CN103745920A - 一种半导体工艺中控制晶圆冷却的方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种半导体工艺中控制晶圆冷却的方法，针对氧化、低压化学气相沉积或低温退火的不同工艺，根据降舟前温度的高低，调整晶舟的降舟速度；同时，根据不同工艺对氧含量要求的不同，调节冷却风速，将氮气流量控制在高低不同的范围，在降舟过程及承载区域对晶圆进行充分冷却后取片。本发明通过对晶圆预冷温度、降舟速度、氮气流量、冷却风速等冷却控制参数进行优化组合使用，在控制氧含量达标的同时，实现对工艺降舟阶段晶圆冷却的有效控制，可快速有效地降低晶圆的温度，控制及缩短冷却时间，从而增加晶圆产能，并明显节约作为冷却介质的氮气资源。

Description

一种半导体工艺中控制晶圆冷却的方法

技术领域

本发明涉及一种用于半导体集成电路加工的立式炉设备在工艺过程中对晶圆进行冷却的方法，更具体地，涉及一种根据不同的半导体工艺，采用针对性的控制手段，对立式炉设备工艺降舟阶段的晶圆进行冷却的方法。

背景技术

随着半导体集成电路制造工艺的发展，特征尺寸不断缩小，使芯片的集成度越来越高，对集成电路制造及工艺设备提出了更高的要求，最新的工艺发展越来越受到工艺设备的制约。以立式炉设备来讲，为了保证上述工艺、材料性能的实现，热处理工艺对立式炉设备的指标，如颗粒控制、氧含量控制、升降温速率、稳定性等，提出了更高的要求。另外，在满足工艺性能的前提下，在工业中还需考虑产能的问题，需要高效地完成工艺处理，即增加晶圆产能(Wafer Percent Hour,WPH)。

对于集成电路前道工艺中的立式炉设备来说，晶圆（Wafer）经过工艺处理后，需要达到的一个很重要的工艺指标为颗粒度（Particle，PA）不能超标。颗粒超标对后序工艺处理有很大影响，甚至会引起电路短路或断路。为保证晶圆的颗粒度不超标，一方面需要严格控制整个设备结构的洁净度，另一方面需要尽量减少机械摩擦。

对于立式炉设备，晶圆的传送机构为机械手片叉。为防止机械手片叉在传送晶圆过程中产生摩擦，一方面需要校准好传输参数，另一方面需要保证好晶圆冷却温度、冷却气流量等传输条件达到机械手取片的正常工作范围。

一般晶圆传送机械手可以传输的条件须晶圆温度≤50℃。因此，在立式炉设备中，晶圆经过工艺处理后，从炉管中降舟（Unload）至晶圆承载区域（Loading Area，L/A）时，还需要经过晶圆冷却（Wafer Cooling）步骤。方法是通入作为冷却介质的氮气吹扫，并形成稳定的层流，使晶圆承载区域中的氧气含量达标，并快速有效地降低晶圆温度，以减少晶圆的形变，满足机械手正常取片传输的条件。

立式炉设备通常的工艺包括氧化、低压化学气相沉积(Low PressureChemical Vapor Deposition,LPCVD)和低温退火。其中，LPCVD和低温退火工艺对晶圆承载区域中的氧含量要求较高，一般要求氧含量<5ppm，而氧化工艺对晶圆承载区域中的氧含量要求不高。

现有的晶圆冷却方法，一般是在工艺降舟阶段，按照对晶圆承载区域中的氧含量要求较高的LPCVD和低温退火工艺条件，来设定通入氮气的流量。具体是将通入晶圆承载区域中的氮气流量设定为最大，并将冷却风机的风速调到较高水平，在保证氧含量达标的前提下，对晶圆进行持续冷却，直至经检测装置检测，晶圆的冷却状态达到机械手的传输条件。这样的冷却方法，对所需的冷却时间，缺乏定量的考量。

通常，冷却时间的长短，与降舟阶段温度、晶圆温度、保温桶温度和热容以及氮气吹扫流量等多种参数有关。前述现有的晶圆冷却方法，对氧化、LPCVD和低温退火不同的工艺，没有针对影响冷却时间的多种参数，调整冷却条件，而是采用固定不变的相同冷却条件。这种冷却方法的缺陷是，一方面在冷却过程中，当氧含量达到控制目标时，因设定的氮气流量和冷却风速不变，造成氮气过度消耗，特别是对于氧化工艺，其对晶圆承载区域中的氧含量要求并不高，就更增加了对氮气的消耗；另一方面，没有根据影响冷却时间的多种参数的特点，合理调整冷却条件，造成冷却时间的长短无法把握，并得不到控制，其实际的冷却效率较低，从而对晶圆的产能产生不利的影响。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种新的半导体工艺中控制晶圆冷却的方法，通过区分氧化、LPCVD和低温退火三种不同的半导体工艺，先在炉管内对晶圆进行预冷，并根据不同工艺对晶圆承载区域中氧含量的不同要求，设定不同的冷却风量条件，实现对工艺降舟阶段晶圆冷却的有效控制，可快速有效地降低晶圆的温度，缩短冷却时间，从而增加晶圆产能，并明显节约作为冷却介质的氮气资源。

为实现上述目的，本发明的技术方案如下：

一种半导体工艺中控制晶圆冷却的方法，所述半导体工艺是在半导体立式炉中进行的氧化、低压化学气相沉积或低温退火工艺，所述控制晶圆冷却的方法包括以下步骤：

步骤一：在所述半导体工艺的炉管内降温阶段，根据所进行的工艺种类的不同，将所述炉管内温度降低到高低不同的温度区间并稳定；并且，根据不同工艺种类对氧含量要求的不同，将通入所述立式炉晶圆承载区域作为冷却介质的氮气流量控制在高低不同的范围，同时开启风机，调节风速，使承载区域形成稳定的层流气流，用于进行吹扫和冷却晶圆；

步骤二：在降舟阶段，根据步骤一中炉管内温度降低时，处于不同工艺的相应温度区间内温度的高低，调整晶舟的下降速度，在此过程中，晶圆开始被通入的氮气冷却；其中，按处于相应温度区间内的温度由高到低，调整晶舟的下降速度由慢到快；

步骤三：降舟完成后，维持步骤一中通入的氮气流量和风机风速，在承载区域对晶圆继续进行一定冷却时间的氮气吹扫冷却；

步骤四：在步骤三的冷却时间到达时，经检测晶圆的冷却状态满足取片条件时，开始取片。

通常，在各种工艺中，都存在炉管内降温冷却阶段。但这是出于工艺的要求，并不是直接针对晶圆传输的需求。并非所有工艺的炉管内降温时温度降至相同的区间，会对晶圆的最终冷却效果产生相同的作用；也并非将炉管内冷却温度设定得越低，冷却时间就越少、冷却效果就越好。在本发明的上述步骤一中，将工艺要求与晶圆传输需求结合起来综合考虑，根据所进行的工艺种类的不同，将所述炉管内温度降低到不同的温度区间并稳定，对确定晶圆后续的冷却条件及控制冷却效果，确立了一个可控的前提。

同时，在晶圆冷却时，还要兼顾对氧含量的控制要求。在LPCVD和低温退火工艺过程中，对晶圆承载区域中的氧含量要求较高，一般要求氧含量<5ppm，而氧化工艺对晶圆承载区域中的氧含量要求不高。因此，本发明根据不同工艺种类对氧含量要求的不同，将通入所述立式炉晶圆承载区域的氮气流量控制在不同的范围。风机的风速也不是越大，冷却时间就会节省，关键是在形成稳定的层流气流的条件下，合理调整氮气流量，使通入的氮气均匀地与晶圆表面接触，充分进行热的交换，才能起到最佳的冷却效果。过大或过小的风速，都难以起到良好的冷却效果。

某种工艺中，对炉管内温度的降低是控制在一定的温度区间范围内的，根据需要，在此温度区间内，有时设定的降温温度相对较高，有时又较低。为了使经过不同预冷温度的晶圆在步骤二的降舟阶段终了时，具有较接近的温度，以便于控制总体的冷却时间，需要调整晶舟的下降速度。也就是按处于相应温度区间内的温度由高到低，调整晶舟的下降速度由慢到快，达到控制降舟阶段晶圆的冷却温度的目的。

因此，在步骤一中，当所述工艺为氧化工艺时，根据主工艺温度相对较高的情况，将所述炉管内温度降低到相对较高的温度区间并稳定，以避免温降过大对晶圆造成不利影响；并且，根据氧化工艺对晶圆承载区域中的氧含量要求不高的情况，将通入承载区域的氮气流量控制在相对较低的范围。这样的控制手段可使降温效果更明显，需要的冷却时间更短一些。当所述工艺为低压化学气相沉积或是低温退火工艺时，根据主工艺温度相对较低的情况，将所述炉管内温度降低到相对较低的温度区间并稳定；并且，根据这两种工艺对晶圆承载区域中的氧含量要求较高的情况，将通入承载区域的氮气流量控制在相对较高的范围。这样的控制手段可在保证氧含量不超标的前提下，对晶圆的冷却时间也不会太长。

进一步地，步骤一中，所述工艺为氧化工艺时，将所述炉管内温度降低到相对较高的600～650℃温度区间并稳定，并且，根据氧化工艺对氧含量要求不高的情况，将通入承载区域的氮气流量控制在相对较低的≤100slm的范围。

进一步地，步骤一中，所述工艺为低压化学气相沉积或是低温退火工艺时，将所述炉管内温度降低到相对较低的400～600℃温度区间并稳定，并且，根据低压化学气相沉积或是低温退火工艺对氧含量要求较高的情况，将通入承载区域的氮气流量控制在相对较高的500～1000slm的范围。

进一步地，步骤一中，所述风机的风速为0.3～0.5m/s，足以形成稳定的层流气流，在降舟时，使氮气均匀地与晶圆表面接触，充分进行热的交换，起到最佳的冷却效果。

进一步地，步骤二中，所述晶舟的下降速度为100～200mm/min，降舟高度为1500～1600mm。在降舟高度一定时，通过调整晶舟的下降速度，使具有不同预冷温度的晶圆在降舟终了时温度相接近，以便控制最后的冷却时间。

进一步地，步骤三中，所述冷却时间为20～30min，以进一步降低晶圆的温度至目标温度，使主工艺中的高温对晶圆造成的翘曲变形得到恢复，避免机械手与晶圆发生摩擦，造成颗粒源。

进一步地，所述晶圆的尺寸为200mm或300mm均可，只需要在设定的各冷却控制参数范围内适当调整，即可实现冷却目标。

进一步地，所述工艺为氧化工艺时，在步骤一中，将所述炉管内温度降低到相对较高的600～650℃温度区间并稳定。并且，根据氧化工艺对氧含量要求不高的情况，可对承载区域通入空气进行吹扫冷却，其流量控制在≤500slm的范围。同时开启风机，调节风速为0.3～0.5m/s，使承载区域形成稳定的层流气流，用于进行吹扫和冷却晶圆。在步骤三中，维持步骤一中通入的空气流量和风机风速，冷却时间为20～30min。

进一步地，步骤三中，所述冷却时间为20～30min，冷却时间到达时，对晶圆温度进行检测，当晶圆的温度≤50℃时，开始取片。

从上述技术方案可以看出，本发明通过区分氧化、LPCVD和低温退火三种不同的半导体工艺，先在炉管内对晶圆进行预冷，并根据不同工艺对晶圆承载区域中氧含量的不同要求，设定不同的冷却风量条件，对晶圆预冷温度、降舟速度、氮气流量、冷却风速等冷却控制参数进行优化组合使用，在控制氧含量达标的同时，实现对工艺降舟阶段晶圆冷却的有效控制，可快速有效地降低晶圆的温度，控制及缩短冷却时间，从而增加晶圆产能，并明显节约作为冷却介质的氮气资源。

附图说明

图1为本发明一种半导体工艺中控制晶圆冷却的方法的流程图。

具体实施方式

下面结合附图，对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明。

实施例一

在本实施例中，请参阅图1。图1为本发明一种半导体工艺中控制晶圆冷却的方法的流程图，如图所示，本发明的控制晶圆冷却的方法，是针对在半导体立式炉中进行的氧化、低压化学气相沉积或低温退火工艺实施的，包括降舟前晶圆温度稳定、降舟、晶圆继续冷却、取片四个步骤，具体如下：

步骤一：降舟前晶圆温度稳定。在半导体工艺的炉管内降温阶段，根据所进行的工艺种类的不同，将炉管内温度降低到高低不同的温度区间并稳定；并且，根据不同工艺种类对氧含量要求的不同，将通入立式炉晶圆承载区域作为冷却介质的氮气流量控制在高低不同的范围，同时开启风机，调节风速，使承载区域形成稳定的层流气流，用于进行吹扫和冷却晶圆；

步骤二：降舟。在降舟阶段，根据步骤一中炉管内温度降低时，处于不同工艺的相应温度区间内温度的高低，调整晶舟的下降速度，在此过程中，晶圆开始被通入的氮气冷却；其中，按处于相应温度区间内的温度由高到低，调整晶舟的下降速度由慢到快；

步骤三：晶圆继续冷却。降舟完成后，维持步骤一中通入的氮气流量和风机风速，在承载区域对晶圆继续进行一定冷却时间的氮气吹扫冷却；

步骤四：取片。在步骤三的冷却时间到达时，经检测晶圆的冷却状态满足取片条件时，机械手开始取片。

通常，在各种工艺中，都存在炉管内降温冷却阶段。但这是出于工艺的要求，并不是直接针对晶圆传输的需求。并非所有工艺的炉管内降温时温度降至相同的区间，会对晶圆的最终冷却效果产生相同的作用；也并非将炉管内冷却温度设定得越低，冷却时间就越少、冷却效果就越好。在本发明的上述步骤一中，将工艺要求与晶圆传输需求结合起来综合考虑，根据所进行的工艺种类的不同，将所述炉管内温度降低到不同的温度区间并稳定，对确定晶圆后续的冷却条件及控制冷却效果，确立了一个可控的前提。

同时，在晶圆冷却时，还要兼顾对氧含量的控制要求。在LPCVD和低温退火工艺过程中，对晶圆承载区域中的氧含量要求较高，一般要求氧含量<5ppm，而氧化工艺对晶圆承载区域中的氧含量要求不高。因此，本发明根据不同工艺种类对氧含量要求的不同，将通入立式炉晶圆承载区域的氮气流量控制在不同的范围。风机的风速也不是越大，冷却时间就会节省，关键是在形成稳定的层流气流的条件下，合理调整氮气流量，使通入的氮气均匀地与晶圆表面接触，充分进行热的交换，才能起到最佳的冷却效果。过大或过小的风速，都难以起到良好的冷却效果。

某种工艺中，对炉管内温度的降低是控制在一定的温度区间范围内的，根据需要，在此温度区间内，有时设定的降温温度相对较高，有时又较低。为了使经过不同预冷温度的晶圆在步骤二的降舟阶段终了时，具有较接近的温度，以便于控制总体的冷却时间，需要调整晶舟的下降速度。也就是按处于相应温度区间内的温度由高到低，调整晶舟的下降速度由慢到快，达到控制降舟阶段晶圆的冷却温度的目的。

因此，在步骤一中，当所述工艺为氧化工艺时，根据主工艺温度相对较高的情况，将炉管内温度降低到相对较高的温度区间并稳定，以避免温降过大对晶圆造成不利影响；并且，根据氧化工艺对晶圆承载区域中的氧含量要求不高的情况，将通入承载区域的氮气流量控制在相对较低的范围。这样的控制手段可使降温效果更明显，需要的冷却时间更短一些。当所述工艺为低压化学气相沉积或是低温退火工艺时，根据主工艺温度相对较低的情况，将炉管内温度降低到相对较低的温度区间并稳定；并且，根据这两种工艺对晶圆承载区域中的氧含量要求较高的情况，将通入承载区域的氮气流量控制在相对较高的范围。这样的控制手段可在保证氧含量不超标的前提下，对晶圆的冷却时间也不会太长。

具体来讲，在步骤一中，当所述工艺为氧化工艺时，将炉管内温度降低到相对较高的600～650℃温度区间并稳定，并且，根据氧化工艺对氧含量要求不高的情况，将通入承载区域的氮气流量控制在相对较低的≤100slm的范围。当工艺为低压化学气相沉积或是低温退火工艺时，将炉管内温度降低到相对较低的400～600℃温度区间并稳定，并且，根据低压化学气相沉积或是低温退火工艺对氧含量要求较高的情况，将通入承载区域的氮气流量控制在相对较高的500～1000slm的范围。

并且，将风机的风速设定为0.3～0.5m/s，可足以形成稳定的层流气流，在降舟时，使氮气均匀地与晶圆表面接触，充分进行热的交换，起到最佳的冷却效果。

在步骤二中，将晶舟的下降速度设定为100～200mm/min，降舟高度为1500～1600mm。在降舟高度一定时，通过调整晶舟的下降速度，使具有不同预冷温度的晶圆在降舟终了时温度相接近，以便控制最后的冷却时间。

在步骤三中，将冷却时间设定为20～30min，以进一步降低晶圆的温度至目标温度，使主工艺中的高温对晶圆造成的翘曲变形得到恢复，避免机械手与晶圆发生摩擦，造成颗粒源。

在本方法的使用中，晶圆的尺寸为200mm或300mm均可，只需要在设定的各冷却控制参数范围内适当调整，即可实现冷却目标。

当冷却时间到达时，对晶圆温度进行检测。如果晶圆的温度≤50℃时，即可开始机械手取片。

在本实施例中，针对氧化工艺，按上述方法设定如下相关冷却控制参数并实施：

（1）降舟前晶圆温度稳定：在降舟之前，进行温度稳定，将炉管内温度降低到650℃稳定；一批晶圆的数量为125片，晶圆的规格尺寸为300mm；

（2）风机开启：风速在0.4m/s，可以形成相对稳定的层流气流；

（3）针对立式炉氧化工艺，对承载区域中氧含量要求不高，氮气流量为100slm即可，在小流量氮气吹扫下，晶圆降温效果更明显；降舟高度为1600mm，降舟速度为100～200mm/min；

（4）晶圆继续冷却：在氮气吹扫下，晶圆在承载区域中冷却时间到20min时，晶圆温度已达到50℃以下，冷却结束；

（5）取片：待晶圆冷却20min后，晶圆在主工艺中产生的翘曲变形已得到恢复，经检测晶圆的冷却状态合格，保证机械手与晶圆不会摩擦产生颗粒，机械手即可取片。

实施例二

在本实施例中，针对氧化工艺，设定如下相关冷却控制参数并实施：

（1）降舟前晶圆温度稳定：在降舟之前，进行温度稳定，将炉管内温度降低到600℃稳定；一批晶圆的数量为125片，晶圆的规格尺寸为300mm；

（2）风机开启：风速在0.3m/s，可以形成相对稳定的层流气流；

（3）针对立式炉氧化工艺，对承载区域中氧含量要求不高，对承载区域通入空气替代氮气进行吹扫冷却，空气流量为300slm；降舟高度为1600mm，降舟速度为100～200mm/min；

（4）晶圆继续冷却：在氮气吹扫下，晶圆在承载区域中冷却时间为25min，晶圆温度已达到50℃以下，冷却结束；

（5）取片：待晶圆冷却25min后，晶圆在主工艺中产生的翘曲变形已得到恢复，经检测晶圆的冷却状态合格，保证机械手与晶圆不会摩擦产生颗粒，机械手即可取片。

实施例三

在本实施例中，针对低压化学气相沉积工艺，设定如下相关冷却控制参数并实施：

（1）降舟前晶圆温度稳定：在降舟之前，进行温度稳定，将炉管内温度降低到500℃稳定，压力返至常压；一批晶圆的数量为125片，晶圆的规格尺寸为300mm；

（2）风机开启：风速在0.4m/s，可以形成相对稳定的层流气流；

（3）针对立式炉低压化学气相沉积工艺，对承载区域中氧含量要求较高，要求<5ppm，通入氮气流量为800slm，不仅保证了晶圆的降温效果，而且保证了承载区域中氧含量达标；降舟高度为1600mm，降舟速度为100～200mm/min；

（4）晶圆继续冷却：在氮气吹扫下，晶圆在承载区域中冷却时间为25min，晶圆温度已达到50℃以下，冷却结束；

（5）取片：待晶圆冷却25min后，晶圆在主工艺中产生的翘曲变形已得到恢复，经检测晶圆的冷却状态合格，保证机械手与晶圆不会摩擦产生颗粒，机械手即可取片。

实施例四

在本实施例中，针对低温退火工艺，设定如下相关冷却控制参数并实施：

（1）降舟前晶圆温度稳定：在降舟之前，进行温度稳定，将炉管内温度降低到400℃稳定，压力返至常压；一批晶圆的数量为125片，晶圆的规格尺寸为300mm；

（2）风机开启：风速在0.3m/s，可以形成相对稳定的层流气流；

（3）针对立式炉低温退火工艺，对承载区域中氧含量要求较高，要求<5ppm，通入氮气流量为600slm，不仅保证了晶圆的降温效果，而且保证了承载区域中氧含量达标；降舟高度为1600mm，降舟速度为100～200mm/min；

（4）晶圆继续冷却：在氮气吹扫下，晶圆在承载区域中冷却时间为20min，晶圆温度已达到50℃以下，冷却结束；

（5）取片：待晶圆冷却20min后，晶圆在主工艺中产生的翘曲变形已得到恢复，经检测晶圆的冷却状态合格，保证机械手与晶圆不会摩擦产生颗粒，机械手即可取片。

需要说明的是,本发明的冷却方法在运用时，在各冷却控制参数的设定范围内，可以根据需要及实际工艺状况，进行多种组合调整，并形成多种具体实施方式。本专业的普通工程技术人员，可根据本发明的技术方案，制定各种不同的晶圆冷却控制条件，故本部分不再赘述。

以上所述的仅为本发明的优选实施例，所述实施例并非用以限制本发明的专利保护范围，因此凡是运用本发明的说明书及附图内容所作的等同结构变化，同理均应包含在本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.一种半导体工艺中控制晶圆冷却的方法，所述半导体工艺是在半导体立式炉中进行的氧化、低压化学气相沉积或低温退火工艺，其特征在于，所述控制晶圆冷却的方法包括以下步骤：

步骤一：在所述半导体工艺的炉管内降温阶段，根据所进行的工艺种类的不同，将所述炉管内温度降低到高低不同的温度区间并稳定；并且，根据不同工艺种类对氧含量要求的不同，将通入所述立式炉晶圆承载区域的氮气流量控制在高低不同的范围，同时开启风机，调节风速，使承载区域形成稳定的层流气流，用于进行吹扫和冷却晶圆；

步骤二：在降舟阶段，根据步骤一中炉管内温度降低时，处于不同工艺的相应温度区间内温度的高低，调整晶舟的下降速度，在此过程中，晶圆开始被通入的氮气冷却；其中，按处于相应温度区间内的温度由高到低，调整晶舟的下降速度由慢到快；

步骤三：降舟完成后，维持步骤一中通入的氮气流量和风机风速，在承载区域对晶圆继续进行一定冷却时间的氮气吹扫冷却；

步骤四：在步骤三的冷却时间到达时，经检测晶圆的冷却状态满足取片条件时，开始取片。

2.如权利要求1所述的控制晶圆冷却的方法，其特征在于，步骤一中，所述工艺为氧化工艺时，将所述炉管内温度降低到相对较高的温度区间并稳定，并且，将通入承载区域的氮气流量控制在相对较低的范围；所述工艺为低压化学气相沉积或是低温退火工艺时，将所述炉管内温度降低到相对较低的温度区间并稳定，并且，将通入承载区域的氮气流量控制在相对较高的范围。

3.如权利要求1或2所述的控制晶圆冷却的方法，其特征在于，步骤一中，所述工艺为氧化工艺时，将所述炉管内温度降低到相对较高的600～650℃温度区间并稳定，并且，将通入承载区域的氮气流量控制在相对较低的≤100slm的范围。

4.如权利要求1或2所述的控制晶圆冷却的方法，其特征在于，步骤一中，所述工艺为低压化学气相沉积或是低温退火工艺时，将所述炉管内温度降低到相对较低的400～600℃温度区间并稳定，并且，将通入承载区域的氮气流量控制在相对较高的500～1000slm的范围。

5.如权利要求1所述的控制晶圆冷却的方法，其特征在于，步骤一中，所述风机的风速为0.3～0.5m/s。

6.如权利要求1所述的控制晶圆冷却的方法，其特征在于，步骤二中，所述晶舟的下降速度为100～200mm/min，降舟高度为1500～1600mm。

7.如权利要求1所述的控制晶圆冷却的方法，其特征在于，步骤三中，所述冷却时间为20～30min。

8.如权利要求1所述的控制晶圆冷却的方法，其特征在于，所述晶圆的尺寸为200mm或300mm。

9.如权利要求1所述的控制晶圆冷却的方法，其特征在于，所述工艺为氧化工艺时，在步骤一中，将所述炉管内温度降低到相对较高的600～650℃温度区间并稳定，并且，对承载区域通入空气进行吹扫冷却，其流量控制在≤500slm的范围，同时开启风机，调节风速为0.3～0.5m/s，使承载区域形成稳定的层流气流，用于进行吹扫和冷却晶圆；在步骤三中，维持步骤一中通入的空气流量和风机风速，冷却时间为20～30min。

10.如权利要求1或9所述的控制晶圆冷却的方法，其特征在于，步骤三中，所述冷却时间为20～30min，冷却时间到达时，对晶圆温度进行检测，当晶圆的温度≤50℃时，开始取片。

Images