CN107785255A - 一种半导体晶圆的温度控制方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种半导体晶圆的温度控制方法，对被树脂片或者粘合带覆盖的半导体晶圆进行冷却其特征在于，包括以下步骤：(1)在半导体晶圆降温阶段，根据所进行的工艺种类的不同，将温度降低到高低不同的温度区间并稳定；并且，根据不同工艺种类对氧含量要求的不同，将通入晶圆承载区域的冷却用的气体流量控制在高低不同的范围，同时开启风机，调节风速，使承载区域形成稳定的层流气流，用于进行吹扫和冷却晶圆；(2)维持上述步骤中通入的吹送冷却用的气体流量和风机风速，在承载区域对晶圆继续进行冷却5‑10min；(3)在步骤(2)的冷却时间到达时，经检测晶圆的冷却状态满足取片条件时，开始取片。
Description
技术领域
本发明涉及半导体晶圆技术领域，具体涉及一种半导体晶圆的温度控制方法。
背景技术
随着半导体集成电路制造工艺的发展，特征尺寸不断缩小，使芯片的集成度越来越高，对集成电路制造及工艺设备提出了更高的要求，最新的工艺发展越来越受到工艺设备的制约。以立式炉设备来讲，为了保证上述工艺、材料性能的实现，热处理工艺对立式炉设备的指标，如颗粒控制、氧含量控制、升降温速率、稳定性等，提出了更高的要求。另外，在满足工艺性能的前提下，在工业中还需考虑产能的问题，需要高效地完成工艺处理，即增加晶圆产能(Wafer PercentHour,WPH)。
现有的晶圆冷却方法，一般是在工艺降舟阶段，按照对晶圆承载区域中的氧含量要求较高的LPCVD和低温退火工艺条件，来设定通入氮气的流量。具体是将通入晶圆承载区域中的氮气流量设定为最大，并将冷却风机的风速调到较高水平，在保证氧含量达标的前提下，对晶圆进行持续冷却，直至经检测装置检测，晶圆的冷却状态达到机械手的传输条件。这样的冷却方法，对所需的冷却时间，缺乏定量的考量。
发明内容
本发明旨在提供了一种半导体晶圆的温度控制方法。
本发明提供如下技术方案：
一种半导体晶圆的温度控制方法，对被树脂片或者粘合带覆盖的半导体晶圆进行冷却其特征在于，包括以下步骤：
(1)在半导体晶圆降温阶段，根据所进行的工艺种类的不同，将温度降低到高低不同的温度区间并稳定；并且，根据不同工艺种类对氧含量要求的不同，将通入晶圆承载区域的冷却用的气体流量控制在高低不同的范围，同时开启风机，调节风速，使承载区域形成稳定的层流气流，用于进行吹扫和冷却晶圆；
(2)维持上述步骤中通入的吹送冷却用的气体流量和风机风速，在承载区域对晶圆继续进行冷却5-10min；
(3)在步骤(2)的冷却时间到达时，经检测晶圆的冷却状态满足取片条件时，开始取片。
所述向半导体晶圆吹送冷却用的气体为氮气。
所述风机的风速为0.8～1.2m/s。
所述半导体晶圆的尺寸为250mm-320mm。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明先在冷却区域内对半导体晶圆进行预冷，并根据不同工艺对晶圆承载区域中氧含量的不同要求，设定不同的冷却风量条件，实现降温阶段晶圆冷却的有效控制，可快速有效地降低晶圆的温度，缩短冷却时间，从而增加晶圆产能，并明显节约作为冷却介质的氮气资源。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一种半导体晶圆的温度控制方法，对被树脂片或者粘合带覆盖的半导体晶圆进行冷却其特征在于，包括以下步骤：
(1)在半导体晶圆降温阶段，根据所进行的工艺种类的不同，将温度降低到高低不同的温度区间并稳定；并且，根据不同工艺种类对氧含量要求的不同，将通入晶圆承载区域的冷却用的气体流量控制在高低不同的范围，同时开启风机，调节风速，使承载区域形成稳定的层流气流，用于进行吹扫和冷却晶圆；
(2)维持上述步骤中通入的吹送冷却用的气体流量和风机风速，在承载区域对晶圆继续进行冷却5-10min；
(3)在步骤(2)的冷却时间到达时，经检测晶圆的冷却状态满足取片条件时，开始取片。
所述向半导体晶圆吹送冷却用的气体为氮气。
所述风机的风速为0.8～1.2m/s。
所述半导体晶圆的尺寸为250mm-320mm。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于所述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是所述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (4)
1.一种半导体晶圆的温度控制方法，对被树脂片或者粘合带覆盖的半导体晶圆进行冷却其特征在于，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在半导体晶圆降温阶段，根据所进行的工艺种类的不同，将温度降低到高低不同的温度区间并稳定；并且，根据不同工艺种类对氧含量要求的不同，将通入晶圆承载区域的冷却用的气体流量控制在高低不同的范围，同时开启风机，调节风速，使承载区域形成稳定的层流气流，用于进行吹扫和冷却晶圆；
(2)维持上述步骤中通入的吹送冷却用的气体流量和风机风速，在承载区域对晶圆继续进行冷却5-10min；
(3)在步骤(2)的冷却时间到达时，经检测晶圆的冷却状态满足取片条件时，开始取片。
2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆的温度控制方法，其特征在于：所述向半导体晶圆吹送冷却用的气体为氮气。
3.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆的温度控制方法，其特征在于：所述风机的风速为0.8～1.2m/s。
4.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆的温度控制方法，其特征在于：所述半导体晶圆的尺寸为250mm-320mm。
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN110246791A (zh) * | 2019-05-20 | 2019-09-17 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种晶圆传送装置、去除杂质的设备及去除杂质的方法 |
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| JP2012231145A (ja) * | 2012-05-22 | 2012-11-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造システム、半導体製造方法、温度制御方法、温度制御装置及び半導体製造装置のコントローラ |
| CN103745920A (zh) * | 2014-01-29 | 2014-04-23 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 一种半导体工艺中控制晶圆冷却的方法 |
| CN105374766A (zh) * | 2014-08-08 | 2016-03-02 | 日东电工株式会社 | 半导体晶圆的冷却方法以及半导体晶圆的冷却装置 |
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