CN103887439B - 一种具有磁效应的有机发光二极管 - Google Patents

一种具有磁效应的有机发光二极管 Download PDF

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Abstract

本发明提出一种基于发光层为激基复合物的有机发光二极管，器件结构包括彼此层叠的阳极、空穴注入层、由空穴注入层材料（电子给体D）与电子传输层材料（电子受体A）共掺形成的激基复合物发光层、电子传输层、阴极。本发明通过调控电子给体材料在复合物中的浓度以及各功能层的厚度，使得器件电流、发光均表现出超强磁效应值，当复合层中电子给体材料的掺杂浓度为15～30wt%，发光层的厚度大于200nm时，电流磁效应可超过110%，发光磁效应可超过150%；本发明所述的超强磁效应器件，将在磁探测、磁存储等方面产生实际应用价值。

Description

一种具有磁效应的有机发光二极管
技术领域
本发明涉及与磁学相关的有机光电器件，特别适用于有机发光二极管。
背景技术
近年来，Kalinowski等在以小分子tri-(8-hydroxyquinoline)aluminum(III)(Alq3)为发光层且不包含任何磁性功能层的有机发光二极管中发现，在外加磁场的作用下，器件的注入电流和电致发光强度将随磁场的改变而发生改变，并将这种现象称为有机磁效应。有机磁效应不仅可作为一种实验手段用于研究器件内部的激子的形成、载流子输运等物理机制，而且也可以作为一种实际运用工具(如有机磁探测等)，从而进一步扩大有机半导体器件的应用范围。因此，这一奇特现象引起了人们的普遍关注。但如何在室温条件下的有机发光二极管中，同时获得超强的电流、发光有机磁效应值一直是该领域研究的热点和难点。
总的来说，室温条件下的常规激子型器件的电流、发光磁效应值通常只有百分之几，且磁效应值不随器件厚度发生变化。最近Chihaya Adachi等人，在结构：ITO(110nm)/m-MTDATA(20nm)/50mol％m-MTDATA:3TPYMB(60nm)/3TPYMB(20nm)/LiF(0.8nm)/Al(50nm)中，50mol％(质量百分比130％wt％)表示电子给体材料占激基复合物中的摩尔百分比；利用电子给体材料(D)的HOMO能级与电子受体材料(A)的LUMO之间的能级差，形成一种中间电荷转移状态，称之为激基复合物(exciplex)，得到了外量子效率高达5.4％的发光器件，并证实而ΔEst正比与电子给体材料HOMO能级(DHOMO)与电子受体材料LUMO能级(ALUMO)间的能级差(DHOMO-ALUMO)，但经测试发现，该器件的发光磁效应值最大为28％，电流磁效应最大为14％；P.Chen等人同样在以发光层为激基复合物的二极管中，发现磁效应值与单、三重态间的转化效率有关，得到了发光磁效应值为16％，电流磁效应为3％；然而在以电子给体材料和电子受体材料形成激基复合物的有机发光二极管中，磁效应值除了与单、三重态间的转化有关外，器件的结构、各功能层的厚度等其他众多的因素都将器件影响磁效应值的变化。
发明内容
而本发明正是基于有机磁效应值与激基复合物器件中的结构、电子给体材料浓度以及各功能层的厚度有密切关系这一出发点，选取三线态能量高、HOMO能级高的空穴传输材料作为电子给体和选取具有三线态能量高、LUMO能级低、电子迁移率高的电子传输材料作为电子受体，采用共蒸发技术，制备了发光层为激基复合物的有机发光二极管，并通过精确调控有机发光二极管中激基复合物发光层的电子给体浓度以及各功能的厚度，从而制备了具有超强磁效应值的有机发光二极管。
在本发明的有机发光二极管中，发光层中给体分子HOMO能级上的空穴将与受体分子LUMO能级上的电子结合，形成激基复合物，从而使得激基复合物中单、三重态间的交换能较分子内单、三重态的交换能低，单、三重态能级更接近，利于发生反系间窜越(RISC)过程。当外加磁场时，磁场将同时调控单、三重态激发态间的系间窜越、反系间窜越两个过程，使得单、三重态激发态的数目、比例发生变化，从而得到超强的磁效应值。
本发明所述的有机发光二极管，包括彼此层叠的阳极、空穴传输层、激基复合物发光层、电子传输层和阴极；其特征在于激基复合物发光层由空穴传输层材料(电子给体D)与电子传输层材料(电子受体A)共掺形成。激基复合物发光层中给体材料HOMO能级上的空穴与电子受体材料LUMO能级上的电子结合，形成一种三重态能量不容易通过能量转移方式淬灭的电荷转移复合物或激基复合物。
所述器件形成的激基复合物，易于发生系间窜越(ISC)与反系间窜越(RISC)过程。
所述器件的电子给体材料是具有三线态能量高、给电子能力强的有机小分子材料，优先选择材料：m-MTDATA、MeO-TPD；电子受体材料是具有三线态能量高、电子迁移率快、接受电子能力强的有机小分子材料，优先选择材料：3TPYMB。
所述器件的电子给体材料占复合物中的重量百分比为15％～30％之间。
所述器件的复合物发光层的厚度大于90纳米时，发光磁效应将超过100％，电流磁效应超过60％；所述器件复合物发光层厚度大于等于200纳米时，发光、电流磁效应都将超过100％。
所述器件阳极采用无机材料，例如金属氧化物：氧化铟锡、氧化锌或氧化铟锌，或选自金、铜和银，优选氧化铟锡；阴极采用锂、镁、钙、锶、铝或铟，或它们与铜、银、金的合金，或金属与金属氟化物交替形成的电极层，优选阴极为叠层的LiF/Al层。
所述器件通过有机分子束外延沉积技术和热电阻蒸发技术制备。
本发明通过调控电子给体材料在复合物中的浓度以及各功能层的厚度，研制出一种电流、发光均表现出超强磁效应值的有机发光二极管，其中：发光磁效应值可以超过150％，电流磁效应可以超过110％；其详细优点如下：
1、发光层为激基复合物，利用外加磁场同时对系间窜越、反系间窜越两个过程的调控，同时得到了超强的电流、发光磁效应值，其中电流磁效应值超过110％，发光磁效应超过150％；而一般常规器件有机磁效应值通常只有百分之几。
2、通过选取电子给体材料与受体材料的组合，形成的激基复合物，有效降低了单、三重态激发态间交换能(ΔEST)，实现单、三重激发态间反系间窜越过程，而无需合成新的有机材料，分离HOMO、LUMO能级。
3、利用激基复合物发光，而无需蒸镀其他发光层，减少了其他发光材料的使用、优化了器件制备过程。
本发明将在磁探测、磁存储等方面产生实际应用价值。
附图说明
图1是本发明所述的具有超强磁效应的有机发光二极管的能量传输示意图。
图2是本发明所述的具有超强磁效应的有机发光二级管的结构示意图。
图3展示的是本发明所述的电子给体材料m-MTDATA、电子受体材料3TPYMB的光致发光光谱(PL)，以及本发明所述有机发光二极管的电致发光光谱(EL)，其器件结构为：ITO/m-MTDATA(40nm)/m-MTDATA:3TPYMB(200nm,25wt％)/3TPYMB(40nm)/LiF(1nm)/Al，其中25wt％是指m-MTDATA占激基复合层中的质量百分比。
图4中(a)和(b)分别展示是本发明所述发光层厚度为200nm的有机发光二极管在室温下的电致发光磁效应、电流磁效应特性。图4中(c)和(d)分别展示的是标准有机发光二极管在室温下的电致发光磁效应、电流磁效应特性。发光随磁场改变的现象称为电致发光的磁效应(MEL)，定义MEL＝ΔEL/EL＝(EL(B)-EL(0))/EL(0)，EL(B)、EL(0)分别是指在有、无磁场下的发光强度；电流随磁场改变的现象称为电流磁效应(MC)，定义MC＝ΔI/I＝(I(B)-I(0))/I(0)，I(B)、I(0)分别是指在有、无磁场下的电流强度。
图5中(a)和(b)展示的是以m-MTDATA为电子给体材料、以3TPYMB为受体材料的本发明所述有机发光二极管，在不同发光层厚度、给体材料占复合物不同质量百分比下的电致发光磁效应和电流磁效应。
图6中(a)和(b)展示的是以MeO-TPD为电子给体材料、3TPYMB为电子受体材料的本发明所述有机发光二极管，器件结构：ITO/MeO-TPD(40nm)/MeO-TPD:3TPYMB(90nm,25wt％)/3TPYMB(40nm)/LiF(1nm)/Al(120nm)，其中25wt％是指MeO-TPD在激基复合层中所占的质量百分比。
具体实施方式
图1给出了基于上述考虑，表现出超强磁效应的有机发光二极管的能量传输示意图。在本发明的有机二极管中，在电激发的作用下，空穴、电子分别由阳极、阴极注入，分别经空穴传输层、电子传输层传输至发光层，形成激基复合物。在激基复合物中给体材料HOMO的空穴与受体材料LUMO能级上的电子形成分子间的单、三重态极化子对，其交换能比同一分子间HOMO-LUMO能级间的交换能小，使得激基复合物中单-三重态的能级水平接近(ΔEST～0)，利于发生如图1中的反系间窜越(RISC)过程；当有外加磁场时，外加磁场将同时调控系间窜越、反系间窜越两个过程，从而改变单、三重激发态数目及比例，进而表现出超强磁效应。
图2给出了本发明所述的具有超强磁效应的有机发光二极管的结构示意图；下面结合示意图2以及具体实施例对本发明所述器件进行详细地说明，其中1-4实施例是本发明所述有机发光二极管，对比例是常规标准有机发光二极管。
实施例1
本实施例制备了外加磁场可同时调控系间窜越与反系间窜越的有机发光二极管，器件结构示意图如图2所示的。其中给体材料为4,4’,4”-tris[3-methylphenyl(phenyl)amino]triphenylamine(m-MTDATA、吉林奥来德光电材料股份有限公司，纯度>99％)，其LUMO能级为：-2.0eV，HOMO能级为：-5.1eV；受体材料为tris-[3-(3-pyridyl)mesityl]borane(3TPYMB、长春市阪和科技有限公司，纯度>99％)，其LUMO能级为：-3.3eV，HOMO能级为：-6.8eV；m-MTDATA、3TPYMB的分子结构分别为：
该器件结构为：ITO/m-MTDATA(40nm)/m-MTDATA:3TPYMB(25wt％，200nm)/3TPYMB(40nm)/LiF(1nm)/Al(120nm)；其中25wt％表示给体材料占发光层中复合物的质量百分比。所述有机发光二极管的具体实验步骤如下：
(1)ITO基片的清洗：
依次用Decon90洗涤剂、去离子水、无水乙醇、丙酮对ITO玻璃基片进行超声水浴清洗，其中ITO的厚度约为120nm。
(2)蒸镀功能层：将基片置于真空腔内，在整个蒸镀过程中ITO基片温度为室温，未加烘烤，蒸镀有机材料的真空度约为1×10-6Pa。整个过程材料生长速率以及膜厚通过INFCON公司的膜厚监测仪(XTM/2)进行原位监测。
①蒸镀空穴传输层：在ITO基片上先蒸镀空穴传输层m-MTDATA，速率为薄膜厚度为40nm。
②在空穴传输层上采用共蒸镀法制备发光层：蒸镀过程中通过观测膜厚监控仪，调整给体材料与受体材料的成膜速率，控制给体材料的质量百分比；给体材料m-MTDATA的速率为受体材料3TPYMB的速率为发光层厚度为200nm。
③蒸镀电子传输层：在发光层上，蒸镀一层电子传输层3TPYMB，蒸镀速率为厚度40nm。
④制备LiF/Al阴极层：LiF层主要用于提高电子注入效率，蒸镀速率约 厚度约1nm；蒸镀阴极金属铝的真空度约为1×10-5Pa，蒸镀铝(纯度99.99％，中国国药集团)速率约为其厚度为120nm。
(3)器件性能的测试，制备好的器件有效面积为2×2mm2。
将器件置于程控电磁铁(Lakeshore EM647)产生的磁场源中，器件的相关磁一光一电特性曲线通过计算机控制相应的软件进行测试。
对比例1
本实施例制备了常规标准有机发光二极管，器件结构：ITO/CuPc(15nm)/NPB(60nm)/Alq3(80nm)/LiF(1nm)/Al(120nm)；该器件的制备过程如下：
(1)ITO基片的清洗：
依次用Decon90洗涤剂、去离子水、无水乙醇、丙酮对ITO玻璃基片进行超声水浴清洗，其中ITO的厚度约为120nm。
(2)蒸镀功能层：将基片置于真空腔内，在整个蒸镀过程中ITO基片温度为室温，未加烘烤，蒸镀有机材料的真空度约为1×10-6Pa。整个过程材料生长速率以及膜厚通过INFCON公司的膜厚监测仪(XTM/2)进行原位监测。
①蒸镀空穴注入层：在ITO基片上先蒸镀空穴注入层CuPc，速率为薄膜厚度为15nm。
②蒸镀空穴传输层：在空穴注入层上蒸镀空穴传输层NPB，其速率为 厚度为60nm。
③蒸镀发光层：在空穴传输层上，继续蒸镀Alq3，蒸镀速率为厚度80nm；Alq3作为发光层兼作电子传输层。
④制备LiF/Al阴极层：LiF层主要用于提高电子注入效率，蒸镀速率约 厚度约1nm；蒸镀阴极金属铝的真空度约为1×10-5Pa，蒸镀铝(纯度99.99％，中国国药集团)速率约为其厚度为120nm。
(3)器件性能的测试，制备好的器件有效面积为2×2mm2。
将器件置于程控电磁铁(Lakeshore EM647)产生的磁场源中，器件的相关磁一光一电特性曲线通过计算机控制相应的软件进行测试。
该实施例1和对比例的有机发光二极管的器件性能如附图4所示，图4中(a)、(b)是本发明所述实施例1的有机发光二级管的磁效应，从图中可知器件在100uA时磁效应值最大，其中发光的磁效应MEL为153％，电流的磁效应MC为114％；而图4中(c)、(d)是对比例标准器件磁效应，在100uA时的发光磁效应MEL为6.3％，电流磁效应MC为2.2％。从图中可以看出，相同电流密度下发光层为激基复合物的有机发光二级管的磁效应值明显大于标准器件磁效应值。这充分说明，在单、三重态相近的激基复合物中，外加磁场除了在调控由超精细作用引起的系间窜越ISC过程的同时，还调控了反系间窜越RISC过程，进一步改变了单、三重态激发态比例和数目，从而同时得到了超强MC、MEL。
图3为本发明所述器件(实施例1)的电致发光峰位为565nm，相对电子给体材料m-MTDATA的光致发光峰位为425nm、电子受体材料3TPYMB的光致发光峰位385nm，发生明显红移，这是由于电子给体材料与受体材料形成激基复合物发光的结果。
实施例2
本实施例制备了给体材料为m-MTDATA、受体材料为3TPYMB、同一给体材料质量百分比(25％)、不同发光层厚度下的激基复合物器件。该发光器件的结构为：ITO/m-MTDATA(40nm)/m-MTDATA:3TPYMB(25％，x nm)/3TPYMB(40nm)/LiF(1nm)/Al(120nm)；其中x表示发光层的厚度，x的值分别为：25nm、40nm、55nm、70nm、90nm、120nm、160nm、200nm。该有机发光二极管采用与实施例1相同的制备方法和测试方法、条件。该实施例的有机发光二级管器件性能如附图5中的(a)所示。
从图5中(a)展示的是本发明实施例2(不同厚度的发光层)的有机发光二极管的发光、电流磁效应，从图中可以看出：随着激基复合层厚度的增加，发光磁效应值、电流磁效应的最大值均随厚度先线性增加，后趋于缓慢增加；当激基复合层的厚度为200nm时，磁效应达到最大值，发光磁效应为153％和电流磁效应为115％。说明随着厚度的增加，形成的激基复合物增多，外加磁场对系间窜越、反席间窜越的同时调控作用加强，使得磁效应值增加；然而厚度继续增加时，形成的激基复合物量达到趋于饱和状态，外加磁场调控作用也将达到一种稳定状态，使得磁效应值也将趋于饱和。
实施例3
本实施例制备了给体材料为m-MTDATA、受体材料为3TPYMB、同一发光层厚度(90nm)、不同给体材料质量百分比下的激基复合物器件。该器件的结构为：ITO/m-MTDATA(40nm)/m-MTDATA:3TPYMB(x％，90nm)/3TPYMB(40nm)/LiF(1nm)/Al(120nm)，其中x表示给体材料占激基复合层中的质量百分比，x的值分别为：0％、5％、15％、25％、35％、50％、75％、100％。该有机发光二极管中激基复合物发光层的制备，通过调节给体、受体材料的速率比，控制给体材料在激基复合物中质量百分比。其余步骤采用与实施例1相同的制备方法，并采用与实施例1相同测试方法和条件。该实施例的有机发光二级管的器件性能如附图5中的(b)所示。
从图5中(b)展示的本发明实施例3(给体材料占不同质量百分比)的有机发光二极管的发光磁效应和电流磁效应，可以看出：当给体材料的浓度较低(小于25％)时，随着电子给体材料的质量百分比的增加，磁效应值增加；说明浓度较低时，形成的激基复合物量一定，磁场的调控作用有限，磁效应值一定，随着浓度的增加，激基复合物量增加，磁场的调控作用加强，磁效应值增加。当给体材料的浓度增加到25％时，形成激基复合物量达到最大值，此时的磁效应值最大，其中电流磁效应为62％，发光磁效应值113％；当随着给体材料浓度继续增加时，磁效应的值却表现出降低的趋势，这是由于随着给体材料浓度的进一步增加，形成激基复合物量减少，磁效应值降低。因此浓度将对该类有机发光二极管中的有机磁效应值产生明显的影响。
实施例4
为了验证本发明的可实施性，本实施例采用了具有相同HOMO能级的电子给体材料MeO-TPD代替m-MTDATA，器件的结构为：ITO/MeO-TPD(40nm)/MeO-TPD:3TPYMB(90nm，25wt％)/3TPYMB(40nm)/LiF(1nm)/Al(120nm)，其中25wt％表示给体材料MeO-TPD占激基复合层中的质量百分比，并采用与实施例1相同的制备、测试方法和条件。该实施例的有机发光二级管的器件性能如附图6所示。
图6中的(a)和(b)分别展示的是以MeO-TPD为电子给体材料的本发明所述有机发光二极管，在不同电流密度下的发光磁效应和电流磁效应。从图可见50uA时发光、电流磁效应值最大，其中发光磁效应值为130％，电流磁效应值为90％，均表现出超强的磁效应值，从而进一步证实了本发明可实施性。

Claims (5)

1.一种具有磁效应的有机发光二极管，包括彼此层叠的阳极、空穴传输层、激基复合物发光层、电子传输层和阴极；其特征在于，所述激基复合物发光层是由空穴传输层材料即电子给体D与电子传输层材料即电子受体A共掺形成，发光层中电子给体材料HOMO能级上的空穴与电子受体材料LUMO能级上的电子结合，形成一种三重态能量不容易通过能量转移方式淬灭的激基复合物；激基复合物发光层的单、三重激发态的能级差ΔEST~0，易于发生系间窜越与反系间窜越过程；
所述电子给体材料是具有三线态能量高、给电子能力强的小分子材料，材料选自： m-MTDATA；电子受体材料是具有三线态能量高、电子迁移率快、接受电子能力强的有机小分子材料，材料选自：3TPYMB；
该有机发光二极管结构为：ITO/m-MTDATA(40nm)/m-MTDATA:3TPYMB(25%,xnm)/ 3TPYMB(40 nm)/LiF(1 nm)/Al(120 nm)，其中25%表示给体材料占发光层中复合物的质量百分比，x≥200 nm。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，空穴传输层、电子传输层的厚度大于40纳米。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述阳极采用无机材料，选自金属氧化物氧化铟锡、氧化锌或氧化铟锌，或选自金、铜或银，阴极采用锂、镁、钙、锶、铝或铟，或它们与铜、银、金的合金，或金属氟化物与金属交替形成的电极层。
4.根据权利要求1-3之任一项所述的有机发光二极管，其特征在于，所述阳极为氧化铟锡，所述阴极为叠层的LiF/Al层。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管，其特征在于，所述有机发光二极管通过有机分子束外延沉积技术和热电阻蒸发技术制备。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108912309A (zh) * 2016-02-28 2018-11-30 华南理工大学 一种单分子激基复合物白光聚合物及其制备方法与应用
CN106384787B (zh) * 2016-11-30 2018-09-04 成都京东方光电科技有限公司 有机发光二极管组件和灯具
EP3553151A4 (en) * 2016-12-06 2019-12-11 Kyushu University, National University Corporation PHOSPHORESCENT SUBSTANCE AND PHOSPHORESCENT ELEMENT
CN108963099B (zh) * 2018-08-20 2020-06-12 上海大学 一种用于有机电致发光元件的组合物及有机电致发光元件
CN108997345A (zh) * 2018-08-20 2018-12-14 上海大学 一种氮杂螺环化合物及含有该化合物的有机光电器件
CN109494308A (zh) * 2018-11-21 2019-03-19 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板和显示装置
CN111162186B (zh) * 2019-12-30 2021-05-28 电子科技大学 基于阶梯式多反系间窜越过程的有机白光发光器件及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103443950A (zh) * 2011-03-23 2013-12-11 株式会社半导体能源研究所 发光元件
CN103579514A (zh) * 2012-08-03 2014-02-12 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101909775B1 (ko) * 2012-04-20 2018-10-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
KR101668996B1 (ko) * 2012-07-18 2016-10-25 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103443950A (zh) * 2011-03-23 2013-12-11 株式会社半导体能源研究所 发光元件
CN103579514A (zh) * 2012-08-03 2014-02-12 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Efficient organic light-emitting diodes through up-conversion from triplet to singlet excited states of exciplexes";Kenichi Goushi 等;《Applied Physics Letters》;20120712;第101卷;第023306-1页第1栏第2段-第023306-3页第2栏第2段 *

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