CN103779310A - 一种在功率半导体封装中使用的焊接用信号引线 - Google Patents

一种在功率半导体封装中使用的焊接用信号引线 Download PDF

Info

Publication number
CN103779310A
CN103779310A CN201410034555.8A CN201410034555A CN103779310A CN 103779310 A CN103779310 A CN 103779310A CN 201410034555 A CN201410034555 A CN 201410034555A CN 103779310 A CN103779310 A CN 103779310A
Authority
CN
China
Prior art keywords
welding
signal lead
cuboid
power semiconductor
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410034555.8A
Other languages
English (en)
Inventor
陆岩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STARPOWER SEMICONDUCTOR Ltd
Original Assignee
STARPOWER SEMICONDUCTOR Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STARPOWER SEMICONDUCTOR Ltd filed Critical STARPOWER SEMICONDUCTOR Ltd
Priority to CN201410034555.8A priority Critical patent/CN103779310A/zh
Publication of CN103779310A publication Critical patent/CN103779310A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

一种在功率半导体封装中使用的焊接用信号引线，所述焊接用引线通过冲压一次成型而成，由下端焊接区域、中央连接区域以及上端长方体插孔区域组成，其中下方焊接区域的焊接端为焊接在焊盘表层上的长方体焊接面；所述上端长方体插孔区域有一按电路要求可插入在信号端子导入孔槽中的直插或折弯插接端部；所述信号引线的基材采用无氧铜、紫铜或纯铜，在其外表层上通过电镀，镀有镍、银、金中的任一金属表面层；所述信号引线下端焊接区域的焊接端为长方体，中央连接区域的横截面为等腰梯形；上端长方体插孔区域的横截面为宽度略小于孔槽宽度的长方体；它具有结构简单，使用方便、可靠，既能增加底端焊接强度，又能与圆柱线状结构相同的柔性，且便于加工生产等特点。

Description

一种在功率半导体封装中使用的焊接用信号引线
技术领域
    本发明涉及的是一种在功率半导体封装中使用的焊接用引线，属于电力电子学领域中功力模块的设计和封装技术。 
背景技术
    功力模块信号引线在安装使用过程中焊接区域易松动严重情况下甚至会脱落，信号引线的脱落将导致模块的损毁甚至设备的损坏。 
在传统的半导体封装行业信号引线一般为圆柱线状结构。圆柱线装状结构的信号引线在封装工艺中，该圆柱线状结构柔性较好可兼容多数产品，材料一般为卷装，在生产过程中通过人员截取相关长度进行使用，该方法成本较低但是生产较为复杂不适宜大批量的生产，该信号引线焊接端亦为圆柱状其焊接面积较小多次晃动亦导致脱落断裂。 
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术存在的不足，而提供一种既能增加底端焊接强度，又能与圆柱线状结构相同的柔性且便于加工生产的在功率半导体封装中使用的焊接用信号引线。 
本发明的目的是通过如下技术方案来完成的，所述的在功率半导体封装中使用的焊接用信号引线，所述焊接用信号引线通过冲压一次成型而成，由下端焊接区域、中央连接区域以及上端长方体插孔区域组成，其中下方焊接区域的焊接端为焊接在焊盘表层上的长方体焊接面；所述上端长方体插孔区域有一按电路要求可插入在信号端子导入孔槽中的直插或折弯插接端部。 
所述信号引线的基材采用无氧铜、紫铜或纯铜，在其外表层上通过电镀，镀有镍、银、金中的任一金属表面层。 
所述信号引线下端焊接区域的焊接端为长方体，中央连接区域的横截面为等腰梯形；上端长方体插孔区域的横截面为宽度略小于孔槽宽度的长方体。 
所述信号引线的下端焊接区域上离底端靠近边缘位置开有槽孔，该槽孔为与信号引线厚度相同。 
所述信号引线的中央连接区域为梯形连接区域，其梯形长边与下方焊接端宽度相同，短边与上方长方体插孔区域宽度相同。 
本发明属于对现有技术的一种改良，它具有结构简单，使用方便、可靠，既能增加底端焊接强度，又能与圆柱线状结构相同的柔性，且便于加工生产等特点。 
附图说明
   图1是本发明的整体结构示意图。 
具体实施方式
下面将结合附图对本发明作详细的介绍：图1所示，本发明所述的在功率半导体封装中使用的焊接用信号引线1，所述焊接用引线1通过冲压一次成型而成，由下端焊接区域11、中央连接区域12以及上端长方体插孔区域13组成，其中下方焊接区域11的焊接端为焊接在焊盘表层2上的长方体焊接面；所述上端长方体插孔区域13有一按电路要求可插入在信号端子导入孔槽3中的直插或折弯插接端部。 
所述信号引线1的基材采用无氧铜、紫铜或纯铜，在其外表层上通过电镀，镀有镍、银、金中的任一金属表面层。 
所述信号引线1下端焊接区域11的焊接端为长方体，中央连接区域12的横截面为等腰梯形；上端长方体插孔区域13的横截面为宽度略小于孔槽3宽度的长方体。 
所述信号引线1的下端焊接区域11上离底端靠近边缘位置开有槽孔14，该槽孔14为与信号引线厚度相同。 
所述信号引线1的中央连接区域12为梯形连接区域，其梯形长边与下方焊接端宽度相同，短边与上方长方体插孔区域宽度相同。 
所述信号引线的上端长方体插孔区域13宽度为略小于导入孔宽度；所述梯形连接区域，其梯形也可为长方体其宽度，也可做成与下端长方体相同；所述上端长方体区域13，其长方体也可做成与下端长方体宽度相同。 

Claims (5)

1.一种在功率半导体封装中使用的焊接用信号引线，其特征在于所述焊接用引线通过冲压一次成型而成，由下端焊接区域、中央连接区域以及上端长方体插孔区域组成，其中下方焊接区域的焊接端为焊接在焊盘表层（2）上的长方体焊接面；所述上端长方体插孔区域有一按电路要求可插入在信号端子导入孔槽（3）中的直插或折弯插接端部。
2.根据权利要求1所述的在功率半导体封装中使用的焊接用信号引线，其特征在于所述信号引线的基材采用无氧铜、紫铜或纯铜，在其外表层上通过电镀，镀有镍、银、金中的任一金属表面层。
3.根据权利要求1或2所述的在功率半导体封装中使用的焊接用信号引线，其特征在于所述信号引线下端焊接区域的焊接端为长方体，中央连接区域的横截面为等腰梯形；上端长方体插孔区域的横截面为宽度略小于孔槽（3）宽度的长方体。
4.根据权利要求3所述的在功率半导体封装中使用的焊接用信号引线，其特征在于所述信号引线的下端焊接区域上离底端靠近边缘位置开有槽孔，该槽孔为与信号引线厚度相同。
5.根据权利要求4所述的在功率半导体封装中使用的焊接用信号引线，其特征在于所述信号引线的中央连接区域为梯形连接区域，其梯形长边与下方焊接端宽度相同，短边与上方长方体插孔区域宽度相同。
CN201410034555.8A 2014-01-25 2014-01-25 一种在功率半导体封装中使用的焊接用信号引线 Pending CN103779310A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410034555.8A CN103779310A (zh) 2014-01-25 2014-01-25 一种在功率半导体封装中使用的焊接用信号引线

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410034555.8A CN103779310A (zh) 2014-01-25 2014-01-25 一种在功率半导体封装中使用的焊接用信号引线

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103779310A true CN103779310A (zh) 2014-05-07

Family

ID=50571405

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410034555.8A Pending CN103779310A (zh) 2014-01-25 2014-01-25 一种在功率半导体封装中使用的焊接用信号引线

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103779310A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112086372A (zh) * 2020-09-21 2020-12-15 南瑞联研半导体有限责任公司 一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层及其制作方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201160140Y (zh) * 2008-03-07 2008-12-03 深圳君泽电子有限公司 一种电脑输入输出连接器接触端子的焊脚结构
US20120032329A1 (en) * 2008-12-03 2012-02-09 Renesas Electronics Corporation Semiconductor integrated circuit device
CN202949056U (zh) * 2012-07-18 2013-05-22 威盛电子股份有限公司 电连接器
CN203746833U (zh) * 2014-01-25 2014-07-30 嘉兴斯达半导体股份有限公司 在功率半导体封装中使用的焊接用信号引线

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201160140Y (zh) * 2008-03-07 2008-12-03 深圳君泽电子有限公司 一种电脑输入输出连接器接触端子的焊脚结构
US20120032329A1 (en) * 2008-12-03 2012-02-09 Renesas Electronics Corporation Semiconductor integrated circuit device
CN202949056U (zh) * 2012-07-18 2013-05-22 威盛电子股份有限公司 电连接器
CN203746833U (zh) * 2014-01-25 2014-07-30 嘉兴斯达半导体股份有限公司 在功率半导体封装中使用的焊接用信号引线

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112086372A (zh) * 2020-09-21 2020-12-15 南瑞联研半导体有限责任公司 一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层及其制作方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102330402B1 (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR102330403B1 (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
TW200623383A (en) Semiconductor package and lead frame thereof
US9177939B2 (en) Leadless surface mount assembly package and method of manufacturing the same
CN104600172A (zh) 倒装芯片型led支架及其制造方法
CN203746833U (zh) 在功率半导体封装中使用的焊接用信号引线
CN203746844U (zh) 功率模块封装结构
CN103779310A (zh) 一种在功率半导体封装中使用的焊接用信号引线
CN104576407A (zh) 一种引线框架管脚端面镀锡的封装方法及封装结构
CN103779344A (zh) 一种功率模块封装结构
CN202816923U (zh) 一种集成电路陶瓷封装外壳用的引线框架
US9065030B2 (en) Diode package having improved lead wire and manufacturing method thereof
CN101853915B (zh) Led支架制作方法
CN104617002A (zh) 一种半导体封装方法及结构
CN203774291U (zh) 一种金属连接件及功率半导体模块
CN203377068U (zh) 模铸电感焊接点结构
CN203118995U (zh) 防气孔型二极管器件
CN201904328U (zh) 集成电路引线框架
CN108110459B (zh) 一种大功率ipm模块端子连接结构
CN203787414U (zh) 小功率贴片引线框架件
JP6434269B2 (ja) 半導体装置
CN103474413A (zh) 防分层和水汽进入的大功率集成电路引线框架
CN105789068A (zh) 一种qfn封装器件的制备方法
CN204558455U (zh) 引线框架结构及片结构
CN202758879U (zh) 一种改进型引线框架

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20140507

RJ01 Rejection of invention patent application after publication