TW201319599A - 光傳導元件、透鏡、兆赫放射顯微鏡及元件之製造方法 - Google Patents
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Abstract
[課題]提供一種可提升兆赫電磁波之偵測精度的兆赫放射顯微鏡、用於其中的光傳導元件、透鏡及元件之製造方法。[解決手段]光傳導元件係具備：基材、電極、膜材。前記基材係具有讓兆赫電磁波入射的入射面，該兆赫電磁波係藉由從光源所產生的脈衝雷射，照射至觀察對象的元件所產生者。前記電極係被形成在前記基材，用以偵測入射至前記基材之入射面的前記兆赫電磁波。前記膜材係被形成在前記基材的前記入射面，會讓前記兆赫電磁波穿透，並使前記脈衝雷射反射。
Description
本技術是有關於利用兆赫電磁波的兆赫放射顯微鏡、用於其中的光傳導元件及透鏡，並且有關於含有以兆赫放射顯微鏡來觀察元件之工程的該元件之製造方法。
專利文獻1、2及3中所記載之半導體元件的檢查方法，係利用兆赫電磁波，以非接觸方式來檢查半導體元件的方法。這些檢查方法，係對檢查對象的半導體元件，照射例如超短脈衝雷射等、激發用的脈衝雷射，利用藉此所產生的兆赫電磁波，會受該半導體元件內部的電場分布或配線缺陷之影響，而檢查半導體元件之缺陷(例如專利文獻1、2及3)。
在半導體元件內，即使在無偏壓電壓下，構成MOS(Metal Oxide Semiconductor)電晶體的pn接合部或金屬半導體表面等中，仍會產生著內建電場。因此，利用這類兆赫電磁波的檢查裝置，係可在無偏壓狀態亦即非接觸方式，進行缺陷的檢查。
[專利文獻1]日本專利第4744604號
[專利文獻2]日本專利第4001373號
[專利文獻3]日本專利第4683869號
可是，例如激發用的脈衝雷射在元件做反射、散射、或穿透等，藉此，該脈衝雷射有時候會照射至偵測兆赫電磁波的偵測元件。若該偵測元件是含有半導體材料，則一旦對該偵測元件照射脈衝雷射，則從該偵測元件也會產生出兆赫電磁波。例如，隨著檢查對象之元件的種類不同，有的元件會是，從該元件所產生的兆赫電磁波的功率是很微弱的。此種元件的情況下，從元件所產生的兆赫電磁波與從上記偵測元件所產生的兆赫電磁波會難以分離，來自元件所產生之兆赫電磁波的偵測精度就會降低。
有鑑於以上情事，本技術的目的在於提供一種，可提升兆赫電磁波之偵測精度的兆赫放射顯微鏡、用於其中的光傳導元件、透鏡及元件之製造方法。
為了達成上記目的，本技術所述之光傳導元件係具備有基材、電極、膜材。
前記基材係具有讓兆赫電磁波入射的入射面，該兆赫電磁波係藉由從光源所產生的脈衝雷射，照射至觀察對象的元件所產生者。
前記電極係被形成在前記基材，用以偵測入射至前記基材之入射面的前記兆赫電磁波。
前記膜材係被形成在前記基材的前記入射面，會讓前記兆赫電磁波穿透，並使前記脈衝雷射反射。
由於在基材的入射面，形成有讓兆赫電磁波穿透、使脈衝雷射反射的膜材，因此可以抑制因脈衝雷射入射至基材之入射面所引起的兆赫電磁波之產生。藉此，可提升觀察對象之元件所產生的兆赫電磁波的偵測精度。
前記基材係亦可為，將前記基材當中與被形成有前記電極面不同的面，當作前記入射面而具有。基板當中形成有電極的面，係例如入射有，光傳導元件為了在所定時序上偵測出兆赫電磁波所需的取樣脈衝雷射。因此，藉由使兆赫電磁波入射至與該電極形成面不同的面，就可提高兆赫電磁波的偵測精度。
前記膜材係亦可包含：絕緣體膜、半導體膜及導電體膜之其中至少1種膜。
本技術所涉及之透鏡，係具備透鏡領域、膜材。
前記透鏡領域係具有入射面、出射面、內部領域。對前記入射面係入設有，藉由從光源所產生的脈衝雷射照射至觀察對象的元件所產生的兆赫電磁波。前記出射面係將入射至前記入射面的前記兆赫電磁波予以射出。前記內部領域，係在前記入射面及前記出射面之間，導引前記兆赫電磁波。
由於在透鏡領域的入射面，形成有讓兆赫電磁波穿透、使脈衝雷射反射的膜材，因此可以抑制因脈衝雷射入射至入射面所引起的兆赫電磁波之產生。藉此，可提升觀察
對象之元件所產生的兆赫電磁波的偵測精度。
前記透鏡領域係亦可具有：作為前記入射面的曲面部、和作為前記出射面的平面部。藉由設置此種形狀的透鏡領域，兆赫電磁波會被聚光或准直，被配置在透鏡領域之出射面側的光傳送元件，就可高效率地偵測出兆赫電磁波。
本技術所涉及之兆赫放射顯微鏡係具備光源、偵測元件。
前記光源係產生脈衝雷射。
前記偵測元件，係用來偵測藉由對觀察對象之元件照射前記脈衝雷射而產生之兆赫電磁波的偵測元件，具有入射面、膜材。對前記入射面係入射有前記產生之兆赫電磁波。前記膜材係讓前記兆赫電磁波穿透，並使前記脈衝雷射反射，被形成在前記入射面。
由於在偵測元件的入射面，形成有讓兆赫電磁波穿透、使脈衝雷射反射的膜材，因此可以抑制因脈衝雷射入射至偵測元件之入射面所引起的兆赫電磁波之產生。藉此，可提升觀察對象之元件所產生的兆赫電磁波的偵測精度。
前記光源，係亦可藉由對前記元件照射前記脈衝雷射，以產生具有1010(Hz)~1014(Hz)之頻率的兆赫電磁波。
前記光源係亦可產生出，具有2μm以下之波長及100ps以下之脈衝寬的脈衝雷射。
本技術所述之元件之製造方法，係屬於含有利用兆赫放射顯微鏡來檢查元件缺陷之工程的元件之製造方法，其特徵為，含有由光源而產生脈衝雷射。
藉由偵測元件其係具有讓藉由對觀察對象之元件照射前記脈衝雷射而產生之兆赫電磁波入射的入射面、和讓前記兆赫電磁波穿透，並使前記脈衝雷射反射，被形成在前記入射面的膜材，來偵測前記兆赫電磁波。
若依據此製造方法，則如上述可提升偵測元件的偵測精度，因此本製造方法係可期待產品品質的提升。
以上，若依據本技術，則可提升兆赫電磁波的偵測精度。
以下，一面參照圖面，一面說明本技術的實施形態。
圖1係本技術之一實施形態所述之兆赫放射顯微鏡的主要光學系統的概略圖示。
兆赫放射顯微鏡100係具備：激發光源21、半反射鏡23、聚光透鏡29、光學延遲路22、反射鏡25、偵測元件30、一對拋物面鏡27及28、及平台24等。
激發光源21係為，產生將被配置在平台24上的觀察對象、此處係為檢查對象之元件(以下稱作對象元件S)予以激發的激發用脈衝雷射的光源。激發光源21係採用具有例如2μm以下之波長及100ps以下之脈衝寬的超短脈衝
雷射，來作為脈衝雷射。
半反射鏡23，係使從激發光源21所產生的脈衝雷射L1的一部分反射，而將該反射光導引至聚光透鏡29。又，穿透過半反射鏡23的脈衝雷射，係入射至光學延遲路22。
聚光透鏡29，係將來自半反射鏡23的反射光，導引至平台24上的對象元件S。作為對象元件S，典型來說係主要是使用半導體材料的半導體元件，例如為半導體雷射或發光二極體等的發光元件。
偵測元件30係為，將對象元件S所產生的兆赫電磁波(以下稱作兆赫波T)予以偵測的元件。
光學延遲路22，係有穿透過半反射鏡23的脈衝雷射入射，生成以偵測元件30將兆赫波T在任意時序上予以偵測所需的取樣脈衝雷射L2。又，光學延遲路22係使所生成之取樣脈衝雷射L2，被反射鏡25反射然後入射至偵測元件30。
典型而言，光學延遲路22係使用未圖示使鏡子移動的移動機構(例如移動平台)等，而使一定間隔的脈衝雷射的光路長做可變控制。由於雷射脈衝抵達偵測元件30的到達時刻也會隨著光路長而改變，因此其結果為，光學延遲路22係可在所定時序上輸出取樣脈衝雷射L2。
一對拋物面鏡27及28，係將對象元件S所產生的兆赫波T導引至偵測元件30用的鏡子。拋物面鏡27及28之其中一方的拋物面鏡27上係被形成有穴27a，被聚光透
鏡29所聚光的脈衝雷射係會通過該穴27a。
圖2係偵測元件30的側面圖。
偵測元件30係具備：光傳導元件(光傳導天線(PCA：Photoconductive Antenna))32、和被裝著在其的透鏡31。
光傳導元件32係具有公知的構造，例如含有：作為基材的基板34、和被形成在基板34上的電極34c。這些電極34c，係在電極34c間設置微小間隙而分離配置，被配置成會形成天線。又，在基板34上，形成有未圖示的光傳導膜，一旦激發光照射至光傳導膜，就會產生光載子。基板34，典型而言係為GaAs系的半導體材料，但並非限於該材料。在該基板34的形成有電極34c的面34b上，係有上述的取樣脈衝雷射L2會入射，在與該面34b不同的面、本實施形態中係為其相反側的透鏡31側的面34a上，係有來自對象元件S的兆赫波T，會隔著透鏡31而入射。
透鏡31係具有例如被形成為曲面狀的入射面(曲面部)31a、被形成為平面狀的出射面(平面部)31b、在這些入射面31a及出射面31b之間導引兆赫波T的內部領域31c。亦即，該透鏡31係為凸透鏡，典型而言係具有半球形狀。藉由入射面31a、內部領域31c及出射面31b，就形成了透鏡領域。在透鏡31的出射面31b係黏貼有基板34，具體而言，該基板34的面34a係被黏貼在該透鏡31的出
射面31b。
此外，透鏡31係不限於具有半球形狀的形態，亦可為具有半球之一部分的形狀、非球面形狀、菲涅爾透鏡等之形狀。亦即，只要光傳導元件32能高效率地偵測出兆赫波T，則透鏡31無論具有何種形狀均可。
隨應於在對象元件S所產生的兆赫波T之振幅，該電極34c間所通過的電流(或該電極34c間的電壓)會有變化。兆赫放射顯微鏡100，係當兆赫波T是隔著透鏡31而入射至基板34上的電極34c間時，在取樣脈衝雷射L2入射至偵測元件30的時序上，測定電極34c間的電流(或電壓)。藉此，兆赫放射顯微鏡100係可將該每一時序上的兆赫波T的振幅值，以波形的方式加以獲得。
在透鏡31的入射面31a上，形成有膜材33。該膜材33係被設計成，讓對象元件S所產生的兆赫波T穿透而將其導引至透鏡31的入射面31a，且使得被對象元件S所反射、散射、穿透的脈衝雷射L1會被反射。一旦該脈衝雷射照射至光傳導元件32，則由於光傳導元件32也是由半導體材料或導電材料所成，因此會因光丹伯效應等，而產生兆赫波T。
尤其是，當對象元件S是半導體雷射或發光二極體等之發光元件的情況下，該元件的厚度方向經常是被設計成與該元件的pn接合之內部電場的方向相同或相近，而會產生如下問題。亦即，作為兆赫波之基礎的偶極矩之方向變成是元件厚度方向，因此從其所輻射出來的兆赫波幾乎
都在基板34的內部因為全反射而被封住。因此從這些元件所輻射出來的兆赫波，相較於從偶極矩是與元件表面呈平行方向的元件所輻射出來的兆赫波，是非常的小。因此，對象元件S所產生的兆赫波T、和光傳導元件32(或透鏡31是矽透鏡時則是偵測元件30)所產生的兆赫波會難以分離，導致對象元件S所產生之兆赫波T的偵測精度降低、亦即S/N比較低之問題。
因此，也考慮藉由將會反射兆赫波、讓超短脈衝雷射穿透的透明導電膜鍍覆基板，配置在兆赫放射顯微鏡100的光學系內，來防止超短脈衝雷射照射至偵測元件30。然而，由於透明導電膜鍍覆基板會造成超短脈衝雷射的反射損失，因此可利用之雷射功率有受到限制時，結果還是導致S/N比降低之問題。
本技術係為了解決此種問題，在透鏡31的入射面31a上施以膜材33的鍍覆，使來自光傳導元件32之兆赫波之產生原因的脈衝雷射，被該膜材33反射。其結果為，可以提升原本欲偵測的對象元件S所產生之兆赫波T的偵測精度。
例如，膜材33係包含：SiO2、SiN等之介電體膜、Si、GaAs等之半導體膜、Al、Cu等之金屬膜的其中至少1種膜。亦即，膜材33係可為單層膜或是多層膜均可。當然，膜材33的材料係不限定於這些材料。
作為膜材33的形成方法，係可採用例如蒸著、濺鍍等之成膜製程。例如，設計者可根據所欲反射之脈衝雷射
的波長及所望的反射率，進行光學多層膜的模擬，設計膜材33的膜厚、膜數及材質。為了避免在膜材33上，脈衝雷射產生兆赫波，所有材料皆為介電體是較為理想，但由於只要該處的兆赫波T的產生量很少即可，因此並不一定限於介電體。亦即，只要使得偵測元件30所偵測出之訊號的S/N比，達到能無問題地偵測到原本想偵測的來自對象元件S的兆赫波T的程度即可。
激發光源21，係如上述產生出，具有2μm以下之波長及100ps以下之脈衝寬的超短脈衝雷射。該脈衝雷射照射至對象元件S，藉此，對象元件S係會產生例如具有1010(Hz)~1014(Hz)之頻率的兆赫電磁波T。
具體而言，一旦對象元件S入射脈衝雷射，則在對象元件S的內部會產生自由電子，該自由電子係被對象元件S的內部電場加速而產生過渡電流。此過渡電流會引發偶極輻射，因此輻射出兆赫波T。
兆赫放射顯微鏡100，係將對象元件S的正常時被偵測元件30所測出之兆赫波的相關資訊加以記憶，藉由和檢查時的對象元件S所產生的兆赫波T的相關資訊進行比較，就可進行缺陷之有無(異常之有無)的檢查。例如，當對象元件S的內部電場不正常、或對象元件S的配線有缺陷時，則此時所獲得的兆赫波T，係會從正常值起有所變化。例如，對象元件S的配線是作為天線之作用，因此當
配線有缺陷時，就會輻射出和正常時不同的兆赫波T。
未被對象元件S所吸收的脈衝雷射的一部分，係對對象元件S做反射(也會散射及穿透)，前往偵測元件30。然而，在本技術中，由於是在偵測元件30的透鏡31的入射面31a上形成有膜材33，因此可抑制該偵測元件30的兆赫波之發生。藉此，可提高偵測元件30的S/N比，可以提升對象元件S所產生之兆赫波T的偵測精度。
又，在本實施形態中，因為不需要如上述般地設置讓超短脈衝雷射穿透的透明導電膜鍍覆基板，因此可削減零件數，可實現兆赫放射顯微鏡的小型化。
圖3係其他實施形態所述之偵測元件的側面圖。在以下的說明中，圖1及2所示的實施形態所述之零件或機能等為相同者係簡化或省略說明，以相異點為中心來說明。
本實施形態所述之偵測元件130，係具備圖2所示的光傳導元件132，不具備圖2所示的透鏡31。由於透鏡會使入射至光傳導元件的兆赫波做聚光、或准直等等，主要具有高效率地偵測兆赫波之機能，因此該透鏡並非必須。
在本實施形態中，該光傳導元件132的基板134的電極134c之形成面134b的相反側，係形成有讓兆赫波T入射的入射面134a。該入射面134a，係由讓兆赫波T穿透、使脈衝雷射反射的膜材133所形成。膜材133的材料，
係可如上述般地適宜選擇。
圖4係另一其他實施形態所述之偵測元件的側面圖。在此偵測元件230中，係在透鏡231的平面部側的出射面231b，形成有讓兆赫波T穿透、使脈衝雷射反射的上記膜材233所形成。藉此，在透鏡231的出射面231b，脈衝雷射會被反射。
圖5係具有未形成膜材之半球透鏡的偵測元件的偵測訊號的圖形。本發明人係使用具有未被形成膜材之半球透鏡的偵測元件(圖2中不具有膜材33之偵測元件)，來進行兆赫波之偵測。在實施例中，係對1個檢查對象產品內的未實裝有對象元件之地點，照射雷射脈衝，以沒有從對象元件產生兆赫放射的條件，進行測定。亦即，圖5所示的圖形，係並非來自對象元件的兆赫波，而是表示實質上只有偵測元件所產生的兆赫波。
在本實施例中，作為激發光源21所產生的超短脈衝雷射，是採用了重複頻率80MHz、中心波長800nm、脈衝寬100 fs的鈦藍寶石飛秒雷射。又，作為未被形成膜材之偵測元件的光傳導元件，是採用了對0.1THz至5THz之頻率的電磁波具有感度的領結天線型光傳導元件。
相對於此，例如圖2所示的實施形態，當使用了形成
有膜材33之偵測元件30時，該偵測元件30係如圖6所示，可以預想到幾乎不會偵測到來自該檢查對象產品的兆赫波。偵測元件30係被預想到，亦即實質上不會偵測到該偵測元件30所產生的兆赫波。
本技術係不限定於以上說明的實施形態，亦可實現其他各種實施形態。
圖1所示的實施形態所述之兆赫放射顯微鏡100，係具備會將對象元件S的脈衝雷射在入射側(表面側)所產生的兆赫波T，以拋物面鏡27及28導引至偵測元件30的光學系統。可是，隨著入射至對象元件S的脈衝雷射，有些時候，兆赫波T係也會在對象元件S的裏面側產生(實際上是360°全方位地產生)，在裏面側所產生的該兆赫波係會穿透過平台24。因此，亦可在對象元件S的裏面側，配置含有偵測元件30、132、或230的光學系統。
例如，將圖2及4所示的形態加以組合，變成透鏡的全面實質上都有形成膜材的樣態。
在上記實施形態中，雖然作為光傳導元件32的基材是採用了基板，但基材係不限於基板這類薄板狀的要素，亦可具有直方體、立方體、角柱、圓柱等其他任意形狀。此情況下，該基材的讓兆赫電磁波入射的入射面，係不限於基材之電極形成面的相反側的面，亦可為與電極形成面不同的任意面。
其他，亦可將以上說明的各形態的特徵部分當中，至少2個特徵部分加以組合。
本技術係亦可採取如下之構成。
(1)一種光傳導元件，其特徵為，具備：基材，係具有讓兆赫電磁波入射的入射面，該兆赫電磁波係藉由從光源所產生的脈衝雷射，照射至觀察對象的元件所產生者；和電極，係被形成在前記基材，用以偵測入射至前記基材之入射面的前記兆赫電磁波；和膜材，係被形成在前記基材的前記入射面，會讓前記兆赫電磁波穿透，並使前記脈衝雷射反射。
(2)如(1)所記載之光傳導元件，其中，前記基材係為，將前記基材當中與被形成有前記電極面不同的面，當作前記入射面而具有。
(3)如(1)或(2)所記載之光傳導元件，其中，前記膜材係包含：絕緣體膜、半導體膜及導電體膜之其中至少1種膜。
(4)一種透鏡，其特徵為，具備：透鏡領域，係具有：讓兆赫電磁波入射的入射面，該兆赫電磁波係藉由從光源所產生的脈衝雷射，照射至觀察對象的元件所產生者、和出射面，係將入射至前記入射面的前記兆赫電磁波予以射出、和內部領域，係在前記入射面及前記出射面之間，導引前記兆赫電磁波；和膜材，係被形成在前記入射面及前記出射面之其中至
少一方，會讓前記兆赫電磁波穿透，並使前記脈衝雷射反射。
(5)如(4)所記載之透鏡，其中，前記透鏡領域係具有：作為前記入射面的曲面部、和作為前記出射面的平面部。
(6)一種兆赫放射顯微鏡，其特徵為，具備：光源，係產生脈衝雷射；和偵測元件，係為用來偵測藉由對觀察對象之元件照射前記脈衝雷射而產生之兆赫電磁波的偵測元件，具有：讓前記產生之兆赫電磁波入射的入射面、和讓前記兆赫電磁波穿透，並使前記脈衝雷射反射，被形成在前記入射面的膜材。
(7)如(6)所記載之兆赫放射顯微鏡，其中，前記光源，係藉由對前記元件照射前記脈衝雷射，以產生具有1010(Hz)~1014(Hz)之頻率的兆赫電磁波。
(8)如(6)或(7)所記載之兆赫放射顯微鏡，其中，前記光源係產生出，具有2μm以下之波長及100ps以下之脈衝寬的脈衝雷射。
(9)一種元件之製造方法，係屬於含有利用兆赫放射顯微鏡來檢查元件缺陷之工程的元件之製造方法，其特徵為，由光源而產生脈衝雷射；藉由偵測元件其係具有讓藉由對觀察對象之元件照射前記脈衝雷射而產生之兆赫電磁波入射的入射面、和讓前記兆赫電磁波穿透，並使前記脈衝雷射反射，被形成在前
記入射面的膜材，來偵測前記兆赫電磁波。
1‧‧‧脈衝雷射L1
21‧‧‧激發光源
22‧‧‧光學延遲路
23‧‧‧半反射鏡
24‧‧‧平台
25‧‧‧反射鏡
27、28‧‧‧拋物面鏡
29‧‧‧聚光透鏡
30、130、230‧‧‧偵測元件
31、231‧‧‧透鏡
31a‧‧‧入射面
31b、231b‧‧‧出射面
31c‧‧‧內部領域
32、132‧‧‧光傳導元件
33、133、233‧‧‧膜材
34、134‧‧‧基板
34c、134c‧‧‧電極
100‧‧‧兆赫放射顯微鏡
134a‧‧‧入射面
[圖1]圖1係本技術之一實施形態所述之兆赫放射顯微鏡的主要光學系統的概略圖示。
[圖2]圖2係偵測元件的側面圖。
[圖3]圖3係其他實施形態所述之偵測元件的側面圖。
[圖4]圖4係再另一實施形態所述之偵測元件的側面圖。
[圖5]圖5係具有未形成膜材之透鏡的偵測元件的偵測訊號的圖形。
[圖6]圖6係使用本技術所述之偵測元件時，偵測元件的被預想之偵測訊號的圖形。
130‧‧‧偵測元件
132‧‧‧光傳導元件
133‧‧‧膜材
134‧‧‧基板
134a‧‧‧入射面
134b‧‧‧電極形成面
134c‧‧‧電極
Claims (9)
- 一種光傳導元件，其特徵為，具備：基材，係具有讓兆赫電磁波入射的入射面，該兆赫電磁波係藉由從光源所產生的脈衝雷射，照射至觀察對象的元件所產生者；和電極，係被形成在前記基材，用以偵測入射至前記基材之入射面的前記兆赫電磁波；和膜材，係被形成在前記基材的前記入射面，會讓前記兆赫電磁波穿透，並使前記脈衝雷射反射。
- 如請求項1所記載之光傳導元件，其中，前記基材係為，將前記基材當中與被形成有前記電極面不同的面，當作前記入射面而具有。
- 如請求項1所記載之光傳導元件，其中，前記膜材係包含：絕緣體膜、半導體膜及導電體膜之其中至少1種膜。
- 一種透鏡，其特徵為，具備：透鏡領域，係具有：讓兆赫電磁波入射的入射面，該兆赫電磁波係藉由從光源所產生的脈衝雷射，照射至觀察對象的元件所產生者、和出射面，係將入射至前記入射面的前記兆赫電磁波予以射出、和內部領域，係在前記入射面及前記出射面之間，導引前記兆赫電磁波；和膜材，係被形成在前記入射面及前記出射面之其中至少一方，會讓前記兆赫電磁波穿透，並使前記脈衝雷射反射。
- 如請求項4所記載之透鏡，其中，前記透鏡領域係具有：作為前記入射面的曲面部、和作為前記出射面的平面部。
- 一種兆赫放射顯微鏡，其特徵為，具備：光源，係產生脈衝雷射；和偵測元件，係為用來偵測藉由對觀察對象之元件照射前記脈衝雷射而產生之兆赫電磁波的偵測元件，具有：讓前記產生之兆赫電磁波入射的入射面、和讓前記兆赫電磁波穿透，並使前記脈衝雷射反射，被形成在前記入射面的膜材。
- 如請求項6所記載之兆赫放射顯微鏡，其中，前記光源，係藉由對前記元件照射前記脈衝雷射，以產生具有1010(Hz)~1014(Hz)之頻率的兆赫電磁波。
- 如請求項6所記載之兆赫放射顯微鏡，其中，前記光源係產生出，具有2μm以下之波長及100ps以下之脈衝寬的脈衝雷射。
- 一種元件之製造方法，係屬於含有利用兆赫放射顯微鏡來檢查元件缺陷之工程的元件之製造方法，其特徵為，由光源而產生脈衝雷射；藉由偵測元件其係具有讓藉由對觀察對象之元件照射前記脈衝雷射而產生之兆赫電磁波入射的入射面、和讓前記兆赫電磁波穿透，並使前記脈衝雷射反射，被形成在前記入射面的膜材，來偵測前記兆赫電磁波。
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