CN103474413A - 防分层和水汽进入的大功率集成电路引线框架 - Google Patents

防分层和水汽进入的大功率集成电路引线框架 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种防分层和水汽进入的大功率集成电路引线框架,包括载片台、焊接引脚、接地引脚及散热片,接地引脚一侧设置有与接地引脚连成一体的、用来增加芯片接地焊线位置的接地焊接平台,接地焊接平台同侧一端与载片台通过折弯断连为一体,接地焊接平台表面为麻面。本发明塑封后与塑料体结合更加紧密,尤其是波纹麻面会有更好的附着效果,从而阻止分层,达到阻止水汽的进入,提高产品的使用寿命。

Description

防分层和水汽进入的大功率集成电路引线框架
技术领域
本发明涉及大功率集成电路引线框架,尤其是大功率集成电路引线框架的引脚结构。
背景技术
集成电路引线框架是现代电子技术的核心部分,它的应用已渗透到人类社会的各个领域,对电子工业乃至国民经济的发展产生着巨大的影响,国际上也以其技术水平和经济衡量一个国家综合国力的重要标志之一。大功率集成电路引线框架的特征是接地引脚上有一个与接地引脚连成一体的、用来增加芯片接地焊线位置的接地焊接平台。由于增加了接地焊接平台,使得接地焊线有足够的焊接空间,不需增加载片台的面积,从而解决了芯片数量与封装体体积之间的矛盾。但是由于接地引脚与接地引脚折弯段之间的连筋平面区域较宽,在芯片的封装后容易出现塑封体与接地引脚出现分层现象,引发水汽进入芯片内部,导致芯片烧毁。
发明内容
    本发明的目的就是解决大功率集成电路引线框架封装后容易出现塑封体与接地引脚出现分层现象,引发水汽进入芯片内部,导致芯片烧毁的问题。
为解决上述问题,本发明采用的技术方案是:防分层和水汽进入的大功率集成电路引线框架,包括载片台、焊接引脚、接地引脚及散热片,所述接地引脚一侧设置有与接地引脚连成一体的、用来增加芯片接地焊线位置的接地焊接平台,所述的接地焊接平台同侧一端与载片台通过折弯断连为一体,其特征是所述接地焊接平台表面为麻面。
上述接地焊接平台表面麻面为波纹麻面会有更好的效果。接地焊接平台与焊接引脚位于同一平面上。
综上所述,本发明有益效果是:由于接地焊接平台采用麻面,塑封后与塑料体结合更加紧密,尤其是波纹麻面会有更好的附着效果,从而阻止分层,达到阻止水汽的进入,提高产品的使用寿命。
附图说明
图1为本发明示意图。
图2为图1的A-A向剖视图。
图3为图2的B部放大图。
图中,1、散热片,3、载片台,4、焊接引脚,5、接地焊接平台,6、接地引脚,7、过连筋,8、折弯断。
具体实施方式
如图1、图2所示,防分层和水汽进入的大功率集成电路引线框架,包括载片台3、焊接引脚4、接地引脚6及散热片1,接地引脚6一侧设置有与接地引脚连成一体的、用来增加芯片接地焊线位置的接地焊接平台5,接地焊接平台5同侧一端与载片台3通过折弯断8连为一体,接地焊接平台5表面为麻面,这样能够增加附着力,各种麻面都能够有效达到上述目的。优选方式为接地焊接平台5表面麻面为波纹麻面,如图3所示。接地焊接平台5与焊接引脚4位于同一平面上。
本发明通过接地焊接平台5表面为麻面实现塑封后与塑料体结合更加紧密,尤其是波纹麻面会有更好的附着效果,从而阻止分层,达到阻止水汽的进入,大大地提高了大功率集成电路引线框架的使用寿命。

Claims (3)

1.防分层和水汽进入的大功率集成电路引线框架,包括载片台(3)、焊接引脚(4)、接地引脚(6)及散热片(1),所述接地引脚(6)一侧设置有与接地引脚连成一体的、用来增加芯片接地焊线位置的接地焊接平台(5),所述的接地焊接平台(5)同侧一端与载片台(3)通过折弯断(8)连为一体,其特征是所述接地焊接平台(5)表面为麻面。
2.根据权利要求1所述的防分层和水汽进入的大功率集成电路引线框架,其特征是所述接地焊接平台(5)表面麻面为波纹麻面。
3.根据权利要求1所述的防分层和水汽进入的大功率集成电路引线框架,其特征是所述接地焊接平台(5)与焊接引脚(4)位于同一平面上。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109698182A (zh) * 2018-12-28 2019-04-30 珠海锦泰电子科技有限公司 一种大功率整流二极管用封装框架
CN111192839A (zh) * 2020-01-07 2020-05-22 贵州振华风光半导体有限公司 黑陶瓷低熔玻璃外壳集成电路内部水汽含量控制方法

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PB01 Publication
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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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