CN103887239A - 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 - Google Patents

薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103887239A
CN103887239A CN201310346826.9A CN201310346826A CN103887239A CN 103887239 A CN103887239 A CN 103887239A CN 201310346826 A CN201310346826 A CN 201310346826A CN 103887239 A CN103887239 A CN 103887239A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pixel electrode
layer
heat cured
patterning
cured insulation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201310346826.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103887239B (zh
Inventor
崔荣奭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN103887239A publication Critical patent/CN103887239A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103887239B publication Critical patent/CN103887239B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1296—Multistep manufacturing methods adapted to increase the uniformity of device parameters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134372—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for fringe field switching [FFS] where the common electrode is not patterned
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136222—Colour filters incorporated in the active matrix substrate

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。所述方法包括形成具有侧面边缘的像素电极，所述像素电极的侧面边缘位于图案化的热固性绝缘材料层下方。所述方法还包括通过热处理图案化的热固性绝缘材料，由图案化的热固性绝缘材料形成覆盖像素电极的侧面边缘的绝缘层。热处理图案化的热固性绝缘材料的结果是，图案化的热固性绝缘层在像素电极的侧面边缘上方熔化。

Description

薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
相关申请的交互引用
本申请要求2012年12月21日提交的韩国专利申请No.10-2012-0151125的权益，在此通过参考将其并入本文，就如在此全部列出一样。
技术领域
本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，更具体地，涉及一种能够提高可靠性的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。
背景技术
近些年，随着信息时代的到来，从视觉上表达电信息信号的显示器领域已经得到快速发展。因此，已经开发了具有卓越性能，诸如设计纤薄、质量轻和功耗低的各种平板显示设备。
平板显示设备的实例包括液晶显示设备（LCD）、等离子体显示面板（PDP）、场发射显示设备（FED）、电致发光显示设备（ELD）、电润湿显示设备（EWD）和有机发光显示设备（OLED）。这些平板显示设备实质上包括用于实现图像的平板显示面板。平板显示面板被配置成使得一对彼此相对的基板相互粘合，同时在该对基板之间插入发光材料或者偏振材料。
一般，有源矩阵驱动模式的平板显示设备包括薄膜晶体管阵列基板以单独操作多个像素区中的每一个。
薄膜晶体管阵列基板包括：多个开关器件，其选择性地开启和关闭并形成为对应于多个像素区；多个像素电极，其形成为对应于多个像素区并连接到多个开关器件；和形成为对应于多个像素区的公共电极。此处，单独地驱动每个像素区。薄膜晶体管阵列基板可进一步包括插入到像素电极和公共电极之间以将像素电极和公共电极彼此绝缘的层间绝缘层。
此处，当形成像素电极和层间绝缘层时，使用相同掩模以简化使用掩模的曝光工艺。即，顺序叠置像素电极材料层和绝缘材料层。之后，将具有对应于每个像素区的开口的掩模层设置在绝缘材料层上，和使用掩模层图案化绝缘材料层以形成层间绝缘层。之后，在保留层间绝缘层上的掩模层的同时，图案化像素电极材料层以形成像素电极。
这一点上，通过湿法蚀刻图案化像素电极材料层。根据该工艺，透过掩模层的开口用像素电极材料层进行暴露的层间绝缘层的湿法蚀刻，在暴露的层间绝缘层的边缘下方，由于蚀刻偏差而形成了底切区。
该底切区会在形成公共电极期间引起公共电极和公共线之间的断连。
此外，由于仅像素电极的顶面覆盖有层间绝缘层，而像素电极的侧面未被层间绝缘层覆盖，因此在层间绝缘层上形成公共电极期间，像素电极的侧面会连接到公共电极，从而引起短路。
因此，降低了薄膜晶体管阵列基板的可靠性。
发明内容
因此，本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，其基本上避免了由于现有技术的限制和不足导致的一个或多个问题。
本发明的一个方面提供了一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，其能够通过在形成像素电极期间去除形成在像素电极和公共电极之间的层间绝缘层的底切区而提高可靠性。
在下文的描述中将部分列出本发明的其他优点、目的和特征，且一旦查阅了下文部分优点、目的和特征对于本领域技术人员是显而易见的，或者可通过实践本发明获知。通过所撰写的说明书及其权利要求以及所附附图中特别指出的结构可认识到并获得本发明的目的和其他优势。
在一个实施例中，一种制造显示设备的基板的方法包括：形成像素电极，所述像素电极在图案化的热固性绝缘材料层下方具有侧面边缘。该方法还包括，通过热处理图案化的热固性绝缘材料，由图案化的热固性绝缘材料形成覆盖像素电极的侧面边缘的绝缘层。热处理图案化的热固性绝缘材料的结果是，图案化的热固性绝缘层在像素电极的侧面边缘上方熔化。
在一个实施例中，一种显示设备的基板包括像素电极。显示设备还包括形成在像素电极上方的热固性绝缘层。热固性绝缘层覆盖像素电极的侧面边缘，像素电极的侧面边缘位于热固性绝缘层下方。
在一个实施例中，一种制造薄膜晶体管阵列基板的方法包括：在基板上形成栅极；在基板上方形成栅极绝缘层以覆盖栅极；在栅极绝缘层上形成公共线；在栅极绝缘层上形成至少一个保护层以覆盖公共线并暴露出至少一部分公共线；在栅极绝缘层上方形成第一像素电极以覆盖保护层；在第一像素电极层上形成对应于每个像素区的滤色器；在第一像素电极层上方顺序形成第二像素电极层和热固性绝缘材料层以覆盖滤色器；在具有对应于每个像素区边缘的开口的掩模被设置在热固性绝缘材料层上的状态下，通过蚀刻热固性绝缘材料层图案化所述热固性绝缘材料层；在保留图案化的热固性绝缘材料层上的掩模的同时，通过图案化第一和第二像素电极层形成对应于每个像素区的像素电极；通过去除掩模和热处理图案化的热固性绝缘材料层，形成与至少一部分保护层接触的层间绝缘层以覆盖像素电极的侧面；和在层间绝缘层上形成公共电极，所述公共电极连接到公共线的暴露部分并对应于每个像素区。
在本发明的另一方面，一种薄膜晶体管阵列基板包括：形成在基板上的栅极；形成在基板上方以覆盖栅极的栅极绝缘层；形成在栅极绝缘层上的公共线；形成在栅极绝缘层上以覆盖公共线并暴露出至少一部分公共线的至少一个保护层；具有第一像素电极层和第二像素电极层的像素电极，所述第一像素电极层形成在栅极绝缘层上以覆盖至少一部分保护层及对应每个像素区，所述第二像素电极层形成在第一像素电极层上以接触形成在保护层上的至少一部分第一像素电极层；插入到第一像素电极层和第二像素电极层之间以对应于每个像素区的滤色器；形成在第二像素电极层上并接触至少一部分保护层以覆盖像素电极的侧面的层间绝缘层；和形成在层间绝缘层上的公共电极，所述公共电极对应于每个像素区并经由穿过至少一个保护层的接触孔连接到公共线。
将理解，本发明上文的一般描述和下文的具体描述都是示范性和说明性的，且意在提供所要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
给本发明提供进一步理解并组成说明书一部分的附图图解了本发明的实施例，并与说明书一起用于说明本发明的原理。在附图中：
图1是示出根据本发明实施例的薄膜晶体管阵列基板的截面图；
图2是示出根据本发明实施例的薄膜晶体管阵列基板制造方法的流程图；
图3A至3K是描述图2的每一步操作的图；
图4A和4B是图3I的II部分的放大截面图及其扫描电子显微镜（SEM）图像；和
图5A和5B是图3J的III部分的放大截面图及其SEM图像。
具体实施方式
现在将具体参考本发明的优选实施例，附图图解了这些实施例的一些例子。只要可能，相同参考数字在全部附图中用于表示相同或相似部件。
在本公开中，可互换地使用术语“上”或“上方”以描述结构之间的关系。当描述一个结构在另一个结构上或上方时，其包括结构彼此接触的情况以及在两者间设置中间结构的情况。但是，当使用术语“直接在…上”或“直接在…上方”时，仅包括了结构彼此接触的情况。
以下，将具体描述根据本发明实施例的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。
首先，参考图1，将描述根据本发明实施例的薄膜晶体管阵列基板。
图1是示出根据本发明实施例的薄膜晶体管阵列基板100的截面图。
如图1中所示，薄膜晶体管阵列基板100包括基板110、栅极121、有源层122、源极123、漏极124、栅极绝缘层131、至少一个保护层132和133、层间绝缘层134、公共线140、滤色器150r，150g和150b、像素电极160和公共电极170。
栅极121形成在基板110上。尽管图1中未具体示出，但是栅极121可自栅线（未示出）延伸，所述栅线在基板110上沿一方向排列。
栅极绝缘层131形成在基板110上方以覆盖栅极121。
有源层122形成在栅极绝缘层131上以与至少一部分栅极121局部交叠。这一点上，有源层122可由半导体材料形成。
源极123形成在一部分有源层122上以与有源层122局部交叠。尽管图1中未具体示出，但是，源极123可自数据线（未示出）延伸，所述数据线在栅极绝缘层131上沿与栅线交叉的方向排列。这一点上，通过排列彼此交叉的栅线和数据线限定多个像素区。
漏极124形成在另一部分有源层122上，以与源极123分开并与另一部分有源层122局部交叠。
这一点上，源极/漏极123和124可由导电金属材料形成。
此外，栅极121、有源层122、源极123和漏极124构成对应于每个像素区的薄膜晶体管。
公共线140形成在栅极绝缘层131上。公共线140将电源电压运送到像素的公共电极。尽管图1中未具体示出，但是公共线140可在与栅线平行的方向上排列。
此外，为了减少用于曝光工艺的掩模数目，在形成公共线140期间可使用形成有源层122和源极/漏极123和124时所使用的相同掩模。这一点上，公共线140可具有多层结构，所述多层结构包括使用与有源层122相同的材料形成的第一公共线层141和使用与源极/漏极123和124相同的材料形成的第二公共线层142。
至少一个保护层132和133形成在栅极绝缘层131上以覆盖有源层122、源极123、漏极124和公共线140。至少一个保护层132和133分别具有暴露出至少一部分漏极124和至少一部分公共线140的图案。
这一点上，至少一个保护层132和133可包括使用氮化硅(SiNx)形成在栅极绝缘层131上的第一保护层132和使用光丙烯形成在第一保护层132上的第二保护层133，且第二保护层133的厚度大于第一保护层132的厚度。
但是，这只是一种实例，根据本实施例的至少一个保护层可包括单层或具有不同材料或不同厚度的多层。但是，由于本文中使用至少一个保护层，为了便于描述，将在下文描述第一和第二保护层132和133。
像素电极160对应于每个像素区并连接到漏极124。像素电极160包括第一像素电极层161和第二像素电极层162。
第一像素电极层161形成在栅极绝缘层131上以覆盖至少一部分第二保护层133。此处，第一像素电极层161接触漏极124未被保护层132和133覆盖的暴露部分，以连接到漏极124。
此外，第二像素电极层162形成在第一像素电极层161上以覆盖滤色器150r、150g和150b，下文将描述所述滤色器150r、150g和150b。这一点上，第二像素电极层162接触形成在第二保护层133上的至少一部分第一像素电极层161。
而且，第二像素电极层162可由透明导电材料，诸如氧化铟锡（ITO）形成。以相同方式，第一像素电极层161可由透明导电材料形成。
滤色器150r、150g和150b设置在第一像素电极层161和第二像素电极层162之间以与每个像素区对应。
这一点上，每个像素区的滤色器150r、150g和150b可以分别是发红光区150r、发绿光区150g或者发蓝光区150b。
层间绝缘层134形成在第二像素电极层162上。特别是，层间绝缘层134接触至少一部分第二保护层133，以覆盖形成在第二保护层133上彼此接触的第一和第二像素电极层161和162的侧面边缘。结果是，在所有侧面边缘上像素电极160被层间绝缘层134完全包围。
特别是，层间绝缘层134由热固性绝缘材料形成，所述热固性绝缘材料通过单次热处理熔化并暂时变成流体。例如，热固性绝缘材料可以是负性光丙烯。
即，层间绝缘层134由热固性绝缘材料形成，该热固性绝缘材料形成在第二像素电极层162上方，被图案化以对应于每个像素区，并在图案化第一和第二像素电极层161和162之后对该热固性绝缘材料进行热处理。
此处，当热处理图案化的热固性绝缘材料层时，该热固性绝缘材料层熔化并暂时变成流体，从而图案化的热固性绝缘材料层向下流入底切区中并流到第二保护层133上。如上所述，通过热处理，填充并去除了底切区，而且形成覆盖像素电极160侧面边缘并接触至少一部分第二保护层133的层间绝缘层134。即，层间绝缘层134不具有在形成像素电极160期间形成的底切区。
下文将参考其制造方法更具体地描述层间绝缘层134的形成。
公共电极170形成在层间绝缘层134上以与每个像素区对应，并连接到公共线140未被第一和第二保护层132和133覆盖的暴露部分。此处，公共电极170可由透明导电材料形成。
这一点上，由于层间绝缘层134不具有底切区，因此可防止由底切区导致的公共电极170和公共线140之间的断连。
此外，由于不仅像素电极160的顶部表面覆盖有层间绝缘层134，像素电极160的侧面表面也覆盖有层间绝缘层134，因此可防止像素电极160和公共电极170之间的短路。
如上所述，经由热固性绝缘材料的图案化和热处理形成的层间绝缘层134可提高薄膜晶体管阵列基板100的可靠性。
以下，将参考图2、3A至3K、4A、4B、5A和5B描述根据本发明实施例制造薄膜晶体管阵列基板的方法。
图2是示出根据本发明实施例制造薄膜晶体管阵列基板的方法的流程图。图3A至3K是描述图2的每一步操作的图。图4A和4B是图3I的II部分的放大截面图及其扫描电子显微镜（SEM）图像。图5A和5B是图3J的III部分的放大截面图及其SEM图像。
如图2中所示，制造薄膜晶体管阵列基板的方法包括：在基板上形成栅极（S101）；在基板上方形成栅极绝缘层以覆盖栅极（S102）；在栅极绝缘层上形成有源层、源极/漏极和公共线（S103）；在栅极绝缘层上形成至少一个保护层以覆盖有源层、源极/漏极和公共线（S104）；在栅极绝缘层上方形成第一像素电极层以覆盖保护层（S105）；在第一像素电极层上形成滤色器以与每个像素区对应（S106）；在第一像素电极层上方顺序形成第二像素电极层和热固性绝缘材料层以覆盖滤色器（S107）；在将具有对应于每个像素区边缘的开口的掩模层设置在热固性绝缘材料层上的条件下，通过蚀刻热固性绝缘材料层图案化热固性绝缘材料层（S108）；在保留图案化的热固性绝缘材料层上的掩模层的同时，图案化第一和第二像素电极层以形成对应于每个像素区的像素电极（S109）；通过去除设置在图案化的热固性绝缘材料层上的掩模层和热处理图案化的热固性绝缘材料层，形成接触至少一部分保护层的层间绝缘层以便覆盖像素电极的侧面（S110）；和在层间绝缘层上形成公共电极，以使所述公共电极经由穿过至少一个保护层的接触孔连接到公共线并对应于每个像素区（S111）。
该方法还包括：在形成保护层（S104）之后和形成第一像素电极层（S105）之前，通过蚀刻保护层形成穿过至少一个保护层的接触孔以暴露出至少一部分公共线。
特别是，如图3A中所示，通过图案化叠置在基板110上的第一金属层形成与每个像素区对应的栅极121（S101）。此外，栅极绝缘层131形成在基板110上方以覆盖栅极121（S102）。这一点上，栅极绝缘层131可由氮化硅（SiNx）基绝缘材料形成。
如图3B中所示，通过不相同地图案化顺序叠置在基板110上的半导体材料和第二金属层，形成有源层122、源极123、漏极124和公共线140（S103）。
这一点上，通过使用与用于形成有源层122、和源极/漏极123和124相同的掩模形成公共线140。因此，公共线140具有包括第一公共线层141和第二公共线层142的多层结构，第一公共线层141由用于形成有源层122的相同半导体材料形成，第二公共线层142作为金属层由用于形成源极/漏极123和124的相同材料形成。
如图3C中所示，至少一个保护层132和133形成在栅极绝缘层131上以覆盖有源层122、源极123、漏极124和公共线140，以便暴露出漏极124和公共线140中每一个的至少一部分（S104）。
例如，形成保护层132和133（S104）可包括：使用氮化硅（SiNx）在栅极绝缘层131上形成第一绝缘材料层，使用光丙烯在第一绝缘材料层上形成第二绝缘材料层，和通过图案化第一和第二绝缘材料层在栅极绝缘层131上形成岛状的第一和第二保护层132和133。此处，岛状的第一和第二保护层132和133中的一个形成为覆盖有源层122、源极123和漏极124并且暴露出至少一部分漏极124。岛状的第一和第二保护层132和133中的另一个形成为覆盖公共线140并暴露出至少一部分公共线140。
这一点上，至少一个保护层132和133包括使用氮化硅形成在栅极绝缘层131上的第一保护层132和使用光丙烯形成在第一保护层133上的第二保护层133。
但是，这只是一个实例，至少一个保护层还可包括单层或具有不同材料或不同厚度的多层。由于在本文中使用至少一个保护层，为了便于描述，将在下文描述第一和第二保护层132和133。
如图3D中所示，第一像素电极层161’形成在栅极绝缘层131上方以覆盖第一和第二保护层132和133（S105）。此处，第一像素电极层161’接触漏极124未被岛状的第一和第二保护层132和133覆盖的暴露部分。
此外，第一像素电极层161’可由透明导电材料，诸如ITO形成。
如图3E中所示，对应于每个像素区的滤色器150r、150g和150b形成在第一像素电极层161’上（S106）。这一点上，每个像素区的滤色器150r、150g和150b可分别是发红光区150r、发绿光区150g或发蓝光区150b。
如图3F中所示，第二像素电极层162’形成在第一像素电极层161’上方以覆盖滤色器150r、150g和150b，之后将热固性绝缘材料层134’形成在第二像素电极层162’上方（S107）。
此处，热固性绝缘材料是通过单次热处理工艺（固化工艺）暂时变成流体的材料。例如，热固性绝缘材料可以是负性光丙烯。
之后，如图3G中所示，在将具有对应于每个像素区边缘的开口的掩模层200（例如，图案化的光刻胶）设置在热固性绝缘材料层134’上的条件下，通过蚀刻热固性绝缘材料层134’图案化所述热固性绝缘材料层134’（S108）。此处，可使用干法蚀刻执行蚀刻所述热固性绝缘材料层134’。
因此，形成了具有对应于每个像素区的图案的图案化热固性绝缘材料层134’’。
之后，如图3H中所示，在保留图案化的热固性绝缘材料层134’’上的掩模层200的同时，蚀刻第一和第二像素电极层161和162以图案化第一和第二像素电极层161和162（S109）。这一点上，可通过湿法蚀刻执行蚀刻所述第一和第二像素电极层161和162。
因此，形成了与每个像素区对应的像素电极160，所述像素电极160包括位于第二保护层133上的图案化成彼此连接的第一和第二像素电极层161和162。
之后，如图3I中所示，去除设置在图案化的热固性绝缘材料层134’’上的图3H的掩模层200。
同时，在图案化第一和第二像素电极层161和162（S109）时，由于与第一和第二像素电极层161和162的湿法蚀刻工艺相关的蚀刻偏差，在图案化的热固性绝缘材料层134’’边缘下方形成底切区。
即，如图4A中所示，在湿法蚀刻第一和第二像素电极层161和162之后，在图案化的热固性绝缘材料层134’’边缘下方形成底切区。换句话说，由于与湿法蚀刻工艺相关的蚀刻偏差，图案化的热固性绝缘材料层134’’的边缘部分变成底切区，在底切区下方没有形成像素电极160，因此不能与设置在热固性绝缘材料层134’’下方的第二保护层133的侧面连续地形成图案化的热固性绝缘材料层134’’的侧面。结果，图案化的热固型绝缘材料层134’’下方的像素电极的侧面边缘是暴露且未受保护的。
例如，如图4B中所示，图案化的热固性绝缘材料层134’’的底切区可具有约
Figure BDA00003644875200101
的宽度。
根据本实施例制造薄膜晶体管阵列基板的方法包括在形成像素电极160（S109）之后，通过热处理图案化的热固性绝缘材料层134’’形成层间绝缘层（S110）。
即，如图3J、5A和5B中所示，当热处理图案化的热固性绝缘材料层134’’时，图案化的热固性绝缘材料层134’’的热固性绝缘材料熔化并暂时变成流体，图案化的热固性绝缘材料层134’’的边缘部分向下流到第二保护层133上，从而填充并去除底切区。由此，层间绝缘层134形成为覆盖像素电极160的侧面边缘并接触至少一部分第二保护层133（S110）。
这一点上，由于像素电极160的侧面边缘覆盖有层间绝缘层134，因此像素电极160和公共电极170通过层间绝缘层134彼此隔离，将在下文描述所述公共电极170。
此外，按照与图3I的图案化的热固性绝缘材料层134’’不同的方式，与保护层133的侧面连续地形成层间绝缘层134的侧面。
参考图3K，公共电极170形成在层间绝缘层134上以对应于每个像素区（S111）。公共电极170连接到公共线140并沿着层间绝缘层134的侧面设置，以使公共电极170覆盖层间绝缘层134现在填充了底切区的部分。由此，防止公共电极170和公共线140之间的断连。
这一点上，公共电极170可由透明导电材料，诸如ITO形成。
如上所述，根据本发明的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，通过图案化和热处理热固性绝缘材料，将层间绝缘层134形成在像素电极160和公共电极170之间。因此，可防止像素电极160和公共电极170之间的短路以及公共电极170和公共线140之间的断连。结果，可提高薄膜晶体管阵列基板的可靠性。
从上文描述显而易见的，由于通过热处理形成在像素电极上的图案化的热固性绝缘材料134’’，将层间绝缘层134形成在像素电极160和公共电极170之间，因此层间绝缘层134接触至少一部分保护层133以覆盖像素电极160的侧面。
即，在形成像素电极160的湿法蚀刻工艺期间，在一部分的图案化热固性绝缘材料层134’’处形成底切区。但是，在湿法蚀刻工艺之后通过热处理热固性绝缘材料134’’，所述热固性绝缘材料134’’暂时变成流体，以便形成去除了底切区的层间绝缘层134。
由此，可防止由于底切区导致的形成在层间绝缘层134上的公共电极170和公共线140之间的断连。此外，由于像素电极160的侧面覆盖有层间绝缘层134，因此可防止像素电极160和公共电极170之间的短路。
由此，层间绝缘层134不具有底切区，从而提高了薄膜晶体管阵列基板的可靠性。
对于本领域技术人员很明显，在不脱离本发明的精神和范围的情况下可对本发明做出各种修改和变化。由此，只要其落在所附权利要求及其等价物的范围内，本发明意在覆盖本发明的这种修改和变化。

Claims (15)

1.一种制造显示设备的基板的方法，所述方法包括：
形成具有侧面边缘的像素电极，所述像素电极的侧面边缘位于图案化的热固性绝缘材料层下方；和
通过热处理图案化的热固性绝缘材料层，由图案化的热固性绝缘材料层形成覆盖所述像素电极的侧面边缘的绝缘层，在热处理图案化的热固性绝缘材料层期间，所述图案化的热固性绝缘材料层在所述像素电极的侧面边缘上方熔化。
2.如权利要求1所述的方法，其中：
所述像素电极具有位于图案化的热固性绝缘材料层下方的多个侧面边缘，
所述绝缘层覆盖像素电极的多个侧面边缘，和
在所述热处理期间，图案化的热固性绝缘材料层在像素电极的多个侧面边缘上方熔化以在侧面边缘处包围像素电极。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述图案化的热固性绝缘材料层包括负性光丙烯。
4.如权利要求1所述的方法，还包括：
形成第一像素电极层；和
在第一像素电极层上方形成热固性绝缘材料层；
将热固性绝缘层材料层图案化成图案化的热固性绝缘材料层；
其中通过图案化第一像素电极层形成所述像素电极。
5.如权利要求4所述的方法，其中在图案化所述热固性绝缘材料层和图案化所述第一像素电极层期间，在热固性绝缘材料层上方设置掩模层，所述掩模层在像素区边缘处具有孔。
6.如权利要求4所述的方法，其中形成所述像素电极包括：通过湿法蚀刻图案化第一像素电极层，所述湿法蚀刻在图案化的热固性绝缘材料层的边缘下方产生底切区，当图案化的热固性绝缘材料层在像素电极的侧面边缘上方熔化时，填充所述底切区。
7.如权利要求1所述的方法，还包括：
形成第一像素电极层；
在第一像素电极层上方形成滤色器；和
在滤色器上方形成第二像素电极层；
其中通过图案化第一像素电极层和第二像素电极层形成所述像素电极。
8.如权利要求7所述的方法，还包括：
形成薄膜晶体管；
其中所述第一像素电极层形成为连接所述第二像素电极层和所述薄膜晶体管。
9.如权利要求1所述的方法，还包括：
形成保护层；
其中所述像素电极形成在保护层上方，和
其中在热处理图案化的热固性绝缘材料层期间，所述图案化的热固性绝缘材料层在像素电极的侧面边缘上方熔化到保护层上。
10.一种显示设备的基板，包括：
像素电极；和
形成在像素电极上方的热固性绝缘层，所述热固性绝缘层覆盖位于所述热固性绝缘层下方的像素电极的侧面边缘。
11.如权利要求10所述的基板，其中所述热固性绝缘层覆盖位于所述热固性绝缘层下方的像素电极的多个侧面边缘。
12.如权利要求10所述的基板，其中所述热固性绝缘层包括负性光丙烯。
13.如权利要求10所述的基板，还包括：
滤色器；
其中所述像素电极由位于滤色器下方的第一像素电极层和位于滤色器上方的第二像素电极层形成。
14.如权利要求13所述的基板，还包括：
薄膜晶体管，
其中所述第一像素电极层连接所述薄膜晶体管至所述第二像素电极层。
15.如权利要求10所述的基板，还包括：
保护层，
其中所述像素电极形成在保护层上方，和
其中所述热固性绝缘层覆盖像素电极的侧面边缘并与保护层接触。
CN201310346826.9A 2012-12-21 2013-08-09 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 Active CN103887239B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2012-0151125 2012-12-21
KR1020120151125A KR102023937B1 (ko) 2012-12-21 2012-12-21 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103887239A true CN103887239A (zh) 2014-06-25
CN103887239B CN103887239B (zh) 2017-06-16

Family

ID=50956072

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310346826.9A Active CN103887239B (zh) 2012-12-21 2013-08-09 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9012271B2 (zh)
KR (1) KR102023937B1 (zh)
CN (1) CN103887239B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106405958A (zh) * 2016-10-13 2017-02-15 深圳市华星光电技术有限公司 一种coa阵列基板及液晶显示面板
CN106653686A (zh) * 2016-11-28 2017-05-10 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示设备
WO2017107259A1 (zh) * 2015-12-25 2017-06-29 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板
CN111613626A (zh) * 2020-05-28 2020-09-01 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101971197B1 (ko) * 2012-11-13 2019-08-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN103197480B (zh) * 2013-03-22 2015-07-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板
JP6235021B2 (ja) * 2013-08-07 2017-11-22 シャープ株式会社 半導体装置、表示装置および半導体装置の製造方法
TWI522714B (zh) * 2013-11-15 2016-02-21 群創光電股份有限公司 顯示面板及顯示裝置
US9349753B2 (en) 2014-02-24 2016-05-24 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, method for producing the same and display apparatus
CN104091805B (zh) * 2014-06-18 2017-01-25 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法和显示装置
CN105977148A (zh) * 2016-07-01 2016-09-28 深圳市华星光电技术有限公司 绝缘层的制造方法、阵列的制造方法及阵列基板
CN108735762B (zh) * 2017-04-24 2021-06-15 瀚宇彩晶股份有限公司 画素结构
CN109037233B (zh) * 2017-06-09 2022-02-08 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法和显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1263610A (zh) * 1998-03-19 2000-08-16 松下电器产业株式会社 液晶显示元件及其制造方法
JP2005196189A (ja) * 2003-12-30 2005-07-21 Lg Phillips Lcd Co Ltd 液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法
US20070139597A1 (en) * 2005-11-15 2007-06-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Display substrate, method of manufacturing the same and display device having the same
CN101097333A (zh) * 2006-06-30 2008-01-02 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示器件及其制造方法
CN102197532A (zh) * 2008-10-30 2011-09-21 株式会社藤仓 光电转换装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6900856B2 (en) * 2002-12-04 2005-05-31 Lg. Philips Lcd Ltd. Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
KR101380876B1 (ko) * 2008-01-22 2014-04-10 삼성디스플레이 주식회사 금속 배선, 그 형성 방법 및 이를 이용한 표시 장치
KR101631620B1 (ko) * 2009-10-13 2016-06-17 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드형 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20120077563A (ko) * 2010-12-30 2012-07-10 엘지디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이의 제조방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1263610A (zh) * 1998-03-19 2000-08-16 松下电器产业株式会社 液晶显示元件及其制造方法
JP2005196189A (ja) * 2003-12-30 2005-07-21 Lg Phillips Lcd Co Ltd 液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法
US20070139597A1 (en) * 2005-11-15 2007-06-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Display substrate, method of manufacturing the same and display device having the same
CN101097333A (zh) * 2006-06-30 2008-01-02 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示器件及其制造方法
CN102197532A (zh) * 2008-10-30 2011-09-21 株式会社藤仓 光电转换装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017107259A1 (zh) * 2015-12-25 2017-06-29 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板
CN106405958A (zh) * 2016-10-13 2017-02-15 深圳市华星光电技术有限公司 一种coa阵列基板及液晶显示面板
CN106405958B (zh) * 2016-10-13 2019-09-13 深圳市华星光电技术有限公司 一种coa阵列基板及液晶显示面板
CN106653686A (zh) * 2016-11-28 2017-05-10 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示设备
CN111613626A (zh) * 2020-05-28 2020-09-01 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法
CN111613626B (zh) * 2020-05-28 2023-01-10 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140081409A (ko) 2014-07-01
KR102023937B1 (ko) 2019-09-23
CN103887239B (zh) 2017-06-16
US9012271B2 (en) 2015-04-21
US20140175467A1 (en) 2014-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103887239A (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
US9082667B2 (en) Flexible display device and method for manufacturing the same
CN104134671B (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
TWI441122B (zh) 顯示面板之陣列基板結構及其製作方法
JP5275521B2 (ja) 半導体装置、表示装置、ならびに半導体装置および表示装置の製造方法
US9524992B2 (en) Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
TWI555187B (zh) 有機電激發光顯示器及其製造方法
CN102983141B (zh) 具有氧化物薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法
US9299961B2 (en) OLED display panel
CN104637438A (zh) 柔性显示器及其制造方法
CN104637925A (zh) 用于显示面板的阵列基板及其制造方法
CN103247659A (zh) 有机发光显示设备及其制造方法
CN103887440A (zh) 有机发光二极管显示器及其制造方法
CN109326612A (zh) 显示基板和显示装置
TWI406420B (zh) 主動矩陣基板、顯示裝置及主動矩陣基板之製造方法
JP6359650B2 (ja) アレイ基板、表示装置及びアレイ基板の製作方法
CN105355633A (zh) 制作阵列基板的方法和阵列基板
CN104637983A (zh) 有机发光二极管显示装置及其制造方法
CN106575063B (zh) 有源矩阵基板、液晶面板以及有源矩阵基板的制造方法
CN104392990B (zh) 一种阵列基板及显示装置
TW201618288A (zh) 顯示裝置及其製造方法
CN103904087A (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
JPWO2012011258A1 (ja) 基板及びその製造方法、表示装置
KR100635061B1 (ko) 평판 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN105374827A (zh) 显示设备和用于制造该显示设备的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant