CN103797355A - 光传导元件、透镜、太赫兹发射显微镜及器件制造方法 - Google Patents

光传导元件、透镜、太赫兹发射显微镜及器件制造方法 Download PDF

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Abstract

[本发明的目的]为了提供能够提高太赫兹电磁波的检出精度的太赫兹发射显微镜、用于所述太赫兹发射显微镜的光传导元件和透镜、以及器件制造方法。[本发明的解决方案]一种光传导元件，其包括基体材料、电极和膜材料。所述基体材料具有太赫兹电磁波入射到其上的入射面，所述太赫兹电磁波是通过用从光源生成的脉冲激光照射作为观察对象的器件而产生的。所述电极形成在所述基体材料上且用于检出入射到所述基体材料的所述入射面上的所述太赫兹电磁波。所述膜材料形成在所述基体材料的所述入射面上，并且用于透射所述太赫兹电磁波且反射所述脉冲激光。

Description

光传导元件、透镜、太赫兹发射显微镜及器件制造方法
技术领域
本发明涉及利用太赫兹电磁波的太赫兹发射显微镜（terahertzemission microscope）、用于太赫兹发射显微镜的光传导元件（photoconductive element）和透镜、以及器件制造方法，所述器件制造方法包括使用太赫兹发射显微镜来观察该器件的步骤。
背景技术
专利文献1、2和3中所描述的半导体器件检查方法是利用太赫兹电磁波对半导体器件的非接触式检查方法。在该检查方法，利用如下事实来检查出半导体器件的缺陷，该事实是：通过使用诸如超短脉冲激光等激发用脉冲激光来照射作为检查对象的半导体器件而产生的太赫兹电磁波，会受到半导体器件内的电场分布和配线缺陷的影响（例如，参见专利文献1、2和3）。
在半导体器件内，即使在无偏电压（unbiased voltage）下在用于构成MOS（Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体）晶体管的pn结或金属半导体表面上也会产生内建电场（built-in electric field）。因此，利用这样的太赫兹电磁波的检查装置能够在无偏状态（即，非接触状态）下检查缺陷。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特许公开第4744604号
专利文献2：日本专利特许公开第4001373号
专利文献3：日本专利特许公开第4683869号
发明内容
本发明要解决的问题
当激发用脉冲激光在器件上反射/由器件散射/通过器件而透射等时，该脉冲激光可能会照射到用于检出太赫兹电磁波的检出元件。如果检出元件包括半导体材料，那么一旦脉冲激光照射到该检出元件，该检出元件就会不受欢迎地产生太赫兹电磁波。例如，取决于作为检查对象的器件的类型，该器件内所产生的太赫兹电磁波可能是微弱的。对于这样的器件，难以将该器件内所产生的太赫兹电磁波与检出元件内所产生的太赫兹电磁波分离，从而减小了该器件内所产生的太赫兹电磁波的检出精度。
鉴于上述情况，本发明的目的是提出能够提高太赫兹电磁波的检出精度的太赫兹发射显微镜、用于太赫兹发射显微镜的光传导元件和透镜、以及器件制造方法。
解决问题的技术方案
为了实现上述目的，根据本发明的光传导元件包括基体材料、电极和膜材料。
所述基体材料具有太赫兹电磁波入射到其上的入射面，所述太赫兹电磁波是通过用从光源生成的脉冲激光照射作为观察对象的器件而产生的。
所述电极形成在所述基体材料上，且用于检出入射到所述基体材料的所述入射面上的所述太赫兹电磁波。
所述膜材料形成在所述基体材料的所述入射面上，用于透射所述太赫兹电磁波且反射所述脉冲激光。
因为在所述基体材料的所述入射面上形成有用于透射所述太赫兹电磁波且反射所述脉冲激光的膜材料，所以抑制了由于所述脉冲激光入射到所述基体材料的所述入射面上而导致的太赫兹电磁波的产生。这就能够提高在作为观察对象的器件内产生的太赫兹电磁波的检出精度。
所述基体材料的所述入射面可以不同于所述基体材料上的形成有所述电极的表面。采样脉冲激光入射到所述基体材料上的形成有所述电极的表面上。所述采样脉冲激光用于在预定的时刻通过所述光传导元件来检出所述太赫兹电磁波。因此，所述太赫兹电磁波入射到与形成有所述电极的表面不同的表面上，从而提高所述太赫兹电磁波的检出精度。
所述膜材料可以包括绝缘体膜、半导体膜和导电体膜中的至少一种。
根据本发明的透镜包括透镜区域和膜材料。
所述透镜区域具有入射面、出射面和内部区域。在所述入射面上，入射有太赫兹电磁波。所述太赫兹电磁波是通过用从光源生成的脉冲激光照射作为观察对象的器件而产生的。所述出射面使入射到所述入射面上的所述太赫兹电磁波出射。所述内部区域在所述入射面与所述出射面之间引导所述太赫兹电磁波。
因为在所述透镜区域的所述入射面上形成有用于透射所述太赫兹电磁波且反射所述脉冲激光的膜材料，所以抑制了由于所述脉冲激光入射到所述基体材料的所述入射面上而造成的太赫兹电磁波的产生。这能够提高在作为观察对象的器件内产生的太赫兹电磁波的检出精度。
所述透镜区域可以具有作为所述入射面的曲面和作为所述出射面的平面。通过配置具有这样形状的透镜区域，将所述太赫兹电磁波聚光或准直，并且配置于所述透镜区域的出射面侧的光传导元件能够高效地检出所述太赫兹电磁波。
根据本发明的太赫兹发射显微镜包括光源和检出元件。
所述光源发出脉冲激光。
所述检出元件检出通过用脉冲激光照射作为观察对象的器件而产生的太赫兹电磁波，并且具有入射面和膜材料。在所述入射面上，入射有所产生的太赫兹电磁波。所述膜材料形成在所述入射面上，用于透射所述太赫兹电磁波且反射所述脉冲激光。
因为在所述检出元件的所述入射面上形成有用于透射所述太赫兹电磁波且反射所述脉冲激光的膜材料，所以抑制了由于所述脉冲激光入射到所述基体材料的所述入射面上而造成的太赫兹电磁波的产生。这能够提高在作为观察对象的器件内产生的太赫兹电磁波的检出精度。
所述光源可以通过用所述脉冲激光照射所述器件而产生频率为1010Hz（赫兹）至1014Hz的太赫兹电磁波。
所述光源可以生成波长为2μm（微米）以下且脉冲宽度为100ps（皮秒）以下的脉冲激光。
根据本发明的包括了利用太赫兹发射显微镜来检查器件的缺陷这一步骤的器件制造方法，包括从光源生成脉冲激光。
通过检出元件来检出太赫兹电磁波，所述太赫兹电磁波是通过用脉冲激光照射作为观察对象的所述器件而产生的，所述检出元件具有：所述太赫兹电磁波入射到其上的入射面；和形成在所述入射面上的膜材料，其用于透射所述太赫兹电磁波且反射所述脉冲激光。
根据所述制造方法，因为如上所述提高了所述检出元件的检出精度，所以该制造方法有助于产品质量的提升。
本发明的技术效果
如上所述，根据本发明，能够提高检出元件的检出精度。
附图说明
图1是示意性地和主要地示出了根据本发明一个实施方式的太赫兹发射显微镜的光学系统的图。
图2是示出了检出元件的侧面图。
图3是示出了根据另一个实施方式的检出元件的侧面图。
图4是示出了根据又一个实施方式的检出元件的侧面图。
图5是示出了具有未形成有膜材料的透镜的检出元件的检出信号的曲线图。
图6是示出了当使用根据本发明的检出元件时所预期的检出信号的曲线图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图来说明本发明的实施方式。
[太赫兹发射显微镜的构造]
图1是示意性地和主要地示出了根据本发明一个实施方式的太赫兹发射显微镜的光学系统的图。
太赫兹发射显微镜100包括激发光源21、半透半反镜（half mirror）23、聚光透镜29、光学延迟路径22、反射镜25、检出元件30、一对抛物柱面镜（parabolic mirror）27、28以及工作台24等等。
激发光源21生成激发用脉冲激光，该激发用脉冲激光用于激发被安置于工作台24上的作为观察对象或检查对象的器件（在下文中，被称为“对象器件S”）。作为激发光源21，使用波长为2μm以下且脉冲宽度为100ps以下的超短脉冲激光。
半透半反镜23将从激发光源21生成的脉冲激光L1的一部分反射，并且将该反射光引导至聚光透镜29。通过半透半反镜23而透射的脉冲激光入射到光学延迟路径22上。
聚光透镜29将来自半透半反镜23的反射光引导至工作台24上的对象器件S。对象器件S通常是主要使用半导体材料的半导体器件，诸如发光器件（例如，半导体激光器或发光二极管等）等。
检出元件30是用于检出在对象器件S内产生的太赫兹电磁波（在下文中，被称为“太赫兹波T”）的元件。
通过半透半反镜23而透射的脉冲激光入射到光学延迟路径22上。光学延迟路径22生成用于在任何时刻下利用检出元件30检出太赫兹波T的采样脉冲激光L2。此外，光学延迟路径22让所生成的采样脉冲激光L2在反射镜25处反射，以便采样脉冲激光L2入射到检出元件30上。
典型地，光学延迟路径22利用用于使镜片（未图示）移动的移动机构（例如，移动式操作台）等可变地控制一定间隔的脉冲激光的光程长度。激光脉冲到达检出元件30的时间取决于它的光程长度。因此，光学延迟路径22能够在预定的时刻输出采样脉冲激光L2。
所述一对抛物柱面镜27、28将对象器件S内所产生的太赫兹波T引导至检出元件30。这对抛物柱面镜中的一个抛物柱面镜27具有孔27a，由聚光透镜29聚光的脉冲激光从该孔27a中穿过。
[检出元件的构造]
图2是示出了检出元件30的侧面图。
检出元件30包括光传导元件（光传导天线（photoconductive antenna，PCA））32和安装在光传导元件32上的透镜31。
光传导元件32具有已知的结构，并且例如包括基板34（其将会是基体材料）和形成在基板34上的电极34c。这些电极34c彼此隔开地布置着，使得电极34c之间留有微小的间隙以形成天线。此外，在基板34上形成有光传导膜（未图示）。当用激发光照射该光传导膜时，产生了光载流子。基板34通常由诸如GaAs系材料等半导体材料制成，但不限于此。上述的采样脉冲激光L2入射到基板34上的形成有电极34c的表面34b上。来自对象器件S的太赫兹波T经由透镜31入射到与表面34b不同的、且根据这个实施方式处于与表面34b侧相反的透镜31侧的表面34a上。
例如，透镜31包括形成为曲面状的入射面（曲面）31a、形成为平面状的出射面（平面）31b、以及用于在入射面31a与出射面31b之间引导太赫兹波T的内部区域31c。换言之，透镜31是凸透镜且典型地具有半球形状。入射面31a、内部区域31c和出射面31b形成了透镜区域。基板34附着至透镜31的出射面31b。具体地，基板34的表面34a附着至透镜31的出射面31b。
透镜31的形状不限于半球形状，且可以是半球的一部分的形状、非球面形状或菲涅尔透镜形状等。换言之，透镜31可以是任何形状，只要光传导元件32能够高效地检出太赫兹波T即可。
依赖于对象器件S内所产生的太赫兹波T的振幅，电极34c之间流动的电流（或电极34c之间的电压）发生变化。在采样脉冲激光L2入射到检出元件30上且同时太赫兹波T经由透镜31入射到基板34上的电极34c之间的时刻，太赫兹发射显微镜100测量电极34c之间的电流（或电压）。这样，太赫兹发射显微镜100能够获取每一时刻的太赫兹波T的振幅值而作为波形。
在透镜31的入射面31a上形成有膜材料33。膜材料33被设计成将对象器件S内所产生的太赫兹波T透射且引导至透镜31的入射面31a，并且把在对象器件S上反射/由对象器件S散射/通过对象器件S而透射等的脉冲激光L1反射。一旦脉冲激光照射到光传导元件32，因为光传导元件32是由半导体材料或导电材料制成的，所以就会由光学Denver效应等产生太赫兹波T。
特别地，当对象器件S是诸如半导体激光器和发光二极管等发光器件时，常常将该器件设计成使得该器件的厚度方向与该器件的pn结的内部电场的方向相同或相似。它可能会造成下面的问题：换言之，引发太赫兹波的偶极矩的方向变成该器件的厚度方向，这导致了从其发射的太赫兹波的大多数通过全反射而被限制于基板34的内部，这是不受欢迎的。因此，从该器件发射的太赫兹波将远远小于从具有与器件表面平行的偶极矩的器件发射的太赫兹波。因此，难以将对象器件S内所产生的太赫兹波T与光传导元件32（或当透镜31是硅透镜时的检出元件30）内所产生的太赫兹波分离，从而减小了对象器件S内所产生的太赫兹波T的检出精度。换言之，S/N比很低，这是不受欢迎的。
鉴于以上问题，可能存在另一个策略，即：在太赫兹发射显微镜100的光学系统内配置了覆有透明导电膜的基板，该覆有透明导电膜的基板将太赫兹波反射且将超短脉冲激光透射，从而防止检出元件30受到超短脉冲激光的照射。然而，该覆有透明导电膜的基板造成了超短脉冲激光的反射损失，如果可用的激光输出受到限制，那么S/N比将会最终很低因而是不受欢迎的。
为解决这个问题，根据本发明，将膜材料33覆在透镜31的入射面31a上以便反射会造成从光传导元件32中产生太赫兹波的脉冲激光。因此，能够提高在要被检测的对象器件S内产生的太赫兹波T的检出精度。
例如，膜材料33包括下列群组中的至少一种膜：SiO2、SiN等介电膜；Si、GaAs等半导体膜；以及Al、Cu等金属膜。换言之，膜材料33可以是单层膜或多层膜中的任何一种。应当注意，膜材料33的材料不限于此。
膜材料33例如是通过诸如气相沉积、溅射等制膜工艺来形成的。设计者根据要被反射的脉冲激光的波长和所期望的反射率来模拟光学多层薄膜，并且设计膜材料33的膜厚度、膜数量和材质。为了避免因脉冲激光而在膜材料33上产生太赫兹波，所有的材料理想上是介电质。并非必须限制为介电质，只要太赫兹波T的发生量是低的即可。换言之，由检出元件30检出的信号的S/N比可以仅被设置为能够从要被检测的对象器件S中检出太赫兹波T的程度。
[太赫兹发射显微镜的作用]
激发光源21生成波长为2μm以下且脉冲宽度为100ps以下的超短脉冲激光。当用该脉冲激光照射对象器件S时，对象器件S产生例如频率为1010Hz至1014Hz的太赫兹波T。
具体地，当脉冲激光入射到对象器件S上时，在对象器件S内产生自由电子。通过由对象器件S的内部电场对自由电子加速，生成了瞬变电流。当该瞬变电流诱导偶极发射时，发射出太赫兹波T。
太赫兹发射显微镜100将所存储的关于在正常时由检出元件30检出的太赫兹波的信息与关于在检查时在对象器件S内产生的太赫兹波T的信息进行比较，从而检查出有无缺陷（有无异常）。例如，如果对象器件S的内部电场是异常的或者如果对象器件S具有配线缺陷，那么因此获得的太赫兹波T会从正常值发生变化。具体地，对象器件S的配线起到天线的作用。如果该配线是有缺陷的，那么就会发射出与正常时的太赫兹波不同的太赫兹波T。
没有被对象器件S吸收的脉冲激光的一部分会在对象器件S上发生反射（以及散射和透射）并且被引导至检出元件30。然而，根据本发明，在检出元件30中的透镜31的入射面31a上形成有膜材料33，从而抑制了在检出元件30上产生太赫兹波。这将会使得经由检出元件30实现的S/N比能够是高的，且使得在对象器件S内产生的太赫兹波T的检出精度能够是高的。
此外，根据这个实施方式，不需要配置如上所述的用于透射超短脉冲激光的覆有透明导电膜的基板。因此，组件数目将会减少，从而实现更小型化的太赫兹发射显微镜。
[根据另外的实施方式的检出元件]
（另一个实施方式1）
图3是示出了根据另一个实施方式的检出元件的侧面图。在下面的说明中，简化或省略了关于与图1和图2中所示的实施方式中类似的构件和作用等的说明，且将会主要说明不同点。
根据这个实施方式的检出元件130包括在图2中示出的光传导元件132但不具有在图2中示出的透镜31。因为该透镜主要具有聚光、准直或高效地检出入射到光传导元件上的太赫兹波的作用，所以该透镜不是必要的。
在这个实施方式中，在光传导元件132的基板134上，在电极134c的形成表面134b的相反侧处，形成了有太赫兹波T入射其上的入射面134a。在入射面134a上，形成有透射太赫兹波T且反射脉冲激光的膜材料133。膜材料133的材料能够如上所述适当地进行选择。
（另一个实施方式2）
图4是示出了根据又一个实施方式的检出元件的侧面图。在检出元件230中，透射太赫兹波T且反射脉冲激光的上述膜材料233被形成在位于透镜231的平面侧处的出射面231b上。
[实例]
图5是示出了具有未形成有膜材料的半球状透镜的检出元件的检出信号的曲线图。本发明人使用这个具有未形成有膜材料的半球状透镜的检出元件（不具有图2中所示的膜材料33的检出元件）来检出太赫兹波。在这个实例中，在如下的条件下实施测量，该条件是：通过用激光脉冲照射一个作为检查对象的产品内的未安装有对象器件的地方，从对象器件没有产生太赫兹发射。换言之，图5中所示的曲线图示出的不是来自对象器件的太赫兹波，而是基本上仅在检出元件上产生的太赫兹波。
在这个实例中，作为从激发光源21生成的超短脉冲激光，使用了具有80MHz（兆赫兹）的重复频率、800nm（纳米）的中心波长和100fs（飞秒）的脉冲宽度的钛宝石飞秒激光器。作为未形成有膜材料的检出元件的光传导元件，使用了对于频率在0.1THz（太赫兹）至5THz之间的电磁波具有敏感度的蝴蝶结天线型光传导元件。
与此相反，例如在图2中所示的实施方式中，当使用形成有膜材料33的检出元件30时，所预期的是，检出元件30如图6所示几乎没有检测到来自作为检查对象的产品的太赫兹波。换言之，所预期的是，检出元件30实质上没有检测到在检出元件30上产生的太赫兹波。
[其他实施方式]
本发明不限于上述各实施方式，且其他的各种实施方式也是可能的。
根据图1中所示的实施方式的太赫兹发射显微镜100具有这样的光学系统：其中，通过抛物柱面镜27、28把由脉冲激光在对象器件S的入射侧（表面侧）处产生的太赫兹波T引导至检出元件30。然而，太赫兹波T也可以由入射到对象器件S上的脉冲激光在对象器件S的后面侧处产生（事实上，可以全方位360°地产生太赫兹波T）。在后面侧处产生的太赫兹波会透过工作台24。鉴于此，可以在对象器件S的后面侧处配置有包括检出元件30、132或230的光学系统。
例如，通过组合图2和图4中所示的构造，可以基本上在整个透镜上形成膜材料。
在上述的各实施方式中，基板用作光传导元件32的基体材料。基体材料不局限于是薄板元件，也可以具有长方体、立方体、矩形柱、圆柱体或任何其他形状。在这种情况下，基体材料的其上有太赫兹电磁波入射的入射面不限于是位于该基体材料的电极形成表面的相反侧处的表面，也可以是不同于电极形成表面的任何表面。
另外，可以组合上述各实施方式中的性能特征之中的至少两种性能特征。
本发明可以具有下面的配置。
（1）一种光传导元件，其包括：
基体材料，所述基体材料具有入射面，太赫兹电磁波入射到所述入射面上，所述太赫兹电磁波是通过用从光源生成的脉冲激光照射作为观察对象的器件而产生的；
电极，所述电极形成在所述基体材料上，并且用于检出入射到所述基体材料的所述入射面上的所述太赫兹电磁波；以及
膜材料，所述膜材料形成在所述基体材料的所述入射面上，并且用于透射所述太赫兹电磁波且反射所述脉冲激光。
（2）根据上面（1）中所述的光传导元件，其中，所述基体材料的所述入射面是与所述基体材料上的形成有所述电极的表面不同的表面。
（3）根据上面（1）或（2）中所述的光传导元件，其中，所述膜材料包括绝缘体膜、半导体膜和导电体膜中的至少一种。
（4）一种透镜，其包括：
透镜区域，所述透镜区域具有入射面、出射面和内部区域，太赫兹电磁波入射到所述入射面上，所述太赫兹电磁波是通过用从光源生成的脉冲激光照射作为观察对象的器件而产生的，入射到所述入射面上的所述太赫兹电磁波从所述出射面出射，并且所述内部区域用于在所述入射面与所述出射面之间引导所述太赫兹电磁波；以及
膜材料，所述膜材料形成在所述入射面和所述出射面中的至少一者上，并且用于透射所述太赫兹电磁波且反射所述脉冲激光。
（5）根据上面（4）中所述的透镜，其中，所述透镜区域具有作为所述入射面的曲面和作为所述出射面的平面。
（6）一种太赫兹发射显微镜，其包括：
光源，所述光源用于发射脉冲激光；以及
检出元件，所述检出元件用于检出通过用所述脉冲激光照射作为观察对象的器件而产生的太赫兹电磁波，所述检出元件具有入射面，所产生的所述太赫兹电磁波入射到所述入射面上，并且所述检出元件具有膜材料，所述膜材料形成在所述入射面上并用于透射所述太赫兹电磁波且反射所述脉冲激光。
（7）根据上面（6）中所述的太赫兹发射显微镜，其中，所述光源通过用所述脉冲激光照射所述器件而产生频率为1010Hz至1014Hz的所述太赫兹电磁波。
（8）根据上面（6）或（7）中所述的太赫兹发射显微镜，其中，所述光源生成波长为2μm以下且脉冲宽度为100ps以下的脉冲激光。
（9）一种器件制造方法，其包括使用太赫兹发射显微镜来检查所述器件的缺陷这一步骤，所述方法包括：
从光源生成脉冲激光；以及
利用检出元件来检出太赫兹电磁波，所述太赫兹电磁波是通过用所述脉冲激光照射作为观察对象的所述器件而产生的，所述检出元件具有入射面，所述太赫兹电磁波入射到所述入射面上，并且所述检出元件具有膜材料，所述膜材料形成在所述入射面上并用于透射所述太赫兹电磁波且反射所述脉冲激光。
附图标记说明
1              脉冲激光L1
21             激发光源
30、130、230   检出元件
31、231        透镜
31a            入射面
31b、231b      出射面
31c            内部区域
32、132        光传导元件
33、133、233   膜材料
34、134        基板
34c、134c      电极
100            太赫兹发射显微镜
134a           入射面

Claims (9)

1.一种光传导元件，其包括：
基体材料，所述基体材料具有入射面，太赫兹电磁波入射到所述入射面上，所述太赫兹电磁波是通过用从光源生成的脉冲激光照射作为观察对象的器件而产生的；
电极，所述电极形成在所述基体材料上，并且用于检出入射到所述基体材料的所述入射面上的所述太赫兹电磁波；以及
膜材料，所述膜材料形成在所述基体材料的所述入射面上，并且用于透射所述太赫兹电磁波且反射所述脉冲激光。
2.根据权利要求1所述的光传导元件，其中，所述基体材料的所述入射面是与所述基体材料上的形成有所述电极的表面不同的表面。
3.根据权利要求1所述的光传导元件，其中，所述膜材料包括绝缘体膜、半导体膜和导电体膜中的至少一种。
4.一种透镜，其包括：
透镜区域，所述透镜区域具有入射面、出射面和内部区域，太赫兹电磁波入射到所述入射面上，所述太赫兹电磁波是通过用从光源生成的脉冲激光照射作为观察对象的器件而产生的，入射到所述入射面上的所述太赫兹电磁波从所述出射面出射，并且所述内部区域用于在所述入射面与所述出射面之间引导所述太赫兹电磁波；以及
膜材料，所述膜材料形成在所述入射面和所述出射面中的至少一者上，并且用于透射所述太赫兹电磁波且反射所述脉冲激光。
5.根据权利要求4所述的透镜，其中，所述透镜区域具有作为所述入射面的曲面和作为所述出射面的平面。
6.一种太赫兹发射显微镜，其包括：
光源，所述光源用于发射脉冲激光；以及
检出元件，所述检出元件用于检出通过用所述脉冲激光照射作为观察对象的器件而产生的太赫兹电磁波，所述检出元件具有入射面，所产生的所述太赫兹电磁波入射到所述入射面上，并且所述检出元件具有膜材料，所述膜材料形成在所述入射面上并用于透射所述太赫兹电磁波且反射所述脉冲激光。
7.根据权利要求6所述的太赫兹发射显微镜，其中，所述光源通过用所述脉冲激光照射所述器件而产生频率为1010Hz至1014Hz的所述太赫兹电磁波。
8.根据权利要求6所述的太赫兹发射显微镜，其中，所述光源生成波长为2μm以下且脉冲宽度为100ps以下的所述脉冲激光。
9.一种器件制造方法，其包括使用太赫兹发射显微镜来检查所述器件的缺陷这一步骤，所述方法包括：
从光源生成脉冲激光；以及
利用检出元件来检出太赫兹电磁波，所述太赫兹电磁波是通过用所述脉冲激光照射作为观察对象的所述器件而产生的，所述检出元件具有入射面，所述太赫兹电磁波入射到所述入射面上，并且所述检出元件具有膜材料，所述膜材料形成在所述入射面上并用于透射所述太赫兹电磁波且反射所述脉冲激光。
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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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