CN103813110A - 超低读出噪声架构 - Google Patents
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Abstract
一种用以读出像素的方法，包括读取第一像素，其包括：重置第一光检测器；在重置所述第一光检测器之后，积分所述第一光检测器；重置被耦合至所述第一光检测器的第一浮动扩散节点以及被耦合至第二光检测器的第二浮动扩散节点；将电荷从所述第一光检测器处传输至所述第一浮动扩散节点；比较所述第一浮动扩散节点处的第一信号和所述第二浮动扩散节点处的第二信号，并且当所述第二信号小于所述第一信号时，产生一第一信号用以锁存一第一计数器数值；递增所述第一信号并递减所述第二信号；以及比较所述第一信号和所述第二信号，当所述第二信号大于所述第一信号时，产生一第二信号用以锁存一第二计数器数值，其中，所述第二计数器数值与所述第一计数器数值之间的差异表示第一像素位准。
Description
技术领域
本发明大体上关于互补式金属氧化物半导体(CMOS，ComplementaryMetal-Oxide Semiconductor)影像传感器。
背景技术
除非本文中另外表明，否则，本段落中所述方式并非本申请中权利要求的现有技术，而且不可当成现有技术并入本段落中。
图1为影像传感器100的方框图。影像传感器100包括有源像素传感器(APS，Active Pixel Sensor)像素102、被耦合至APS像素的相关双重取样(CDS，Correlated Double Sampling)电路104以及被耦合至CDS电路的模拟至数字转换器(ADC，Analog-to-Digital Converter)电路106。
APS像素102包括钉扎光检测器(pinned photodetector)108。光检测器108包括P型本体110、N型植入物112以及分开N型植入物与表面的浅钉扎P型植入物114。传输栅极116控制从光检测器108至浮动扩散(FD，Floating Diffusion)节点118的电荷传输。重置晶体管120被耦合至FD节点118，用以在电荷被积分前后重置光检测器108。源极跟随器(SF，SourceFollower)晶体管122被耦合至FD节点118，用以将电荷转换成输出电压。
CDS电路104包括取样与保留重置(SHR，Sample and Hold Reset)晶体管124，其被耦合至SF晶体管122的源极，用以将重置信号传输至SHR电容器126进行存储。取样与保留信号(SHS，Sample and Hold Signal)晶体管128被耦合至SF晶体管122的源极，用以将充电信号传输至SHS电容器130进行存储。放大器132的负输入与正输入分别被耦合至SHR电容器126与SHS电容器130。放大器132会输出信号，其为充电信号与重置信号之间的差异，用以移除重置噪声。
ADC电路106包括比较器134，其具有被耦合至斜坡产生器136的负输入以及被耦合至放大器132的输出的正输入。比较器134的输出会被耦合至锁存器138，因此，锁存器会在来自斜坡产生器136的信号变为大于来自放大器132的信号时存储计数器140的数值。
发明内容
在本发明的一个或多个具体实施例中说明一种用以读出像素的方法，包括读取第一像素，其包括重置第一光检测器；在重置第一光检测器之后，积分第一光检测器；重置被耦合至第一光检测器的第一浮动扩散节点以及被耦合至第二光检测器的第二浮动扩散节点；将电荷从第一光检测器处传输至第一浮动扩散节点；比较第一浮动扩散节点处的第一信号和第二浮动扩散节点处的第二信号，并且当第二信号小于第一信号时，产生第一信号用以锁存第一计数器数值；递增第一信号并递减第二信号；以及比较第一信号和第二信号，当第二信号大于第一信号时，产生第二信号用以锁存第二计数器数值，其中，第二计数器数值与第一计数器数值之间的差异表示第一像素位准。
上述内容仅为例示性，没有任何限制意义。除了上述的例示性方面、具体实施例以及特征之外，参考图式和以下详细说明便会明白进一步方面、具体实施例以及特征。
附图说明
从以上说明和权利要求中，配合附图，会更完整明白本发明的前述与其它特征。应所述了解，这些附图仅描绘根据本发明的数个具体实施例，且因此，不应被视为限制本发明的范围，本发明将使用这些附图作额外特性和详细的说明。
图中：
图1为影像传感器的方框图；
图2为具有一对像素的影像传感器的方框图；
图3为用以读出图2的像素传感器中的一对像素的方法流程图；
图4为图3的方法的时序图；以及
图5与图6组合形成具有多对像素的影像传感器的方框图，全部根据本发明至少某些具体实施例来排列。
【符号说明】
100 影像传感器
102 有源像素传感器（APS）像素
104 相关双重取样（CDS）电路
106 模拟至数字转换器（ADC）电路
108 钉扎光检测器
110 P型本体
112 N型植入物
114 浅钉扎P型植入物
116 传输栅极
118 浮动扩散（FD）节点
120 重置晶体管
122 源极跟随器（SF）晶体管
124 取样与保留重置（SHR）晶体管
126 SHR电容器
128 取样与保留信号（SHS）晶体管
130 SHS电容器
132 放大器
134 比较器
136 斜坡产生器
138 锁存器
140 计数器
200 影像传感器
202 有源像素传感器（APS）像素
204 有源像素传感器像素
206 第一浮动扩散（FD）节点
208 第一光检测器
210 第一传输晶体管
214 第一重置晶体管
216 第二FD节点
218 第二光检测器
220 第二传输晶体管
224 第二重置晶体管
228 读出电路
230 第一比较器
232 负输入
234 正输入
236 第二比较器
238 负输入
240 电容器
242 负输出
244 正输入
246 电容器
248 正输出
250 锁存器
252 控制输入
254 输出
256 数据输入
258 计数器
260 电容器
262 电容器
263 极性反向切换器
264 正斜坡产生器
266 负斜坡产生器
300 方法
302～328 方框
500 影像传感器
502 列
504 列
506 列
508 列
516 第一SF晶体管
518 第二SF晶体管
520 偏压线路
522 有源像素传感器（APS）像素
524 有源像素传感器像素
526 第三FD节点
528 第三光检测器
530 第三传输晶体管
534 第三重置晶体管
535 第三SF晶体管
536 第四FD节点
538 第四光检测器
540 第四传输晶体管
544 第四重置晶体管
545 第四SF晶体管
560 电容器
562 电容器
564 偏压晶体管
具体实施方式
图2为本发明一个或更多个具体实施例中的示范性影像传感器200的方框图。影像传感器200包括一对有源像素传感器(APS)像素202与204，它们以共享相关双重取样(CDS)时序和模拟至数字转换器(ADC)时序的协同方式被读取。传感器200中虽然仅显示一对像素；不过，本文中所述一般性概念可应用至构成像素阵列的多对像素。
第一APS像素202包括：第一浮动扩散(FD)节点206；第一光检测器208；第一传输晶体管210，将第一光检测器耦合至第一FD节点；被耦合至第一FD节点的斜升线路Rup<0>；以及第一重置晶体管214，将第一供应线路HVDD<0>耦合至第一FD节点。明确地说，第一传输晶体管210的源极被耦合至第一光检测器208的阴极，而它的漏极则被耦合至第一FD节点206。第一传输晶体管210的栅极被连接至第一传输线路TX<0>，其控制从第一光检测器208至第一FD节点206的电荷传输。第一重置晶体管214的漏极被耦合至第一供应线路HVDD<0>，而它的源极则被耦合至第一FD节点206。第一重置晶体管214的栅极被连接至第一重置线路RST<0>，其控制第一光检测器208和/或第一FD节点206的重置。图中虽然并未显示；但是，第一APS像素202包括第一源极跟随器(SF)晶体管，具有接近1的增益(0.9)，用以将第一FD节点206处的电荷转换成输出电压。
斜升线路Rup<0>供应用以斜升已传输电荷信号的信号，已传输电荷信号会与斜降的参考信号进行比较，用以决定APS像素202的数字位准，如稍后所述。斜升线路Rup<0>还供应用以斜降参考信号的信号，参考信号会与斜升的已传输电荷信号进行比较，用以决定APS像素204的数字位准，如稍后所述。斜升线路Rup<0>被放置在第一FD节点206旁边但与其绝缘，因此，斜升线路会被电容性耦合至第一FD节点。此电容性耦合由斜升线路Rup<0>和第一FD节点206之间的电容器260来表示。影像传感器200包括极性反向切换器263，将正斜坡产生器264耦合至斜升线路Rup<0>并将负斜坡产生器266耦合至斜降线路Rdn<0>，反之亦可。
第二APS像素204包括：第二FD节点216；第二光检测器218；第二传输晶体管220，将第二光检测器耦合至第二FD节点；被耦合至第二FD节点的斜降线路Rdn<0>；以及第二重置晶体管224，将第二供应线路HVDD<1>耦合至第二FD节点。明确地说，第二传输晶体管220的源极被耦合至第二光检测器218的阴极，而它的漏极则被耦合至第二FD节点216。第二传输晶体管220的栅极被耦合至第二传输线路TX<1>，其控制从第二光检测器218至第二FD节点216的电荷传输。第二重置晶体管224的漏极被耦合至第二供应线路HVDD<1>，而它的源极则被耦合至第二FD节点216。第二重置晶体管224的栅极被耦合至第二重置线路RST<1>，其控制第二光检测器218和/或第二FD节点216的重置。图中虽然并未显示；但是，第二APS像素204包括第二SF晶体管，具有接近1的增益(0.9)，用以将第二FD节点216处的电荷转换成输出电压。
斜降线路Rdn<0>供应用以斜降参考信号的信号，参考信号会与斜升的已传输电荷信号进行比较，用以决定APS像素202的数字位准，如稍后所述。斜降线路Rdn<0>还供应用以斜升已传输电荷信号的信号，已传输电荷信号会与斜降的参考信号进行比较，用以决定APS像素204的数字位准，如稍后所述。斜降线路Rdn<0>被放置在第二FD节点216旁边但与其绝缘，因此，斜降线路会被电容性耦合至第二FD节点。此电容性耦合由斜降线路Rdn<0>和第二FD节点216之间的电容器262来表示。如以上介绍，极性反向切换器263会将正斜坡产生器264耦合至斜升线路Rup<0>并将负斜坡产生器266耦合至斜降线路Rdn<0>，反之亦可。
影像传感器200包括具有一或多级的读出电路228。读出电路228包括具有第一比较器230的第一级，第一比较器230的负输入232藉由第一SF晶体管(未显示)被耦合至第一FD节点206，而它的正输入234藉由第二SF晶体管(未显示)被耦合至第二FD节点216。APS像素202与204可利用CDS被协同读取。当读取第一APS像素202时，第一FD节点206处的来自第一光检测器208的已传输电荷信号会与已被重置的第二FD节点216处的参考信号进行比较。当读取第二APS像素204时，第二FD节点216处的来自第二光检测器218的已传输电荷信号会与已被重置的第一FD节点206处的参考信号进行比较。
读出电路228可包括具有第二比较器236的第二级，第二比较器236的负输入238藉由电容器240被耦合至第一比较器230的负输出242，而它的正输入244藉由电容器246被耦合至第一比较器的正输出248。
读出电路228包括锁存器250，其控制输入252被耦合至第二比较器236的输出254，而它的数据输入256被耦合至计数器258。
图3为本发明一个或多个具体实施例中用以读出影像传感器200(图2)中的像素的示范性方法300的流程图。图4为本发明一个或多个具体实施例中用以利用方法300来读出影像传感器200中的像素的时序图400。方法300可包括一或多个方框所示的一或多个操作、功能或动作。图中虽然以连续的顺序来显示这些方框；不过，这些方框亦可平行实施，和/或以和本文中所述不同的顺序来实施。另外，各种方框可以依据所需施行方式组合成较少的方框、分割成额外方框和/或删除。方法300可以从方框302开始。
在方框302中，第一光检测器208会藉由在时间t0处驱动线路RST<0>、HVDD<0>以及TX<0>为高位准而在时间t0处被重置。线路TX<0>会保持高位准直到时间t1为止，而线路HVDD<0>会保持高位准直到时间t2(t2>t1)为止，以便确保第一光检测器208被完全重置。线路RST<0>可保持高位准直到时间t8为止。请注意，线路RST<1>亦会在t0处被驱动为高位准，直到时间t8为止。方框302之后可为方框304。
在方框304中，第一光检测器208会藉由使其曝露在光线中维持一段预设的曝光时间而被积分。方框304之后可为方框306。
在方框306中，第二光检测器218会藉由在时间t4处保持线路RST<1>为高位准并且驱动线路HVDD<1>与TX<1>为高位准而在时间t4处被重置。线路TX<1>会保持高位准直到时间t5为止，而线路HVDD<1>会保持高位准直到时间t6(t6>t5)为止，以便确保第二光检测器218被完全重置。线路RST<1>可保持高位准直到时间t8为止。方框306之后可为方框308。
在方框308中，第二光检测器218会藉由使其曝露在光线中维持预设曝光时间而被积分。方框308之后可为方框310。
在方框310至318中，第一APS像素202会被读出。在方框310中，第一FD节点206与第二FD节点216会藉由在时间t7处保持线路RST<0>与RST<1>为高位准并且驱动线路HVDD<0>与HVDD<1>为高位准而在时间t7处被重置。线路RST<0>与RST<1>会在时间t8处返回低位准。线路HVDD<0>与HVDD<1>会在时间t9(t9>t8)处返回低位准，以便确保第一FD节点206与第二FD节点216被完全重置。在时间t7至t9期间，线路TX<0>与TX<1>会保持低位准，以便让第一FD节点206与第二FD节点216分别和第一光检测器208与第二光检测器218隔离。请注意，在第一FD节点206与第二FD节点216的重置期间关闭第一重置晶体管214与第二重置晶体管224会在时间t8处造成电荷注入和时钟馈入。方框310之后可为方框312。
在方框312中，来自第一光检测器208的电荷会从时间t10至t11藉由驱动线路TX<0>为高位准而被传输至第一FD节点206。请注意，在电荷传输期间开启与关闭第一传输晶体管210会在时间t10与t11处造成电荷注入和时钟馈入。方框312之后可为方框314。
在方框314中，当负输入232处的第一信号(举例来说，第一电压)小于正输入234处的第二信号(举例来说，第二电压)时，第一比较器230会在时间t11处跳闸，其会导致第二比较器236跳闸并产生第一锁存器信号，导致锁存器250捕捉来自计数器258的第一计数器数值。方框314之后可为方框316。
在方框316中，从时间t12至t13，正斜坡产生器264会斜升线路Rup<0>，用以递增第一比较器230的负输入232处的第一电压；而负斜坡产生器266会斜降线路Rdn<0>，用以递减第一比较器的正输入234处的第二电压。如上所述，极性切换器263用来提供产生器264、266以及线路Rup<0>、Rdn<0>之间的正确连接。方框316之后可为方框318。
在方框318中，当负输入232处的第一电压大于正输入234处的第二电压时，第一比较器230会再次跳闸(由图4中的元件符号402表示)，其会导致第二比较器236再次跳闸并产生第二锁存器信号，导致锁存器250捕捉来自计数器258的第二计数器数值。第二计数器数值与第一计数器数值之间的差异表示第一APS像素202的数字数值。方框318之后可为方框320。
在方框320至328中，第二APS像素204会被读出。在方框320中，第一FD节点206与第二FD节点216会藉由驱动线路RST<0>、RST<1>、HVDD<0>、以及HVDD<1>为高位准而在时间t13处被重置。线路RST<0>与RST<1>会在时间t14处返回低位准。线路HVDD<0>与HVDD<1>会在时间t15(t15>t14)处返回低位准，以便确保第一FD节点206与第二FD节点216被完全重置。在时间t13至t15期间，线路TX<0>与TX<1>会保持低位准，以便让第一FD节点206与第二FD节点216分别和第一光检测器208与第二光检测器218隔离。方框320之后可为方框322。
在方框322中，来自第二光检测器218的电荷会从时间t16至t17藉由驱动线路TX<1>为高位准而被传输至第二FD节点216。方框322之后可为方框324。
在方框324中，当负输入232处的第一电压高于正输入234处的第二电压时，第一比较器230会跳闸，其会导致第二比较器236跳闸并产生第三锁存器信号，导致锁存器250捕捉来自计数器258的第三计数器数值。方框324之后可为方框326。
在方框326中，从时间t18至t19，正斜坡产生器264会斜升线路Rup<0>，用以递增第一比较器230之正输入234处的第二电压；而负斜坡产生器266会斜降线路Rdn<0>，用以递减第一比较器的负输入232处的第一电压。如上所述，极性切换器263用来提供产生器264、266以及线路Rup<0>、Rdn<0>之间的正确连接。方框326之后可为方框328。
在方框328中，当负输入232处的第一电压低于正输入234处的第二电压时，第一比较器230会再次跳闸，其会导致第二比较器236再次跳闸并产生第四锁存器信号，导致锁存器250捕捉来自计数器258的第四计数器数值。第四计数器数值与第三计数器数值之间的差异表示第二APS像素204的数字数值。
如上所述，相较于影像传感器100(图1)，本发明的影像传感器200(图2)提供低读出噪声。影像传感器200没有运用任何取样与保留电路及操作，从而消除kTC重置噪声源。影像传感器200亦没有利用运算放大器或源极跟随器晶体管来放大信号，从而消除另一噪声源。
图5与图6组合形成本发明一个或多个具体实施例中的示范性影像传感器500的方框图。影像传感器500将影像传感器200(图2)的概念应用于排列在四乘四像素阵列中的四对APS像素。
影像传感器500中的像素被排列在四列502、504、506、以及508中。每一个列有两对像素，而且每一对会以上面针对影像传感器200中的APS像素202与204(图2)所述的方式被协同读出。
列502包括第一对APS像素202与204。图中更详细显示，第一APS像素202包括第一SF晶体管516，将第一FD节点206耦合至比较器230的负输入232；而第二APS像素204包括第二SF晶体管518，将第二FD节点216耦合至比较器230的正输入234。SF晶体管516与518形成比较器230的一输入对。明确地说，第一SF晶体管516的栅极被耦合至第一FD节点206，它的源极被耦合至比较器230的负输入232，而它的漏极被耦合至偏压线路520。第二SF晶体管518的栅极被耦合至第二FD节点216，它的源极被耦合至比较器230的正输入244，而它的漏极被耦合至偏压线路520。
列502进一步包括第二对APS像素522与524，它们会以针对第一对APS像素202与204所述相同的方式被读取。
第三APS像素522包括：第三FD节点526；第三光检测器528；第三传输晶体管530，将第三光检测器耦合至第三FD节点；被耦合至第三FD节点的斜升线路Rup<1>；第三重置晶体管534，将第三供应线路HVDD<2>耦合至第三FD节点；以及第三SF晶体管535，将第三FD节点耦合至比较器230的负输入232。明确地说，第三传输晶体管530的源极被耦合至第三光检测器528的阴极，而它的漏极则被耦合至第三FD节点526。第三传输晶体管530的栅极被连接至第三传输线路TX<2>，其控制从第三光检测器528至第三FD节点526的电荷传输。第三重置晶体管534的漏极被耦合至第三供应线路HVDD<2>，而它的源极则被耦合至第三FD节点526。第三重置晶体管534的栅极被连接至第三重置线路RST<2>，其控制第三光检测器528和/或第三FD节点526的重置。第三SF晶体管535的栅极被耦合至第三FD节点526，它的源极被耦合至比较器230的负输入232，而它的漏极则被耦合至偏压线路520。
斜升线路Rup<1>被放置在第三FD节点526旁边但与其绝缘，因此，斜升线路会被电容性耦合至第三FD节点。此电容性耦合由斜升线路Rup<1>和第三FD节点526之间的电容器560来表示。斜升线路Rup<1>会从正斜坡产生器264(图2)处接收斜升信号。
第四APS像素524包括：第四FD节点536；第四光检测器538；第四传输晶体管540，将第四光检测器耦合至第四FD节点；被耦合至第四FD节点的斜降线路Rdn<1>；第四重置晶体管544，将第四供应线路HVDD<3>耦合至第四FD节点；以及第四SF晶体管545，将第四FD节点耦合至比较器230的正输入234。明确地说，第四传输晶体管540的源极被耦合至第四光检测器538的阴极，而它的漏极则被耦合至第四FD节点536。第四传输晶体管540的栅极被耦合至第四传输线路TX<3>，其控制从第四光检测器538至第四FD节点536的电荷传输。第四重置晶体管544的漏极被耦合至第四供应线路HVDD<3>，而它的源极则被耦合至第四FD节点536。第四重置晶体管544的栅极被耦合至第四重置线路RST<3>，其控制第四光检测器538和/或第四FD节点536的重置。第四SF晶体管545的栅极被耦合至第四FD节点536，它的源极被耦合至比较器230的正输入234，而它的漏极则被耦合至偏压线路520。
斜降线路Rdn<1>被放置在第四FD节点536旁边但与其绝缘，因此，斜降线路会被电容性耦合至第四FD节点。此电容性耦合由斜降线路Rdn<1>和第四FD节点536之间的电容器562来表示。斜降线路Rdn<1>会从负斜坡产生器266(图2)处接收斜降信号。
列502包括偏压晶体管564，其会偏压SF晶体管516、518、535以及545。偏压晶体管564的栅极被耦合至线路SF_BIAS，它的漏极被耦合至偏压线路520，而它的源极被耦合至负电源供应线路。
列504、506以及508的排列类似于列502。列502、504、506以及508共享运行在各行中的线路SF_BIAS、RST<0>、HVDD<0>、TX<0>、Rup<0>、RST<1>、HVDD<1>、TX<1>、Rdn<0>、RST<2>、HVDD<2>、TX<2>、Rup<1>、RST<3>、HVDD<3>、TX<3>以及Rdn<1>。明确地说，斜升线路Rup<0>为水平线路，其被放置跨越第一行像素并在第一行中的FD节点旁边但与它们绝缘，因此，斜升线路会被电容性耦合至这些FD节点。斜降线路Rdn<0>为水平线路，其被放置跨越第二行像素并在第二行中的FD节点旁边但与它们绝缘，因此，斜降线路会被电容性耦合至这些FD节点。斜升线路Rup<1>为水平线路，其被放置跨越第三行像素并在第三列中的FD节点旁边但与它们绝缘，因此，斜升线路会被电容性耦合至这些FD节点。斜降线路Rdn<1>为水平线路，其被放置跨越第四行像素并在第四列中的FD节点旁边但与它们绝缘，因此，斜降线路会被电容性耦合至这些FD节点。
从前文可明白，本文中已针对解释目的说明过本发明的各种具体实施例，而且可以进行各种修正而不会脱离本发明的范围与精神。据此，本文中所述各种具体实施例没有限制的意图，真实范围与精神由权利要求来限定。
Claims (8)
1.一种读出像素的方法，包括：
读取第一像素，包括：
重置第一光检测器；
在重置所述第一光检测器之后积分所述第一光检测器；
重置第一浮动扩散节点与第二浮动扩散节点，所述第一扩散节点被耦合至所述第一光检测器而所述第二扩散节点被耦合至第二光检测器；
将电荷从所述第一光检测器处传输至所述第一浮动扩散节点；
比较所述第一浮动扩散节点处的第一信号和所述第二浮动扩散节点处的第二信号，并且产生第一信号用以锁存所述第一信号小于所述第二信号时的第一计数器数值；
递增所述第一信号并递减所述第二信号；以及
比较所述第一信号和所述第二信号，并且产生第二信号用以锁存所述第一信号大于所述第二信号时的第二计数器数值，其中，所述第二计数器数值与所述第一计数器数值之间的差异表示第一像素位准。
2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
读取第二像素，包括：
重置第二光检测器；
在重置所述第二光检测器之后积分所述第二光检测器；
重置所述第一浮动扩散节点与所述第二浮动扩散节点；
将电荷从所述第二光检测器处传输至所述第二浮动扩散节点；
比较所述第一信号和所述第二信号，并且产生第三信号用以锁存所述第一信号大于所述第二信号时的第三计数器数值；
递增所述第一信号并递减所述第二信号；以及
比较所述第一信号和所述第二信号，并且产生第四信号用以锁存所述第一信号小于所述第二信号时的第四计数器数值，其中，所述第四计数器数值与所述第三计数器数值之间的差异表示第二像素位准。
3.一种像素传感器，包括：
第一有源像素传感器像素，包括：
第一浮动扩散节点；
第一光检测器，被耦合至所述第一扩散节点；以及
第一斜坡线路，被耦合至所述第一浮动扩散节点；
第二有源像素传感器像素，包括：
第二浮动扩散节点；
第二光检测器，被耦合至所述第二扩散节点；以及
第二斜坡线路，被耦合至所述第二浮动扩散节点；以及
读出电路，包括：
比较器，第一输入被连接至所述第一浮动扩散节点且第二输入被连接至所述第二浮动扩散节点；以及
锁存器，被耦合至所述比较器。
4.如权利要求3所述的像素传感器，其中，所述读出电路进一步包括：
另一比较器，第一输入被连接至所述比较器的第一输出，第二输入被连接至所述比较器的第二输出，而且输出被耦合至所述锁存器。
5.如权利要求3所述的像素传感器，进一步包括计数器，被耦合至所述锁存器。
6.如权利要求3所述的像素传感器，进一步包括正斜坡产生器与负斜坡产生器，选择性地被耦合至所述第一与第二斜坡线路。
7.如权利要求3所述的像素传感器，其中，所述第一斜坡线路为沿着包括所述第一有源像素传感器像素的第一行有源像素传感器像素前进的水平线路，而所述第二斜坡线路为沿着包括所述第二有源像素传感器像素的第二行有源像素传感器像素前进的第二水平线路。
8.如权利要求3所述的像素传感器，其中：
所述第一有源像素传感器像素进一步包括：第一传输栅极，用以将所述第一光检测器耦合至所述第一浮动扩散节点，以及第一重置栅极，用以将所述第一浮动扩散节点耦合至第一供应轨；以及
所述第二有源像素传感器像素进一步包括：第二传输栅极，用以将所述第二光检测器耦合至所述第二浮动扩散节点，以及第二重置栅极，用以将所述第二浮动扩散节点耦合至第二供应轨。
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