CN202758879U - 一种改进型引线框架 - Google Patents

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Abstract

一种改进型引线框架,包括具有多个单元的框架本体,相邻的单位之间通过底筋和中筋相连接,每一个框架单元包括芯片部、散热部、中间管脚及分别位于中间管脚的两侧的第一侧管脚和第二侧管脚,芯片部四边边缘部位沿厚度方向具有台阶式结构;在芯片部中心冲制空心。本实用新型在芯片部中心冲制空心,使得芯片焊接在引线框架上时,焊点更集中,结合力度更强;同时使得芯片散热更充分,减少热量对芯片性能的影响,提高电子产品的质量,结构简单,易实施。

Description

一种改进型引线框架
技术领域
本实用新型涉及半导体集成电路领域,具体涉及为一种改进型引线框架。
背景技术
引线框架作为一种半导体集成电路的芯片载体,在电子产品中有广泛的应用,借助于键合金实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件,具有支撑电子元器件和提供芯片与电路板之间的电及热通道的作用,而芯片与引线框架上的芯片部之间结合性不好,很有可能导致电子产品的失效。如何解决芯片与引线框架上的芯片部之间的结合性已经成为本领域技术人员亟待解决的重要问题。 
实用新型内容
本实用新型所解决的技术问题在于提供一种改进型引线框架,本实用新型所解决的技术问题采用以下技术方案来实现:
一种改进型引线框架,包括具有多个单元的框架本体,相邻的单位之间通过底筋和中筋相连接,每一个框架单元包括芯片部、散热部、中间管脚及分别位于中间管脚的两侧的第一侧管脚和第二侧管脚,芯片部四边边缘部位沿厚度方向具有台阶式结构;在芯片部中心冲制空心,用以提高芯片与芯片部之间的结合性,从而提高芯片与电路板之间的电及热通道的传导。
在本实用新型中,芯片部中心冲制的空心为长方形。
在本实用新型中,芯片部台阶式结构下配置绝缘填充材料。
在本实用新型中,使用蚀刻工艺以照相制版技术将设计的引线框架形状显像于铜带基材表面,然后通过化学或激光的方式选择性部分蚀刻。
有益效果:本实用新型在芯片部中心冲制空心,使得芯片焊接在引线框架上时,焊点更集中,结合力度更强;同时使得芯片散热更充分,减少热量对芯片性能的影响,提高电子产品的质量,结构简单,易实施。
附图说明
图1为本实用新型较佳实施例的结构示意图。
图2为附图1中的A处放大示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体图示,进一步阐述本实用新型。
参见图1的一种改进型引线框架,包括具有多个单元的框架本体,相邻的单位之间通过底筋和中筋相连接,每一个框架单元包括芯片部1、散热部2、中间管脚3及分别位于中间管脚的两侧的第一侧管脚和第二侧管脚,芯片部四边边缘部位沿厚度方向具有台阶式结构;在芯片部中心冲制空心4,用以提高芯片与芯片部之间的结合性,提高芯片与电路板之间的电及热通道的传导。
在本实施例中,芯片部1中心冲制的空心4为长方形。
在本实施例中,芯片部1台阶式结构下配置绝缘填充材料。
在本实施例中,使用蚀刻工艺以照相制版技术将设计的引线框架形状显像于铜带基材表面,然后通过化学或激光的方式选择性部分蚀刻。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下,本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (2)

1.一种改进型引线框架,包括具有多个单元的框架本体,相邻的单位之间通过底筋和中筋相连接,每一个框架单元包括芯片部、散热部、中间管脚及分别位于中间管脚的两侧的第一侧管脚和第二侧管脚,芯片部四边边缘部位沿厚度方向具有台阶式结构;其特征在于,在芯片部中心冲制空心。
2.根据权利要求1所述的一种改进型引线框架,其特征在于,芯片部中心冲制的空心为长方形。
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