器的第一次级线圈、以及与初级线圈形成第二变压器的第二次级线圈。
第一耦合可发生在初级线圈和第一次级线圈之间以形成第一变压器。第二耦合可发生在初级线圈和第二次级线圈之间以形成第二变压器。初级线圈、第一次级线圈和第二次级线圈在该集成电路上可以具有使第一次级线圈和第二次级线圈之间的耦合最小化的布局。初级线圈、第一次级线圈和第二次级线圈可以是电感器。第一变压器和第二变压器可以形成单差分变压器核。单差分变压器核可在低噪放大器或功率放大器中使用。
单差分变压器核可以与2分频加载电路一起用来形成压控振荡器。压控振荡器可包括耦合在第一次级线圈和初级线圈之间的第一晶体管以及耦合在第二次级线圈和初级线圈之间的第二晶体管。初级线圈可以被耦合在第一晶体管的栅极和第二晶体管的栅极之间。第一次级线圈可以被耦合在第一晶体管的漏极和2分频加载电路之间。第二次级线圈可以被耦合在第二晶体管的漏极和2分频加载电路之间。
第一变压器和第二变压器可以生成为所需频率的两倍的频率。2分频加载电路可以输出具有该所需频率的第一差分输出以及具有该所需频率的第二差分输出。该集成电路还包括第三次级线圈。第三次级线圈和第二次级线圈可以形成第三变压器。
还描述了一种用于形成单差分变压器核的方法。在第一线圈和第二线圈之间提供第一耦合以形成第一变压器。在第二线圈和第三线圈之间提供第二耦合以形成第二变压器。第一变压器和第二变压器用于形成单差分变压器核。
第一线圈、第二线圈和第三线圈在该集成电路上可以具有使第一线圈和第三线圈之间的耦合最小化的布局。第一线圈、第二线圈和第三线圈可以是电感器。第一变压器和第二变压器可以形成单差分变压器核。单差分变压器核可在低噪放大器或功率放大器中使用。单差分变压器核可以与2分频加载电路一起用来形成压控振荡器。该压控振荡器可包括耦合在第一线圈和第二线圈之间的第一晶体管以及耦合在第二线圈和第三线圈之间的第二晶体管。第二线圈可以被耦合在第一晶体管的栅极和第二晶体管的栅极之间。第二线圈可以被耦合在第一晶体管的漏极和2分频加载电路之间。第三线圈可以被耦合在第二晶体管的漏极和2分频加载电路之间。
可以在第四线圈和第三线圈之间提供第三耦合以形成第三变压器。第一变压器、第二变压器和第三变压器可用于形成差分变压器核。
描述了一种设备。该设备包括用于在第一线圈和第二线圈之间提供第一耦合以形成第一变压器的装置。该设备还包括用于在第二线圈和第三线圈之间提供第二耦合以形成第二变压器的装置。该设备还包括用于使用第一变压器和第二变压器来形成单差分变压器核的装置。
附图简述
图1是解说集成电路上的单差分变压器核的框图；
图2是解说使用本发明的系统和方法的压控振荡器(VCO)的框图；
图3是使用本发明的系统和方法的压控振荡器(VCO)的电路图；
图4是解说单差分变压器核的一种配置的布局图；
图5是解说差分变压器核的差分电流流动的电路图；
图6是解说从分立核导出单差分变压器核的电路图；
图7是解说差分变压器核的框图；
图8是用于形成单差分变压器核的方法的流程图；以及
图9示出使用单差分变压器核的电子设备/无线设备的硬件实现的一部分。
详细描述
图1是解说集成电路102上的单差分变压器核104的框图。变压器106是通过电感耦合导体将电能从一个电路转移到另一电路的静态设备。变压器106在许多不同的电路设计中使用。例如，变压器106可在压控振荡器(VCO)和放大器(诸如，低噪放大器(LNA)和功率放大器)中使用。图1的单差分变压器核104可包括三个线圈108(也被称为电感耦合导体)：第一线圈108a、第二线圈108b和第三线圈108c。在一种配置中，第二线圈108b可以被称为初级线圈，而第一线圈108a被称为第一次级线圈，且第三线圈108c被称为第二次级线圈。差分变压器核可包括充当初级线圈和次级线圈两者的附加线圈(未示出)。在本文中可互换地使用线圈和电感器。
单差分变压器核104可包括第一变压器106a和第二变压器106b。第一变压器106b可以使用第一线圈108a和第二线圈108b来形成。第一线圈108a和第二线圈108b之间的耦合110a可以允许在第一线圈108a和第二线圈108b之间转移电能，从而形成第一变压器106a。第二变压器106b可以使用第二线圈108b和第三线圈108c来形成。第二线圈108b和第三线圈108c之间的耦合110b可以允许在第二线圈108b和第三线圈108c之间转移电能，从而形成第二变压器106b。通常，每一变压器106需要初级线圈和次级线圈两者。因此，使用图1的单差分变压器核104设计允许消除一线圈(从而减少功耗和用于变压器106的管芯面积)。
图2是解说使用本发明的系统和方法的压控振荡器(VCO)212的框图。压控振荡器(VCO)212可在许多不同的应用中被使用。例如，压控振荡器(VCO)212可以在本地振荡(LO)信号发生器中使用。压控振荡器(VCO)212通常可结合混频器一起被用于将输入数据流解调成基带频率。压控振荡器(VCO)212可以具有两个输出：第一差分输出214a和第二差分输出214b。为了保证接收质量，来自第一差分输出214a的信号250a和来自第二差分输出214b的信号250b应该总具有90度相移。由这些差分输出214输出的信号250可以被称为差分输出信号250。差分输出信号250也可以被称为同相和正交(I/Q)信号。
一种用于生成精确的差分输出信号250的常用方法是使用2x振荡(OSC)核224来生成具有为差分输出信号214所需频率的2倍频率的信号254，并随后将信号254二分频以创建有90度相移的I/Q信号。为此，压控振荡器(VCO)212可以包括耦合在电源电压VDD和2x振荡(OSC)核224之间的2分频(DIV2)加载电路216。该方法是流行的，因为压控振荡器(VCO)212输出可以避免与在1x本地振荡器(LO)频率的强TX输出发生交叠。通常相信强TX调制输出可能产生对压控振荡器(VCO)212的牵引，并由此损害了由压控振荡器(VCO)212生成的本地振荡器(LO)信号(即，差分输出信号250)的清晰度。此外，在无需首先生成具有为所需频率的两倍频率的信号254情况下生成精确的I/Q信号是具有技术挑战性的任务，这通常需要复杂的数字校准引擎。
用于生成精确的差分输出信号250的另一方法是要使用正交压控振荡器(VCO)(未示出)，并用两个跨导(Gm)核来生成精确的I/Q信号。该解决方案仅在该设计不受面积和/或功率的限制的情况下才有吸引力。然而，诸如电子设备和无线通信设备之类的应用受面积和功率两者的限制。因此，正交压控振荡器(VCO)不是合适的解决方案。
全球定位系统(GPS)系统不受压控振荡器(VCO)212牵引困扰，因为全球定位系统(GPS)仅使用RX信号链。然而，由于使用单差分变压器核204以及2分频(DIV2)加载电路216的简单性，因此2x振荡(OSC)核224的使用对于全球定位系统(GPS)系统而言可以是有吸引力的解决方案。在压控振荡器(VCO)212中，2x振荡(OSC)核224可以与2分频(DIV2)加载电路216组合在单个电流支路中。2x振荡(OSC)核224可以被形成在两个Gm晶体管M1222a和M2222b的栅极之间。来自2x振荡(OSC)核224的2x振荡能量可以创建差分电流，该差分电流激发耦合到每一个跨导(Gm)晶体管222的漏极的2分频(DIV2)加载电路216。通过在压控振荡器(VCO)212中使用这种组合振荡器核，振荡电流就可被重用于操作2分频(DIV2)加载电路216。因此，一个支路可以创建所需频率的精确的I/Q信号。
2x振荡(OSC)核224可包括单差分变压器核204。图2的单差分变压器核204可以是图1的单差分变压器核104的一种配置。2x振荡(OSC)核224可以耦合到第一NMOS晶体管M1222a的栅极以及第二NMOS晶体管M2222b的栅极。第一NMOS晶体管M1222a的源极和第二NMOS晶体管M2222b的源极可以耦合到地。第一NMOS晶体管M1222a的漏极以及第二NMOS晶体管M2222b的漏极也可以耦合到2x振荡(OSC)核224。2x振荡(OSC)核224可以耦合到2分频(DIV2)加载电路216。
2x振荡(OSC)核224可以生成具有为压控振荡器(VCO)212的所需频率输出的两倍频率的单个振荡信号254。通过使该单个振荡信号254通过第一NMOS晶体管M1222a和第二NMOS晶体管222b，可以生成具有90度相位差的两个差分输出信号252a-b，每一差分输出信号具有压控振荡器(VCO)212的所需频率输出的两倍频率。可以使第一振荡信号252a(对应于第一NMOS晶体管M1222a)通过2分频(DIV2)加载电路216以在第一差分输出214a处获得具有所需频率的第一差分输出信号250a。同样，可以使第二振荡信号252b(对应于第二NMOS晶体管M2222b)通过2分频(DIV2)加载电路216以在第二差分输出214b处获得具有所需频率的第二差分输出信号250b。第一差分输出信号214a和第二差分输出信号214b可以具有90度的相位差。
图3是解说使用本发明的系统和方法的压控振荡器(VCO)312的电路图。图3的压控振荡器(VCO)312可以是图2的压控振荡器(VCO)212的一种配置。压控振荡器(VCO)312可以包括耦合到2分频(DIV2)加载电路316的2x振荡(OSC)核324。2分频(DIV2)加载电路316可以耦合到VDD，并具有以下两个输出：第一差分输出314a和第二差分输出314b。
2x振荡(OSC)核324可包括第一次级线圈Ls1308a、初级线圈Lp308b、第二次级线圈Ls2308c、第一NMOS晶体管M1322a、第二NMOS晶体管M2322b、第一电容器Cv0318a和第二电容器Cv1318b。第一次级线圈Ls1308a和初级线圈Lp308b可以形成第一变压器106a。第二次级线圈Ls2308b和初级线圈Lp308b可以形成第二变压器106b。因此，初级线圈Lp308b可以是第一变压器106a和第二变压器106b两者的部分。图3的第一次级线圈Ls1308a可以是图1中的第一线圈108a的一种配置。图3的初级线圈Lp308b可以是图1中的第二线圈108b的一种配置。图3的第二次级线圈Ls2308c可以是图1的第三线圈108c的一种配置。
第一次级线圈Ls1308a可以耦合在2分频(DIV2)加载电路316和第一NMOS晶体管M1322a的漏极之间。第一NMOS晶体管M1322a的源极可以耦合到地。第一NMOS晶体管M1322a的栅极可以耦合到初级线圈Lp308b。第一NMOS晶体管M1322a的栅极也可以耦合到第一电容器Cv0318a。初级线圈Lp1308b也可以耦合到第二NMOS晶体管M2322b的栅极。第二NMOS晶体管M2322b的栅极还可以耦合到第二电容器Cv1318b。第二NMOS晶体管M2322b的源极可以耦合到地。第二NMOS晶体管M2322b的漏极可以耦合到第二次级线圈Ls2308c。第二次级线圈Ls2308c也可以耦合到2分频(DIV2)加载电路316。DC偏置电压Vbias356可以被提供给初级线圈Lp308b。
第一电容器Cv0318a可以耦合到调谐电压Vtune342。第二电容器Cv1318b也可以耦合到调谐电压Vtune342。压控振荡器(VCO)312的频率可以通过调节此调谐电压Vtune342来改变。
为了在第一NMOS晶体管M1322a的栅极和第二NMOS晶体管M2322b的栅极之间形成振荡，储能回路阻抗(tank impedance)的实分量可能需要被抵消。实现此目的的一种常规方式是通过在该核处引入负电阻。在千兆赫(GHz)射频(RF)压控振荡器(VCO)中，负电阻已经以在第一NMOS晶体管M1322a和第二NMOS晶体管M2322b之间的交叉耦合对的形式被实现。然而，所提议的系统和方法是不同的，因为储能回路位于每一个NMOS晶体管322的栅极处。
为了在通过变压器106的差分对之间创建正反馈，可以形成在(在这些NMOS晶体管322的栅极之间的)初级线圈Lp308b和(在每一NMOS晶体管322的漏极处的)次级线圈308a、308c之间的正确耦合310a-b。由于差分对的特性，各NMOS晶体管322的栅极彼此之间具有180相移。每一个NMOS晶体管322栅极均应被正耦合到另一侧的漏极。如果一个NMOS晶体管322的栅极耦合到其自己的漏极，则所形成的负GM将被遏制。传统上，实现此目的的最佳方式一直是要有两个初级线圈和两个次级线圈，各自分开地耦合。然而，这可使用单个初级线圈Lp308b和两个次级线圈Ls1308a和Ls2308c来实现。
如果假设Vbias356处的电压等于AC地，则在Vbias356的每一侧上可能出现去往各NMOS晶体管322的栅极的差分能量。这个能量可以经每一个变压器106耦合到NMOS晶体管322的漏极，从而形成正反馈并产生负GM，该负GM抵消了储能回路的有损分量。该给定结构(即，以下相对图4解说的布局)已成功地在硅中表现出期望的性能。即使在面积节省的情况下，所提议的单差分变压器核104也不要求功率惩罚，并且在压控振荡器(VCO)312储能回路核中提供较高的Q，从而导致较好的压控振荡器(VCO)312输出摆幅、以及较好的带内压控振荡器(VCO)312相位噪声。
图4是解说单差分变压器核404的一种配置的布局图。单差分变压器核404的布局可以包括第一次级线圈Ls1408a、初级线圈Lp408b和第二次级线圈Ls2408c。DC偏置电压Vbias456可以被提供给初级线圈Lp408b。存在许多用于形成次级线圈以形成变压器106的方式。变压器106设计中的目标可以是在初级线圈Lp408b和每一次级线圈408a、408c之间具有较高的耦合，而同时使次级-次级耦合最小化。在所解说的布局中，初级线圈Lp408b已用“金属-5”层实现，而第一次级线圈Ls1408a和第二次级线圈Ls2408c两者均已用AP层实现。
初级线圈Lp408b的差分结构以及匝数已从振荡频率要求决定。为了用合理的电容器组在大约3千兆赫进行振荡，初级电感器Lp1408b的值应该为～2.6–3纳亨(nH)。三匝式差分八边形是创建初级线圈Lp308b的合理选择。图4中示出的布局占据300微米(μm)*300μm＝90,000平方μm＝0.09平方毫米(mm^2)。这与占据620μm*340μm＝210,800平方μm＝0.21mm^2的具可比性的分立核变压器相比有显著的面积节省。
在所示的布局中，初级线圈Lp408b和第一次级线圈Ls1408a之间的耦合110a形成第一变压器106a。初级线圈Lp408b和第二次级线圈Ls2408c之间的另一耦合110b形成第二变压器106b。当与使用用于分立核变压器的布局相比时，通过使用图4中示出的单差分变压器核404布局，可以节省63％的电感器面积。在包括分立核变压器的压控振荡器(VCO)中，总压控振荡器(VCO)面积为0.44mm^2。通过使用单核差分变压器404，总压控振荡器(VCO)212面积可以从0.44mm^2减少到0.32mm^2，从而节省了27％的总压控振荡器(VCO)面积212。
图5是解说差分变压器核的差分电流流动的电路图。图5中的电路解说了用于将两个核组合成单个核的某些背景理论。单差分变压器核104的重要方面是：只要次级电感器和初级电感器Lp308b之间的耦合极性正确，该耦合就是有益的。由于变压器耦合的特性是通过磁通形成的，因此耦合点处的绝对电压电平是没有意义的。相反，创建该磁通的电流流动的方向和强度才是关键所在。
在差分变压器核中，电流il640a通过第一次级电感器Ls1608a。第一次级电感器Ls1608a耦合到第一NMOS晶体管M1622a的漏极。第一初级电感器Lp1644a耦合在第一NMOS晶体管M1622a的栅极和偏置电压Vbias656之间。电流i2640b从第一NMOS晶体管M1622a的栅极流经第一初级线圈Lp1644a并到达偏置电压Vbias656。第二初级电感器Lp2644b耦合在偏置电压Vbias656和第二NMOS晶体管M2622b的栅极之间。电流i3640c从偏置电压Vbias656流经第二初级电感器Lp2644b到达第二NMOS晶体管M2622b的栅极。第二NMOS晶体管M2622b的漏极耦合到第二次级电感器Ls2608b。电流i4640d从第二NMOS晶体管M2622b的漏极流经第二次级电感器Ls2608b。
在给定结构中，由于差分电流流动的特性，流经两个初级电感器(即，i2640b和i3640c)的电流示出了相同的极性。因此，在本身的初级和次级之间(例如，Ls1608a和Lp1644a之间)的耦合也可以是有益的。在图5(b)中示出的简化示图中，i2640b和i3640c被示为具有相同的极性。这允许第一初级电感器Lp1644a和第二初级电感器Lp2644b被组合成单个初级电感器Lp308b，以形成在每一次级电感器和该初级电感器Lp308b之间具有耦合的差分变压器。
图6是解说从分立核导出单差分变压器核104的电路图。图6的电路解说了将两个主核组合成单个核的理论。在图6(a)中，解说了具有分立核的压控振荡器(VCO)。该压控振荡器(VCO)可包括耦合到分立核的2分频(DIV2)加载电路716。2分频(DIV2)加载电路716可以耦合到VDD。
分立核可包括第一次级电感器Ls1708a、第一初级电感器Lp1744a、第二初级电感器Lp2744b、第二次级电感器Ls2708c、第一NMOS晶体管M1722a、第二NMOS晶体管M2722b、第一电容器Cv0718a和第二电容器Cv1718b。在第一次级线圈Ls1708a和第二初级线圈Lp2744b之间可发生耦合762。在第二次级线圈Ls2708c和第一初级线圈744a之间也可发生耦合764。第一次级线圈Ls1708a和第二初级线圈Lp2744b可因此形成第一变压器。第二次级线圈Ls2708c和第一初级线圈Lp1744a可因此形成第二变压器。
第一次级线圈Ls1708a可以耦合在2分频(DIV2)加载电路716和第一NMOS晶体管M1722a的漏极之间。第一NMOS晶体管M1722a的源极可以耦合到地。第一NMOS晶体管M1722a的栅极可以耦合到第一初级线圈Lp1744a。第一NMOS晶体管M1722a的栅极也可以耦合到第一电容器Cv0718a。第一初级线圈Lp1744a也可以耦合到偏置电压Vbias756。第二初级线圈Lp2744b也可以耦合到偏置电压Vbias756和第二NMOS晶体管M2722b的栅极两者。第二NMOS晶体管M2722b的栅极还可以耦合到第二电容器Cv1718b。第二NMOS晶体管M2722b的源极可以耦合到地。第二NMOS晶体管M2722b的漏极可以耦合到第二次级线圈Ls2708c。第二次级线圈Ls2708c也可以耦合到2分频(DIV2)加载电路716。第一电容器Cv0718a可以耦合到调谐电压Vtune742。第二电容器Cv1718b也可以耦合到调谐电压Vtune742。
在图6(b)中，添加了附加耦合。因此，在第一次级电感器Ls1708a和第二初级线圈Lp1744a之间可发生耦合766。在第二次级电感器Ls2708c和第二线圈Lp2744b之间也可发生耦合772。
在图6(c)中，第一初级电感器Lp1744a和第二初级电感器Lp2744b已被组合以形成单个初级电感器Lp708b。偏置电压Vbias756位于初级电感器Lp708b的中间。在第一次级电感器Ls1708a和初级电感器Lp708b之间发生第一耦合710a，从而形成第一变压器。在第二次级电感器Ls2708c和初级电感器Lp708b之间发生第二耦合710b，从而形成第二变压器。
图7是解说差分变压器核804的框图。差分变压器核804可位于集成电路802上。差分变压器核可包括第一线圈808a、第二线圈808b、第三线圈808c和直到第n线圈808n的附加线圈。第一线圈808a和第二线圈808b可具有耦合810a，使得它们形成第一变压器806a。同样，第二线圈808b和第三线圈808c可具有耦合810b，使得它们形成第二变压器806b。第三线圈808c也可以是与另一线圈(未示出)的第三变压器的一部分。第n线圈808n可具有与第n-1线圈的耦合810n，以形成第n变压器806n。在各线圈808之间可存在附加耦合(未示出)。例如，第N线圈808n可耦合到第一线圈808a和/或第二线圈808b。
图8是用于形成单差分变压器核104的方法900的流程图。方法900可以由电子设备来执行。例如，方法900可以由全球定位系统(GPS)单元、无线通信设备、便携式电子设备等执行。电子设备可以在第一线圈108a和第二线圈108b之间提供(902)耦合110a，以形成第一变压器106a。第一线圈108a可以是第一次级电感器Ls1308a，并且第二线圈108b可以是初级电感器Lp308b。电子设备还可以在第二线圈108b和第三线圈108c之间提供(904)耦合110b，以形成第二变压器106b。第三线圈108c可以是第二次级电感器Ls2308c。电子设备可随后使用(906)第一变压器106a和第二变压器106b来形成单差分变压器核104。
图9解说可被包括在电子设备/无线设备1001内的某些组件。电子设备/无线设备1001可以是接入终端、移动站、无线通信设备、基站、Ｂ节点、手持式电子设备等。电子设备/无线设备1001包括处理器1003。处理器1003可以是通用单芯片或多芯片微处理器(例如，ARM)、专用微处理器(例如，数字信号处理器(DSP))、微控制器、可编程门阵列等。处理器1003可被称为中央处理单元(CPU)。尽管在图9的电子设备/无线设备1001中仅示出了单个处理器1003，但在替换配置中，可以使用处理器的组合(例如，ARM和DSP)。
电子设备/无线设备1001还包括存储器1005。存储器1005可以是能够存储电子信息的任何电子组件。存储器1005可被实施为随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、磁盘存储介质、光学存储介质、RAM中的闪存设备、随处理器包括的板载存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器等等，包括其组合。
数据1007a和指令1009a可被存储在存储器1005中。指令1009a可由处理器1003执行以实现本文中所公开的方法。执行指令1009a可涉及使用存储在存储器1005中的数据1007a。当处理器1003执行指令1009a时，指令1009b的各个部分可被加载到处理器1003上，并且数据1007b的各个片段可被加载到处理器1003上。
电子设备/无线设备1001还可包括发射机1011和接收机1013，以允许向和从电子设备/无线设备1001传送和接收信号。发射机1011和接收机1013可被合称为收发机1015。天线1017可电耦合至收发机1015。电子设备/无线设备1001还可包括(未示出)多个发射机、多个接收机、多个收发机、和/或多个天线。
电子设备/无线设备1001可包括数字信号处理器(DSP)1021。电子设备/无线设备1001还可包括通信接口1023。通信接口1023可允许用户与电子设备/无线设备1001交互。
电子设备/无线设备1001的各种组件可由一条或多条总线耦合在一起，这些总线可包括电源总线、控制信号总线、状态信号总线、数据总线等。为清楚起见，各种总线在图9中被解说为总线系统1019。
本文中所描述的技术可以用于各种通信系统，包括基于正交复用方案的通信系统。此类通信系统的示例包括正交频分多址(OFDMA)系统、单载波频分多址(SC-FDMA)系统、等等。OFDMA系统利用正交频分复用(OFDM)，这是一种将整个系统带宽划分成多个正交副载波的调制技术。这些副载波也可以被称为频调、频槽等。在OFDM下，每个副载波可以用数据独立调制。SC-FDMA系统可以利用交织式FDMA(IFDMA)在跨系统带宽分布的副载波上传送，利用局部式FDMA(LFDMA)在由毗邻副载波构成的块上传送，或者利用增强式FDMA(EFDMA)在多个由毗邻副载波构成的块上传送。一般而言，调制码元在OFDM下是在频域中发送的，而在SC-FDMA下是在时域中发送的。
在以上描述中，有时结合各种术语使用了参考标号。在结合参考标号使用术语的场合，这可以旨在引述在附图中的一幅或更多幅中示出的特定元素。在不带参考标号地使用术语的场合，这可以旨在泛指该术语而不限于任何特定附图。
术语“确定”广泛涵盖各种各样的动作，并且因此“确定”可包括演算、计算、处理、推导、调研、查找(例如，在表、数据库或其他数据结构中查找)、探明、和类似动作。另外，“确定”还可包括接收(例如，接收信息)、访问(例如，访问存储器中的数据)、和类似动作。另外，“确定”可包括解析、选择、选取、建立、和类似动作。
除非明确另行指出，否则短语“基于”并非意味着“仅基于”。换言之，短语“基于”描述“仅基于”和“至少基于”两者。
本文中描述的各功能可以作为一条或多条指令存储在处理器可读介质或计算机可读介质上。术语“计算机可读介质”是指能被计算机或处理器访问的任何可用介质。作为示例而非限定，此类介质可包括RAM、ROM、EEPROM、闪存、CD-ROM或其他光盘储存、磁盘储存或其他磁储存设备、或任何其他能够用于存储指令或数据结构形式的期望程序代码且能由计算机或处理器访问的介质。如本文中所使用的盘和碟包括压缩碟(CD)、激光碟、光碟、数字多用碟(DVD)、软盘和蓝光？碟，其中盘常常磁性地再现数据而碟用激光光学地再现数据。应当注意，计算机可读介质可以是有形且非暂态的。术语“计算机程序产品”是指计算设备或处理器结合可由该计算设备或处理器执行、处理或计算的代码或指令(例如，“程序”)。如本文中所使用的，术语“代码”可以是指可由计算设备或处理器执行的软件、指令、代码或数据。
软件或指令还可以在传输介质上传送。例如，如果软件是使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)、或诸如红外、无线电、以及微波之类的无线技术从web网站、服务器、或其它远程源传送而来，则该同轴电缆、光纤电缆、双绞线、DSL、或诸如红外、无线电、以及微波之类的无线技术就被包括在传输介质的定义之中。
进一步，还应领会，用于执行本文中所描述的(诸如图8所解说那样的)方法和技术的模块和/或其他恰适装置可以由设备下载和/或以其他方式获得。例如，可以将设备耦合至服务器以便于转送用于执行本文中所描述的方法的装置。替换地，本文中所描述的各种方法可经由存储装置(例如，随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、诸如压缩碟(CD)或软盘等物理存储介质等等)来提供，以使得一旦将该存储装置耦合至或提供给设备，该设备就可获得各种方法。此外，能利用适于向设备提供本文中所描述的方法和技术的任何其他合适的技术。
本文所公开的方法包括用于达成所描述的方法的一个或多个步骤或动作。这些方法步骤和/或动作可以彼此互换而不会脱离权利要求的范围。换言之，除非所描述的方法的正确操作要求步骤或动作的特定次序，否则便可改动具体步骤和/或动作的次序和/或使用而不会脱离权利要求的范围。
应该理解的是，权利要求并不被限定于以上所解说的精确配置和组件。可在本文中所描述的系统、方法、和装置的布局、操作及细节上作出各种改动、变化和变型而不会脱离权利要求的范围。
权利要求的任何要素都不应当在35U.S.C.§112第六款的规定下来解释，除非该要素是使用措辞“用于……的装置”来明确叙述的或者在方法权利要求情形中该要素是使用措辞“用于……的步骤”来叙述的。

Claims (24)

1.一种集成电路，包括：
初级线圈；
第一次级线圈，所述第一次级线圈与所述初级线圈形成第一变压器；以及
第二次级线圈，所述第二次级线圈与所述初级线圈形成第二变压器，其中所述初级线圈、所述第一次级线圈和所述第二次级线圈在所述集成电路上具有使所述第一次级线圈和所述第二次级线圈之间的耦合最小化的布局。
2.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，在所述初级线圈和所述第一次级线圈之间发生第一耦合以形成所述第一变压器，并且其中在所述初级线圈和所述第二次级线圈之间发生第二耦合以形成所述第二变压器。
3.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述初级线圈、所述第一次级线圈和所述第二次级线圈是电感器。
4.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第一变压器和所述第二变压器形成单差分变压器核。
5.如权利要求4所述的集成电路，其特征在于，所述单差分变压器核在低噪放大器中使用。
6.如权利要求4所述的集成电路，其特征在于，所述单差分变压器核在功率放大器中使用。
7.如权利要求4所述的集成电路，其特征在于，所述单差分变压器核与2分频加载电路一起用于形成压控振荡器。
8.如权利要求7所述的集成电路，其特征在于，所述压控振荡器包括：
耦合在所述第一次级线圈和所述初级线圈之间的第一晶体管；以及
耦合在所述第二次级线圈和所述初级线圈之间的第二晶体管。
9.如权利要求8所述的集成电路，其特征在于，所述初级线圈耦合在所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极之间，其中所述第一次级线圈耦合在所述第一晶体管的漏极和所述2分频加载电路之间，并且其中所述第二次级线圈耦合在所述第二晶体管的漏极和所述2分频加载电路之间。
10.如权利要求9所述的集成电路，其特征在于，所述第一变压器和所述第二变压器生成为所需频率两倍的频率，并且其中所述2分频加载电路以所述所需频率输出第一差分输出，并以所述所需频率输出第二差分输出。
11.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，还包括第三次级线圈，其中所述第三次级线圈和所述第二次级线圈形成第三变压器。
12.一种用于形成单差分变压器核的方法，其特征在于，所述方法包括：
在第一线圈和第二线圈之间提供第一耦合以形成第一变压器；
在所述第二线圈和第三线圈之间提供第二耦合以形成第二变压器；以及
使用所述第一变压器和所述第二变压器来形成单差分变压器核，其中所述第一线圈、所述第二线圈和所述第三线圈在集成电路上具有使所述第一线圈和所述第三线圈之间的耦合最小化的布局。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一线圈、所述第二线圈和所述第三线圈是电感器。
14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一变压器和所述第二变压器形成单差分变压器核。
15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述单差分变压器核在低噪放大器中使用。
16.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述单差分变压器核在功率放大器中使用。
17.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述单差分变压器核与2分频加载电路一起用于形成压控振荡器。
18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述压控振荡器包括：
耦合在所述第一线圈和所述第二线圈之间的第一晶体管；以及
耦合在所述第二线圈和所述第三线圈之间的第二晶体管。
19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，所述第二线圈耦合在所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极之间，其中所述第一线圈耦合在所述第一晶体管的漏极和所述2分频加载电路之间，并且其中所述第三线圈耦合在所述第二晶体管的漏极和所述2分频加载电路之间。
20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，所述第一变压器和所述第二变压器生成为所需频率两倍的频率，并且其中所述2分频加载电路以所述所需频率输出第一差分输出，并以所述所需频率输出第二差分输出。
21.如权利要求12所述的方法，其特征在于，还包括：
在第四线圈和所述第三线圈之间提供第三耦合以形成第三变压器；以及
使用所述第一变压器、所述第二变压器和所述第三变压器来形成差分变压器核。
22.一种设备，包括：
用于在第一线圈和第二线圈之间提供第一耦合以形成第一变压器的装置；
用于在所述第二线圈和第三线圈之间提供第二耦合以形成第二变压器的装置；以及
用于使用所述第一变压器和所述第二变压器来形成单差分变压器核的装置，其中所述第一线圈、所述第二线圈和所述第三线圈在集成电路上具有使所述第一线圈和所述第三线圈之间的耦合最小化的布局。
23.如权利要求22所述的设备，其特征在于，所述第一线圈、所述第二线圈和所述第三线圈是电感器。
24.如权利要求22所述的设备，其特征在于，所述第一变压器和所述第二变压器形成单差分变压器核。
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