CN103820849A - 一种减压生产12寸单晶硅外延片的工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种减压生产12寸单晶硅外延片的工艺，它包括：(1)于1150～1190℃下用高纯HCl气体清洁反应腔体；(2)通入高纯H2吹扫反应腔体内残留的HCl气体及反应产物；(3)将反应腔体内的温度降温至700～900℃，将12寸单晶硅片装载到载片基座上；(4)将反应腔体内的压强降低至20～200Torr，然后升温至1000～1050℃，载气高纯H2的流量为40～160SLM；(5)反应气体预流，调节通入DCS以及掺杂剂的反应腔体的过程和时间生长外延层；(6)降温至900℃，取出外延片。通过本发明的上述工艺可以制备出外延层电阻率均匀，外延层和衬底电阻率过渡区窄的外延片。
Description
技术领域
本发明涉及一种减压生产12寸单晶硅外延片的工艺。
背景技术
随着硅半导体技术的发展，单晶硅片的尺寸要求越来越大的，国际上逐渐由6或8寸单晶硅片过渡到12寸单晶硅片。传统直拉工艺生产的单晶硅片存在不可或缺的原生缺陷，这种缺陷会降低后续器件的成品率和可靠性。单晶硅片的尺寸变大，控制单晶的原生缺陷就变得愈来愈困难。
利用减压气相沉积的方法进行生长外延层，具有良好的晶体完整性，能够消除硅抛光片表面或近表面缺陷，提高集成电路最终芯片成品率，使得硅外延片开始广泛应用于CMOS等先进集成电路的制造。外延技术很好的解决了这种硅片尺寸大，原生缺陷多的难题。
外延沉积单晶硅技术，外延层的掺杂易于控制，可以灵活的调节外延层电阻率，进而解决器件击穿电压与串联电阻之间的矛盾。此外外延层的氧含量非常低，基本消除了直拉单晶硅抛光片中COP缺陷。然而，通常外延工艺中，由于硅片的自扩散效应或者外延炉体内部杂质热扩散效应，使得外延层和硅片表面电阻率过渡区较宽，这就影响了硅外延片在高频器件等领域的应用。
发明内容
本发明的目的在于提供一种减压生长12寸单晶硅外延片的工艺，利用该工艺可以获得电阻率均匀，单晶硅衬底与外延层过渡区宽度窄的12寸单晶外延片。
本发明基于12寸单晶抛光片，利用反应气体二氯二氢硅(DCS)，掺杂气体B2H6/PH3和高纯H2载气，通过减压系统生长单晶硅P型外延层，从而得到12寸单晶硅外延片。
具体地，本发明采用以下技术方案：
一种减压生长12寸单晶硅外延片的工艺，包括以下步骤：
(1)将化学气相沉积设备的反应腔体升温至1150～1190℃，向反应腔体内通入高纯氯化氢气体，清洁腔体以及载片基座上残余的沉积层，除去反应腔体内部的杂质；
(2)向反应腔体内通入高纯H2吹扫反应腔体内残留的HCl气体及反应产物，高纯H2的流量为50SLM；
(3)将反应腔体内的温度降温至700～900℃，将12寸单晶硅片装载到载片基座上；
(4)将反应腔体内的压强降低至20～200Torr，然后升温至1000～1050℃，载气高纯H2的流量为40～160SLM；
(5)预流DCS气体、掺杂剂B2H6/PH3至少1min，然后只通入DCS气体生长一层非掺杂外延薄层，通入时间为10～120s，停止DCS通入后，立刻通入掺杂剂B2H6/PH3，通入时间为10～60s，再通入DCS气体，此时DCS与掺杂剂B2H6/PH3同时进入反应腔体，在12寸单晶硅表面生长外延层；
(6)外延层生长完成后，停止对反应腔体抽真空，使反应腔体内的压强回到大气压，然后降温至900℃，取出外延片。
在上述工艺中，流量的单位“SLM”表示标准状态下1L/min的流量。
在上述工艺过程中，所述步骤(4)中的升温速度为1～5℃/min。
本发明在减压条件下生长外延层，在减压条件下反应气体分子在反应腔体内的自由程增大，反应气流与单晶硅衬底之间的边界层变薄，从单晶硅衬底高温自扩散出的杂质会快速的扩散到气体中，被气流带出反应区，减小了单晶硅衬底本身杂质的自扩散效应，改善了硅片与外延层界面的电阻率分布。
由于气体的扩散系数与压力成反比，减压显著增大了掺杂气体扩散通过边界层的速率，掺杂气体的热传导也因减压变得显著降低，使得边界层的温度梯度变小，这些因素都有利于掺杂气体快速通过边界层。
本发明外延层沉积工艺过程的控制非常关键。本发明选择二氯二氢硅(DCS)作为硅源，掺杂气体为乙硼烷(B2H6)或磷烷(PH3)，载气为高纯H2。在外延生长之前，先在单晶硅衬底上生长DCS沉积薄层，然后通入掺杂剂，再生长外延层。开始通入DCS气体时，DCS热分解后沉积在12寸单晶硅片表面，可以使得单晶硅衬底自扩散出的少量掺杂剂元素高温扩散到DCS沉积层，从而使得DCS沉积层和12寸单晶硅衬底表面之间的电阻率过渡区宽度变窄，DCS沉积后，立刻通入掺杂剂，在高温条件下，掺杂剂热分解，掺杂剂元素高温扩散到DCS沉积薄层表面，降低DCS沉积薄层表面电阻率，使得电阻率与目标外延层电阻率一致，最后同时通入DCS和掺杂剂进行外延层生长，获得目标厚度的外延层。
通过严格控制DCS沉积薄层的厚度以及掺杂剂B2H6/PH3热分解扩散过程，进一步加强了界面电阻率的突变，使得电阻率过渡区宽度窄。
本发明的优点在于：
本发明在减压条件下生产12寸单晶硅外延片，通过严格控制外延层沉积工艺过程，可以获得外延层电阻率均匀，外延层与12寸单晶硅片衬底之间电阻率过渡区宽度窄的12寸单晶硅外延片。
附图说明
图1为12寸单晶硅外延片各层界面示意图。
图2为12寸单晶硅外延片电阻率VS外延层厚度变化曲线。
具体实施方式
以下通过具体实施例对本发明做进一步说明。
实施例1
准备生产外延片时，确保外延所需要的气体，水冷等外围厂务正常，将反应腔体加热升温到900℃，热机5～10min，升温到1190℃，并通入高纯HCl气体，清洁腔体内部以及基座上的沉积层，然后通入大流量50SLM的高纯H2吹扫腔体内部的残留的HCl气体以及反应产物，确保腔体内部杂质包括掺杂剂尽量少，以免影响外延层的电阻率。
反应腔体经高纯HCl气体腐蚀完成以后，将其温度降至850℃，将12寸单晶硅片通过机械手装载到反应基座上，然后利用真空泵将反应腔体内的压力降到80Torr，使得12寸单晶硅片处于一种减压的环境中。加热升温到1030℃，升温速率为1～5℃/min，同时将高纯H2的流量提高到40～160SLM，升温到设定温度后，开始预流DCS，以及掺杂剂B2H6，预流时间至少3min，然后将DCS以及B2H6通过阀门转化进入排气管道。
沉积时，首先通过阀门转化只通入DCS，通入时间为40s，然后DCS通过阀门切换通入尾气管道，与此同时B2H6直接通入反应腔体，通入时间为20s，然后同时通入DCS和B2H6，通入时间为295s，外延层厚度约为2.5μm。完成沉积后，停止DCS和B2H6的通入，用大量的高纯H2吹扫反应腔体，将未完成反应的气体以及副产物快速排出。然后停止减压，当反应腔体压力达到大气压时，降温到900℃，取出外延片。
外延片各层界面示意图如图1所示，开始通入DCS，在12寸单晶硅片衬底1上生长一层DCS沉积薄层2，高温促使单晶硅片衬底1表面的B元素扩散到DCS沉积薄层2中(如箭头所示)，消除界面层电阻过低现象，在通入掺杂剂后，掺杂剂元素高温扩散到DCS沉积薄层，避免电阻率过大，便于获得目标电阻率。生长的外延片3的电阻测试结果率如图2所示，其中纵坐标为电阻率，横坐标为外延层表面到衬底之间的深度。由图2看出，外延层厚度大约2.8μm，外延层稳定区域大约为0～2.6μm，其电阻率值大约11ohm-cm，衬底电阻率大约为8ohm-cm，衬底与外延层之间的过渡区电阻率由8ohm-cm突变至11ohm-cm，过度区宽度大约为0.2μm，可以看出所获得的12寸单晶硅外延片的外延层电阻率均匀，电阻率过渡区窄。
Claims (2)
1.一种减压生产12寸单晶硅外延片的工艺，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将化学气相沉积设备的反应腔体升温至1150～1190℃，向反应腔体内通入高纯氯化氢气体，清洁腔体以及载片基座上残余的沉积层，除去反应腔体内部的杂质；
(2)向反应腔体内通入高纯H2吹扫反应腔体内残留的HCl气体及反应产物，高纯H2的流量为50SLM；
(3)将反应腔体内的温度降温至700～900℃，将12寸单晶硅片装载到载片基座上；
(4)将反应腔体内的压强降低至20～200Torr，然后升温至1000～1050℃，载气高纯H2的流量为40～160SLM；
(5)预流二氯二氢硅气体、掺杂剂B2H6/PH3至少1min，然后只通入DCS气体生长一层非掺杂外延薄层，通入时间为10～120s，停止二氯二氢硅气体的通入，立刻通入掺杂剂B2H6/PH3，通入时间为10～60s，再通入二氯二氢硅气体，此时二氯二氢硅气体与掺杂剂B2H6/PH3同时进入反应腔体，在12寸单晶硅表面生长外延层；
(6)外延层生长完成后，停止对反应腔体抽真空，使反应腔体内的压强回到大气压，然后降温至900℃，取出外延片。
2.根据权利要求1所述的减压生产12寸单晶硅外延片的工艺，其特征在于，在上述工艺过程中，所述步骤(4)中的升温速度为1～5℃/min。
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|---|---|
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Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104502416A (zh) * | 2014-12-04 | 2015-04-08 | 青岛隆盛晶硅科技有限公司 | 一种测试硅锭提纯工艺出成率的方法 |
| CN105448653A (zh) * | 2014-09-01 | 2016-03-30 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 减少晶圆外延工艺缺陷的方法 |
| CN106298444A (zh) * | 2015-06-04 | 2017-01-04 | 有研半导体材料有限公司 | 一种硅片表面高温氢处理的方法 |
| CN107400921A (zh) * | 2017-07-27 | 2017-11-28 | 上海晶盟硅材料有限公司 | 外延设备保养方法 |
| CN109371471A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-02-22 | 上海晶盟硅材料有限公司 | 双层外延片的生长方法及双层外延片 |
| CN110379704A (zh) * | 2019-07-19 | 2019-10-25 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种高压功率器件用硅外延片的制备方法 |
| CN110670129A (zh) * | 2019-09-27 | 2020-01-10 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种晶圆外延设备的处理方法和晶圆处理方法 |
| CN110707000A (zh) * | 2018-07-09 | 2020-01-17 | 杨丽芸 | 一种桶式外延炉ic片外延工艺方法 |
| CN112382560A (zh) * | 2020-11-12 | 2021-02-19 | 重庆万国半导体科技有限公司 | 一种多层外延减压生长方法 |
| CN112663137A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-04-16 | 中电晶华(天津)半导体材料有限公司 | 一种硅反外延片的制备方法 |
| CN112992741A (zh) * | 2021-03-04 | 2021-06-18 | 长江存储科技有限责任公司 | 半导体处理装置及排气方法 |
| CN113322513A (zh) * | 2021-08-03 | 2021-08-31 | 南京国盛电子有限公司 | 一种生长薄层高阻硅外延片的方法及所制得的外延片 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0684809A (ja) * | 1992-09-04 | 1994-03-25 | Rohm Co Ltd | エピタキシャル層の形成法 |
| CN1870219A (zh) * | 2006-06-09 | 2006-11-29 | 河北工业大学 | 提高p型硅外延电阻率一致性的控制方法 |
| CN101106079A (zh) * | 2007-04-26 | 2008-01-16 | 河北普兴电子科技股份有限公司 | 硅锗材料的一种生长方法 |
-
2012
- 2012-11-16 CN CN201210464962.3A patent/CN103820849B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0684809A (ja) * | 1992-09-04 | 1994-03-25 | Rohm Co Ltd | エピタキシャル層の形成法 |
| CN1870219A (zh) * | 2006-06-09 | 2006-11-29 | 河北工业大学 | 提高p型硅外延电阻率一致性的控制方法 |
| CN101106079A (zh) * | 2007-04-26 | 2008-01-16 | 河北普兴电子科技股份有限公司 | 硅锗材料的一种生长方法 |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105448653A (zh) * | 2014-09-01 | 2016-03-30 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 减少晶圆外延工艺缺陷的方法 |
| CN104502416A (zh) * | 2014-12-04 | 2015-04-08 | 青岛隆盛晶硅科技有限公司 | 一种测试硅锭提纯工艺出成率的方法 |
| CN106298444A (zh) * | 2015-06-04 | 2017-01-04 | 有研半导体材料有限公司 | 一种硅片表面高温氢处理的方法 |
| CN107400921A (zh) * | 2017-07-27 | 2017-11-28 | 上海晶盟硅材料有限公司 | 外延设备保养方法 |
| CN110707000A (zh) * | 2018-07-09 | 2020-01-17 | 杨丽芸 | 一种桶式外延炉ic片外延工艺方法 |
| CN109371471B (zh) * | 2018-11-30 | 2021-03-16 | 上海晶盟硅材料有限公司 | 双层外延片的生长方法及双层外延片 |
| CN109371471A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-02-22 | 上海晶盟硅材料有限公司 | 双层外延片的生长方法及双层外延片 |
| CN110379704A (zh) * | 2019-07-19 | 2019-10-25 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种高压功率器件用硅外延片的制备方法 |
| CN110379704B (zh) * | 2019-07-19 | 2021-05-28 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种高压功率器件用硅外延片的制备方法 |
| CN110670129A (zh) * | 2019-09-27 | 2020-01-10 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种晶圆外延设备的处理方法和晶圆处理方法 |
| CN112382560A (zh) * | 2020-11-12 | 2021-02-19 | 重庆万国半导体科技有限公司 | 一种多层外延减压生长方法 |
| WO2022100408A1 (zh) * | 2020-11-12 | 2022-05-19 | 重庆万国半导体科技有限公司 | 一种多层外延减压生长方法 |
| CN112663137A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-04-16 | 中电晶华(天津)半导体材料有限公司 | 一种硅反外延片的制备方法 |
| CN112992741A (zh) * | 2021-03-04 | 2021-06-18 | 长江存储科技有限责任公司 | 半导体处理装置及排气方法 |
| CN113322513A (zh) * | 2021-08-03 | 2021-08-31 | 南京国盛电子有限公司 | 一种生长薄层高阻硅外延片的方法及所制得的外延片 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103820849B (zh) | 2016-04-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| C53 | Correction of patent of invention or patent application | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 100088 Beijing city Xicheng District Xinjiekou Avenue No. 2 Applicant after: YOUYAN NEW MATERIAL CO., LTD. Address before: 100088 Beijing city Xicheng District Xinjiekou Avenue No. 2 Applicant before: GRINM Semiconductor Materials Co., Ltd. |
|
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: APPLICANT; FROM: GRINM SEMICONDUCTOR MATERIALS CO., LTD. TO: GRINM ADVANCED MATERIALS CO., LTD. |
|
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: GRINM SEMICONDUCTOR MATERIALS CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: GRINM ADVANCED MATERIALS CO., LTD. Effective date: 20150618 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20150618 Address after: 101300 Beijing city Shunyi District Shuanghe Linhe Industrial Development Zone on the south side of the road Applicant after: You Yan Semi Materials Co., Ltd. Address before: 100088 Beijing city Xicheng District Xinjiekou Avenue No. 2 Applicant before: YOUYAN NEW MATERIAL CO., LTD. |
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 101300 south side of Shuanghe Road, Linhe Industrial Development Zone, Shunyi District, Beijing Patentee after: Youyan semiconductor silicon materials Co.,Ltd. Address before: 101300 south side of Shuanghe Road, Linhe Industrial Development Zone, Shunyi District, Beijing Patentee before: GRINM SEMICONDUCTOR MATERIALS Co.,Ltd. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |